JPH10189544A

JPH10189544A - 基板帯電除去装置及び方法

Info

Publication number: JPH10189544A
Application number: JP34734196A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Kimura; 忠司木村; Hiroyuki Suzuki; ▲宏▼之鈴木; Hideo Haraguchi; 秀夫原口; Shoji Fukui; 祥二福井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1996-12-26
Publication date: 1998-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に生じた帯電を除去する基板帯電除去装
置及び方法を提供する。【解決手段】ガス注入装置２０にて真空容器１内へ中
和用ガスを注入し、イオン化装置２３にて真空容器内で
イオン化された上記中和用ガスにて基板２の表面２ｂの
電荷を中和し、電荷除去用ガス注入系１３にて基板の裏
面２ａへ流入する電荷除去用ガスにて上記裏面の電荷を
除去して、基板の帯電を除去する。よって、基板と基板
保持台との残留吸着が無くなり、基板の搬送トラブルの
発生をなくすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形
成工程、あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ
処理等により、基板に生じた帯電を除去する基板帯電除
去装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラズマ処理装置は、当該処理装
置にて処理されるデバイスの高機能化とその処理コスト
の低減のために、高精度化、高速化、大面積化、低ダメ
ージ化を実現するための取り組みが盛んに行われてい
る。中でも、基板に対する成膜工程においては、基板内
の膜質の均一性を得るために、又、微細加工に用いられ
るドライエッチングにおいては、寸法精度の確保のため
に、特に、基板温度を当該基板面内で均一に、かつ、精
密に制御することが要求されている。そのため、基板温
度の制御手段として、静電吸着電極を使用したプラズマ
処理装置が使用され始めている。

【０００３】以下に従来の静電吸着電極を用いたプラズ
マ処理装置について説明する。従来のプラズマ処理装置
の例としては特開昭６３−７２８７７号公報や特開平２
−７５２０号公報、特開平３−１０２８２０号公報等に
開示されているプラズマ処理装置が存在する。図４に
は、特開平４−１００２５７号公報に開示されたプラズ
マ処理装置における反応室の断面図を示す。以下に、こ
のプラズマ処理装置１３０について説明する。図４にお
いて、真空容器１３１は、エッチングガス導入装置１３
９に接続されるガス導入口１４０と、真空排気装置１４
１とを有する。該真空容器１３１内には、表面が絶縁層
であって内部に１対の内部電極（図示せず）を有して被
処理基板１３２を静電吸着する静電吸着電極１３３を備
える。該静電吸着電極１３３には、上記被処理基板１３
２を静電吸着するための直流電源１３４、及び高周波電
力供給装置１３６が接続されている。尚、該直流電源１
３４は極性反転のための切替機構１３５を有している。
又、真空容器１３１には、上記静電吸着電極１３３に対
向して石英ガラス板１３８が配置され、真空容器１３１
の外側には上記石英ガラス板１３８に対向して紫外線光
源１３７が配置される。

【０００４】このように構成された従来のプラズマ処理
装置１３０について、以下にその動作を説明する。ま
ず、静電吸着電極１３３に載置された被処理基板１３２
は、静電吸着電極１３３内の１対の上記内部電極に直流
電源１３４にてそれぞれ＋電圧、−電圧が印加されるこ
とで、静電吸着電極１３３の表面に固定される。そして
この状態で、被処理基板１３２に対して通常のプラズマ
処理が施される。上記プラズマ処理終了後、直流電源１
３４を遮断したとしても、残留電荷が静電吸着電極１３
３の表面の絶縁層に残留する。よって、被処理基板１３
２は静電吸着電極１３３に吸着された状態が維持され
る。したがって被処理基板１３２を破損などなく安定し
て静電吸着電極１３３からはく離するために、切替機構
１３５により極性を反転した直流電圧を上記内部電極に
印加することで、被処理基板１３２における上記残留電
荷を打ち消した後、突き上げ機構などにより被処理基板
１３２を静電吸着電極１３３から離脱させる。その後、
紫外線光源１３７に相当する例えば水銀ランプの紫外光
を石英ガラス板１３８を介して上記絶縁層表面に照射し
て、静電吸着電極１３３の絶縁層の表面の残留電荷を消
滅させる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載されるように、上記内部電極に極性を反転した
直流電圧を印加しただけでは、上記残留電荷は完全に除
去することはできない。又、上記直流電圧の印加時間が
長過ぎたときには、逆に静電吸着電極１３３は被処理基
板１３２を吸着してしまう場合がある。その結果、上記
突き上げ機構などにより被処理基板１３２を静電吸着電
極１３３から離脱することができず、被処理基板１３２
を次工程へ搬送する際にトラブルを起こす場合がある。
このようなことから上述した従来のプラズマ処理装置１
３０では、その信頼性に問題がある。本発明はこのよう
な問題点を解決するためになされたもので、基板と基板
保持台との離脱が問題なく行えるように、基板に生じた
帯電を除去する基板帯電除去装置及び方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１態様である
基板帯電除去装置は、排気装置を有する真空容器内に設
けられた基板保持台と、上記基板保持台に裏面を接触さ
せて保持される基板の表面への処理に伴い上記基板に生
じた帯電を除去する基板帯電除去装置であって、イオン
化されることで上記基板の表面に帯電した電荷を中和す
る中和用ガスをイオン化して上記真空容器内へ注入する
表面電荷除去装置と、上記基板の裏面に帯電した電荷を
除去するため上記基板保持台と上記基板の裏面との間に
電荷除去用ガスを流入させる注入装置と、を備えたこと
を特徴とする。

【０００７】又、本発明の第２態様である基板帯電除去
装置は、排気装置を有する真空容器内に設けられた基板
保持台と、上記基板保持台に裏面を接触させて保持され
る基板の表面への処理に伴い上記基板に生じた帯電を除
去する基板帯電除去装置であって、イオン化されること
で上記基板の表面に帯電した電荷を中和する中和用ガス
を上記真空容器内へ注入する第１注入装置と、注入され
た上記中和用ガスをイオン化するイオン化装置と、上記
基板の裏面に帯電した電荷を除去するため上記基板保持
台と上記基板の裏面との間に電荷除去用ガスを流入させ
る第２注入装置と、を備えたことを特徴とする。

【０００８】又、本発明の第３態様である基板帯電除去
方法は、排気装置を有する真空容器内に設けられた基板
保持台に裏面を接触させて保持される基板の表面に対す
る処理に伴い上記基板に生じた帯電を除去する基板帯電
除去方法であって、イオン化されることで上記基板の表
面に帯電した電荷を中和する中和用ガスをイオン化する
とともに、上記基板の裏面に帯電した電荷を除去するた
め上記基板保持台と上記基板の裏面との間に電荷除去用
ガスを流入する、ことを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態の基板帯電除
去装置及び基板帯電除去方法について図を参照しながら
以下に説明する。尚、上記基板帯電除去方法は、上記基
板帯電除去装置にて実行されるものである。又、各図に
おいて同じ構成部分については同じ符号を付している。
図１には、本実施形態の基板帯電除去装置５２を備えた
プラズマ処理装置５１の構造を示している。尚、上記プ
ラズマ処理装置５１は、反応性イオンエッチング型のド
ライエッチング装置に相当するものである。以下には、
上記プラズマ処理装置５１の構造を説明しながら、併せ
て基板帯電除去装置５２について説明する。

【００１０】プラズマ処理装置５１は、大略して、真空
容器１と、該真空容器１とは絶縁材１９を介して真空容
器１内に設けられ、被処理体であるシリコンウエハの基
板２を保持する基板保持台３と、上記真空容器１内にて
上記基板保持台３に対向して配置され、接地されている
上部電極１２とを備える。尚、これらの構造は、従来か
らのプラズマ処理装置の基本的な構造と同じである。
又、後述するように上記基板帯電除去装置５２は、ガス
注入装置２０、イオン化装置２３、及び電荷除去用ガス
注入系１３を備える。ここで、第１注入装置の機能を果
たす一実施形態が上記ガス注入装置２０に相当し、第２
注入装置の機能を果たす一実施形態が上記電荷除去用ガ
ス注入系１３に相当する。

【００１１】上記基板保持台３は、アルミナ誘電体部４
とベース部５とから構成されている。プラズマ処理装置
５１では、上記基板保持台３は、基板２を静電吸着にて
保持することから、基板保持台３において基板２の裏面
２ａと接触する部分は、厚さ５ｍｍのアルミナ誘電体部
４からなる絶縁体部分にて形成している。該アルミナ誘
電体部４の内部には、上記基板２の裏面２ａと接触する
アルミナ誘電体４の表面４ａから５００μｍにて内部側
にタングステンからなる１対の静電吸着用内部電極６
Ａ，６Ｂを内蔵している。又、アルミナ誘電体部４の下
部には、内部に冷却水路（図示せず）を有するアルミニ
ウム製ベース部５を設けている。

【００１２】上記内部電極６Ａは、高周波フィルタ７を
介して正極の直流電源８に接続され、上記内部電極６Ｂ
は、高周波フィルタ７を介して負極の直流電源９に接続
されている。これらの直流電源８，９は、上記静電吸着
用の電源である。さらに、内部電極６Ａ，６Ｂには、内
部電極６Ａ，６Ｂと各高周波フィルタ７，７との間にコ
ンデンサ１０，１０を介して１３．５６ＭＨｚの高周波
電源１１が接続されている。よって、内部電極６Ａ，６
Ｂは、高周波電源１１から高周波が印加されたときには
真空容器１の内部にプラズマを発生させる電極としても
用いられる。

【００１３】又、従来のプラズマ処理装置と同様に真空
容器１には、真空容器１内へ反応ガスとして例えばＣＦ
₄を注入するガス注入装置２０が接続され、又、真空容
器１内の排気を行う排気装置２１が接続されている。プ
ラズマ処理装置５１では、上記ガス注入装置２０は、本
実施形態の基板帯電除去装置５２における第１注入装置
としても機能し、この場合には、イオン化されたとき基
板２の表面２ｂに帯電した電荷を中和する中和用ガスを
真空容器１内へ注入する。中和用ガスとして、本実施形
態では窒素ガスを用いている。

【００１４】さらに、基板帯電除去装置５２を構成する
電荷除去用ガス注入系１３について説明する。尚、該電
荷除去用ガス注入系１３は、基板冷却用ガスの導入系と
しても作用する。電荷除去用ガス注入系１３は、基板２
の裏面２ａに生じた電荷を除去するために上記裏面２ａ
と上記表面４ａとの間へ上記電荷除去用ガスを注入する
ものである。尚、上記電荷除去用ガスとして、本実施形
態ではヘリウムガスを用いている。基板保持台３におい
て、図２に示すように、アルミナ誘電体部４の例えば平
面中央部には、電荷除去用ガス注入系１３の一端がアル
ミナ誘電体部４の表面４ａに電荷除去用ガスの吹出口と
して直径０．５ｍｍの開口１３ａを形成している。電荷
除去用ガス注入系１３の他端部には、ガスの供給機構を
構成するバルブ１３ｂと流量コントローラ（ＭＦＣ）１
３ｃとが接続される。又、上記表面４ａには、上記開口
１３ａを中心として、直径１００ｍｍの同心円上に直径
０．５ｍｍの例えば３つの吸引口１４ａが形成されてい
る。該吸引口１４ａは、上記開口１３ａから供給された
電荷除去用ガスを真空容器１の外部へ導くとともに上記
電荷除去用ガスの圧力を調整する圧力制御系１４の一端
部を形成する。圧力制御系１４の他端部には、圧力計１
４ｂ及び絞り弁１４ｃが接続されている。開口１３ａか
らの上記電荷除去用ガスの供給、及び吸引口１４ａによ
る上記電荷除去用ガスの排気は、基板保持台３に基板２
が保持されている状態で行われるものである。即ち、微
視的には、基板２の裏面２ａ、及びアルミナ誘電体部４
の表面４ａには多数の凹凸があることから、開口１３ａ
から供給された上記電荷除去用ガスは、上記凹凸によっ
て形成された、基板２の裏面２ａとアルミナ誘電体部４
の表面４ａとの間に形成される隙間を介して吸引口１４
ａから排気される。

【００１５】さらに、基板帯電除去装置５２を構成する
ものとして、基板２の厚さ方向に沿った真空容器１の側
壁２２には、イオン化装置２３が取り付けられている。
該イオン化装置２３は、ガス注入装置２０から真空容器
１内へ注入された上記中和用ガスをイオン化する装置で
あり、本実施形態では、紫外線光を発するＵＶランプ１
６と、ＵＶランプ１６が発する紫外線光の一部を遮光す
ることで真空容器１内へ照射される上記紫外線光量及び
照射範囲を調整する、光学カメラに備わる絞りのような
光絞り板１７とを備える。尚、光絞り板１７において上
記紫外線光が通過する開口１７ａの面積は、絞り調整装
置２４にて可変である。

【００１６】このように構成された、基板帯電除去装置
５２を備えたプラズマ処理装置５１の動作を以下に説明
する。まず、真空容器１内を排気装置２１にて排気して
真空とし、基板保持台３上に基板２を載置する。そし
て、１対の内部電極６Ａ，６Ｂのそれぞれへ高周波フィ
ルタ７を通して直流電源８、９からそれぞれ正、負の直
流電圧を１．０ｋＶにて印加する。これにより基板２
は、基板保持台３に静電吸着される。次に、電荷除去用
ガス注入系１３により、基板２の裏面２ａにヘリウムガ
スを１０ｃｃ／分の割合で導入し、圧力制御系１４によ
り、基板２の裏面２ａとアルミナ誘電体部４の表面４ａ
との間の上記ヘリウムガス圧力を１０Ｔｏｒｒに調圧す
る。このように電荷除去用ガス注入系１３からヘリウム
ガスを導入することで、基板２の裏面２ａと、アルミナ
誘電体部４の表面４ａとにおける上記凹凸にて形成され
る隙間は、真空状態ではなく上記１０Ｔｏｒｒの圧力と
なる。よって、上記隙間における熱伝導を高めることが
でき基板２の冷却効率を上げることができる。さらに、
ガス注入装置２０からガス導入口を介して反応ガスであ
るＣＦ₄を３０ｃｃ／分の割合で、酸素を５ｃｃ／分の
割合で、同時に真空容器１内へ導入し、かつ真空容器１
内を２００ｍＴｏｒｒに調圧する。

【００１７】このような状態において、高周波電源１１
からの高周波電力を２分岐させた後に、直流電圧をカッ
トするコンデンサ１０を通して、内部電極６Ａ，６Ｂへ
上記高周波電力を供給して、真空容器１内にプラズマを
発生させる。尚、このとき、上記高周波電力は、高周波
フィルタ７にて遮られるので、直流電源８，９には悪影
響を与えることはない。又、基板２は、電荷除去用ガス
注入系１３から供給されるヘリウムガスにより効率よく
冷却されながら、所望のドライエッチングが達成され
る。

【００１８】基板２へのエッチングが終了した後、上記
高周波電力、上記反応ガス、及びヘリウムガスの供給を
止め、一旦、真空排気を行いながら、直流電源８、９に
よる電力供給を止める。この状態で、基板２は所望のエ
ッチングが行われたことになるが、このまま、基板２を
搬送するために、従来から備わる突き上げ装置などで基
板２を基板保持台３から離脱しようとした場合、上記プ
ラズマによる基板２の表面２ｂにおける帯電、及び基板
保持台３のアルミナ誘電体部４の表面４ａと基板２の裏
面２ａとの間に存在する残留電荷のために、基板２は未
だ基板保持台３に吸着されており、基板２の搬送トラブ
ルを起こしてしまう。基板２が絶縁材にてなる場合には
この傾向が大きい。

【００１９】そこで本実施形態では、基板２の帯電を解
消する動作を次のように行う。まず、中和用ガスとし
て、ガス注入装置２０により例えば窒素ガスを２００ｃ
ｃ／分の割合で真空容器１内に導入し、かつ真空容器１
内を０．１Ｔｏｒｒに調圧する。その後、電荷除去用ガ
ス注入系１３により、電荷除去用ガスとしてヘリウムガ
スを基板２の裏面２ａへ３ｃｃ／分の割合で供給し、か
つ圧力制御系１４により、基板２の裏面２ａとアルミナ
誘電体部４の表面４ａとの間の上記ヘリウムガス圧力を
０．１Ｔｏｒｒ付近に調圧しながら、ＵＶランプ１３を
点灯させて、アルミナ誘電体部４の表面４ａを含まな
い、真空容器１内の基板２上の照射領域１８、及び基板
２の表面２ｂへ光絞り板１７を通して紫外光を３秒間照
射する。該照射により、上記中和用ガスである窒素ガス
は、正及び負にイオン化され、イオン化されたガスが、
基板２に飛来し基板２の帯電を中和する。さらに詳しく
述べると、基板２は上述のプラズマ処理により通常、負
の電荷が蓄積されている。よって、上述のイオン化され
た窒素ガスにおける正イオンが基板２の負電荷に引き寄
せされて、基板２を電気的に中和する。尚、この際、不
要である負イオンは接地された真空容器１あるいは上部
電極１２に移動し、その後は、正負のイオンの一部が両
極性拡散により基板２に到達する。従って、この電気的
中和処理の処理時間がたとえ長過ぎたとしても、基板２
における電気的な中性は保たれる。又、基板２の裏面２
ａにヘリウムガスを流しておくことにより、基板保持台
３のアルミナ誘電体部４の表面４ａと基板２との間にお
ける残留電荷も、上記ヘリウムガスを媒体として電気的
に中和されることとなる。その結果、上記残留吸着が解
消され、上記突き上げ装置により基板２を基板保持台３
からスムーズに離脱させることができ、離脱させた基板
２を搬送アームなどに移して、トラブルなく安定して基
板２を搬送することができる。尚、ヘリウムガスの流量
及び圧力は、基板２の残留吸着が解消されたときに、基
板２が基板保持台３から跳びはねない程度の圧力及び流
量とすればよい。

【００２０】このように本実施形態によれば、静電吸着
とプラズマ処理とを行うことにより基板２と、絶縁層で
あるアルミナ誘電体部４の表面４ａとに発生する残留吸
着を、基材２の裏面２ａにガスを流しながら、紫外光に
よりイオン化した窒素ガスにて電気的に中和することに
より、基板２の搬送トラブルもなく、安定してプラズマ
処理をすることができる。

【００２１】尚、本実施形態では、上記中和用ガスをイ
オン化するための光照射装置として紫外光を発するＵＶ
（重水素）ランプ１６を用いたが、クセノンランプや、
波長が１２６ｎｍ、１４６ｎｍ、１７２ｎｍ、２２２ｎ
ｍ、又は３０８ｎｍのエキシマランプや、あるいは波長
が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザや、波長が１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ等の紫外光源、あるいは低
圧水銀ランプを用いることもできる。又、波長が１５７
ｎｍのＦ₂エキシマレーザ等を用いてもよい。低波長光
の方がエネルギーが大きく、中和用ガスのガス分子のイ
オン化率が高く、上記残留電荷の中和効果が大きいが、
使用する波長は、装置やプロセスの形態に合わせて選択
することが好ましい。又、光源は、単一波長を発するも
のに限定されるものではない。

【００２２】又、上記中和用ガスをイオン化するため
に、真空容器１内へＸ線や軟Ｘ線を照射してもよい。こ
れらのＸ線や軟Ｘ線は、上記紫外線に比べてより波長が
短く、又、そのエネルギーも大きいので、中和用ガスの
ガス分子のイオン化率が高いからである。

【００２３】又、本実施形態では、上記中和用ガスのイ
オン化に光照射を用いたが、交流又は直流の高電圧を針
状電極に印加することで発生するコロナ放電によるイオ
ナイザーを用いてもよい。又、本実施形態では、上記中
和用ガスとして、窒素ガスを用いたが、酸素や、ヘリウ
ムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、
キセノンガスの不活性ガスを用いてもよい。これらのガ
スの選択は、基板２に対するプロセスとの関係でなされ
る。尚、基板２の処理プロセスに与える影響が実際上無
視できれば、プロセスガスを用いる方がガスの切り換え
時間を削除できることから、生産性を向上することがで
きて好ましい。

【００２４】又、本実施形態では、真空容器１内に中和
用ガスを注入し真空容器１内に光照射を行うことで真空
容器１内で上記中和用ガスのイオン化を行ったが、図３
に示すように、表面電荷除去装置３０にて予めイオン化
されたガスを作成し、このイオン化されたガスを真空容
器１内に供給するようにしてもよい。

【００２５】又、本実施形態では、基板２の裏面２ａに
流す電荷除去用ガスとして、ヘリウムガスを用いたが、
これ以外の不活性ガスや別のガスを用いても良い。又、
圧力制御系１４は、上述の形態に限られるものでなく、
基板２の裏面２ａにガスを供給できるものであればいず
れの配管系統を用いても良い。

【００２６】又、本実施形態において、イオン化装置２
３の光絞り板１７にて、プラズマ処理のプロセス中は光
絞り板１７を閉じた状態として、イオン化時のみ光絞り
板１７を開口して光源を点灯することにより、ＵＶラン
プ１６への反応生成物の付着による効率の低下を防ぐこ
とができる。尚、これと同様の機能を果たすゲート弁を
光絞り板１７のさらに真空容器内側に設けてもよい。
又、本実施形態では、基板保持台３には１対の内部電極
６Ａ，６Ｂを有するいわゆる双極型の静電吸着電極とし
たが、単極型の静電吸着電極であっても本実施形態と同
様の効果を得ることができる。又、本実施形態では、静
電吸着型の基板保持台３としたが、基板保持台は、当該
基板保持台の基板接触面が絶縁物で覆われ、接地あるい
は高周波電力が印加される基板保持台であってもよい。
このような、上記基板接触面が絶縁物で覆われた基板保
持台のとき、基板が絶縁材料の場合には特に上述の残留
吸着による搬送トラブルが起こり得る。よって、このよ
うな場合にも本実施形態の基板帯電除去装置及び方法を
用いても上述と同様の効果を得ることができる。

【００２７】又、本実施形態では、反応性イオンエッチ
ング型のドライエッチング装置を例に採ったが、プラズ
マの発生方法はこれに限られるものでなく、誘導結合
型、ＥＣＲ型、ヘリコン波型、表面波型等のプラズマ発
生方法としてもよい。又、本実施形態では、ドライエッ
チング装置を例にとって説明したが、プラズマＣＶＤ装
置や、スパッタリング装置、アッシング装置に本実施形
態の基板帯電除去装置及び方法を用いてもよい。

【００２８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明の第１態様の
基板帯電除去装置及び第３態様の基板帯電除去方法によ
れば、イオン化された中和用ガスを真空容器内へ注入
し、基板の裏面に電荷除去用ガスを流入したことから、
基板の帯電を除去することができ上記基板と基板保持台
との残留吸着を解消することができる。よって、基板の
搬送トラブルの発生がなく、基板への処理を行う装置の
信頼性を高めることができる。

【００２９】又、本発明の第２態様の基板帯電除去装置
によれば、真空容器内へ注入された中和用ガスをイオン
化装置にてイオン化するようにしたことから、第１態様
の基板帯電除去装置に比べてより効率的に基板の帯電を
除去することができる。よって、基板の搬送トラブルの
発生がなく、基板への処理を行う装置の信頼性を高める
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の基板帯電除去装置の構
成を示す図である。

【図２】図１に示すアルミナ誘電体の平面図であり、
電荷除去用ガス注入系及び圧力制御系のアルミナ誘電体
部の表面における開口の位置を示す図である。

【図３】本発明の他の実施形態の基板帯電除去装置の
構成を示す図である。

【図４】従来のプラズマ処理装置の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…真空容器、２…基板、３…基板保持台、１３…電荷
除去用ガス注入系、２０…ガス注入装置、２３…イオン
化装置、３０…表面電荷除去装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福井祥二大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】排気装置を有する真空容器（１）内に設
けられた基板保持台（３）と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板（２）の表面への処理に伴い
上記基板に生じた帯電を除去する基板帯電除去装置であ
って、イオン化されることで上記基板の表面に帯電した電荷を
中和する中和用ガスをイオン化して上記真空容器内へ注
入する表面電荷除去装置（３０）と、上記基板の裏面に帯電した電荷を除去するため上記基板
保持台と上記基板の裏面との間に電荷除去用ガスを流入
させる注入装置（１３）と、を備えたことを特徴とする
基板帯電除去装置。
【請求項２】排気装置を有する真空容器（１）内に設
けられた基板保持台（３）と、上記基板保持台に裏面を
接触させて保持される基板（２）の表面への処理に伴い
上記基板に生じた帯電を除去する基板帯電除去装置であ
って、イオン化されることで上記基板の表面に帯電した電荷を
中和する中和用ガスを上記真空容器内へ注入する第１注
入装置（２０）と、注入された上記中和用ガスをイオン化するイオン化装置
（２３）と、上記基板の裏面に帯電した電荷を除去するため上記基板
保持台と上記基板の裏面との間に電荷除去用ガスを流入
させる第２注入装置（１３）と、を備えたことを特徴と
する基板帯電除去装置。
【請求項３】上記基板への帯電は、上記真空容器に備
わるプラズマ発生装置（１１，１０，６Ａ，６Ｂ，１
２）にて上記真空容器内に発生するプラズマによる基板
表面処理に起因する、請求項１又は２記載の基板帯電除
去装置。
【請求項４】上記基板保持台は静電吸着用の電極（６
Ａ，６Ｂ）を有し、上記基板への帯電は上記基板保持台
への上記基板の静電吸着に起因する、請求項１又は２に
記載の基板帯電除去装置。
【請求項５】上記イオン化装置は、紫外線を上記真空
容器内へ照射して上記中和用ガスをイオン化する、請求
項２ないし４のいずれかに記載の基板帯電除去装置。
【請求項６】上記イオン化装置は、軟Ｘ線又はＸ線を
上記真空容器内へ照射して上記中和用ガスをイオン化す
る、請求項２ないし４のいずれかに記載の基板帯電除去
装置。
【請求項７】上記イオン化装置は、コロナ放電にて上
記中和用ガスをイオン化する、請求項２ないし４のいず
れかに記載の基板帯電除去装置。
【請求項８】上記中和用ガス及び上記電荷除去用ガス
は不活性ガスである、請求項１ないし７のいずれかに記
載の基板帯電除去装置。
【請求項９】上記中和用ガスは窒素ガス又は酸素ガス
であり、上記電荷除去用ガスはヘリウムガスである、請
求項１ないし７のいずれかに記載の基板帯電除去装置。
【請求項１０】排気装置を有する真空容器内に設けら
れた基板保持台（３）に裏面を接触させて保持される基
板（２）の表面に対する処理に伴い上記基板に生じた帯
電を除去する基板帯電除去方法であって、イオン化されることで上記基板の表面に帯電した電荷を
中和する中和用ガスをイオン化するとともに、上記基板の裏面に帯電した電荷を除去するため上記基板
保持台と上記基板の裏面との間に電荷除去用ガスを流入
する、ことを特徴とする基板帯電除去方法。
【請求項１１】上記基板への帯電は、上記真空容器に
備わるプラズマ発生装置にて上記真空容器内に発生させ
るプラズマによる基板表面処理に起因する、請求項１０
記載の基板帯電除去方法。