JPH1187467A - ロードロック機構及び処理装置 - Google Patents

ロードロック機構及び処理装置

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JPH1187467A
JPH1187467A JP9262679A JP26267997A JPH1187467A JP H1187467 A JPH1187467 A JP H1187467A JP 9262679 A JP9262679 A JP 9262679A JP 26267997 A JP26267997 A JP 26267997A JP H1187467 A JPH1187467 A JP H1187467A
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wafer
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】フットプリントを削減することができ、処理室
のレイアウトの自由度を高めることができるロードロッ
ク機構及び処理装置を提供する。 【解決手段】ロードロック機構は、真空圧側である第1
搬送室20とは第1開口部31Aで大気圧側である第2
搬送室40とは第2開口部31Bでそれぞれ連通可能な
真空室31を備え、真空室31に大気圧側の下側の第2
開口部31Bを開閉する第1ゲートバルブ34Aを設け
ると共に真空室31内にシール部材35Cにより気密を
保持しながらその内部を昇降する第1ロードロック室3
2を設け、第1ロードロック室32は第1、第2開口部
31A、31Bそれぞれに対応する第1、第2出入口3
2A、32Bを有し、且つ、第2開口部31Bと第2出
入口32Bが一致する時には第1ロードロック室32内
を真空室31の真空空間から遮断することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロードロック機構
及び処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程におけるウエハの処理は
現在の6インチあるいは8インチの半導体ウエハ(以
下、「単にウエハ」と称す。)から一気に12インチの
ウエハに移行する傾向にある。これに伴って半導体製造
装置は12インチウエハ対応したのものが開発されつつ
ある。12インチウエハの時代は、ウエハが大口径化、
大重量化し、各半導体製造関連装置が益々大型化する。
【0003】例えば、図6は複数の処理を連続的に行う
マルチチャンバー処理装置(以下、単に「処理装置」と
称す。)の一例を示す平面図である。この処理装置は、
同図に示すように、所定の真空度に保持され且つ例えば
エッチング処理や成膜処理等をそれぞれ個別に行う複数
の処理室1と、各処理室1に対してゲートバルブ2Aを
介して連通、遮断可能に連結され且つ各処理室1の真空
度に見合った真空雰囲気下でウエハWを一枚ずつ搬送す
る第1搬送室3と、第1搬送室3に対してゲートバルブ
2Bを介して連通、遮断可能に連結され且つ第1搬送室
3の真空度に見合った真空雰囲気を作る二系列のロード
ロック室4と、各ロードロック室4に対してゲートバル
ブ2Cを介して連通、遮断可能に連結され且つ各ロード
ロック室4に対して大気圧雰囲気下でウエハWを一枚ず
つ搬送する第2搬送室5と、第2搬送室5に対してゲー
トバルブ2Dを介して連通、遮断可能に連結され且つウ
エハWをキャリア単位で収納するキャリア収納室6とを
備えている。そして、第1、第2搬送室3、5にはそれ
ぞれウエハ搬送装置3A、5Aが配設され、各ウエハ搬
送装置3A、5Aのハンドリングアームを介してウエハ
Wを一枚ずつ搬送するようにしてある。尚、図6におい
て4AはウエハWを載置する温度調整可能な載置台で、
この載置台4Aはロードロック室4とでロードロック機
構を構成し、載置台4Aを介してウエハWを所定温度に
調整するようにしてある。
【0004】そして、例えば左側のキャリア収納室6内
のウエハWについて所定の処理を行う場合には、ゲート
バルブ2Dが開くと共に第2搬送室5内のウエハ搬送装
置5Aが駆動し、キャリア室6のキャリアCからウエハ
Wを一枚取り出した後、ゲートバルブ2Dを閉じてキャ
リア室6と第2搬送室5とを遮断する。次いで、左側の
ロードロック室4のゲートバルブ2Cが開くと共にウエ
ハ搬送装置5Aを介して第2搬送室5からロードロック
室4内の載置台4A上へウエハWを移載した後、ゲート
バルブ2Cを閉じる。次いで、ロードロック室4の真空
排気装置(図示せず)が駆動して室内を真空引きして所
定の真空雰囲気を作る。ロードロック室4が所定の真空
雰囲気になり、ウエハWが所定の温度になると、ゲート
バルブ2Bが開くと共に第1搬送室3のウエハ搬送装置
3Aが駆動し、ロードロック室4内のウエハWを真空雰
囲気下で第1搬送室3内へ搬入し、そのゲートバル2B
を閉じる。引き続き、例えば左側の処理室1のゲートバ
ルブ2Aを開き、ウエハ搬送装置3Aを介して第1搬送
室3から処理室1内へウエハWを移載し、そのゲートバ
ルブ2Aを閉じ、処理室1内で所定の処理例えば成膜処
理を行う。この間、他の処理室1内ではエッチング処理
等の処理を並行して行っている。
【0005】その後、例えば右側の処理室1内で所定の
処理が終了すれば、そのゲートバルブ2Aを開き、第1
搬送室3内へ処理済みのウエハWを搬入する。次いで、
右側の既に真空引きされているロードロック室4のゲー
トバルブ2Bが開き、ウエハ搬送装置3Aを介して処理
済みウエハをロードロック室4内へ移載してゲートバル
ブ2Bを閉じる。次いで、ロードロック室4内を大気圧
に戻した後、ゲートバルブ2Cを開き、ロードロック室
4内のウエハWを第2搬送室5を経由して左側のキャリ
ア収納室6内のキャリアCへ処理済みウエハを戻す。こ
の間に左側の処理室1での処理を終え、第1搬送室3の
ウエハ搬送装置3Aを介して左側の処理室1から右側の
処理室1へウエハWを移載する。この動作と並行して次
に処理すべきウエハWを左側のキャリア収納室6内から
取り出し、左側のロードロック室4内を経由して左側の
処理室1へウエハWを搬入し、成膜処理を行う。
【0006】つまり、従来の処理装置の場合には、真空
圧側と大気圧側との連絡通路として二系列のロードロッ
ク室4が配置され、各ロードロック室4を効率的に利用
してウエハの搬送効率を高め、処理装置のスループット
向上に寄与している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理装置の場合には、パーティクルの発生を極力抑制す
る意味等からも第1搬送室3内のウエハ搬送装置3Aの
駆動部を少しでも削減する必要があり、ウエハ搬送装置
3Aのハンドリングアームの上下方向の動きをなくし、
搬送高さを同一にして水平方向のみで駆動するようにし
ているため、二系列のロードロック室4を並列配置せざ
る得ず、ロードロック室4のフットプリントが広くなる
という課題があった。また、今後、ウエハが12インチ
の時代になると、配線構造が益々多層化し、処理装置で
の処理数即ち処理室1も増加する傾向にあるが、従来の
処理装置の場合には並列配置された二系列のロードロッ
ク室4によって処理室1のレイアウトが大幅に制限され
るという課題があった。
【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、フットプリントを削減することができ、ひ
いては処理室のレイアウトの自由度を高めることができ
るロードロック機構及び処理装置を提供することを目的
としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のロードロック機構は、真空圧側とは第1開口部で大気
圧側とは第2開口部でそれぞれ連通可能な真空室を備え
たロードロック機構において、上記真空室に大気圧側の
第2開口部を開閉する開閉機構を設けると共に上記真空
室内に気密を保持しながらその内部を移動するロードロ
ック室を設け、上記ロードロック室は第1、第2開口部
それぞれに対応する第1、第2出入口を有し、且つ、第
2開口部と第2出入口が一致する時には上記ロードロッ
ク室内を上記真空室の真空空間から遮断することを特徴
とするものである。
【0010】また、本発明の請求項2に記載のロードロ
ック機構は、請求項1に記載の発明において、上記ロー
ドロック室は上記真空室内で上下方向で移動可能に構成
されたことを特徴とするものである。
【0011】また、本発明の請求項3に記載のロードロ
ック機構は、請求項1または請求項2に記載の発明にお
いて、上記真空室内に上下二段の上記ロードロック室を
設けると共に上記真空室に上記各ロードロック室それぞ
れの第2出入口に対応する第2開口部を上下にそれぞれ
設けたことを特徴とするものである。
【0012】また、本発明の請求項4に記載のロードロ
ック機構は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載
の発明において、上記ロードロック室に給排気口を設け
たことを特徴とするものである。
【0013】また、本発明の請求項5に記載のロードロ
ック機構は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載
の発明において、上記ロードロック室内に被処理体を上
下方向に移動させる昇降手段を設けたことを特徴とする
ものである。
【0014】また、本発明の請求項6に記載のロードロ
ック機構は、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載
の発明において、上記ロードロック室に上記被処理体を
冷却する冷却手段を設けたことを特徴とするものであ
る。
【0015】また、本発明の請求項7に記載の処理装置
は、被処理体にそれぞれ所定の処理を施す複数の処理室
と、各処理室に対して上記被処理体を搬出入する際に真
空圧側と大気圧側を連絡するロードロック機構とを備
え、且つ上記ロードロック機構は真空圧側とは第1開口
部で大気圧側とは第2開口部でそれぞれ連通可能な真空
室を有する処理装置において、上記真空室に第2開口部
を開閉する開閉機構を設けると共に上記真空室内に気密
を保持しながらその内部を移動するロードロック室を設
け、上記ロードロック室は第1、第2開口部それぞれに
対応する第1、第2出入口を有し、且つ、第2開口部と
第2出入口が一致する時には上記ロードロック室内を上
記真空室の真空空間から遮断することを特徴とするもの
である。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図5に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。まず、本実施形態のマル
チチャンバー処理装置(以下、単に「処理装置」と称
す。)は、例えば図1に示すように、成膜処理やエッチ
ング処理等の処理を連続的に行う複数(図1では4室)
の処理室10と、これらの処理室10に対してゲートバ
ルブ(図示せず、以下同様)21を介して連通、遮断可
能にそれぞれ連結された多角形状の第1搬送室20と、
第1搬送室20に対して連結されたロードロック機構3
0と、このロードロック機構30の左右両壁面に対して
後述するゲートバルブを介して連通、遮断可能に連結さ
れた第2搬送室40と、これらの第2搬送室40に対し
てゲートバルブ51を介して連結、遮断可能に連結され
た複数(図1では4室)並列配置されたキャリア収納室
50とを備えている。そして、第1、第2搬送室20、
40内にはそれぞれウエハを一枚ずつ搬送するウエハ搬
送装置21、41がそれぞれ配設されている。図1から
も明らかなように本実施形態の処理装置はロードロック
機構30を一系列のみ有し、処理装置のフットプリント
が従来と比較して削減され、処理室10のレイアウト上
の自由度が高くしてある。このロードロック機構30を
中心に示した図が図2である。図2は図1のII−II
線方向の断面図である。
【0017】そこで、本実施形態のロードロック機構3
0について図2を参照しながら以下説明する。本実施形
態のロードロック機構30は、同図に示すように、例え
ば矩形状の真空室31を備え、真空室31を介して真空
下でウエハを搬送する第1搬送室20と大気圧下でウエ
ハ搬送する第2搬送室40を連絡するようにしてある。
即ち、真空室31の3つの側壁には第1、第2搬送室2
0、40がそれぞれ連結されている。真空室31内には
第1、第2ロードロック室32、33が上下二段に設け
られている。そして、真空室31の第1搬送室20との
境界になる側壁にはその上下方向中央に配置した第1開
口部31Aが形成され、真空室31の左右の第2搬送室
40との境界になる左右両側壁にはその上部及び下部に
配置した第2開口部31B、31Bがそれぞれ形成され
ている。
【0018】そして、第1、第2ロードロック室32、
33はいずれも真空室31内で気密を保持しながら上下
方向に移動できるようにしてある。第1、第2ロードロ
ック室32、33の内部はウエハWを載置する空間とし
て形成され、これらの内部空間はそれぞれ第1搬送室2
0側の側壁で第1出入口32A、33Aが開口し、第2
搬送室40側の左右両側壁で第2出入口32B、33B
がぞれぞれ開口している。下側の第1ロードロック室3
2が下降端に位置する時には、第1出入口32Aが真空
室31の側壁で閉塞されると共に第2出入口32Bが真
空室31の第2開口部31Bに位置している。また、上
側の第2ロードロック室33が上昇端に位置する時に
は、第1出入口33Aが真空室31の側壁で閉塞される
と共に第2出入口33Bが真空室31の第2開口部31
Bに位置している。更に、真空室31の上下の第2開口
部31B、31Bの外壁面には第1、第2ゲートバルブ
34A、34Bがそれぞれ取り付けられ、第1、第2ロ
ードロック室32、33がそれぞれ下降端及び上昇端に
位置する時に各ゲートバルブ34A、34Bを介して第
2ロードロック室32、33と第2搬送室40との間が
それぞれ連通し、あるいは遮断されるようにしてある。
【0019】また、第1搬送室20内のウエハ搬送装置
21はハンドリングアームを水平面内で回転及び屈伸を
行って真空室31の第1開口部31Aを介して第1、第
2ロードロック室32、33に対してウエハWを搬出入
するようにしてある。従って、パーティクルの発生を嫌
う第1搬送室20では第1、第2ロードロック室32、
33に対して一箇所の第1開口部31Aを介して同一の
搬送高さでウエハWを搬出入するようにしてある。ま
た、第2搬送室40内のウエハ搬送装置41は昇降駆動
機構及び水平移動機構を備え、上下の第2開口部31
B、31B間で昇降すると共にそれぞれの高さにおいて
ハンドリングアームを水平面内で回転及び屈伸を行い、
しかも図1に示すように第2搬送室40と対向する各キ
ャリア収納室50間で水平移動を行い、各キャリア収納
室50と第1、第2ロードロック室32、33との間で
ウエハWを搬送するようにしてある。
【0020】図2に示すように真空室31内の下方に位
置する第1ロードロック室32下面の外周には段部32
Cが形成されていると共に真空室31の内壁面には段部
32Cに対応する段部31Cが形成され、第1ロードロ
ック室32が下降端に位置する時に両段部31C、32
Cがシール部材35Aを介して係合し、第1ロードロッ
ク室32内を真空室31内の真空空間から遮断してい
る。また、第1ロードロック室32上端の外周にはフラ
ンジ部32Dが形成されていると共に真空室31の内壁
面にはフランジ部32Dに対応する段部31Dが形成さ
れ、第1ロードロック室32が下降端に位置する時に段
部31Dとフランジ部32Dがシール部材35Bを介し
て係合し、第1ロードロック室32内を真空室31内の
真空空間から遮断している。シール部材35A、35B
は例えば一体化物として形成され、第1ロードロック室
32が真空室31内で昇降する時に第1ロードロック室
32と一体的に移動するようにしてある。第1ロードロ
ック室32の側壁にはその内部とは連通しないが上面と
下面を連通させる通気路32Hが形成されている。
【0021】また、第1ロードロック室32の下面中央
には昇降ロッド32Eが連結され、この昇降ロッド32
Eを介して第1ロードロック室32を昇降操作するよう
にしてある。この昇降ロッド32Eは第1ロードロック
室32から垂下して真空室31の底面中央の貫通孔を貫
通し、下方に配設された図示しない昇降駆動機構によっ
て駆動するようにしてある。第1ゲートバルブ34Aを
開放した場合、第1ロードロック室32は大気圧と真空
空間の境界になるため、その時の差圧で第1ロードロッ
ク室32が押し上げられるため、その昇降駆動機構には
常に押上力と拮抗する力を常時付与しておく必要があ
る。尚、昇降ロッド32Eと貫通孔間にはシール部材3
5Cが介在し、昇降ロッド32Eが貫通孔31Eにおい
て気密を保持しながら昇降するようにしてある。
【0022】第2ロードロック室33下面の外周にはフ
ランジ部33Cが形成されていると共に真空室31の内
壁面にはフランジ部33Cに対応する段部31Eが形成
され、第2ロードロック室33が上昇端に位置する時に
段部31Eとフランジ部33Cがシール部材36Aを介
して係合し、第2ロードロック室33内を真空室31内
の真空空間から遮断している。また、第2ロードロック
室33上端の外周には段部33Dが形成されていると共
に真空室31の内壁面には段部33Dに対応する段部3
1Fが形成され、第2ロードロック室33が上昇端に位
置する時に段部31Fと段部33Dがシール部材36B
を介して係合し、第2ロードロック室33内を真空室3
1内の真空空間から遮断している。シール部材36A、
36Bは一体化物として形成され、第2ロードロック室
33が真空室31内で昇降する時に第2ロードロック室
33と一体的に移動するようにしてある。第2ロードロ
ック室33の側壁にはその内部とは連通しないが上面と
下面を連通させる通気路33Hが形成されている。ま
た、第2ロードロック室33の上面中央には昇降ロッド
33Eが取り付けられ、この昇降ロッド33Eを介して
第2ロードロック室33を昇降操作するようにしてあ
る。この昇降ロッド33Eは第2ロードロック室33か
ら垂直上方へ延設されて真空室31の上面中央の貫通孔
を貫通し、上方に配設された図示しない昇降駆動機構に
よって駆動するようにしてある。第2ロードロック室3
3の場合には第1ロードロック室32の場合とは逆向き
の大気圧が作用するため、その昇降駆動機構には常に第
2ロードロック室33の押下力と拮抗する力を常時付与
しておく必要がある。尚、36Cは昇降ロッド33Eと
貫通孔間に介在するシール部材である。
【0023】また、上記真空室31の上下には真空排気
装置(図示せず)に連結された第1、第2給排気路31
G、31Hが形成され、第1、第2給排気路31G、3
1Hを介して第1、第2ロードロック室32、33内を
真空引きするようにしてある。第1給排気路31Gは例
えば第1ロードロック室32が係合する段部31Bと段
部31Dの略中間位置で第1ロードロック室32の第1
出入口32Aと対向する位置で開口している。また、第
2給排気路31Hは例えば第2ロードロック室33が係
合する段部31Eと段部31Fの略中間位置で第2ロー
ドロック室33の第1出入口33Aと対向する位置で開
口している。尚、各給排気路31G、31Hが第1、第
2ロードロック室32、33の第1出入口32A、33
Aと対向しない位置にある場合には、各ロードロック室
32、33には各給排気路31G、31Hと連通する給
排気路を側壁に設け、それぞれの内部を給排気するよう
にしても良い。
【0024】図3、図4はそれぞれ第1、第2ロードロ
ック室32、33を拡大して示す構成図である。第1、
第2ロードロック室32、33は各図に示すようにいず
れもウエハWを昇降し、温度調節する機構を備えてい
る。
【0025】即ち、第1ロードロック室32は、図3に
示すように、下部と上部の間にウエハWを収納する空間
が形成され、下部がウエハWの載置部として形成されて
いる。この載置部内には3本のピンが互いに連結して構
成されたスリーピン32Fが配設され、このスリーピン
32Fは昇降ロッド32Eを貫通する棒部材を介して昇
降機構(図示せず)に連結されている。従って、図3に
示すようにスリーピン32Fは昇降機構を介して実線位
置から一点鎖線位置まで昇降した時にその上端が載置面
から突出してウエハWを水平に支持し、下降端に達した
時にその上端が載置面から退没してウエハWを載置面に
載置するようにしてある。更に、図3では破線で示すよ
うに、載置部内にはスリーピン32Fと干渉しないよう
に温度調節機構32Gが配設され、この温度調節機構3
2Gを介して載置面全面を所定温度に調節するようにし
てある。温度調節機構32Gは冷却機構と加熱機構とか
らなっている。冷却機構は、例えば載置面近傍を蛇行す
る冷媒通路と、この冷媒通路に冷媒を循環させる冷媒供
給機構とを備え、冷媒供給機構を介して冷媒が冷媒通路
を循環する間にウエハW全面を均等に冷却するようにし
てある。また、加熱機構は、例えば載置面近傍に配設さ
れた面ヒータまたは載置面近傍を蛇行するコイルヒータ
等を備え、面ヒータまたはコイルヒータによってウエハ
W全面を均等に加熱するようにしてある。
【0026】第2ロードロック室33は、図4に示すよ
うに、下部と上部の間にウエハWを収納する空間が形成
され、下部がウエハWの載置部として形成されている。
この載置部内には3本のピンが互いに連結して構成され
たスリーピン33Fが配設され、このスリーピン33F
は第2ロードロック室33の上部を経由して昇降ロッド
33Eを貫通する棒部材を介して昇降機構(図示せず)
に連結されている。従って、図4に示すようにスリーピ
ン33Fは昇降機構を介して実線位置から一点鎖線位置
まで昇降した時にその上端が載置面から突出してウエハ
Wを水平に支持し、下降端に達した時にその上端が載置
面から退没してウエハWを載置面に載置するようにして
ある。更に、図4では破線で示すように、載置部内には
スリーピン33Fと干渉しないように温度調節機構33
Gが配設され、この温度調節機構33Gを介して載置面
全面を所定温度に調節するようにしてある。温度調節機
構33Gは上述の温度調節機構32Gと同様に冷却機構
及び加熱機構とからなっている。
【0027】次に、図1〜図4を参照しながら処理装置
の動作について説明する。まず、処理装置で処理すべき
所定枚数のウエハWが収容されたキャリアを処理装置正
面に配列された4箇所のキャリア収納室50へ収納す
る。しかる後、処理装置がコントローラの制御下で駆動
すると、例えば、図1の左端のゲートバルブ51が開く
と共に第2搬送室40内のウエハ搬送装置41がそのゲ
ートバルブ51の前まで移動する。次いで、ウエハ搬送
装置41が駆動してハンドリングアームを介してキャリ
ア内のウエハを一枚取り出す。その後、ゲートバルブ5
1が閉じると共にウエハ搬送装置41がロードロック機
構30の側面へ接近する。これと並行して例えばロード
ロック機構30の下側の第1ゲートバルブ34Aが駆動
して真空室31の第2開口部31B及び第1ロードロッ
ク室32の第2出入口32Bを開放し、第1ロードロッ
ク室32は大気圧の第2搬送室40と連通する。
【0028】次いで、ウエハ搬送装置41が駆動してハ
ンドリングアームを介してウエハを第1ロードロック室
32内の載置面中央へ搬送すると、図3の一点鎖線で示
すようにスリーピン32Fが実線位置から一点鎖線位置
まで上昇し、ウエハ搬送装置41からウエハWを持ち上
げる。この状態でウエハ搬送装置41のハンドリングア
ームが第1ロードロック室32から後退した後、第1ゲ
ートバルブ34Aが閉じて第1ロードロック室32を大
気圧側の第2搬送室40から遮断する。これと並行して
第1ロードロック室32内ではスリーピン32Fが下降
してウエハWを載置面上へ載置する。この時、載置面は
温度調節機構32Gを介して所定の温度に調節されてい
るため、載置面上のウエハWの温度は所定温度に調節さ
れる。一方、第1搬送室20及び真空室31は真空引き
により所定の真空度に達している。
【0029】第1ロードロック室32内が第1ゲートバ
ルブ34Aにより第2搬送室40の大気圧側から遮断さ
れた状態で、真空室31の給排気路31Gを介して第1
ロードロック室32内を真空引きし所定の真空度にす
る。第1ロードロック室32内が所定の真空度に達した
ら昇降ロッド32Eを介して第1ロードロック室32が
真空室31内で気密状態(内部の真空度)を保持しなが
ら図2の実線位置から一点鎖線位置まで上昇し、第1ロ
ードロック室32の真空空間と第1搬送室20の真空空
間とが連通し、上昇端で第1ロードロック室32の第1
出入口32Aが真空室31の第1開口部31Aと一致
し、ウエハWを搬出できる状態になる。
【0030】次いで、第1搬送室20のウエハ搬送装置
21がハンドリングアームを介して第1ロードロック室
32からウエハWを取り出し、所定の処理室10へウエ
ハWを移載し、処理室10内でウエハWに対して所定の
処理例えば成膜処理を施す。この間に第1ロードロック
室32は昇降ロッド32Eを介して下降し、第1出入口
32Aが真空室31の真空空間から遮断され、下降端で
第2出入口32Bと真空室31の第2開口部31Bとが
一致し、第2搬送室40と連通可能な状態になる。次い
で、第1ロードロック室32では給排気路31Gを介し
て内部を大気圧に戻す。次いで、第1ゲートバルブ34
Aを開放し、上述の動作を繰り返して次のウエハWを第
2搬送室40から処理室搬10へ搬送する。
【0031】一方、処理室10において成膜処理が終了
すると、第1搬送室20のウエハ搬送装置21が駆動
し、ハンドリングアームを介して処理室10から処理済
みのウエハWを取り出し、次の処理室10へ移載し、こ
の処理室10内で例えばエッチング処理を行う。次い
で、ウエハ搬送装置21を介して既に待機しているウエ
ハWを第1ロードロック室32から空いた成膜用の処理
室10へ移載し、成膜処理を行う。このようにして各処
理室10内にウエハWを順次供給し、各処理室10にお
いてそれぞれの処理を連続的に行う。そして、各処理室
10でのウエハWに対する複数種の処理が終了すると、
ロードロック機構30では既に真空引きされた第2ロー
ドロック室33が昇降ロッド33Eを介して真空室31
内で気密状態(内部の真空度)を保持しながら下降し、
下降端で第2ロードロック室33の第1出入口33Aが
真空室31の第1開口部31Aと一致し、第1搬送室2
0と連通する。この時点で第1搬送室20のウエハ搬送
装置21が第1ロードロック室32からウエハWを搬出
する場合と同一高さでハンドリングアームを介して処理
済みのウエハWを処理室10から第2ロードロック室3
3内へ移載する。
【0032】第2ロードロック室33ではスリーピン3
3Fが下降して載置面から退没し、ウエハWを載置面に
載置し、処理済みのウエハWを冷却等によりウエハの温
度を常温に戻す。この間に第2ロードロック室33は昇
降ロッド33Eを介して上昇し、上昇端で第1出入口3
3Aが真空空間から遮断されると共に第2出入口33B
が真空室31の第2開口部31Bと一致し、第2搬送室
40と連通可能な状態になる。次いで、第2ロードロッ
ク室33内を給排気路31Hを介して大気圧に戻すと共
にスリーピン33Fが上昇しウエハWを引き渡す状態に
なる。しかる後、第2ゲートバルブ34Bを開放する
と、第2搬送室40のウエハ搬送装置41が駆動し、ハ
ンドリングアームを介して第2ロードロック室33内の
処理済みのウエハWをキャリア収納室50内のキャリア
の元の位置へ移載し、ウエハWの処理を終了する。以
下、他のキャリア収納室50内に収納されたウエハWに
ついても同様の手順で所定の処理を連続的に行うことが
できる。尚、処理済みのウエハWを第2ロードロック室
33内へ搬入した時に、ウエハWの温度調整が不要の場
合にはスリーピン33Eが上昇端に位置したままで良
い。
【0033】以上説明したように本実施形態によれば、
ロードロック機構30は、真空室31と、この真空室3
1内で上下に移動する上下二段の第1、第2ロードロッ
ク室32、33を備え、第1搬送室20から一箇所の第
1開口部31Aを介して同一高さでウエハWを搬出入で
きるため、ロードロック機構30のフットプリントを従
来の略半分に削減することができ、しかも第1搬送室2
0のウエハ搬送装置21の構造を替えることなく第1、
第2ロードロック室32、33に対してウエハの搬出入
を行うことができる。従って、本実施形態のロードロッ
ク機構30を処理装置に適用すると、処理装置自体のフ
ットプリントを削減できるばかりでなく、処理室10の
レイアウトの自由度を格段に高めることができる。
【0034】また、第1、第2ロードロック室32、3
3それぞれに真空室31の各給排気路31G、31Hに
対応する給排気路を設けたため、第1、第2ロードロッ
ク室32、33がそれぞれ同一真空室31内に配設され
てもそれぞれの室内を個別に給排気することができ、第
1、第2ロードロック室32、33をウエハWの搬入あ
るいは搬出専用に使用することができ、また、搬入と搬
出の両方に使用することもできる。また、第1、第2ロ
ードロック室32、33内にウエハWを昇降させる昇降
機構設けたため、第1、第2ロードロック室32、33
でのウエハWの搬出入を円滑に行うことができる。更
に、第1、第2ロードロック室32、33にウエハWの
温度を調節する温度調節機構32G、33Gを設けたた
め、ウエハWの搬出入時に所定の温度に冷却したり、加
熱したりすることができる。
【0035】また、図5は本発明の他の実施形態の処理
装置を示す平面図である。本実施形態の処理装置は、同
図に示すように、上記実施形態の処理装置よりも多くの
処理室10Aを第1搬送室20Aに連結されている点、
及び第2搬送室40Aを一室にした以外は上記実施形態
に準じて構成されている。本実施形態の処理装置は、上
記実施形態の場合よりも処理室10Aの数が増加した分
だけより多くの異なった処理を連続的に行うことがで
き、多層化した配線構造を効率的に作製することができ
る。この処理装置の場合にはロードロック機構30Aの
左右両側面に処理室10Aが張り出しているため、第2
搬送室40Aがロードロック機構30Aの正面側に配置
され、処理装置のフットプリントは上記実施形態の場合
より多少大きくなっているが、その分ウエハWに対する
処理数が多く、フットプリントの増加分を補って余りあ
る作用効果を期することができる。
【0036】尚、上記各実施形態では真空室31内で第
1、第2ロードロック室32、33の二室が上下方向に
移動して真空側と大気圧側とを連通し、遮断する場合に
ついて説明したが、本発明のロードロック機構は一室の
ロードロック室であっても良く、また、取り扱う被処理
体はウエハに限らずガラス基板等の場合であっても良
い。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1〜
請求項7に記載の発明によれば、フットプリントを削減
することができ、ひいては処理室のレイアウトの自由度
を高めることができるロードロック機構及び処理装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のロードロック機構の一実施形態を示す
断面図である。
【図2】図1に示す下段のロードロック室を示す構成図
である。
【図3】図1に示す上段のロードロック室を示す構成図
である。
【図4】図1に示すロードロック室を適用した本発明の
処理装置の一実施形態の配置を示す平面図である。
【図5】図1に示すロードロック室を適用した本発明の
処理装置の他の実施形態の配置を示す平面図である。
【図6】従来の処理装置の一例の配置を示す平面図であ
る。
【符号の説明】
10、10A 処理室 20、20A 第1搬送室(処理側) 30、30A ロードロック機構 31 真空室 31A 第1開口部 31B 第2開口部 31G、31H 給排気路 32A、33A 第1出入口 32B、33B 第2出入口 32E、33E 昇降ロッド 32H、33H 通気路 34A、34B ゲートバルブ(開閉機構) 35A、35B、35C シール部材 36A、36B、36C シール部材 40 第2搬送室(大気圧側)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空圧側とは第1開口部で大気圧側とは
    第2開口部でそれぞれ連通可能な真空室を備えたロード
    ロック機構において、上記真空室に大気圧側の第2開口
    部を開閉する開閉機構を設けると共に上記真空室内に気
    密を保持しながらその内部を移動するロードロック室を
    設け、上記ロードロック室は第1、第2開口部それぞれ
    に対応する第1、第2出入口を有し、且つ、第2開口部
    と第2出入口が一致する時には上記ロードロック室内を
    上記真空室の真空空間から遮断することを特徴とするロ
    ードロック機構。
  2. 【請求項2】 上記ロードロック室は上記真空室内で上
    下方向で移動可能に構成されたことを特徴とする請求項
    1に記載のロードロック機構。
  3. 【請求項3】 上記真空室内に上下二段の上記ロードロ
    ック室を設けると共に上記真空室に上記各ロードロック
    室それぞれの第2出入口に対応する第2開口部を上下に
    それぞれ設けたことを特徴とする請求項1または請求項
    2に記載のロードロック機構。
  4. 【請求項4】 上記ロードロック室に給排気口を設けた
    ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に
    記載のロードロック機構。
  5. 【請求項5】 上記ロードロック室内に被処理体を上下
    方向に移動させる昇降手段を設けたことを特徴とする請
    求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のロードロック
    機構。
  6. 【請求項6】 上記ロードロック室に上記被処理体を冷
    却する冷却手段を設けたことを特徴とする請求項1〜請
    求項5のいずれか1項に記載のロードロック機構。
  7. 【請求項7】 被処理体にそれぞれ所定の処理を施す複
    数の処理室と、各処理室に対して上記被処理体を搬出入
    する際に真空圧側と大気圧側を連絡するロードロック機
    構とを備え、且つ上記ロードロック機構は真空圧側とは
    第1開口部で大気圧側とは第2開口部でそれぞれ連通可
    能な真空室を有する処理装置において、上記真空室に第
    2開口部を開閉する開閉機構を設けると共に上記真空室
    内に気密を保持しながらその内部を移動するロードロッ
    ク室を設け、上記ロードロック室は第1、第2開口部そ
    れぞれに対応する第1、第2出入口を有し、且つ、第2
    開口部と第2出入口が一致する時には上記ロードロック
    室内を上記真空室の真空空間から遮断することを特徴と
    する処理装置。
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KR10-2000-7002506A KR100487666B1 (ko) 1997-09-10 1998-09-10 로드록 기구 및 처리장치
PCT/JP1998/004084 WO1999013504A1 (fr) 1997-09-10 1998-09-10 Mecanisme de sas et appareil de traitement
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000357722A (ja) * 1999-04-19 2000-12-26 Applied Materials Inc ウェハ処理方法および装置
JP2003503843A (ja) * 1999-06-29 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション ウェハ搬送ロボットがネスト化されている大気雰囲気ウェハ搬送モジュールおよびその実現方法
JP2003517724A (ja) * 1999-07-28 2003-05-27 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 垂直方向に重ねられたロードロック部及び移送ロボット
WO2004088743A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Hirata Corporation 基板搬送システム
JP2008010670A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp ウェハ接合装置用のロードロック装置、及びウェハ接合システム
JP2008075135A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 真空処理装置および大気開放方法
JP2009182183A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Sakaguchi Dennetsu Kk ロードロックチャンバー
JP2010500740A (ja) * 2006-08-04 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 分離されたスリットバルブドアシールコンパートメントを備えたロードロックチャンバ
WO2010032708A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム
JP2010135495A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Advanced Display Process Engineering Co Ltd 基板処理装置
TWI406349B (zh) * 2007-08-03 2013-08-21 Advanced Display Proc Eng Co 基底處理裝置
KR20140059727A (ko) 2012-11-08 2014-05-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 로드 로크 장치
CN110383448A (zh) * 2017-03-02 2019-10-25 应用材料公司 在后选择性蚀刻处理中减少基板上粒子形成的设备和方法
WO2020059574A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び基板搬送方法
WO2021055991A1 (en) * 2019-09-22 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Multi-wafer volume single transfer chamber facet
JP2021072424A (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 東京エレクトロン株式会社 基板収容ユニット及び基板搬送装置における真空搬送ユニットのメンテナンス方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6364762B1 (en) 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
WO2002005332A2 (en) * 2000-07-07 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Loadlock chamber
KR20030032034A (ko) * 2000-09-15 2003-04-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 두 개의 이중 슬롯 로드록
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US20020159864A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Applied Materials, Inc. Triple chamber load lock
US6918731B2 (en) 2001-07-02 2005-07-19 Brooks Automation, Incorporated Fast swap dual substrate transport for load lock
US6672864B2 (en) * 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
US7316966B2 (en) * 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
US6701972B2 (en) 2002-01-11 2004-03-09 The Boc Group, Inc. Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8403613B2 (en) * 2003-11-10 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
WO2005086207A1 (de) * 2004-03-02 2005-09-15 Asys Automatic Systems Gmbh & Co. Kg Übergabeeinrichtung in handhabungs- und/oder bearbeitungszentren
US8206075B2 (en) * 2004-06-02 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a chamber
US8648977B2 (en) * 2004-06-02 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for providing a floating seal having an isolated sealing surface for chamber doors
US7091911B2 (en) * 2004-06-02 2006-08-15 Research In Motion Limited Mobile wireless communications device comprising non-planar internal antenna without ground plane overlap
US20050269291A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Tokyo Electron Limited Method of operating a processing system for treating a substrate
US7497414B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US20070233313A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US7993457B1 (en) * 2007-01-23 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Deposition sub-chamber with variable flow
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US7946759B2 (en) * 2007-02-16 2011-05-24 Applied Materials, Inc. Substrate temperature measurement by infrared transmission
US20080251019A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Sriram Krishnaswami System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates
US10541157B2 (en) * 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
US8393502B2 (en) * 2010-07-22 2013-03-12 Usc, L.L.C. Seed metering gate assembly
US8936994B2 (en) * 2011-04-28 2015-01-20 Mapper Lithography Ip B.V. Method of processing a substrate in a lithography system
CN103137509B (zh) * 2011-12-02 2016-02-03 上海微电子装备有限公司 用于晶圆键合的装置及晶圆键合方法
JP6024372B2 (ja) * 2012-10-12 2016-11-16 Tdk株式会社 基板処理装置および基板処理チャンバモジュール
US9353439B2 (en) 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
JP6454201B2 (ja) * 2015-03-26 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板処理装置
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
US10082104B2 (en) 2016-12-30 2018-09-25 X Development Llc Atmospheric storage and transfer of thermal energy
KR20210014496A (ko) 2019-07-30 2021-02-09 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
JP7394554B2 (ja) * 2019-08-07 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2600399B2 (ja) * 1989-10-23 1997-04-16 富士電機株式会社 半導体ウエーハ処理装置
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3350107B2 (ja) 1992-09-17 2002-11-25 株式会社日立製作所 枚葉式真空処理装置
ES2090893T3 (es) 1993-01-28 1996-10-16 Applied Materials Inc Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada.
JP3335831B2 (ja) 1996-01-29 2002-10-21 株式会社日立製作所 真空処理装置
US6048154A (en) * 1996-10-02 2000-04-11 Applied Materials, Inc. High vacuum dual stage load lock and method for loading and unloading wafers using a high vacuum dual stage load lock
US5909994A (en) 1996-11-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Vertical dual loadlock chamber
US6059507A (en) * 1997-04-21 2000-05-09 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with small batch load lock
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000357722A (ja) * 1999-04-19 2000-12-26 Applied Materials Inc ウェハ処理方法および装置
JP2003503843A (ja) * 1999-06-29 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション ウェハ搬送ロボットがネスト化されている大気雰囲気ウェハ搬送モジュールおよびその実現方法
JP2003517724A (ja) * 1999-07-28 2003-05-27 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 垂直方向に重ねられたロードロック部及び移送ロボット
WO2004088743A1 (ja) * 2003-03-28 2004-10-14 Hirata Corporation 基板搬送システム
JP4635972B2 (ja) * 2006-06-29 2011-02-23 株式会社ニコン ロードロック装置、それを使用した方法及びウエハ接合システム
JP2008010670A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp ウェハ接合装置用のロードロック装置、及びウェハ接合システム
JP2010500740A (ja) * 2006-08-04 2010-01-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 分離されたスリットバルブドアシールコンパートメントを備えたロードロックチャンバ
JP2008075135A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 真空処理装置および大気開放方法
TWI406349B (zh) * 2007-08-03 2013-08-21 Advanced Display Proc Eng Co 基底處理裝置
JP2009182183A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Sakaguchi Dennetsu Kk ロードロックチャンバー
JP4583458B2 (ja) * 2008-01-31 2010-11-17 坂口電熱株式会社 ロードロックチャンバー
US9070728B2 (en) 2008-09-16 2015-06-30 Tokyo Electron Limited Method of lowering temperature of substrate table, computer-readable storage medium, and substrate processing system
JP2010073727A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Tokyo Electron Ltd 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム
KR101227809B1 (ko) 2008-09-16 2013-01-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템
WO2010032708A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム
JP2010135495A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Advanced Display Process Engineering Co Ltd 基板処理装置
US9303788B2 (en) 2012-11-08 2016-04-05 Tokyo Electron Limited Load lock device
JP2014096436A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置
KR20140059727A (ko) 2012-11-08 2014-05-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 로드 로크 장치
CN110383448A (zh) * 2017-03-02 2019-10-25 应用材料公司 在后选择性蚀刻处理中减少基板上粒子形成的设备和方法
JP2020509589A (ja) * 2017-03-02 2020-03-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 選択的エッチング処理後の基板上の粒子形成を低減する装置および方法
WO2020059574A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び基板搬送方法
JP2020053418A (ja) * 2018-09-21 2020-04-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び基板搬送方法
WO2021055991A1 (en) * 2019-09-22 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Multi-wafer volume single transfer chamber facet
US11817332B2 (en) 2019-09-22 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multi-wafer volume single transfer chamber facet
JP2021072424A (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 東京エレクトロン株式会社 基板収容ユニット及び基板搬送装置における真空搬送ユニットのメンテナンス方法
US11476140B2 (en) 2019-11-01 2022-10-18 Tokyo Electron Limited Substrate accommodating unit and maintenance method for vacuum transfer unit in substrate transfer apparatus

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