JP2020053418A - 真空処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば特許文献1には、水平に並べた2枚のウエハWを処理する処理モジュールを備えた真空処理装置において、常圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替えるロードロックモジュールに基板を左右に2枚並べて配置した構成が記載されている。この真空処理装置では、搬送アームによりロードロックモジュール及び処理モジュールの間で2枚のウエハを一括して受け渡しができるように構成している。
前記筐体の後方に接続され、前記第2の基板搬送口が開口する真空雰囲気の真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続され、前記基板を真空処理するための処理モジュールと、
前記ロードロックモジュールと前記搬送室と前記処理モジュールとの間で前記基板を搬送する真空搬送機構と、
前記各第1の基板搬送口が開口するように前記筐体の上方または下方を跨いで当該筐体の左右の一方から他方へ亘って形成され、当該筐体に重なる前記基板の搬送領域である積層搬送領域を備える常圧雰囲気の常圧搬送室と、
前記常圧搬送室の外側の左右に各々設けられた、前記基板を格納する搬送容器を搬入出する複数の搬入出ポートと、
前記積層搬送領域を経由して前記各搬入出ポートに搬入された前記搬送容器と前記各基板保持部との間で前記基板を搬送する常圧搬送機構と、
を備えている。
一実施の形態に係る真空処理装置について説明する。図1〜図3に示すように、この真空処理装置は、その内部雰囲気がクリーンエア、一例として乾燥ガスにより常圧雰囲気(空気の場合には大気雰囲気ということもできる)とされる左右方向に伸びる矩形の常圧搬送室2を備えている。
また常圧搬送室2内におけるロードロックモジュール3A、3Bの下方の領域は、基板であるウエハWを搬送する搬送領域となっている。当該ロードロックモジュール3A、3Bと積層される搬送領域は、積層搬送領域に相当する。ロードロックモジュール3A、3Bの下方の領域には、載置部に相当する冷却モジュール21A、21Bと、アライメントモジュール20と、が設けられている。
常圧搬送室2の前方側には、ウエハWの搬送容器であるキャリアCを載置するため4台の搬入出ポート1A〜1Dが設けられている。以後搬入出ポート1A〜1D側を前方、常圧搬送室2側を後方として説明する。搬入出ポート1A〜1Dは、前方から見たときにロードロックモジュール3A、3Bの左右に外れた位置に、左右に各々2台ずつ配置されており、左側から右側に向けて1A、1B、1C、1Dの順に搬送されているものとする。また搬入出ポート1A〜1Dは、図3に示すように搬入出ポート1A〜1Dに載置されたキャリアCがロードロックモジュール3A、3Bと、冷却モジュール21A、21B及びアライメントモジュール20と、の間の高さ位置になるように設置されている。なお図1、2中の符号11は、キャリアCの蓋部と共に開放されるドアである。
このようにTiCl4ガスの吸着、Arガス及びH2ガスの供給と共に反応ガスのプラズマ化を順番に複数回繰り返す。これにより上記のTi層の形成が繰り返し行われて、所望の膜厚を有するTi膜が成膜される。
このようにウエハWを順次上側及び下側のロードロックモジュール3A、3Bに搬入し、真空搬送室9を介して、各処理モジュール6にウエハWを搬送する。そして各処理モジュール6にて、既述のようにウエハWの処理が行われる。
ところで、既述したように真空雰囲気としたロードロックモジュール3Aにおける真空搬送室9側のゲートバルブ34を開き、未処理のウエハWを搬出する際に、処理モジュール6にてウエハWの処理が終了している場合には、このロードロックモジュール3Aにおける未処理のウエハWが処理済みのウエハWに入れ替えられるように搬送が行われる。具体的にこの搬送動作を述べると、一の処理モジュール6で処理済みのウエハWを真空搬送機構51のウエハ支持部55が受け取り、既述のように当該ウエハWをロードロックモジュール3Aのウエハ保持部38Aに載置する。ロードロックモジュール3Aからウエハ支持部55が一旦退避し、ロードロックモジュール3Aが真空搬送室9に解放された状態のまま、真空搬送室9でウエハ支持部55の高さが変更される。さらに再度ロードロックモジュール3Aに進入して、ウエハ保持部38Bから未処理のウエハWを受け取り、一の処理モジュール6あるいは他の処理モジュール6へ当該ウエハWを搬送する。この処理モジュール6への搬送中に、ロードロックモジュール3Aは真空搬送室9から隔離され、大気雰囲気に変更される。ロードロックモジュール3Aを例にして説明したが、ロードロックモジュール3Bについても同様の搬送が行われる。
従って、第1の常圧搬送機構4A及び第2の常圧搬送機構4Bの支持フォーク部43及び上段アーム部42、下段アーム部41を短くすることができる。そのため、第1の常圧搬送機構4A及び第2の常圧搬送機構4Bの旋回半径を小さくすることができ、常圧搬送室2のフットプリントを小さくし、従って装置全体のフットプリントの増加をより確実に抑制することができる。
また冷却モジュール21A、21Bも必須ではない。その場合には例えば、ロードロックモジュール3A、3Bにて載置されたウエハWを冷却できるように構成してもよい。具体的には、例えばロードロックモジュール3A、3BにウエハW保持棚38の代わりに冷媒が流通するステージを設けて、当該ステージに載置されたウエハWが冷却されるようにしてもよい。
また第1及び第2の常圧搬送機構4A、4Bは、鉛直方向に伸びるガイドレールに沿って昇降するように構成してもよい。その場合例えば第1の常圧搬送機構4Aを支持するガイドレールを常圧搬送室2における後方側の左端に設け、第2の常圧搬送機構4Bを支持するガイドレールを常圧搬送室2における後方側の右端に設けるようにすればよい。そして基台40をガイドレールに沿って昇降するように構成し基台40に下段アーム部41を回動自在に設ければよい。
例えば第1の常圧搬送機構4Aにより搬入出ポート1A、1BのキャリアCから取り出し、アライメントモジュール20に搬送する。さらに当該アライメントモジュール20に搬送したウエハWを第1の常圧搬送機構4Aにより受け取り、ロードロックモジュール3Aの前方から見て左側の棚部38に受け渡す。そして第2の常圧搬送機構4Bにより搬入出ポート1C、1DのキャリアCから取り出し、アライメントモジュール20に搬送する。さらに当該アライメントモジュール20に搬送したウエハWを第2の常圧搬送機構4Bにより受け取り、ロードロックモジュール3Aの前方から見て右側の棚部38に受け渡す。このような例も本開示の範囲に含まれる。
また常圧搬送室2は、内部雰囲気として窒素ガスが充填されていてもよい。さらに真空搬送室9に接続する処理モジュール6は、成膜装置に限らず、エッチング装置やアニール装置、あるいは、これらの組み合わせでも良い。
また常圧搬送室2に常圧搬送機構を1台設けた構成でも良い。図14、15に示す例では、ロードロックモジュール3A、3Bを常圧搬送室2の後方寄りに設けている。この例では、常圧搬送機構4Cを常圧搬送室におけるロードロックモジュール3A、3Bの前方側に設けている。さらに詳しく説明すると、常圧搬送室2を構成する筐体200の前方壁が、ロードロックモジュール3A、3Bの前方壁よりも前方に位置している。そして、これらの前方壁と前方壁との間のスペースは、常圧搬送機構4Cが移動する移動路として構成されている。
常圧搬送機構4Cは、第1及び第2の常圧搬送機構4A、4Bと同様に下段部材400A、中段部材400B及び上段部材400Cを含み、伸縮自在に構成された基台400を備えている。基台400の上段部材400Cには、下段アーム部401、中段アーム部402、上段アーム部403、ウエハWを保持する支持フォーク404の順に連結された多関節アームが回動自在に設けられている。
この真空処理装置においては、左側に配置されたキャリアCからから取り出したウエハWをロードロックモジュール3A、3Bに搬送するにあたって、ロードロックモジュール3A、3Bの左側の棚部38にウエハWを受け渡すときには、常圧搬送機構4Cを左側の搬送路31Aからロードロックモジュール3A、3Bに進入させて受け渡す。また左側に配置されたキャリアCから、ロードロックモジュール3A、3Bにおける前方側から見て右側の棚部38にウエハWを受け渡すときには、キャリアCからウエハWを受け取った常圧搬送機構4Cをロードロックモジュール3A、3Bの下方側を通過させロードロックモジュール3A、3Bの右側に移動させる。さらに常圧搬送機構4Cを右側の搬送路31Bからロードロックモジュール3A、3Bに進入させて右側の棚部38に受け渡す。
2 常圧搬送室
3A、3B ロードロックモジュール
6 処理モジュール
4A 第1の常圧搬送機構
4B 第2の常圧搬送機構
38A、38B ウエハ保持部
9 真空搬送室
51 真空搬送機構
20 アライメントモジュール
21A、21B 冷却モジュール
W ウエハ
Claims (19)
- 内部が常圧雰囲気と真空雰囲気とで切り替え自在で、左右の各々に形成された開閉自在な第1の基板搬送口と後方に形成された開閉自在な第2の基板搬送口とを備えた筐体と、前記筐体内にて基板を左右に各々保持する複数の基板保持部と、を備えたロードロックモジュールと、
前記筐体の後方に接続され、前記第2の基板搬送口が開口する真空雰囲気の真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続され、前記基板を真空処理するための処理モジュールと、
前記ロードロックモジュールと前記搬送室と前記処理モジュールとの間で前記基板を搬送する真空搬送機構と、
前記各第1の基板搬送口が開口するように前記筐体の上方または下方を跨いで当該筐体の左右の一方から他方へ亘って形成され、当該筐体に重なる前記基板の搬送領域である積層搬送領域を備える常圧雰囲気の常圧搬送室と、
前記常圧搬送室の外側の左右に各々設けられた、前記基板を格納する搬送容器を搬入出する複数の搬入出ポートと、
前記積層搬送領域を経由して前記各搬入出ポートに搬入された前記搬送容器と前記各基板保持部との間で前記基板を搬送する常圧搬送機構と、
を備えた真空処理装置。 - 前記常圧搬送機構は、
左右の一方の前記搬入出ポートと、左右の他方の前記基板保持部との間で前記積層搬送領域を経由して、前記基板の受け渡しを行う請求項1記載の真空処理装置。 - 前記積層搬送領域には、前記基板を載置する載置部が設けられる請求項1または2記載の真空処理装置。
- 前記載置部は、前記ロードロックモジュールに搬送される処理前の前記基板を載置する処理前載置部を含む請求項3記載の真空処理装置。
- 前記処理前載置部は、前記基板と前記常圧搬送機構との位置合せを行うために、当該常圧搬送機構から受け取った前記基板を回転させる回転部と、回転する前記基板の周縁部を含む領域に光を照射し、当該領域を介して通過した光を受光する検出部と、を含むアライメント機構を備える請求項4記載の真空処理装置。
- 前記載置部は、前記ロードロックモジュールから搬出された前記基板を待機させる処理後待機部を含む請求項3ないし5のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記ロードロックモジュールは複数、上下に重なって設けられている請求項1ないし6のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記基板保持部は、平面で見て前記基板の配列方向が前後及び左右に沿った2×2の行列状に前記各基板を保持するように4つ設けられている請求項1ないし7のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記ロードロックモジュールは、前記筐体の内部が左側の基板保持部が配置される空間と、右側の基板保持部が配置される空間と、に仕切られている請求項1ないし8のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記搬入出ポートは前記筐体に対して左側、右側に各々設けられ、且つ各搬入出ポートは常圧搬送室の前方に設けられている請求項1ないし9のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記常圧搬送室は、前記筐体の下方を跨いで当該筐体の左右の一方から他方へ延伸され、前記積層搬送領域は前記筐体の下方に形成される請求項1ないし10のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 前記常圧搬送機構は、
前記筐体に対して左右の一方に設けられ、前記複数の基板保持部のうち左右の一方の基板保持部に対する前記基板の受け渡しのみを行うと共に前記載置部に対して前記基板を受け渡す第1の常圧搬送機構と、
前記筐体に対して左右の他方に設けられ、前記複数の基板保持部のうち左右の他方の基板保持部に対する前記基板の受け渡しのみを行うと共に前記載置部に対して前記基板を受け渡す第2の常圧搬送機構と、
を備える請求項1ないし11のいずれか一つに記載の真空処理装置。 - 前記載置部は、前記処理前載置部を備え、
当該処理前載置部に対して、前記第1の常圧搬送機構及び前記第2の常圧搬送機構が前記基板を受け渡し可能であり、
前記第1の常圧搬送機構または第2の常圧搬送機構により当該処理前載置部に順次搬送された基板は、前記第1の常圧搬送機構、第2の常圧搬送機構の各々により前記ロードロックモジュールに搬送される請求項12記載の真空処理装置。 - 前記載置部は、前記処理後待機部と、
前記第1の常圧搬送機構及び第2の常圧搬送機構から受け渡された処理済みの前記基板を載置する処理後載置部と、を含み、
前記処理後待機部は、前記第1の常圧搬送機構及び前記第2の常圧搬送機構のうち第1の常圧搬送機構のみから前記基板が受け渡される第1の処理後待機部と、
前記第1の常圧搬送機構及び前記第2の常圧搬送機構のうち前記第2の常圧搬送機構のみから前記基板が受け渡される第2の処理後待機部と、を含み、
前記第1の処理後待機部及び前記第2の処理後待機部のうちの一方から前記処理後載置部に前記基板が搬送され、前記第1の常圧搬送機構及び第2の常圧搬送機構のうち当該処理後基板載置部への搬送に用いた常圧搬送機構とは別の常圧搬送機構により、当該基板を前記搬送容器に搬送する請求項12または13記載の真空処理装置。 - 前記複数の搬入出ポートは、前記筐体の左右の中心部よりも左側、右側に各々設けられ、
前記常圧搬送機構は、前記各搬入出ポートに共用される請求項1ないし11のいずれか一つに記載の真空処理装置。 - 前記常圧搬送室において、前記筐体の前方側に前記常圧搬送機構の移動路が形成されている請求項15記載の真空処理装置。
- 前記基板保持部は、前記筐体内の上下に複数段に設けられる請求項1ないし16のいずれか一つに記載の真空処理装置。
- 上側及び下側の前記基板保持部のうちの一方の基板保持部には、前記常圧搬送室から前記ロードロックモジュールに搬送される基板が保持され、
上側及び下側の前記基板保持部のうちの他方の基板保持部には、前記真空搬送室から前記ロードロックモジュールに搬送された基板が保持される請求項17記載の真空処理装置。 - 内部が常圧雰囲気と真空雰囲気とで切り替え自在で、左右の各々に形成された開閉自在な第1の基板搬送口と後方に形成された開閉自在な第2の基板搬送口とを備えた筐体と、前記筐体内にて基板を左右に各々保持する複数の基板保持部と、を備えたロードロックモジュールを備えた真空処理装置にて前記基板を搬送する基板搬送方法において、
前記各第1の基板搬送口が開口するように前記筐体の上方または下方を跨いで当該筐体の左右の一方から他方へ亘って形成される常圧雰囲気の常圧搬送室の外側の左右に各々設けられた複数の搬入出ポートに、前記基板を格納する搬送容器を搬入出する工程と、
常圧搬送機構により、前記常圧搬送室において筐体に重なる前記基板の搬送領域である積層搬送領域を経由して前記各搬入出ポートに搬入された前記搬送容器と前記各基板保持部との間で前記基板を搬送する工程と、
真空搬送機構により、前記筐体の後方に接続され、前記第2の基板搬送口が開口する真空雰囲気の真空搬送室と、前記真空搬送室に接続され、前記基板を真空処理するための処理モジュールと、前記ロードロックモジュールとの間で前記基板を搬送する工程と、
を備えた基板搬送方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023535578A (ja) * | 2020-09-02 | 2023-08-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ファクトリインターフェース設置面積スペース中にロードロックを組み込むためのシステムおよび方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210119185A (ko) * | 2020-03-24 | 2021-10-05 | 주식회사 원익아이피에스 | 이송로봇 및 이를 포함하는 기판처리시스템 |
JP7445509B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
KR20230037990A (ko) * | 2021-09-10 | 2023-03-17 | 삼성전자주식회사 | Efem을 포함하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187467A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック機構及び処理装置 |
JP2000012647A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ搬送装置及びその方法 |
JP2007533167A (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-15 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ワークピース処理システム |
JP2018014427A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007273620A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板処理装置 |
US20080105201A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-08 | Applied Materials, Inc. | Substrate support components having quartz contact tips |
US7949425B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput wafer notch aligner |
US20090179366A1 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-16 | Sokudo Co., Ltd. | Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations |
JP4983745B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法 |
JP5548430B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-07-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010141000A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011049507A (ja) * | 2009-08-29 | 2011-03-10 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック装置及び処理システム |
JP5549441B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構 |
JP5526988B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理システム |
JP2012039075A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
CN103155133A (zh) | 2010-08-06 | 2013-06-12 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统、搬送模块、基板处理方法和半导体元件的制造方法 |
WO2012099064A1 (ja) * | 2011-01-18 | 2012-07-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 |
WO2012098871A1 (ja) | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP5883232B2 (ja) | 2011-03-26 | 2016-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6003011B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5686261B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-03-18 | セメス株式会社SEMES CO., Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6282980B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2018-02-21 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 搬送装置 |
KR102359364B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2022-02-07 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 기판 프로세싱 장치 |
JP2013171872A (ja) | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2013251416A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 積層膜の製造方法及び真空処理装置 |
JP6358856B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2018-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着装置及び冷却処理装置 |
JP2016004834A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
US10332769B2 (en) * | 2016-01-15 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing station, semiconductor process and method of operating semiconductor processing station |
JP2018006534A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP6747136B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6739285B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2020-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6863780B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2018174186A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6881010B2 (ja) * | 2017-05-11 | 2021-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
KR102030068B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2019-10-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7032955B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-03-09 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
US11043403B2 (en) * | 2018-04-06 | 2021-06-22 | Semes Co., Ltd. | Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same including reflective member configured to reflect light toward substrate |
JP7014055B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-02-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、真空処理システム、及び真空処理方法 |
JP7183635B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2022-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送機構、基板処理装置及び基板搬送方法 |
KR20200078116A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2022544037A (ja) * | 2019-07-29 | 2022-10-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高温チャックが改善された半導体基板支持体 |
-
2018
- 2018-09-21 JP JP2018177838A patent/JP7210960B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-10 CN CN201980059827.0A patent/CN112689891B/zh active Active
- 2019-09-10 KR KR1020217010580A patent/KR102491212B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-10 WO PCT/JP2019/035548 patent/WO2020059574A1/ja active Application Filing
- 2019-09-10 US US17/276,391 patent/US11688619B2/en active Active
- 2019-09-19 TW TW108133751A patent/TWI844566B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1187467A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック機構及び処理装置 |
JP2000012647A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハ搬送装置及びその方法 |
JP2007533167A (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-15 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ワークピース処理システム |
JP2018014427A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023535578A (ja) * | 2020-09-02 | 2023-08-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ファクトリインターフェース設置面積スペース中にロードロックを組み込むためのシステムおよび方法 |
JP7372500B2 (ja) | 2020-09-02 | 2023-10-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ファクトリインターフェース設置面積スペース中にロードロックを組み込むためのシステムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102491212B1 (ko) | 2023-01-20 |
CN112689891A (zh) | 2021-04-20 |
WO2020059574A1 (ja) | 2020-03-26 |
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US20220044952A1 (en) | 2022-02-10 |
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TW202029390A (zh) | 2020-08-01 |
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US11688619B2 (en) | 2023-06-27 |
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