JP2008078197A - 基板処理装置，基板処理装置の圧力調整方法，基板処理装置の載置台除電方法 - Google Patents

基板処理装置，基板処理装置の圧力調整方法，基板処理装置の載置台除電方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008078197A
JP2008078197A JP2006252861A JP2006252861A JP2008078197A JP 2008078197 A JP2008078197 A JP 2008078197A JP 2006252861 A JP2006252861 A JP 2006252861A JP 2006252861 A JP2006252861 A JP 2006252861A JP 2008078197 A JP2008078197 A JP 2008078197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
pressure
processing chamber
chamber
transfer chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006252861A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4688764B2 (ja
Inventor
Keisuke Kondo
圭祐 近藤
Hiroshi Koizumi
浩 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006252861A priority Critical patent/JP4688764B2/ja
Priority to US11/857,271 priority patent/US20080069669A1/en
Publication of JP2008078197A publication Critical patent/JP2008078197A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4688764B2 publication Critical patent/JP4688764B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】搬送室と処理室が連通した状態のときに処理室内圧力を調整する時間を短縮する。
【解決手段】載置台１０５上に載置されるウエハＷに対して所定の処理を施す処理室１０４と，この処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，処理室にゲートバルブ１０６を介して接続される共通搬送室１０２と，この共通搬送室の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，ゲートバルブを開いた状態で処理室内の圧力を調整する基板処理装置の圧力調整方法であって，処理室側圧力調整手段と搬送室側圧力調整手段を併用して処理室内の圧力を所定の圧力に調整することを特徴とする圧力調整方法を提供する。
【選択図】図４

Description

本発明は，半導体ウエハ，ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）基板などの被処理基板に所定の処理を施す処理室とこの処理室にゲートバルブを介して接続される搬送室を備えた基板処理装置およびその圧力調整方法に関する。
例えばクラスタツール型の基板処理装置は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）に対して所定の処理を行う複数の処理室を備え，各処理室をそれぞれゲートバルブを介して多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室の周囲に接続して構成される。共通搬送室内には搬送アームなどで構成される搬送機構が設けられ，この搬送機構によって各処理室に対するウエハの搬出入が行われる。
例えば，ある処理室でウエハの処理が終了すると，ゲートバルブを開いて搬送機構によってその処理済ウエハを処理室から搬出した後，すぐに未処理ウエハを処理室に搬入し，ゲートバルブを閉じて未処理ウエハに対する処理を開始する。こうして，スループット向上の観点から，できるだけ短時間で処理室内の処理済みウエハが未処理ウエハに入れ替わるようにしている。
ところで，各処理室内には，ウエハを載置する載置台が配設され，この載置台には高電圧を印加して発生する静電吸着力によってウエハを載置台上に保持する静電チャック（ＥＳＣ）を備える。各処理室ではこの載置台上に静電吸着によりウエハを保持した状態で各種処理が実行される。
そして，ウエハの処理が終了すると，ゲートバルブを開き，静電チャックに印加する電圧をオフにして載置台上から処理済ウエハを搬送機構によって取り除く。その後は，載置台上に次に処理する未処理ウエハを載せる前に，処理室側の給排気系のみを動作させて処理室内を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることにより，載置台上の残留電荷を除去する除電処理が行われる。
これにより，載置台上の残留電荷は除去されるので，その後に静電チャックに高電圧を印加することにより，過不足なく静電吸着力を発生させることができるので，ウエハを確実に吸着保持することができる。
特開２００４−９６０８９号公報 特開２００５−３９１８５号公報
しかしながら，ゲートバルブを開いた状態で処理室内の圧力調整を行う際には，圧力を調整すべき空間がこの処理室内のみならず共通搬送室内にまで広がるため，従来のように処理室側の圧力調整手段（給排気系）のみで処理室内の圧力調整を行おうとすると，圧力調整にかかる時間が長くなってしまう。特に，クラスタツール型の基板処理装置の場合，共通搬送室は，各処理室に対して例えば十倍以上の容積（例えば数百リットル）を有するため，共通搬送室が連通した状態で処理室の圧力を除電圧力まで上昇させるにはより長い時間がかかるという問題があった。
このように処理室内の圧力調整時間が長くなってしまうと，載置台に載置しようとしている未処理ウエハを搬送アームなどで保持したまま，除電処理が終了するまで，待機させる必要が生じるので，ウエハ処理のスループットが低下してしまう。
この点，処理室内の圧力調整をゲートバルブを閉じた状態で行うようにすればよいとも考えられる。しかしながら，除電処理では処理室内の圧力を一時的に上昇させるので，ゲートバルブを閉じた状態で圧力調整を行うと，再びゲートバルブを開いたときに共通搬送室の方が圧力が低い場合には，処理室から共通搬送室へダストやパーティクルが流出する虞がある。
この場合，例えば処理室の圧力を元の低い圧力に戻してさらに共通搬送室の圧力よりも低く減圧してからゲートバルブを開くようにすれば，処理室から共通搬送室へダストやパーティクルが流出を防止できるとも考えられる（例えば特許文献１参照）。ところが，このようにしたのでは，ゲートバルブの開閉動作や処理室内の圧力を戻すのに時間がかかるため，かえってスループットが低下してしまう。
なお，上記特許文献２には，ＰＨＴ処理室とＣＯＲ処理室との間のゲートバルブを開いた状態で，ＣＯＲ処理室内の圧力を制御する方法が記載されている。この方法は，ＰＨＴ処理室側の雰囲気がＣＯＲ処理室側に回り込むことを防止するために，ＰＨＴ処理室側の排気系のみを用いてＣＯＲ処理室内の圧力調整を行うものである。ところが，ＰＨＴ処理室とＣＯＲ処理室との間のゲートバルブが開いて容積が大きくなっているので，ＰＨＴ処理室側の排気系のみではＣＯＲ処理室内の圧力調整に時間がかかり，ウエハ処理のスループットが低下してしまう。
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，処理室と搬送室の間のゲートバルブが開いた状態であっても，処理室の圧力を所定の圧力に短時間で調整でき，スループットを向上させることができる基板処理装置，基板処理装置の圧力調整方法，基板処理装置の載置台除電方法を提供することにある。
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，前記処理室にゲートバルブを介して接続される搬送室と，この搬送室の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，前記ゲートバルブを開いた状態で前記処理室内の圧力を調整する基板処理装置の圧力調整方法であって，前記処理室側圧力調整手段と前記搬送室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を所定の圧力に調整する圧力調整工程を有することを特徴とする圧力調整方法が提供される。
また，載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室にゲートバルブを介して接続され，前記処理室との間で被処理基板の受け渡しを行う搬送機構を備える搬送室と，前記処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，前記搬送室内の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，前記ゲートバルブを開いて前記搬送室と前記処理室を連通させた状態で，前記搬送室側圧力調整手段と前記処理室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を所定の圧力に調整する圧力調整処理を行うことを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明は，例えば処理室に基板を搬出入するためにゲートバルブを開くと処理室と搬送室とが連通して容積が大きくなってしまうので，この状態で処理室内の圧力調整を行うのに処理室側圧力調整手段のみを動作させただけでは時間がかかってしまう問題があったところ，逆にゲートバルブを開いている状態を積極的に利用することによって，処理室内の圧力調整の時間短縮を図るようにものである。すなわち，本発明は，ゲートバルブが開いている状態であれば，処理室側圧力調整手段のみならず，搬送室側圧力調整手段も利用することができる点を見出し，これらを併用して処理室内の圧力調整を行うものである。このような本発明によれば，搬送室側圧力調整手段を動作させることによって，処理室側圧力調整手段による処理室内の圧力調整をアシストすることができるので，処理室内の圧力調整にかかる時間を大幅に短縮することができる。
前記載置台は，その表面上に前記被処理基板を静電吸着力によって保持する静電吸着保持手段を備え，前記圧力調整工程または圧力調整処理は，前記載置台上に静電吸着された被処理基板の処理が終了した後に行われる前記載置台上の残留電荷を除去するための除電処理工程または除電処理であることが好ましい。本発明によれば，短時間で処理室の圧力を所定の圧力に調整して，載置台上の残留電荷を迅速に除去することができる。
また，前記除電処理は，前記搬送機構によって前記載置台上の被処理基板が取り除かれてから前記載置台上に次の被処理基板が載置されるまでの間に行われることが好ましい。本発明によれば，上述したように除電処理にかかる時間を従来に比して大幅に短くすることができるので，搬送機構によって処理済みの被処理基板を取り除いて次の未処理の被処理基板を載置している間に除電処理を完了させることが可能となる。これにより，搬送機構は未処理の被処理基板を保持したまま待つ必要がなくなるので被処理基板の搬出入を行うことができるので，被処理基板の処理のスループットを向上させることができる。
前記所定の圧力は，２００〜３００ｍＴｏｒｒであることが好ましい。処理室内の圧力をこの範囲に調整すれば，載置台の残留電荷を的確に除去することができる。
前記搬送室側圧力調整手段は，前記搬送室内に所定のガスを供給する給気系により構成されることが好ましい。この給気系によって搬送室内に供給された所定のガスは，ゲートバルブを経由して処理室内に流れ込む。これによって処理室内の圧力を所定の圧力に調整することができる。また，このような処理ガスの流れが形成されると，処理室内から搬送室内へダストやパーティクルが流出することが防止される。このとき，所定のガスとしてＮ２ガスなどの不活性ガスを用いることが好ましい。
上記課題を解決するために，本発明の他の観点によれば，載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，前記この処理室にゲートバルブを介して接続される搬送室と，前記処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，この前記搬送室の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，前記ゲートバルブを開いた状態で前記処理室内の圧力を一時的に調整して前記載置台の除電を行う基板処理装置の載置台除電方法であって，前記処理室側圧力調整手段と前記搬送室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることを特徴とする基板処理装置の載置台除電方法が提供される。このような本発明によれば，載置台の除電にかかる時間を大幅に短縮することができる。
上記課題を解決するために，本発明の他の観点によれば，載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室と，前記各処理室をそれぞれゲートバルブを介して接続する共通搬送室と，前記各処理室にそれぞれ設けられる処理室側圧力調整手段と，前記共通搬送室に設けられる共通搬送室側圧力調整手段とを備え，前記処理室内の圧力を一時的に調整して前記載置台の除電を行う基板処理装置の載置台除電方法であって，前記複数の処理室のうちの一の処理室と前記共通搬送室との間のゲートバルブが開いた状態で，前記一の処理室の載置台の除電を行う際には，前記一の処理室の処理室側圧力調整手段と前記共通搬送室側圧力調整手段とを併用して前記一の処理室内の圧力を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることを特徴とする基板処理装置の載置台除電方法が提供される。
このような本発明によれば，複数の処理室が接続されるような大きな容積の共通搬送室との間のゲートバルブが開いた状態であっても，処理室側圧力調整手段に加えて，これよりも一層圧力調整能力の高い搬送室側圧力調整手段を用いて処理室内の圧力調整を行うことにより，載置台の除電にかかる時間を大幅に短縮することができる。
本発明によれば，処理室と搬送室とのゲートバルブが開いた状態であっても，処理室側圧力調整手段を動作させて処理室内の圧力を所定の圧力に調整する際に，搬送室側圧力調整手段も動作させることによって，処理室内の圧力調整をアシストすることができる。これにより，処理室内の圧力を短時間で所定の圧力まで調整することができる。
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（基板処理装置の構成例）
本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を図面を参照しながら説明する。図１は本実施形態にかかる基板処理装置の一例を示す概略構成図である。図１に示すように，基板処理装置１００は，略多角形状（例えば六角形状）に形成された共通搬送室１０２，真空引き可能に構成された複数（例えば４つ）の処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，真空引き可能に構成された２つのロードロック室１０８Ａ，１０８Ｂ，略長方形状の搬入側搬送室１１０，ウエハＷを複数枚収容できるカセットを載置する複数（例えば３つ）の導入ポート１１２Ａ〜１１２Ｃ，およびウエハＷを回転してこの偏心量を光学的に求めて位置合わせを行うオリエンタ１１４を有する。
処理室１０４Ａ〜１０４Ｄはそれぞれ，共通搬送室１０２の周囲にゲートバルブ１０６Ａ〜１０６Ｄを介して連結されている。各処理室１０４Ａ〜１０４Ｄには被処理基板例えば半導体ウエハＷを載置する載置台１０５Ａ〜１０５Ｄが設けられている。各載置台１０５Ａ〜１０５Ｄは，静電吸着保持手段としての静電チャックを備えており，載置されたウエハＷを静電チャックによって吸着保持することができる。各処理室１０４Ａ〜１０４Ｄはそれぞれ載置台１０５Ａ〜１０５Ｄに載置されたウエハＷに対して所定の処理を施し得るようになっている。なお，静電チャックとその周辺構成については後述する。
共通搬送室１０２内には，ウエハＷを保持する２つのピック（エンドエフェクタ）１１６Ａ，１１６Ｂを有して屈伸および旋回可能に構成された搬送機構１１６が設けられている。共通搬送室１０２には，２つのロードロック室１０８Ａ，１０８Ｂを介して搬入側搬送室１１０が連結されている。ロードロック室１０８Ａは，共通搬送室１０２と搬入側搬送室１１０にゲートバルブ１０７Ａを介して接続されており，ロードロック室１０８Ｂは，共通搬送室１０２と搬入側搬送室１１０にゲートバルブ１０７Ｂを介して接続されている。
なお，共通搬送室１０２と２つのロードロック室の内のいずれか一方，例えばロードロック室１０８Ａとの連結部の搬送口１０９ＡはウエハＷを共通搬送室１０２内へ専用に搬入する搬入口として用いられ，他方のロードロック室１０８Ｂとの連結部の搬送口１０９ＢはウエハＷを共通搬送室１０２から専用に搬出する搬出口として用いられる。
上記搬入側搬送室１１０には，例えば３つの導入ポート１１２Ａ〜１１２Ｃおよびオリエンタ１１４が連結されている。また，搬入側搬送室１１０内には，ウエハＷを保持する２つのピック（エンドエフェクタ）１１８Ａ，１１８Ｂを有して屈伸，旋回，昇降および直線移動可能に構成された搬送機構１１８が設けられている。
そして，基板処理装置１００には，制御部２００が接続されており，この制御部２００により基板処理装置１００の各部が制御されるようになっている。
（制御部の構成例）
基板処理装置１００の制御部２００の構成例を図面を参照しながら説明する。図２は，制御部（システムコントローラ）２００の構成を示すブロック図である。図２に示すように，制御部２００は，装置制御部（ＥＣ：Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３００と，複数のモジュール制御部（ＭＣ：Ｍｏｄｕｌｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・と，ＥＣ３００と各ＭＣ２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・とをそれぞれ接続するスイッチングハブ（ＨＵＢ）２２０とを備える。
制御部２００は，ＥＣ３００から例えばＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）２０２を介して基板処理装置１００が設置される工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）２０４に接続されている。ＭＥＳ２０４は例えばコンピュータにより構成される。ＭＥＳ２０４は，制御部２００と連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示せず）にフィードバックするとともに，工場全体の負担等を考慮して工程に関する判断を行う。
ＥＣ３００は，ＭＣ２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・を統括して基板処理装置１００全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）を構成する。スイッチングハブ２２０は，ＥＣ３００からの制御信号に応じてＥＣ３００の接続先としてのＭＣ２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・を切換える。
各ＭＣ２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・はそれぞれ，基板処理装置１００の共通搬送室１０２，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，ロードロック室１０８Ａ，１０８Ｂ，搬送室１１０，オリエンタ１１４等の各モジュールの動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）を構成する。各ＭＣ２３０Ａ，２３０Ｂ，２３０Ｃ・・・はそれぞれ，ＤＩＳＴ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）ボード２３４Ａ，２３４Ｂ，２３４Ｃ・・・によって例えばＧＨＯＳＴネットワーク２０６を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール２３６Ａ，２３６Ｂ，２３６Ｃ・・・に接続される。
ＧＨＯＳＴネットワーク２０６は，ＥＣ３００が有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｓｃａｌａｂｌｅ Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク２０６には最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続することができる。なお，ＧＨＯＳＴネットワーク２０６ではＭＣがマスタに相当し，Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに相当する。
各Ｉ／Ｏモジュール２３６Ａ，２３６Ｂ，２３６Ｃ・・・はそれぞれ，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄなどの各モジュールの各構成要素（以下，「エンドデバイス」と称する）に接続された複数のＩ／Ｏ部２３８Ａ，２３８Ｂ，２３８Ｃ・・・からなり，各エンドデバイスへの制御信号および各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。例えば処理室１０４のエンドデバイスとしては，処理室１０４内に導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ，処理室１０４からの排気を制御するＡＰＣバルブ，処理室１０４と共通搬送室１０２との間のゲートバルブ１０６などが挙げられる。
各ＧＨＯＳＴネットワーク２０６には，Ｉ／Ｏ部２３８Ａ，２３８Ｂ，２３８Ｃ・・・におけるデジタル信号，アナログ信号，シリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示せず）も接続される。
ここで，図２に示すＥＣ３００の構成例を図面を参照しながら説明する。図３はＥＣ３００の構成例を示すブロック図である。図３に示すように，ＥＣ３００はＥＣ本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）３１０，ＣＰＵ３１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）３２０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段３３０，オペレータによるプロセスレシピの入力や編集など種々のデータの入力および所定の記憶媒体へのプロセスレシピやプロセス・ログの出力など種々のデータの出力などを行うことができる入出力手段３４０，基板処理装置１００に漏電等の異常が発生した際に報知する警報器（例えばブザー）などの報知手段３５０を備える。
また，ＥＣ３００は，基板処理装置１００の種々の処理を実行するための処理プログラムを記憶するプログラムデータ記憶手段３６０，処理プログラムを実行するために必要な情報（データ）が記憶される処理データ記憶手段３７０を備える。プログラムデータ記憶手段３６０，処理データ記憶手段３７０は例えばハードディスク（ＨＤＤ）などの記憶領域に構築される。ＣＰＵ３１０は必要に応じてプログラムデータ記憶手段３６０，処理データ記憶手段３７０から必要なプログラム，データ等を読み出して，各種の処理プログラムを実行する。
上記ＣＰＵ３１０と，ＲＡＭ３２０，表示手段３３０，入出力手段３４０，報知手段３５０，プログラムデータ記憶手段３６０，処理データ記憶手段３７０等とは，制御バス，データバス等のバスラインにより接続されている。このバスラインには，上記スイッチングハブ２２０なども接続されている。
ここで，上述したような構成の制御部２００による基板処理装置１００の制御例について説明する。ＥＣ３００のＣＰＵ３１０は，各処理室１０４Ａ〜１０４ＤへのウエハＷの搬送制御を行うにあたり，プログラムデータ記憶手段３６０の搬送処理プログラム格納領域３６２から搬送処理プログラムを読出し，処理データ記憶手段３７０の搬送処理情報格納領域３７２から搬送処理情報を読み出す。そして，ＣＰＵ３１０は，搬送処理情報に基づいて搬送処理プログラムを実行する。これによって，ウエハＷは，基板処理装置１００の共通搬送室１０２，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄ，ロードロック室１０８Ａ，１０８Ｂ，搬送室１１０，オリエンタ１１４等の各モジュールに搬送されることになる。
また，ＥＣ３００のＣＰＵ３１０は，各処理室１０４Ａ〜１０４ＤにおいてウエハＷに対して，例えばクリーニング処理，成膜処理，エッチング処理などのプロセス処理を施す場合には，プログラムデータ記憶手段３６０のプロセス処理プログラム格納領域３６４から実行する処理プログラムを読出し，処理データ記憶手段３７０のプロセス処理情報格納領域３７４から実行する処理のプロセス処理情報を読み出す。そして，ＣＰＵ３１０は，プロセス処理情報に基づいてプロセス処理プログラムを実行する。これによって，ウエハＷには，所定のプロセス処理が施されることになる。
ところで，本実施形態にかかる基板処理装置１００の各処理室１０４Ａ〜１０４Ｄでは，所定の処理が施されたウエハＷが搬出された後，載置台１０５Ａ〜１０５Ｄのウエハ載置面に残留している電荷を除去する除電処理が行われる。具体的には，載置台１０５Ａ〜１０５Ｄの周囲の圧力を所定の値まで上昇させることによって，載置台１０５Ａ〜１０５Ｄの残留電荷を除去する。
ＥＣ３００のＣＰＵ３１０は，このような除電処理を行う場合，プログラムデータ記憶手段３６０の除電処理プログラム格納領域３６６から除電処理プログラムを読出し，処理データ記憶手段３７０の除電処理情報格納領域３７６から除電処理情報を読み出す。そして，ＣＰＵ３１０は，除電処理情報に基づいて除電処理プログラムを実行する。これによって，載置台１０５Ａ〜１０５Ｄの残留電荷が除去されるため，その後に静電チャックに高電圧を印加して過不足なく静電吸着力を発生させることができる。これによって，載置台１０５Ａ〜１０５Ｄ上にウエハＷを吸着保持することができる。なお，除電処理プログラムを上記の搬送処理プログラムまたはプロセス処理プログラムの一部として構成してもよい。また，除電処理情報を上記の搬送処理情報またはプロセス処理情報の中に組み込むようにしてもよい。
ＣＰＵ３１０は，各処理プログラムに応じて，スイッチングハブ２２０，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄを制御するそれぞれのＭＣ２３０，ＧＨＯＳＴネットワーク２０６，およびＩ／Ｏモジュール２３６におけるＩ／Ｏ部２３８を介して，所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって各処理を実行する。
このような図２に示す制御部（システムコントローラ）２００では，複数のエンドデバイスがＥＣ３００に直接接続されることなく，その複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成する。このＩ／ＯモジュールはＭＣおよびスイッチングハブ２２０を介してＥＣ３００に接続されるため，通信系統を簡素化することができる。
また，ＥＣ３００のＣＰＵ３１０が送信する制御信号には，所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部のアドレス，およびそのＩ／Ｏ部を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため，スイッチングハブ２２０は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し，ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部のアドレスを参照することによって，スイッチングハブ２２０やＭＣ２３０がＣＰＵ３１０に制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ，これにより，制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
（処理室と共通搬送室の給排気系の構成例）
次に，本実施形態にかかる共通搬送室１０２と各処理室１０４Ａ〜１０４Ｄの給排気系の構成例を図面を参照しながら説明する。各処理室１０４Ａ〜１０４Ｄの給排気系の構成は相互に略同一であるため，ここでは代表的に処理室１０４の給排気系の構成例を説明する。図４は，共通搬送室１０２と処理室１０４の給排気系の構成例を示すブロック図である。
まず，共通搬送室１０２の給排気系の構成例について説明する。共通搬送室１０２には，共通搬送室側給気系４００と共通搬送室側排気系４２０が接続されており，これらによって共通搬送室１０２に流入するガスおよび共通搬送室１０２から流出するガスの流量が調整され，その結果，共通搬送室１０２内の圧力が制御される。なお，共通搬送室側給気系（搬送室側給気系）４００，共通搬送室側排気系（搬送室側排気系）４６０は，これらのいずれか又は両方が処理室圧力調整手段として機能し得る。
共通搬送室側給気系４００は，一端が大気供給源（図示せず）に接続されている大気管４０１，一端がＮ２ガス供給源（図示せず）に接続されているＮ２ガス管４０２，一端が大気管４０１とＮ２ガス管４０２の他端に共通接続され，他端が共通搬送室１０２に接続されている共通給気管４０３，および一端がＮ２ガス供給源に接続され，他端が共通搬送室１０２に接続されているバイパス管４０４を備えている。
これらの配管のうち，大気管４０１にはメイン給気バルブ４１１が介装されており，Ｎ２ガス管４０２には上流側から順に給気系開閉バルブ４１２と給気系圧力制御バルブ４１３が介装されており，バイパス管４０４にはバイパスバルブ４１４が介装されている。そして，上記のメイン給気バルブ４１１，給気系開閉バルブ４１２，給気系圧力制御バルブ４１３，およびバイパスバルブ４１４はそれぞれ，制御部２００によって制御される。
このような構成の共通搬送室側給気系４００において，メイン給気バルブ４１１を開くことによって，大気管４０１と共通給気管４０３を経由して共通搬送室１０２内を大気開放（エアーパージ）することができる。また，給気系開閉バルブ４１２を開状態として，給気系圧力制御バルブ４１３の開度を調整することによって，所定の流量のＮ２ガスをＮ２ガス管４０２と共通給気管４０３を経由して共通搬送室１０２内に導入することができる。
また，共通搬送室１０２内のパーティクルをプラズマを形成することなく除去する処理，いわゆるＮＰＰＣ（Ｎｏｎ−Ｐｌａｓｍａ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｃｌｅａｎｉｎｇ）処理を行う場合には，バイパスバルブ４１４を開き，他のバルブ４１１〜４１３を閉じて，大量のＮ２ガスをバイパス管４０４を経由して共通搬送室１０２内に導入する。バイパス管４０４にはフィルタが介装されていないため，大量のＮ２ガスはそのまま共通搬送室１０２内に流れ込み，パーティクルを巻き上げることができる。
共通搬送室側排気系４２０は，一端が共通搬送室１０２に接続されている共通排気管４２１，一端が共通排気管４２１の他端に接続され他端が真空ポンプ４３３に接続されている第１の枝排気管４２２，および第１の枝排気管４２２に対して並列的に配されている第２の枝排気管４２３を備えている。これらの配管のうち，第１の枝排気管４２２にはメイン排気バルブ４３１が介装されており，第２の枝排気管４２３にはスロー排気バルブ４３２が介装されている。そして，上記の排気バルブ４３１，スロー排気バルブ４３２，および真空ポンプ４３３はそれぞれ，制御部２００によって制御される。
このような構成の共通搬送室側排気系４２０において，共通搬送室１０２内を減圧する場合や上記のＮＰＰＣ処理を行う場合には，メイン排気バルブ４３１を開いて真空ポンプ４３３によって共通搬送室１０２内を急速排気する。このとき，排気流量が多すぎて例えば共通搬送室１０２内のウエハＷを保持する２つのピック１１６Ａ，１１６Ｂが振動するようであれば，メイン排気バルブ４３１を閉じて，スロー排気バルブ４３２の開度を調整しながら共通搬送室１０２内を徐々に排気することが好ましい。
次に，処理室１０４の給排気系の構成例について説明する。処理室１０４には，処理室側給気系４４０と処理室側排気系４６０が接続されており，これらによって処理室１０４に流入するガスおよび処理室１０４から流出するガスの流量が調整され，その結果，処理室１０４内の圧力が制御される。なお，処理室側給気系４４０，処理室側排気系４６０は，これらのいずれか又は両方が処理室圧力調整手段として機能し得る。
処理室側給気系４４０は，一端がＮ２ガス供給源（図示せず）に接続されているＮ２ガス管４４１，一端が処理ガス供給源（図示せず）に接続されている処理ガス管４４２，および一端がＮ２ガス管４４１と処理ガス管４４２の他端に共通接続され，他端が処理室１０４に接続されている共通給気管４４３を備えている。
これらの配管のうち，Ｎ２ガス管４４１には上流側から順にトランスデューサ４５１，Ｎ２ガス供給源遮断バルブ４５２，およびＮ２ガス供給バルブ４５３が介装されており，処理ガス管４４２には上流側から順に処理ガス供給源遮断バルブ４５４，例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）などで構成される流量調整バルブ４５５，および流量調整済みガス供給バルブ４５６が介装されており，共通給気管４４３には共通給気バルブ４５８が介装されている。また，Ｎ２ガス供給源遮断バルブ４５２の下流側口と流量調整バルブ４５５の上流側口との間には，Ｎ２ガスを流量調整バルブ４５５に導くための流路切り替えバルブ４５７が備えられている。
これらＮ２ガス供給源遮断バルブ４５２，Ｎ２ガス供給バルブ４５３，処理ガス供給源遮断バルブ４５４，流量調整バルブ４５５，流量調整済みガス供給バルブ４５６，流路切り替えバルブ４５７，および共通給気バルブ４５８はそれぞれ，制御部２００によって制御される。また，トランスデューサ４５１は，Ｎ２ガス管４４１内の圧力を計測し，その計測値に対応するデータを制御部２００に送る。
なお，本実施形態にかかる処理室側給気系４４０は，一種類の処理ガスを処理室１０４に供給ように構成されているが，複数の処理ガスをそれぞれ処理室１０４に供給するように構成してもよい。この場合，各処理ガスの給気管を処理ガス管４４２に並列的に配置することが好ましい。
このような構成の処理室側給気系４４０において，Ｎ２ガス供給源遮断バルブ４５２，Ｎ２ガス供給バルブ４５３，および共通給気バルブ４５８を開くことによって，Ｎ２ガス管４４１と共通給気管４４３を経由してＮ２ガスを処理室１０４内に導入することができる。また，処理ガス供給源遮断バルブ４５４，流量調整済みガス供給バルブ４５６，および共通給気バルブ４５８を開き，流量調整バルブ４５５によって処理ガスの流量を調整することによって，処理ガス管４４２と共通給気管４４３を経由して所定の流量の処理ガスを処理室１０４内に導入することができる。
なお，処理室１０４内に導入するＮ２ガスの流量を調整したい場合には，流路切り替えバルブ４５７を開いて，Ｎ２ガスが処理ガス管４４２と共通給気管４４３を経由して処理室１０４内に供給されるようにする。このようにＮ２ガスの流路を変更すれば，流量調整バルブ４５５によってＮ２ガスの流量を調整することができる。
処理室側排気系４６０は，一端が処理室１０４に接続されている共通排気管４６１，一端が共通排気管４６１の他端に接続され他端がドライ真空ポンプ４７４に接続されている第１の枝排気管４６２，および第１の枝排気管４６２に対して並列的に配されている第２の枝排気管４６３を備えている。
これらの配管のうち，第１の枝排気管４６２には，ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ（ターボ分子ポンプ保護バルブを兼ねる）４７１，ターボ分子ポンプ４７２，およびターボ分子ポンプ保護バルブ４７３が介装されており，第２の枝排気管４６３には粗引きバルブ４７５が介装されている。そして，上記のＡＰＣバルブ４７１，ターボ分子ポンプ４７２，ターボ分子ポンプ保護バルブ４７３，粗引きバルブ４７５，およびドライ真空ポンプ４７４はそれぞれ，制御部２００によって制御される。
このような構成の処理室側排気系４６０において，例えば処理室１０２内を大気圧から減圧する場合には，粗引きバルブ４７５を開いて，ドライ真空ポンプ４７４のみを用いて処理室１０４内のガスを共通排気管４６１と第２の枝排気管４６３を経由して排気する。その後，処理室１０４内の圧力がある程度まで低下したところで，粗引きバルブ４７５を閉じて，代わりにターボ分子ポンプ保護バルブ４７３を開き，ＡＰＣバルブ４７１で排気圧力を調整しながらターボ分子ポンプ４７２を用いて，処理室１０４内が所定の真空度に達するまで処理室１０４内のガスを排気していく。
共通搬送室１０２には，共通搬送室内圧力測定手段４８０が備えられており，これによって測定された共通搬送室１０２内の圧力値に対応する圧力データは制御部２００に送られる。また，処理室１０４には，処理室内圧力測定手段４８１が備えられており，これによって測定された処理室１０４内の圧力値に対応する圧力データも制御部２００に送られる。制御部２００は，これらの圧力データに基づいて，共通搬送室１０２の給排気系と処理室１０４の給排気系を構成するバルブ類およびポンプ類の動作を制御する。なお，共通搬送室内圧力測定手段４８０と処理室内圧力測定手段４８１については，例えばキャパシタンスマノメータやピラニゲージなどで構成することができる。
また，処理室１０４内の載置台１０５には，静電チャック５０１が配置され，この静電チャック５０１の電極板５０２には直流電源５０３が接続されている。高真空下で直流電源５０３から電極板５０２に高電圧を印加することにより，ウエハＷを静電チャック５０１に静電吸着することができる。この電極板５０２と直流電源５０３との間には，静電チャック５０１への印加電圧をオンオフするスイッチ５０４が接続されている。
（基板処理装置の動作例）
次に，上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。基板処理装置１００は，上述したようなＥＣ３００のＣＰＵ３１０の指令に従って稼働する。例えば搬送機構１１８によってカセット容器１１２Ａ〜１１２Ｃのいずれかから搬出されたウエハＷは，オリエンタ１１４まで搬送されてここで位置決めされる。位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１１４から搬出されてロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。
ロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂへ搬入されたウエハＷは，搬送機構１１６によりロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂから搬出され，そのウエハＷが処理される処理室１０４へ搬入されて，載置台１０５に載置される。そして，スイッチ５０４をオンして静電チャック５０１に高電圧を印加すると，載置台１０５に載置されたウエハＷは，静電チャック５０１の静電吸着力によって保持される。この状態で，ウエハＷに対して所定の処理が実行される。
その後，ウエハＷに対する所定の処理が完了したところで，スイッチ５０４をオフして静電チャック５０１の電極板５０２に対する高電圧印加をオフし，ウエハＷの静電吸着力を解除する。そして，この処理済ウエハＷは，受け渡し手段（図示せず）によって搬送機構１１６に受け渡され，搬送機構１１６によって処理室１０４から搬出される。この場合，そのウエハＷが連続して複数の処理室１０４での処理が必要な場合には，次の処理を行う他の処理室１０４へウエハＷを搬入し，その処理室１０４での処理が実行される。
こうして，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハは，ロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂへ戻される。ロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂへ戻された処理済ウエハＷは，搬送機構１１８により元のカセット容器１１２Ａ〜１１２Ｃに戻される。
そして，各処理室１０４での処理のスループットを向上させるためにはウエハＷを処理室１０４にできる限り接近させて待機させることが望ましいことから，処理室１０４での処理を行っている間でもカセット容器１１２からウエハＷを次々と搬出して，これらのウエハＷを共通搬送室１０２，ロードロック室１０８Ａまたは１０８Ｂ，オリエンタ１１４などで待機させる。処理室１０４で１枚のウエハＷの処理が完了すると，直ちに元のカセット容器１１２へ戻すとともに，共通搬送室１０２で待機している次のウエハＷを直ちに処理室１０４へ搬入し，その他待機中のウエハＷを順送りする。
ところで，搬送機構１１６によって処理室１０４内にウエハＷを搬入して載置台１０５に載置するときには，載置台１０５には電荷が残留していないことが好ましい。載置台１０５に残留電荷がなければ，静電チャック５０１に高電圧を印加したときに，過不足なく静電吸着力を発生させることができ，ウエハＷを確実に吸着保持することができる。そこで，本実施形態にかかる基板処理装置１００では，処理室内の圧力を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることによって載置台１０５の残留電荷を除去する。
（載置台の除電処理）
以下，本実施形態にかかる載置台１０５の除電処理を基板処理装置１００の動作例とともに図面を参照しながら説明する。図５は，載置台１０５の除電処理における各部，例えばピック１１６Ａ，１１６Ｂ，ゲートバルブ１０６，ＡＰＣバルブ４７１，給気系開閉バルブ４１２，給気系圧力制御バルブ４１３，およびメイン排気バルブ４３１の動作タイミングの例を示している。
処理室１０４内においてウエハＷに対して所定の処理が施されると，処理済ウエハＷは，共通搬送室１０２内に備えられた搬送機構１１６の二つのピック１１６Ａ，１１６Ｂのいずれか一方，例えばピック１１６Ａによって処理室１０４から共通搬送室１０２へ搬出される。そして，搬出動作で使われたピック１１６Ａとは別のピック１１６Ｂによって，未処理のウエハＷが共通搬送室１０２から処理室１０４へ搬入される。このような処理室１０４に対するウエハＷの交換処理は，時刻Ｔ１から時刻Ｔ５の間に行われる。
まず，時刻Ｔ１の直前においては，ピック１１６Ａ，１１６Ｂは，共通搬送室１０２内に待機している。その際，ピック１１６Ｂは，次に処理室１０４内において処理される未処理ウエハＷを保持していることが好ましい。
また，時刻Ｔ１以前は，ゲートバルブ１０６は閉じられているため，共通搬送室１０２の内部空間と処理室１０４の内部空間は遮断された状態にある。このため，共通搬送室１０２では，その給排気系（共通搬送室側給気系４００及び共通搬送室側排気系４２０）を動作させることにより，共通搬送室１０２内の圧力調整が行われる。また，処理室１０４は，その給排気系（処理室側給気系４４０及び処理室側排気系４６０）を動作させることにより，処理室１０４内の圧力調整が行われる。
例えば処理室１０４側では，処理室側給気系４４０によって処理室１０４内にＮ２ガスを所定の流量で供給しつつ，処理室側排気系４６０によって処理室１０４からＮ２ガスを排気する流量をＡＰＣバルブ４７１を用いて制御することによって，処理室１０４内の圧力を例えば１００ｍＴｏｒｒに調整する。一方，共通搬送室１０２では，共通搬送室側給気系４００によって給気系開閉バルブ４１２を開いて給気系圧力制御バルブ４１３を制御することによってＮ２ガスを共通搬送室１０２内に供給しつつ，共通搬送室側排気系４２０によってメイン排気バルブ４３１を動作させて共通搬送室１０２内を排気することによって，共通搬送室１０２内の圧力を例えば１００ｍＴｏｒｒに調整する。
そして，時刻Ｔ１の直前にＡＰＣバルブ４７１によって，処理室１０４内の圧力を共通搬送室１０２内の圧力よりも低く，例えば図６Ａ，図６Ｂに示すように，数ｍＴｏｒｒに調整する。このように両者に圧力差をつけることによって，時刻Ｔ１においてゲートバルブ１０６を開いて共通搬送室１０２の内部空間と処理室１０４の内部空間が連通したときに，処理室１０４側から共通搬送室１０２側へダストやパーティクルが流出してしまうことを防止できる。
次に，搬送機構１１６によってウエハ交換を行うため，時刻Ｔ１にてゲートバルブ１０６を開く。このとき，共通搬送室１０２の内部空間と処理室１０４の内部空間とが連通する。このため，共通搬送室１０２の内部圧力は，処理室１０４の内部の高い真空度の影響を受けて一時的に低下する一方，処理室１０４の内部圧力は，共通搬送室１０２の圧力の影響を受けて一旦上昇した後，ＡＰＣバルブ４７１の制御に応じて再び低下する。
ゲートバルブ１０６が開放されると，ピック１１６Ａが処理室１０４内に進入し，載置台１０５から処理済ウエハＷを受け取る。処理済ウエハＷを受け取ったピック１１６Ａは，処理室１０４から共通搬送室１０２へ退避する。そして，処理済ウエハを保持しているピック１１６Ａと未処理ウエハを保持しているピック１１６Ｂが旋回して，ピック１１６Ａに代わってピック１１６Ｂが処理室１０４のウエハ搬入出口に対向する。
続いて，時刻Ｔ２にて処理室１０４側では，処理室側給気系４４０によって処理室１０４内にＮ２ガスを所定の流量で供給しつつ，処理室側排気系４６０によって処理室１０４からＮ２ガスを排気する流量をＡＰＣバルブ４７１を用いて制御するとともに，共通搬送室側では，共通搬送室側給気系４００によって給気系圧力制御バルブ４１３を制御して共通搬送室１０２にＮ２ガスを供給することによって，処理室１０４内の圧力を例えば載置台１０５の残留電荷を除去するための所定の圧力（除電圧力：例えば２００ｍＴｏｒｒ）まで上昇させる。このとき，処理室１０４の内部空間は共通搬送室１０２の内部空間と連通しているため，共通搬送室１０２内の圧力上昇に連動して処理室１０４内の圧力も図６Ａ（時刻Ｔ２〜時刻Ｔ３）に示すように急ピッチで上昇する。
このように，処理室側圧力調整手段（ここでは処理室側給気系４４０，処理室側排気系４６０）を動作させるとともに，共通搬送室側圧力調整手段（ここでは共通搬送室側給気系４００）についても動作せることによって，処理室側圧力調整手段による処理室内の圧力調整を共通搬送室側圧力調整手段でアシストすることができる。
また，処理室側給気系４４０よりも給気能力が高い共通搬送室側給気系４００により一気にＮ２ガスが導入されるので，共通搬送室１０２から処理室１０４へのガスの流れが形成され，処理室１０４側から共通搬送室１０２側へダストやパーティクルが流出してしまうことを防止できる。なお，除電電圧としては，上記の２００ｍＴｏｒｒに限られるものではないが，載置台１０５の除電処理を効率的に行うためには２００〜３００ｍＴｏｒｒの範囲で設定することが好ましい。
処理室１０４の内部圧力が２００ｍＴｏｒｒに達すると，その圧力を例えば時刻Ｔ４まで維持することによって載置台１０５の残留電荷を除去することができる。載置台１０５の残留電荷が除去された時刻Ｔ４において，ＡＰＣバルブ４７１を全開にして，処理室１０４内を減圧する。このＡＰＣバルブ４７１とともに給気系圧力制御バルブ４１３を制御して共通搬送室１０２内へのＮ２ガスの流入量を減らす。このときの共通搬送室１０２内の目標圧力値を例えば１０ｍＴｏｒｒとする。この結果，図６Ａに示すように，処理室１０４と共通搬送室１０２の内部空間の圧力は数ｍＴｏｒｒまで低下する。こうして除電処理が完了する。
このような除電処理は，搬送装置１１６によるウエハＷの交換の間にウエハＷの交換と並行して実行される。従って，未処理ウエハを保持しているピック１１６Ｂが処理室１０４に進入し，未処理ウエハを載置台１０５に受け渡すまでには載置台１０５の除電処理が完了している。これにより，載置台１０５の除電処理の完了を待つことなくウエハＷの交換処理を進めることができる。
次の時刻Ｔ５にて，載置台１０５への未処理ウエハを受け渡したピック１１６Ｂを処理室１０４から退避させた後，ゲートバルブ１０６を閉じる。こうしてウエハＷの交換処理が完了する。なお，その後は，処理室１０４と共通搬送室１０２では個別に圧力調整が行われる。例えば処理室１０４の内部圧力をＡＰＣバルブ４７１によって１００ｍＴｏｒｒに調整し，未処理ウエハＷに対する所定の処理を開始する。また，共通搬送室１０２の内部圧力については，給気系開閉バルブ４１２を閉じ，メイン排気バルブ４３１を開けて，給気系圧力制御バルブ４１３によって例えば１００ｍＴｏｒｒに調整する。
ここで，上述した本実施形態にかかる除電処理における処理室内の圧力調整によって得られる圧力波形について，従来の除電処理による処理室内の圧力調整によって得られる比較例の圧力波形と比較しながら説明する。図６Ａは，本実施形態にかかる除電処理，すなわち搬送室側圧力調整手段と処理室側圧力調整手段を併用して除電処理を行ったときの共通搬送室１０２と処理室１０４の内部圧力の変化の例を示す圧力波形図である。これに対して，図６Ｂは，従来の除電処理，すなわち処理室側圧力調整手段のみを用いて除電処理を行ったときの共通搬送室１０２と処理室１０４の内部圧力の変化の例を示す圧力波形図である。
なお，図６Ａは，上述したように搬送室側圧力調整手段として共通搬送室側給気系を用いるとともに，処理室側圧力制御手段として処理室側給気系及び処理室側排気系を用いて処理室内の圧力を除電圧力（２００ｍＴｏｒｒ）まで上昇させた場合である。これに対して，図６Ｂは，搬送室側圧力調整手段を使わずに，処理室側圧力制御手段として処理室側給気系及び処理室側排気系を用いて処理室内の圧力を除電圧力（２００ｍＴｏｒｒ）まで上昇させた場合である。
先ず，図６Ｂに示す比較例（従来）による圧力波形によれば，処理室１０４の内部圧力は，共通搬送室１０２の内部圧力とともに，処理室側圧力調整手段のみによる圧力調整を開始した時点（時刻Ｔ２）から徐々に上昇するものの，その圧力上昇率は図６Ａと比べて明らかに低いことがわかる。そして，時刻Ｔ２から時刻Ｔ３までの所要時間は例えば約１４秒と長い時間がかかる。
これに対して，図６Ａに示す本実施形態による圧力波形によれば，処理室１０４の内部圧力は，共通搬送室１０２の内部圧力とともに，処理室側圧力調整手段と共通搬送室側圧力調整手段とを併用した圧力調整を開始した時点（時刻Ｔ２）から急峻に上昇する。そして，２００ｍＴｏｒｒに達する時刻Ｔ３までの所要時間は例えば約４秒，すなわち従来の１／３程度と大幅に短縮することができたことがわかる。
以上のように，本実施形態では，大きな容積の共通搬送室１０２と処理室１０４との間のゲートバルブが開いた状態であっても，処理室側排気手段４６０と，これよりも給気能力の高い共通搬送室側給気系４００とを併用して処理室１０４内の圧力を調整する。これによれば，共通搬送室側給気系４００の動作によって処理室側排気手段４６０による処理室内の圧力調整をアシストすることができるので，極めて短時間のうちに処理室１０４内の圧力を載置台１０５の残留電荷を除去できる所定の除電圧力まで上昇させることができる。
また，このように短時間での処理室１０４内の圧力調整が可能となるので，ピック１１６Ａによって処理済ウエハを載置台１０５から取り除いてからピック１１６Ｂによって未処理ウエハを載置するまでの間に載置台１０５の除電処理を完了することができる。これにより，搬送機構１１６は未処理のウエハＷを保持したまま待つ必要がなくなるので，ウエハ交換をスムーズに行うことができ，基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。
本実施形態では，ピック１１６Ａが処理室１０４内の載置台１０５から処理済ウエハを受け取って旋回した後に処理室１０４内の圧力を上昇させて載置台１０５の除電処理を開始しているが，それよりも早く除電処理を開始するようにしてもよい。載置台１０５にウエハがない状態であれば載置台１０５の除電処理を行うことができるため，例えば載置台１０５から処理済ウエハが取り除かれた直後に処理室１０４内の圧力を上昇させてもよい。これにより，より早いタイミングで除電処理を完了することができる。
また，本実施形態では，処理室１０４内の圧力を除電圧力まで上昇させる圧力調整処理について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，処理室内の圧力を下降させるような圧力調整処理に本発明を適用してもよい。
また，本実施形態にかかる除電処理による圧力調整処理では，処理室側圧力調整手段として処理室側給気系４４０及び処理室側排気手段４６０を，共通搬送室側圧力調整手段としての共通搬送室側給気系４００と併用して処理室１０４内の圧力を調整する場合を説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，例えば処理室側圧力調整手段としては，処理室側給気系４４０のみを用いるようにしてもよく，また処理室側排気手段４６０のみを用いるようにしてもよい。
また，本実施形態にかかる除電処理による圧力調整処理では，共通搬送室側圧力調整手段として共通搬送室側給気系４００のみを用い，メイン排気バルブ４３１を閉じるようにした場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，共通搬送室側給気系４００と共通搬送室側排気系４２０とを併用して圧力調整を行うようにしてもよい。
上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は，基板処理装置，基板処理装置の圧力調整方法，基板処理装置の載置台除電方法に適用可能である。
本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。 図１に示す制御部（システムコントローラ）の構成例を示すブロック図である。 同実施形態におけるＥＣ（装置制御部）の構成例を示すブロック図である。 同実施形態における共通搬送室と処理室の各給排気系の構成例を示すブロック図である。 本実施形態にかかる除電処理における各部の動作タイミングの例を示す図である。 処理室側圧力調整手段と共通搬送室側給気系とを併用して除電処理を行ったときの共通搬送室と処理室の内部圧力の変化の示す圧力波形図である。 処理室側圧力調整手段のみを用いて除電処理を行ったときの共通搬送室と処理室の内部圧力の変化を示す圧力波形図である。
符号の説明
１００ 基板処理装置
１０２ 共通搬送室
１０４（１０４Ａ〜１０４Ｄ） 処理室
１０５（１０５Ａ〜１０５Ｄ） 載置台
１０６Ａ〜１０６Ｄ ゲートバルブ
１０７Ａ，１０７Ｂ ゲートバルブ
１０８（１０８Ａ，１０８Ｂ） ロードロック室
１０９（１０９Ａ，１０９Ｂ） 搬送口
１１０ 搬入側搬送室
１１２（１１２Ａ〜１１２Ｃ） 導入ポート
１１４ オリエンタ
１１６ 搬送機構
１１６Ａ，１１６Ｂ ピック
１１８ 搬送機構
１１８Ａ，１１８Ｂ ピック
２００ 制御部（システムコントローラ）
３００ ＥＣ（装置制御部）
３１０ ＣＰＵ
３２０ ＲＡＭ
３３０ 表示手段
３４０ 入出力手段
３５０ 報知手段
３６０ プログラムデータ記憶手段
３６２ 搬送処理プログラム格納領域
３６４ プロセス処理プログラム格納領域
３６６ 除電処理プログラム格納領域
３７０ 処理データ記憶手段
３７２ 搬送処理情報格納領域
３７４ プロセス処理情報格納領域
３７６ 除電処理情報格納領域
４００ 共通搬送室側給気系
４０１ 大気管
４０２ Ｎ２ガス管
４０３ 共通給気管
４０４ バイパス管
４１１ メイン給気バルブ
４１２ 給気系開閉バルブ
４１３ 給気系圧力制御バルブ
４１４ バイパスバルブ
４２０ 共通搬送室側排気系
４２１ 共通排気管
４２２ 第１の枝排気管
４２３ 第２の枝排気管
４３１ メイン排気バルブ
４３２ スロー排気バルブ
４３３ 真空ポンプ
４４０ 処理室側給気系
４４１ Ｎ２ガス管
４４２ 処理ガス管
４４３ 共通給気管
４５１ トランスデューサ
４５２ Ｎ２ガス供給源遮断バルブ
４５３ Ｎ２ガス供給バルブ
４５４ 処理ガス供給源遮断バルブ
４５５ 流量調整バルブ
４５６ 流量調整済みガス供給バルブ
４５７ 流路切り替えバルブ
４５８ 共通給気バルブ
４６０ 処理室側排気系
４６１ 共通排気管
４６２ 第１の枝排気管
４６３ 第２の枝排気管
４７１ ＡＰＣバルブ
４７２ ターボ分子ポンプ
４７３ ターボ分子ポンプ保護バルブ
４７４ ドライ真空ポンプ
４７５ 粗引きバルブ
４８０ 共通搬送室内圧力測定手段
４８１ 処理室内圧力測定手段
５０１ 静電チャック
５０２ 電極板
５０３ 直流電源
５０４ スイッチ

Claims (14)

  1. 載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，前記処理室にゲートバルブを介して接続される搬送室と，この搬送室の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，前記ゲートバルブを開いた状態で前記処理室内の圧力を調整する基板処理装置の圧力調整方法であって，
    前記処理室側圧力調整手段と前記搬送室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を所定の圧力に調整する圧力調整工程を有することを特徴とする圧力調整方法。
  2. 前記載置台は，その表面上に前記被処理基板を静電吸着力によって保持する静電吸着保持手段を備え，
    前記圧力調整工程は，前記載置台上に静電吸着された被処理基板の処理が終了した後に行われる前記載置台上の残留電荷を除去するための除電処理工程であることを特徴とする請求項１に記載の圧力調整方法。
  3. 前記除電処理工程は，前記載置台上の被処理基板が取り除かれてから前記載置台上に次の被処理基板が載置されるまでの間に行われることを特徴とする請求項２に記載の圧力調整方法。
  4. 前記所定の圧力は，２００〜３００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする請求項２又は３に記載の圧力調整方法。
  5. 前記搬送室側圧力調整手段は，前記搬送室内に所定のガスを供給する給気系により構成されることを特徴とする請求項１に記載の圧力調整方法。
  6. 前記所定のガスは，Ｎ２ガスであることを特徴とする請求項５に記載の圧力調整方法。
  7. 載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，
    前記処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，
    前記処理室にゲートバルブを介して接続され，前記処理室との間で被処理基板の受け渡しを行う搬送機構を備える搬送室と，
    前記搬送室内の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段と，
    を備え，
    前記ゲートバルブを開いて前記搬送室と前記処理室を連通させた状態で，前記搬送室側圧力調整手段と前記処理室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を所定の圧力に調整する圧力調整処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
  8. 前記載置台は，その表面上に前記被処理基板を静電吸着力によって保持する静電吸着保持手段を備え，
    前記圧力調整処理は，前記載置台上に静電吸着された被処理基板の処理が終了した後に行われる前記載置台上の残留電荷を除去する除電処理であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記除電処理は，前記搬送機構によって前記載置台上の被処理基板が取り除かれてから前記載置台上に次の被処理基板が載置されるまでの間に行われることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記所定の圧力は，２００〜３００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする請求項８又は９に記載の基板処理装置。
  11. 前記搬送室側圧力調整手段は，前記搬送室内に所定のガスを供給する給気系により構成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  12. 前記所定のガスは，Ｎ２ガスであることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  13. 載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す処理室と，この処理室にゲートバルブを介して接続される搬送室と，前記処理室内の圧力を調整する処理室側圧力調整手段と，前記搬送室の圧力を調整する搬送室側圧力調整手段とを備え，前記ゲートバルブを開いた状態で前記処理室内の圧力を一時的に調整して前記載置台の除電を行う基板処理装置の載置台除電方法であって，
    前記処理室側圧力調整手段と前記搬送室側圧力調整手段を併用して前記処理室内の圧力を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることを特徴とする基板処理装置の載置台除電方法。
  14. 載置台上に載置される被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理室と，前記各処理室をそれぞれゲートバルブを介して接続する共通搬送室と，前記各処理室にそれぞれ設けられる処理室側圧力調整手段と，前記共通搬送室に設けられる共通搬送室側圧力調整手段とを備え，前記処理室内の圧力を一時的に調整して前記載置台の除電を行う基板処理装置の載置台除電方法であって，
    前記複数の処理室のうちの一の処理室と前記共通搬送室との間のゲートバルブが開いた状態で，前記一の処理室の載置台の除電を行う際には，前記一の処理室の処理室側圧力調整手段と前記共通搬送室側圧力調整手段とを併用して前記一の処理室内の圧力を一時的に所定の除電圧力まで上昇させることを特徴とする基板処理装置の載置台除電方法。
JP2006252861A 2006-09-19 2006-09-19 基板処理装置の載置台除電方法 Expired - Fee Related JP4688764B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006252861A JP4688764B2 (ja) 2006-09-19 2006-09-19 基板処理装置の載置台除電方法
US11/857,271 US20080069669A1 (en) 2006-09-19 2007-09-18 Substrate processing device, method of adjusting pressure in substrate processing device, and method of executing charge neutralization processing on mounting table of substrate processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006252861A JP4688764B2 (ja) 2006-09-19 2006-09-19 基板処理装置の載置台除電方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008078197A true JP2008078197A (ja) 2008-04-03
JP4688764B2 JP4688764B2 (ja) 2011-05-25

Family

ID=39188790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006252861A Expired - Fee Related JP4688764B2 (ja) 2006-09-19 2006-09-19 基板処理装置の載置台除電方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080069669A1 (ja)
JP (1) JP4688764B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5557061B2 (ja) * 2012-01-04 2014-07-23 株式会社ダイフク 物品保管設備
KR102175089B1 (ko) * 2018-08-23 2020-11-06 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
US11415230B2 (en) * 2020-03-31 2022-08-16 Applied Material, Inc. Slit valve pneumatic control
CN112695297B (zh) * 2020-11-24 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺中腔室压力的控制方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188305A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Tokyo Electron Ltd 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置
JPH06275546A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH0974129A (ja) * 1995-06-30 1997-03-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH09120988A (ja) * 1995-08-24 1997-05-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH10189544A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板帯電除去装置及び方法
JPH10303279A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JPH11260897A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置
JP2004096089A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004172487A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャックの帯電除去方法および静電チャック
JP2004304123A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2005039185A (ja) * 2003-06-24 2005-02-10 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
JP2006310561A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nec Electronics Corp 真空処理装置および真空処理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795399A (en) * 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
JP4394778B2 (ja) * 1999-09-22 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3676983B2 (ja) * 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
JP4450664B2 (ja) * 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188305A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Tokyo Electron Ltd 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置
JPH06275546A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH0974129A (ja) * 1995-06-30 1997-03-18 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH09120988A (ja) * 1995-08-24 1997-05-06 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH10189544A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板帯電除去装置及び方法
JPH10303279A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JPH11260897A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の取り扱い方法と装置、それに用いる吸着検査方法、装置
JP2004096089A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004172487A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャックの帯電除去方法および静電チャック
JP2004304123A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2005039185A (ja) * 2003-06-24 2005-02-10 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
JP2006310561A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nec Electronics Corp 真空処理装置および真空処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080069669A1 (en) 2008-03-20
JP4688764B2 (ja) 2011-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102459565B1 (ko) 픽, 반송 장치 및 플라즈마 처리 시스템
JP4594800B2 (ja) 基板処理方法、基板処理プログラム及び記憶媒体
JP6454201B2 (ja) 基板搬送方法及び基板処理装置
JP2008192644A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP4983745B2 (ja) 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法
US7854821B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2007273620A (ja) 基板搬送装置及び基板処理装置
JP4931381B2 (ja) 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム
US7846257B2 (en) Method for cleaning substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, program and recording medium having program recorded therein
JP2012009519A (ja) 真空処理装置
US20100089423A1 (en) Cleaning method and storage medium
JP4688764B2 (ja) 基板処理装置の載置台除電方法
JP5329099B2 (ja) プラズマ処理装置及びその運転方法
KR100856816B1 (ko) 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 기판 처리 장치,프로그램을 기록한 기록 매체
KR20070089604A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 조건 변경 방법 및 기억 매체
WO2010110044A1 (ja) 被処理体の離脱方法および被処理体処理装置
WO2014113148A1 (en) In situ chamber clean with inert hydrogen helium mixture during wafer process
JP4541931B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
TWI831956B (zh) 清潔處理方法及電漿處理裝置
JP2007027339A (ja) プラズマ処理装置
JP4646941B2 (ja) 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
JP2010219266A (ja) 基板処理装置
JP5059320B2 (ja) 基板処理装置のクリーニング方法，基板処理装置，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
JP5997542B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2011054679A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090507

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4688764

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees