JP2007273620A - 基板搬送装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーティクルの発生を抑制することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWを収容する処理チャンバ12と、該処理チャンバ12にウエハWを搬送する搬送アーム17と、当該処理チャンバ12に配置され、搬送されたウエハWを載置するサセプタ45とを備える。サセプタ45の上部には、複数の突起部55aを有する静電チャック55が配置され、搬送アーム17の先端部にはウエハWを保持する複数の突起部25aを有する搬送フォーク25が配置される。突起部25aは、搬送フォーク25の突起部25aによるウエハWの保持箇所81が静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所80と異なるように搬送フォーク25上に配置されている。
【選択図】図3
【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWを収容する処理チャンバ12と、該処理チャンバ12にウエハWを搬送する搬送アーム17と、当該処理チャンバ12に配置され、搬送されたウエハWを載置するサセプタ45とを備える。サセプタ45の上部には、複数の突起部55aを有する静電チャック55が配置され、搬送アーム17の先端部にはウエハWを保持する複数の突起部25aを有する搬送フォーク25が配置される。突起部25aは、搬送フォーク25の突起部25aによるウエハWの保持箇所81が静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所80と異なるように搬送フォーク25上に配置されている。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板搬送装置及び基板処理装置に関し、特に、被処理基板を搬送する基板搬送装置及び基板処理装置に関する。
被処理基板としてのウエハにプラズマ処理、例えば、エッチング処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容する収容室と、該収容室にウエハを搬送する搬送アームと、当該収容室内に配置され、搬送されたウエハを載置する載置台とを備える。この基板処理装置は収容室内にプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハにエッチング処理を施す。
載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材から成る静電チャックを上部に備え、ウエハは静電チャック上に載置される。ウエハにエッチング処理が施される間、電極板には直流電圧が印加され、該直流電圧によって発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力により、静電チャックはウエハを吸着する。
静電チャックは、その表面に、例えば、アルミナ等のセラミックが溶射されることにより溶射被膜が形成される。ウエハは、溶射被膜が形成された静電チャックの表面に載置される。
このように表面に溶射被膜が形成された静電チャックは、その表面が脆く、ウエハが載置されることにより当該ウエハとの接触箇所が摩耗し、該接触箇所にパーティクルが発生する。このパーティクルは、ウエハの裏面に付着し、ウエハが搬送される際の搬送アームとの物理的接触によりウエハの裏面から剥離し、結果的に、ウエハに付着するパーティクル及び基板処理装置内のパーティクルを増加させ、基板処理装置の歩留まりを低下させる。
上述したウエハの裏面に付着するパーティクルを減少させるために、近年、ウエハを複数の突起部で保持する静電チャックが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、プラズマ処理が施されたウエハの外縁部に当該処理時に生じた反応生成物等の異物が堆積する場合がある。
従来から、ウエハを搬送する際に、上述したウエハの外縁部に堆積した反応生成物等の異物に対する物理的接触によるパーティクルの発生を回避すべく、ウエハの裏面を保持することにより当該ウエハを搬送する搬送アームが提案されている(例えば、特許文献2参照)。
このように、上述したこれらの従来の技術を適用することで、基板処理装置内に発生するパーティクルを減少させることができる。
特開2005−191561号公報
特開2000−3951号公報
しかしながら、上述した従来の技術を併用した場合においては、ウエハに対する静電チャックの複数の突起部の接触箇所と搬送アームの保持部の接触箇所とが重なることによって、静電チャックの複数の突起部からウエハに付着したパーティクルに対する搬送アームの物理的接触により、パーティクルを誘発することが容易に想定される。実際、このパーティクルは突発的に発生するので、当該パーティクルは発生抑制管理が難しく、ウエハの量産処理時にパーティクルが多く発生するので、最終的に製造される製品の歩留まりの低下を招くことになる。
本発明の目的は、パーティクルの発生を抑制することができる基板搬送装置及び基板処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項1記載の基板搬送装置は、処理容器の内部に設置されると共に、被処理基板を保持するための第1の保持部を有する載置台に、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置であって、前記第1の保持部による前記被処理基板の保持部位と異なる部位において前記被処理基板を保持する第2の保持部を有することを特徴とする。
請求項2記載の基板搬送装置は、請求項1記載の基板搬送装置において、前記第2の保持部は、前記被処理基板をその外縁部以外において保持することを特徴とする。
請求項3記載の基板搬送装置は、請求項1又は2記載の基板搬送装置において、前記第1の保持部及び前記第2の保持部の各々は複数の突起部で構成されていることを特徴とする。
請求項4記載の基板搬送装置は、請求項1又は2記載の基板搬送装置において、前記第1の保持部及び前記第2の保持部の各々は複数の環状の突起部で構成されていることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項5記載の基板処理装置は、被処理基板を載置する載置台を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理装置であって、前記基板搬送装置は前記載置台による前記被処理基板の載置部位と異なる部位において前記被処理基板を載置することを特徴とする。
請求項1記載の基板搬送装置によれば、基板搬送装置の第2の保持部が載置台の第1の保持部による被処理基板の保持部位と異なる部位において被処理基板を保持するので、基板搬送装置の第2の保持部による被処理基板の保持部位と載置台の第1の保持部による被処理基板の保持部位とが重なるのを防止することができる。その結果、被処理基板が載置台に載置される際に被処理基板の保持部位に付着するパーティクルに対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルが被処理基板から剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
請求項2記載の基板搬送装置によれば、基板搬送装置の第2の保持部が被処理基板の外縁部以外において保持するので、被処理基板の処理後に当該被処理基板の外縁部に付着する反応生成物に対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止し、もって、当該反応生成物に対して基板搬送装置の物理的接触によるパーティクルの発生を防止することができる。
請求項3記載の基板搬送装置によれば、載置台の第1の保持部と基板搬送装置の第2の保持部とが複数の突起部で構成されているので、被処理基板が第1の保持部及び第2の保持部において保持される際に当該被処理基板に付着するパーティクルを減少させることができる。
請求項4記載の基板搬送装置によれば、載置台の第1の保持部と基板搬送装置の第2の保持部とが複数の環状の突起部で構成されているので、被処理基板が第1の保持部及び第2の保持部において保持される際に当該被処理基板に付着するパーティクルを減少させることができる。さらに、載置台の第1の保持部が複数の環状の突起部で構成されているので、載置台と被処理基板間の空間を第1の保持部によって分割することができ、もって、各空間内に供給される伝熱ガスの圧力を個別に制御することもできる。
請求項5記載の基板処理装置によれば、基板搬送装置は載置台による被処理基板の載置部位と異なる部位において被処理基板を載置するので、基板搬送装置における被処理基板の載置部位と載置台における被処理基板の載置部位とが重なるのを防止することができる。その結果、被処理基板が載置台に載置される際に被処理基板に付着するパーティクルに対して基板搬送装置が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルが被処理基板から剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
図1において、基板処理装置1は、半導体デバイス用のウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wに反応性イオンエッチング(以下、「RIE」という。)処理を施す複数のプロセスシップ11(図2)と、複数のプロセスシップ11がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット9とを備える。
ローダーユニット9には、上述したプロセスシップ11の他、25枚のウエハWを収容する容器としてのフープ(Front Opening Unified Pod)14がそれぞれ載置される3つのフープ載置台15と、フープ14から搬出されたウエハWの位置をプリアライメントするオリエンタ16とが接続されている。
複数のプロセスシップ11は、ローダーユニット9の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット9を挟んで3つのフープ載置台15と対向するように配置され、オリエンタ16はローダーユニット9の長手方向に関する一端に配置される。
ローダーユニット9は、内部に配置され、ウエハWを搬送する基板搬送装置としての搬送アーム機構19と、各フープ載置台15に対応するように側壁に配置されたウエハWの投入口としての3つのロードポート20とを有する。搬送アーム機構19は、フープ載置台15に載置されたフープ14からウエハWをロードポート20経由で取り出し、該取り出したウエハWをプロセスシップ11やオリエンタ16へ搬出入する。
プロセスシップ11は、ウエハWにRIE処理を施す真空容器としての処理チャンバ12と、該処理チャンバ12にウエハWを受け渡す基板搬送装置としての搬送アーム17を内蔵するロード・ロックユニット18とを有する。
プロセスシップ11では、ローダーユニット9の内部の圧力は大気圧に維持される一方、処理チャンバ12の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックユニット18は、処理チャンバ12との連結部に真空ゲートバルブ21を備えると共に、ローダーユニット9との連結部に大気ゲートバルブ22を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
ロード・ロックユニット18の内部には、略中央部に搬送アーム17が設置され、該搬送アーム17より処理チャンバ12側に第1のバッファ23が設置され、搬送アーム17よりローダーユニット9側には第2のバッファ24が設置される。第1のバッファ23及び第2のバッファ24は、搬送アーム17の先端部に配置されたウエハWを保持する後述する搬送フォーク25が移動する軌道上に配置され、RIE処理が施されたウエハWを一時的に搬送フォーク25の軌道の上方に待避させることにより、RIE未処理のウエハWとRIE処理済みのウエハWとの処理チャンバ12における円滑な入れ換えを可能とする。
また、基板処理装置1は、プロセスシップ11、ローダーユニット9、及びオリエンタ16(以下、まとめて「各構成要素」という。)の動作を制御する後述するシステムコントローラ(図示しない)と、ローダーユニット9の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションGUI(Graphical User Interface)26とを備える。
上記システムコントローラは、RIE処理に対応するプログラムに応じて各構成要素の動作を制御し、オペレーションGUI26は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)からなるタッチパネルディスプレイ(図示しない)と、該タッチパネルディスプレイを支持するディスプレイスタンド(図示しない)とを有する。上記タッチパネルディスプレイは各構成要素の動作状況を表示し、操作者の操作入力を受け付ける。
図2は、ウエハWにRIE処理を施すプロセスシップ11の概略構成を示す断面図である。
図2において、プロセスシップ11は、ウエハWを収容する処理チャンバ12を有し、該処理チャンバ12内にはウエハWを載置する載置台としての円柱状のサセプタ45が配置されている。
プロセスシップ11では、処理チャンバ12の内側壁とサセプタ45の側面とによって、サセプタ45上方のガスを処理チャンバ12の外へ排出する流路として機能する側方排気路46が形成される。この側方排気路46の途中にはバッフル板47が配置される。
バッフル板47は多数の孔を有する板状部材であり、処理チャンバ12を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。バッフル板47によって仕切られた処理チャンバ12の上部48には、ウエハWを載置するサセプタ45等が配置され、プラズマが発生する。以下、処理チャンバ12の上部を「反応室」と称する。また、処理チャンバ12の下部(以下、「排気室(マニホールド)」という。)51には処理チャンバ12内のガスを排出する粗引き排気管49及び本排気管50が開口する。粗引き排気管49にはDP(Dry Pump)(図示しない)が接続され、本排気管50にはTMP(Turbo Molecular Pump)(図示しない)が接続される。また、バッフル板47は反応室48の後述する処理空間Sにおいて発生するイオンやラジカルを捕捉又は反射してこれらのマニホールド51への漏洩を防止する。
粗引き排気管49、本排気管50、DP及びTMP等は排気装置を構成し、粗引き排気管49及び本排気管50は反応室48のガスをマニホールド51を介して処理チャンバ12の外部へ排出する。具体的には、粗引き排気管49は処理チャンバ12内を大気圧から低真空状態まで減圧し、本排気管50は粗引き排気管49と協働して処理チャンバ12内を大気圧から低真空状態より低い圧力である高真空状態(例えば、133Pa(1Torr)以下)まで減圧する。
サセプタ45には下部高周波電源52が整合器53を介して接続されており、該下部高周波電源52は、所定の高周波電力をサセプタ45に供給する。これにより、サセプタ45は下部電極として機能する。また、整合器53は、サセプタ45からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ45への供給効率を最大にする。
サセプタ45の上部には、電極板54を内部に有する絶縁性部材、例えば、イットリア、アルミナ(Al2O3)やシリカ(SiO2)からなる円板状の後述する図3の静電チャック55が配置されている。サセプタ45がウエハWを載置するとき、該ウエハWは静電チャック55上に配される。電極板54には直流電源56が電気的に接続されている。電極板54に負の直流電圧が印加されると、ウエハWの裏面には正電位が発生し、さらに、ウエハの表面には負電位が発生する。そして、電極板54及びウエハWの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハWは静電チャック55の上面に吸着保持される。
また、サセプタ45の上方には、静電チャック55に吸着保持されたウエハWの周りを囲うように円環状のフォーカスリング57が配設される。このフォーカスリング57は、処理空間Sに露出し、該処理空間SにおいてプラズマをウエハWの表面に向けて収束し、RIE処理の効率を向上させる。
また、サセプタ45の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室72が設けられる。この冷媒室72には、チラーユニット(図示しない)から冷媒用配管58を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデンが循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック55に吸着保持されたウエハWの処理温度が制御される。
静電チャック55のウエハWが吸着保持される部分(以下、「吸着面」という。)には、ウエハWを保持する複数の突起部55a(図3(B))が設けられる。この複数の突起部55aによってウエハWを保持することにより、静電チャック55のウエハWの保持部からウエハWの裏面に付着するパーティクルを減少させることができる。
また、静電チャック55の吸着面には、複数の伝熱ガス供給孔59が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔59は、伝熱ガス供給ライン60を介して伝熱ガス供給部(図示しない)に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウムガスを、伝熱ガス供給孔59を介して吸着面及びウエハWの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハWの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハWの熱を静電チャック55を介してサセプタ45に伝熱する。
また、サセプタ45の吸着面には、静電チャック55から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン61が配置されている。上述した搬送アーム17の先端部に配置された搬送フォーク25は、プッシャーピン61上の所定の受け渡し位置にてウエハWを受け渡すと共にウエハWを受け取る。これらのプッシャーピン61は、モータ(図示しない)とボールねじ(図示しない)を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して吸着面から自在に突出する。ウエハWにRIE処理を施すためにウエハWを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピン61はサセプタ45に収容され、RIE処理が施されたウエハWを処理チャンバ12から搬出するときには、プッシャーピン61は静電チャック55から突出してウエハWをサセプタ45から離間させて上方へ持ち上げる。
処理チャンバ12(反応室48)の天井部には、サセプタ45と対向するようにガス導入シャワーヘッド62が配置されている。ガス導入シャワーヘッド62には整合器63を介して上部高周波電源64が接続されており、上部高周波電源64は所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド62に供給するので、ガス導入シャワーヘッド62は上部電極として機能する。なお、整合器63の機能は上述した整合器53の機能と同じである。
ガス導入シャワーヘッド62は、多数のガス穴65を有する天井電極板66と、該天井電極板66を着脱可能に支持する電極支持体67とを有する。また、該電極支持体67の内部にはバッファ室68が設けられ、このバッファ室68には処理ガス導入管69が接続されている。ガス導入シャワーヘッド62は、処理ガス導入管69からバッファ室68へ供給された処理ガスをガス穴65を経由して処理チャンバ12(反応室48)内へ供給する。
また、処理チャンバ12の側壁には、プッシャーピン61によってサセプタ45から上方へ持ち上げられたウエハWの高さに対応する位置にウエハWの搬出入口70が設けられ、搬出入口70には、該搬出入口70を開閉する真空ゲートバルブ21が取り付けられている。
このプロセスシップ11の処理チャンバ12内では、上述したように、サセプタ45及びガス導入シャワーヘッド62に高周波電力を供給して、サセプタ45及びガス導入シャワーヘッド62の間の処理空間Sに高周波電力を印加することにより、該処理空間Sにおいてガス導入シャワーヘッド62から供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオン等によってウエハWにRIE処理を施す。
以下、本実施の形態に係る基板搬送装置としての搬送アーム17における搬送フォーク25の形状、及び本実施の形態における静電チャック55の形状について説明する。
図3(A)は、本実施の形態における静電チャック55及び搬送フォーク25の平面図であり、図3(B)は図3(A)におけるA部の拡大図である。図4は、ウエハWを保持した静電チャック55及び搬送フォーク25の側面図である。
図3及び図4に示すように、静電チャック55は、その吸着面に、ウエハWを保持する複数の突起部55a(図3(B))を有しており、図4に示すように、ウエハWは当該複数の突起部55aによって保持される。また、静電チャック55の吸着面には上述したプッシャーピン61が静電チャック55の中心と同心円上に3つ配置されている。本実施の形態において、直径が300mmのウエハWを処理する場合は、静電チャック55の直径は300mm、突起部55aの幅は1mm程度であり、また、プッシャーピン61の直径は2mm〜3mm、3つのプッシャーピン61のPCD(プッシャーピン61の中心と静電チャック55の中心を半径とする円の直径)は170mm程度である。
一方、搬送フォーク25は、ウエハWを保持する複数の突起部25a(図3(B))を有しており、図4に示すように、ウエハWはこの複数の突起部25aによって保持される。突起部25aは、搬送すべきウエハWを保持するのに十分な数だけ設けられる。本実施の形態において、直径が300mmのウエハWを処理する場合は、突起部25aの幅は7mm程度であり、また、搬送フォーク25の幅方向の外側の幅は270mm程度、幅方向の内側の間隔は200mm程度である。
また、突起部25aは、搬送フォーク25の突起部25aによるウエハWの保持箇所81が静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所80と異なるように搬送フォーク25上に配置されている。すなわち、突起部25aは、搬送フォーク25が所定の受け渡し位置においてウエハWを静電チャック55に受け渡す際に、上から見て突起部25aが静電チャック55の突起部55aの位置と異なるように搬送フォーク25上に配置されている。これにより、搬送フォーク25の突起部25aによるウエハWの保持箇所と静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所は異なる。
本実施の形態によれば、搬送フォーク25の複数の突起部25aが静電チャック55の複数の突起部55aによるウエハWの保持箇所80と異なる保持箇所81においてウエハWを保持するので、搬送フォーク25の複数の突起部25aによるウエハWの保持箇所81と静電チャック55の複数の突起部55aによるウエハWの保持箇所80とが重なるのを防止することができる。その結果、ウエハWが静電チャック55に載置される際にウエハWの保持箇所80に付着するパーティクルに対して搬送フォーク25が物理的に接触するのを防止することができ、当該パーティクルがウエハWから剥離することを防止して、もって、基板処理装置内におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
本実施の形態によれば、搬送フォーク25において、静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所80と異なる保持箇所81においてウエハWを保持するように複数の突起部25aを有するが、静電チャック55の突起部55aによるウエハWの保持箇所に限られず、ウエハWを保持する部材、例えば、ウエハWをプリアライメントするオリエンタ16においてウエハWを保持するゴムピン等によるウエハWの保持箇所と異なる保持箇所において突起部25aを有するのがよい。
図5(A)は、図3の静電チャック55及び搬送フォーク25の変形例を示す平面図であり、図5(B)は図5(A)におけるB部の拡大図である。
図5に示すように、静電チャック355は、その吸着面の外周縁部に、ウエハWを保持する第1の環状突起部355aを有し、第1の環状突起部355aの内側に第1の環状突起部355aと同心円状に第2の環状突起部355bを有する。静電チャック355においてウエハWはこの第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによって保持される。
一方、搬送フォーク325は、ウエハWを保持する環状突起部325a(図5(B))を有しており、ウエハWはこの環状突起部325aによって保持される。環状突起部325aは、搬送すべきウエハWを保持するのに同心円状に十分な数だけ設けられる。
また、環状突起部325aは、搬送フォーク325の環状突起部325aによるウエハWの保持箇所が静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所と異なるように搬送フォーク325上に配置されている。すなわち、環状突起部325aは、搬送フォーク325が所定の受け渡し位置においてウエハWを静電チャック355に受け渡す際に、上から見て環状突起部325aが静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bの位置と異なるように搬送フォーク325上に配置されている。これにより、搬送フォーク325の環状突起部325aによるウエハWの保持箇所と静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所は異なる。
本実施の形態によれば、搬送フォーク325の環状突起部325aが静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所と異なる保持箇所においてウエハWを保持するので、搬送フォーク325の環状突起部325aによるウエハWの保持箇所と静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所とが重なるのを防止することができる。その結果、上述した実施の形態における効果と同様の効果を奏することができる。
さらに、本変形例における静電チャック355は、第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bを有するので、静電チャック355とウエハW間の空間を第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによって二分割することができ、各空間内に伝熱ガス供給孔359から供給される伝熱ガスの圧力を個別に制御することもできる。
本変形例によれば、搬送フォーク325において、静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所と異なる保持箇所においてウエハWを保持するように環状突起部325aを有するが、静電チャック355の第1の環状突起部355a及び第2の環状突起部355bによるウエハWの保持箇所に限られず、ウエハWを保持する部材、例えば、ウエハWをプリアライメントするオリエンタ16においてウエハWを保持するゴムピン等によるウエハWの保持箇所と異なる保持箇所において環状突起部325aを有するのがよい。
上述した実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置は、図1に示すような互いに平行に配されたプロセスシップを2つ備えるパラレルタイプの基板処理装置に限られず、図6に示すように、ウエハWに所定の処理を施す真空処理室としての複数のプロセスユニットが放射状に配置された基板処理装置も該当する。
図6は、上述した実施の形態に係る基板搬送装置を有する基板処理装置の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図6においては、図1の基板処理装置1における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図6において、基板処理システム137は、平面視六角形のトランスファユニット138と、該トランスファユニット138の周囲において放射状に配置された、ウエハWに所定の処理を施す4つのプロセスユニット139〜142と、矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット9と、トランスファユニット138及びローダーユニット9の間に配置され、トランスファユニット138及びローダーユニット9を連結する2つのロード・ロックユニット143,144とを備える。
トランスファユニット138及び各プロセスユニット139〜142は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット138と各プロセスユニット139〜142とは、それぞれ真空ゲートバルブ145〜148を介して接続される。
基板処理システム137では、ローダーユニット9の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット138の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックユニット143,144は、それぞれトランスファユニット138との連結部に真空ゲートバルブ149,150を備えると共に、ローダーユニット9との連結部に大気ドアバルブ151,152を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックユニット143,144はローダーユニット9及びトランスファユニット138の間において受渡されるウエハWを一時的に載置するためのウエハ載置台153,154を有する。
トランスファユニット138はその内部に配置された屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの本実施の形態に係る搬送アーム155を有し、該搬送アーム155は、各プロセスユニット139〜142や各ロード・ロックユニット143,144の間においてウエハWを搬送する。
各プロセスユニット139〜142は、それぞれ処理が施されるウエハWを載置する載置台(図示しない)を有する。ここで、プロセスユニット139〜142は基板処理装置1におけるプロセスシップ11と同様の構成を有する。
なお、基板処理システム137における各構成要素の動作は、基板処理装置1におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
W ウエハ
1 基板処理装置
11 プロセスシップ
12 処理チャンバ
17 搬送アーム
19 搬送アーム機構
25,325 搬送フォーク
25a,55a 突起部
55,355 静電チャック
325a 環状突起部
355a 第1の環状突起部
355b 第2の環状突起部
1 基板処理装置
11 プロセスシップ
12 処理チャンバ
17 搬送アーム
19 搬送アーム機構
25,325 搬送フォーク
25a,55a 突起部
55,355 静電チャック
325a 環状突起部
355a 第1の環状突起部
355b 第2の環状突起部
Claims (5)
- 処理容器の内部に設置されると共に、被処理基板を保持するための第1の保持部を有する載置台に、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置であって、
前記第1の保持部による前記被処理基板の保持部位と異なる部位において前記被処理基板を保持する第2の保持部を有することを特徴とする基板搬送装置。 - 前記第2の保持部は、前記被処理基板をその外縁部以外において保持することを特徴とする請求項1記載の基板搬送装置。
- 前記第1の保持部及び前記第2の保持部の各々は複数の突起部で構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の基板搬送装置。
- 前記第1の保持部及び前記第2の保持部の各々は複数の環状の突起部で構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の基板搬送装置。
- 被処理基板を載置する載置台を内部に有する処理容器と、前記被処理基板を搬送する基板搬送装置とを備える基板処理装置であって、
前記基板搬送装置は前記載置台による前記被処理基板の載置部位と異なる部位において前記被処理基板を載置することを特徴とする基板処理装置。
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