JPH06275546A

JPH06275546A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH06275546A
Application number: JP8923993A
Authority: JP
Inventors: Izumi Arai; 泉新井; Yoshifumi Tawara; 好文田原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1993-03-24
Filing date: 1993-03-24
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体をクーロン力により保持する静電チ
ャックの被処理体を保持する保持部の残留電荷を非接触
で確実に、かつ短時間で除電することができるプラズマ
処理装置を提供する。【構成】被処理体Ｗをクーロン力にて保持する静電チ
ャック７を具備し、前記被処理体Ｗをプラズマを生起さ
せ処理するプラズマ処理装置において、前記被処理体Ｗ
を処理する処理室１に処理ガスを導入するガス導入手段
１４と、このガス導入手段１４により導入された処理ガ
スをイオン化するイオン化手段８０とを具備し、このイ
オン化手段８０によりイオン化された処理ガスを前記静
電チャック７の前記被処理体保持部３２に供給するよう
構成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の被処理体、例えば半導体ウエハを
クーロン力で吸着保持する静電チャックにおいて、この
静電チャックに吸着された後の半導体ウエハを静電チャ
ックから離脱する際、静電チャックと、半導体ウエハに
帯電した電荷を除電するために半導体ウエハの吸着面に
グランドに接続された導電性のピンを接触させ、半導体
ウエハに帯電した電荷を除電するとともに静電チャック
に帯電した電荷も半導体ウエハを介して除電する静電吸
着解除方法が知られている。また、静電チャックと、半
導体ウエハに帯電した電荷を除電する手段は、例えば特
公平２−６３３０６号公報に開示されている。この技術
は、静電チャックおよび半導体ウエハにＡｒ等のガスを
吹き付けることにより、静電チャックまたは半導体ウエ
ハに残留する残留電荷をガス分子によって除電してい
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、静電チ
ャックに残留する残留電荷を半導体ウエハにグランドに
接続された導電性のピンを接触させて除電し、さらに半
導体ウエハを介して静電チャックの半導体ウエハ保持部
も除電する手段においては、半導体ウエハの吸着面にピ
ンを点接触させるため、一回ピンを接触させただけで
は、半導体ウエハを介して静電チャックに残留する残留
電荷を完全に除電することができず、半導体ウエハに数
回ピンを接触させる必要が有り、ピンの接触部により半
導体ウエハの吸着面を損傷または半導体ウエハ自体を破
損してしまい、また、静電チャックの半導体ウエハ保持
部全面に残留する残留電荷を全面にわたって除電できな
かった。また、半導体ウエハにＡｒ等のガスを吹き付
け、静電チャックの半導体ウエハを保持する保持部に残
留する電荷を除電する場合、半導体ウエハと静電チャッ
クの半導体ウエハ保持部にＡｒガスの分子が侵入せず、
完全に静電チャックの被処理体保持部を除電できないと
いう問題があった。さらに、静電チャックの前記被処理
体を保持する保持部に残留電荷が残留していると、静電
チャックのウエハ保持部に半導体ウエハを載置する際、
静電チャックの所定保持位置に半導体ウエハを載置でき
ず、さらに、所定位置に載置されないまま半導体ウエハ
をプラズマ処理すると半導体ウエハと静電チャックの保
持部との間に隙間ができ、プラズマにより静電チャック
の保持部が損傷してしまうという問題があった。また、
静電チャックの所定保持位置に半導体ウエハを載置でき
ないと、処理の中心点がずれて、プラズマによる半導体
ウエハの処理が均一に行なわれず、半導体ウエハ上に形
成されたデバイスの歩留りを低下させるという問題があ
った。

【０００４】本発明の目的は被処理体をクーロン力によ
り保持する静電チャックの被処理体を保持する保持部の
残留電荷を非接触で確実に、かつ短時間で除電すること
ができるプラズマ処理装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
被処理体をクーロン力にて保持する静電チャックを具備
し、前記被処理体をプラズマを生起させ処理するプラズ
マ処理装置において、前記被処理体を処理する処理室に
処理ガスを導入するガス導入手段と、このガス導入手段
により導入された処理ガスをイオン化するイオン化手段
とを具備し、このイオン化手段によりイオン化された処
理ガスを前記静電チャックの前記被処理体保持部に供給
するよう構成されたものである。請求項２記載の発明
は、前記静電チャックの残留電荷の除電を少なくとも前
記プラズマを生起する前または後のいずれか一方で行な
う制御手段を備え構成されたものである。請求項３記載
の発明は、前記静電チャックの残留電荷の除電を少なく
とも前記被処理体を静電チャックに保持する前または後
のいずれか一方で行なう制御手段を備え構成されたもの
である。

【０００６】

【作用】本発明は、被処理体をクーロン力により保持す
る静電チャックの被処理体を保持する保持部の残留電荷
を処理ガスをイオン化手段によりイオン化し、静電チャ
ックにイオン化ガスを供給することにより、高電位に帯
電された静電チャック表面が負に帯電されていればイオ
ンにより中和され、また静電チャック表面が正に帯電さ
れていればイオンの周辺に存在する電子により中和さ
れ、静電チャックの被処理体を保持する保持部に残留す
る残留電荷をより確実にかつ短時間で除電することがで
きる。

【０００７】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
に係るプラズマ処理装置を適用したプラズマ・エッチン
グ装置について説明する。最初に、図１に基づいて、プ
ラズマ・エッチング装置の構成を説明する。

【０００８】このプラズマ・エッチング装置は、気密性
を有する処理用の容器１、この容器１内にプラズマを発
生するための上部電極２、および下部電極３、前記容器
１内を減圧にするための排気ガス系４、前記容器１内に
被処理体、例えば半導体ウエハＷを搬入または搬出する
ための搬入出系５、イオン化手段８０により構成されて
いる。また、前記下部電極３には前記半導体ウエハＷを
クーロン力にて吸着し保持する静電チャック７が設けら
れている。

【０００９】前記容器１は、少なくとも内壁面が導電
体、例えばＡｌで形成され、この内壁面の表面は酸化ア
ルマイト処理されており、さらに、この容器１の壁面に
は処理ガスおよび反応生成物が内壁面上に付着するのを
防ぐための図示しない加熱手段、例えばヒータが前記容
器１の壁面に内蔵され、加熱温度、例えば５０°Ｃ〜１
００°Ｃの範囲で適切な温度に設定可能に構成されてい
る。

【００１０】前記上部電極２は、前記容器１内の上部に
配置され、その材質は、例えばアモルファス・カーボン
あるいはシリコンで中空構造に形成されている。そし
て、上部電極２の一端は前記容器１の上部に貫通される
とともに、上部外周部は前記容器１に気密に接続され、
前記容器１内に処理ガス、例えばＣＨＦ₃，ＣＦ₄，Ｃ
Ｏ等のガスまたは不活性ガス、例えばＮ₂ガス等を供給
するガス供給管１０に開閉弁、例えばエアーオぺレート
バルブ１１を介して接続されている。また、上部電極２
の他端には、前記半導体ウエハＷの方向に前記ガス供給
管１０から供給される処理ガスを放出するためのガス放
出口１２が放射状に複数個穿設され、ガス導入手段１４
が形成されている。また、前記上部電極２は、配線１３
により電気的に接地されている。

【００１１】前記下部電極３は、前記上部電極２と対向
する位置に配置され、最上部には前記半導体ウエハＷを
クーロン力により吸着し保持する静電チャック・シート
２０が設けられており、この静電チャック・シート２０
の上部には前記半導体ウエハＷが載置され保持する保持
面としての保持部３２が形成され、また、前記静電チャ
ック・シート２０は、導電層、例えば電解箔銅２１を両
側から絶縁層、例えばポリイミド・フィルム２２で被覆
したサンドイッチ構造に構成されている。さらに、前記
電解箔銅２１は、この電解箔銅２１に高電圧、例えば２
００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電するための給電手段、例え
ば材質が銅の給電棒２３に接続され、この給電棒２３
は、前記容器１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され、
高圧電源２４に切替え手段、例えば電磁スイッチ２５を
介して接続されている。また、この電磁スイッチ２５は
制御手段２００の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされ
るよう構成されるとともに、前記静電チャック７を構成
している。

【００１２】さらに、前記静電チャック・シート２０の
下側には、基盤、例えばＡｌよりなる上層基盤３０が設
けられ、この上層基盤３０の下側には下層基盤３１が設
けられ、この下層基盤３１は、材質、例えばＡｌで形成
され、内部には、冷媒、例えば液体窒素を収容するため
の冷媒溜３３が設けられており、この冷媒溜３３には、
前記液体窒素を導入するための冷媒導入管３４と、前記
液体窒素の蒸発し気化したＮ₂を排出するための冷媒排
出管３５が設けられている。さらに、前記液体窒素の前
記冷媒溜３３における熱冷却により、前記半導体ウエハ
Ｗの温度を、例えば−３０°Ｃ〜−１５０°Ｃに図示し
ない温度調整装置により設定可能に制御するよう構成さ
れている。

【００１３】また、前記上層基盤３０は、前記下層基盤
３１より切り離して交換でき、メンテナンスを効率的に
行なえるよう構成され、前記上層基盤３０と前記下層基
盤３１との間には、前記液体窒素３２の温度を前記上層
基盤３０に伝導する伝導媒体、例えば不活性ガスのＨｅ
が第一の伝導媒体供給管３６により供給するように構成
されている。

【００１４】また、前記半導体ウエハＷと前記静電チャ
ック・シート２０の間には、前記半導体ウエハＷに前記
上層基盤３０の温度を伝導する伝導媒体、例えば不活性
ガスのＨｅを第二の伝導媒体供給管４０を介して、前記
静電チャックに複数穿設された供給口９により前記半導
体ウエハの裏面の全面に前記不活性ガスのＨｅを供給す
るガス供給手段８が構成されている。さらに、前記伝導
媒体供給管４０は、前記不活性ガスのＨｅの供給をＯＮ
またはＯＦＦするための開閉弁、例えばエアーオぺレー
トバルブ４１が接続され、さらに、このエアーオぺレー
トバルブ４１は前記半導体ウエハＷと前記静電チャック
・シート２０の間に供給する不活性ガスのＨｅの供給量
を制御するための流量制御装置、例えばマスフローコン
トローラ４２に接続されている。さらに、このマスフロ
ーコントローラ４２は、前記Ｈｅガスを収納するガスボ
ンベ４４に接続されている。また、前記下部電極３は、
ブロッキング・コンデンサ６０を介して高周波、例えば
１３．５６ＭＨｚ，４０ＭＨｚ等の高周波電源６１に接
続されている。また、図２に示すように、前記下部電極
３には、この下部電極３の前記上層基盤３０，前記下層
基盤３１および前記下部電極３の上面に設けられた前記
静電チャック・シート２０を貫通する貫通孔２０１が複
数、例えば３個穿設されており、この貫通孔２０１の内
部には、導電性部材より形成され、インダクタンス２０
２を介し電気的に接地されたピン２０３が設けられてい
る。さらに、このピン２０３は、図示しない上下移動手
段、例えばエアーシリンダで上下に移動可能に構成され
ており、前記上下移動手段により前記ピン２０３が上下
移動し、前記半導体ウエハＷを前記静電チャック・シー
ト２０の保持面３２に載置したり、または前記保持面３
２から離脱させるように構成されている。

【００１５】次に、イオン化手段８０は、前記容器１の
側壁に、開口部８１が設けられ、この開口部８１はゲー
トバルブ８２により開閉するように構成され、このゲー
トバルブ８２が閉じた際、図示しない前記容器１に設け
られた封止体、例えばＯリングを押圧し、前記容器１を
気密にするよう構成されている。さらに、前記ゲートバ
ルブ８２を挟んで前記容器１と対向する位置には、イオ
ン化手段室８３が設けられており、このイオン化手段室
８３内には紫外線発生手段、例えばＵＶランプ８４を具
備した搬入出アーム８５が設けられており、さらに、こ
の搬入出アーム８５により、前記ＵＶランプ８４を前記
容器１内の前記静電チャック７の前記半導体ウエハＷを
保持する前記保持部３２の上方に移動可能に構成され、
さらに、前記ＵＶランプ８４は図示しない装置コントロ
ーラによりＯＮまたはＯＦＦするよう構成されている。

【００１６】次に、前記排気ガス系４は、前記容器１の
底面に開口して、この容器１内を減圧するためのガス排
出口６５設けられており、このガス排出口６５は、排気
ガス管６６に接続され開閉弁、例えばバタフライ・バル
ブ６７を介して前記容器１内を１×１０^-1Ｔｏｒｒ〜１
×１０^-8Ｔｏｒｒの減圧雰囲気にするための真空排気装
置６９、例えばロータリーポンプ，ターボ分子ポンプ等
が接続されている。

【００１７】次に、前記搬入出系５は、前記容器１の側
壁に、前記半導体ウエハＷを搬入または搬出するための
搬入出口７０が設けられ、この搬入出口７０はゲートバ
ルブ７１により開閉するように構成され、このゲートバ
ルブ７１が閉じた際、図示しない前記容器１に設けられ
た封止体、例えばＯリングを押圧し、前記容器１を気密
にするよう構成されている。さらに、前記ゲートバルブ
７１を挟んで前記容器１と対向する位置には、ロードロ
ック室７２が設けられており、このロードロック室７２
内には前記半導体ウエハＷを前記容器１内に搬入または
搬出するための搬入出アーム７３が設けられており、さ
らに、前記ロードロック室７２の側壁かつ他端には、こ
のロードロック室７２内に図示しない前記半導体ウエハ
Ｗが収納されているカセットが載置されたカセット室よ
り前記半導体ウエハＷを枚葉で搬入または搬出するよう
構成され、以上プラズマ・エッチング装置が構成されて
いる。

【００１８】次に、以上のように構成されたプラズマ・
エッチング裝置における前記半導体ウエハＷを前記静電
チャッシ・シート２０の保持部３２に挿脱する作用およ
び前記静電チャッシ・シート２０の前記半導体ウエハＷ
の保持部３２の残留電荷を除電する作用について説明す
る。

【００１９】まず、ゲートバルブ７１を開放するととも
に、前記搬入出アーム７３により保持された前記半導体
ウエハＷを前記容器１内の下部電極かつ静電チャック・
シート２０の上方に移動させ、前記ピンに半導体ウエハ
Ｗを引き渡し、この後、前記搬入出アーム７３は前記ロ
ードロック室７２に戻り前記ゲートバルブ７１を閉じ、
前記ピンは下降し、前記静電チャックの７の保持部３２
に前記半導体ウエハＷが載置される。

【００２０】次に、前記静電チャック・シート２０の電
解箔銅２１に高電圧を給電するためにスイッチ２５を閉
じる、さらに、前記半導体ウエハＷを前記静電チャック
・シート２０の保持部３２に載置する際、前記ピンによ
り前記半導体ウエハＷは接地されているので、前記前記
静電チャック・シート２０の保持部３２には、図２に示
すように、プラスの電荷１０３が帯電され、また、前記
半導体ウエハＷの裏面１０１にはマイナスの電荷１０２
が帯電され、このプラスの電荷１０３およびマイナスの
電荷１０２により静電吸着力が生じ、この静電吸着力で
前記半導体ウエハＷは前記静電チャック・シート２０の
保持部３２に吸着し保持される。また、前記ピンは降下
し、前記半導体ウエハＷの保持を解除した際は前記半導
体ウエハＷは接地されていないので、残留電荷によって
半導体ウエハＷは前記静電チャック・シート２０に吸着
されるので、半導体ウエハＷが接地されているときに比
べ吸着力は弱くなる。

【００２１】次に、図１に示すように、前記上部電極２
に接続されている前記ガス供給管１０から前記処理ガス
を供給し、前記ガス放出口１２より前記容器１内に処理
ガスを導入し、前記容器１内圧力を設定値、例えば１０
ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒに前記バタフライ・バルブ６
７を制御し、安定させるとともに、前記不活性ガスのＨ
ｅを供給するガス供給手段８より前記静電チャックに複
数穿設された供給口９により前記半導体ウエハの裏面の
全面に前記不活性ガスのＨｅを設定圧力、例えば数Ｔｏ
ｒｒ供給し安定させる。次に、前記下部電極３の高周波
電源６１をＯＮし、容器１内かつ前記上部電極２と半導
体ウエハＷ間にプラズマを発生させ、このプラズマによ
り前記半導体ウエハＷをエッチング処理する、また、こ
のプラズマの発生にともない、前記半導体ウエハＷは疑
似接地され、半導体ウエハＷの前記静電チャック・シー
ト２０の保持部３２に吸着される吸着力は強くなる。こ
の処理の後、前記スイッチ２５をＯＦＦするとともに前
記高周波電源６１をＯＦＦし、前記ガス供給手段８より
供給していた前記不活性ガスのＨｅの供給を停止させ
る。

【００２２】次に、前記半導体ウエハＷを前記静電チャ
ック・シート２０の保持部３２より離脱する工程を説明
すると、前記ピンを上昇させ、このピンの上昇に伴って
前記半導体ウエハＷの残留電荷を抑制し、剥離可能値ま
で除電する。また、この前記ピンにより、前記半導体ウ
エハＷの残留電荷は抑制されるが、前記静電チャック・
シート２０の保持部３２は、前記半導体ウエハＷを介し
ては、前記インダクタンスを介して接地されているピン
より完全には除電されることはない。次に、前記ピンが
上昇し、図１に示す前記ゲートバルブ７１を開口し、前
記搬入出アーム７３が容器１内に移動し、前記ピンを降
下させるとともに前記搬入出アーム７３に半導体ウエハ
Ｗを引き渡す、この後、前記搬入出アーム７３はロード
ロック室７２内に移動し、前記ゲートバルブ７１を閉じ
る。

【００２３】次に、前記静電チャック・シート２０の保
持部３２の残留電荷を除去する工程を説明すると、前記
ゲートバルブ８２を開放し、前記イオン化手段室８３に
設けられた紫外線発生手段、例えばＵＶランプ８４を具
備した搬入出アーム８５を前記静電チャック・シート２
０の保持部３２の上方に伸長させ、図３に示すように、
前記静電チャック・シート２０の保持部３２の周縁部か
ら中心部または中心部から周縁部に渦巻き状に前記ＵＶ
ランプ８４を前記装置コントローラによりＯＮし、移動
させ、このＵＶランプ８４より紫外線を発生させる、さ
らに、この紫外線と前記容器１内に残留する処理ガス
（または、前記ガス供給管１０から前記処理ガスを前記
容器１内に供給してもよい。）が反応し、イオン化ガ
ス、例えば残留ガスがＣＯの場合（ＣＯ分子の紫外線吸
収によるイオン化）ＣＯ＋またはＣＯ−ガスを生成す
る。このイオン化ガスにより前記静電チャック・シート
２０の前記保持部３２の全面に作用し、帯電する電荷、
例えば図２の場合、＋電荷１０３を前記イオン化された
ＣＯ−ガスにより中和し、除電する。

【００２４】この、除電の時間は、例えば前記ＵＶラン
プ８４と前記静電チャック・シート２０の保持部３２と
の距離を２５ｃｍ程度とし、３ＫＶの電位が残留してい
たとき、正帯電の場合、約３秒以下で、また、負帯電の
場合１０秒以下で約０．３ＫＶ以下に除電することが可
能である。さらに、前記ＵＶランプ８４と前記静電チャ
ック・シート２０の保持部３２との距離は、２０ｃｍ以
下が好ましく、近ければ近いほど前記除電時間は短縮す
ることができる。また、前記紫外線発生手段、例えばＵ
Ｖランプ８４を具備した搬入出アーム８５を前記静電チ
ャック・シート２０の保持部３２の上方に伸長させ、前
記静電チャック・シート２０の保持部３２の残留電荷を
中和させる作用として、図４の

【ａ】に示すように、直線に複数回にわたり保持部３２
の上方を行き来しても良く、また図４の

【ｂ】に示すように前記保持部３２の径を異にして、複
数回同心円状に作用させても良く、前記搬入出アーム８
５により前記紫外線発生手段、例えばＵＶランプ８４は
前記静電チャック・シート２０の保持部３２の上方を自
在に移動することができる。

【００２５】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。前記静電チャック・シート２０
の保持部３２に残留する残留電荷を半導体ウエハＷにグ
ランドに接続された導電性のピンを接触させ除電し、さ
らに半導体ウエハＷを介して静電チャック・シート２０
の半導体ウエハＷの保持部３２も除電することなく、別
々に除電でき、静電チャック・シート２０の保持部３２
に残留する残留電荷の除電をより確実に行なうことがで
きる。さらに、静電チャック・シート２０の保持部３２
に残留する残留電荷の除電をより確実に行なうことがで
きるので、静電チャック・シート２０の保持部３２に半
導体ウエハＷを載置する際、残留電荷の影響を受けるこ
となく静電チャック・シート２０の所定保持位置に半導
体ウエハＷをより確実に載置でき、さらに、所定位置に
より確実に載置することができるので半導体ウエハＷを
プラズマ処理すると半導体ウエハＷと静電チャック・シ
ート２０の保持部３２の所定載置位置とに隙間を生じる
ことなく、プラズマにより静電チャック・シート２０の
保持部３２の破損を防止することができる。また、静電
チャック・シート２０の所定保持位置に半導体ウエハＷ
をより確実に載置できるので処理の中心点のずれを防止
し、プラズマによる半導体ウエハＷの処理を所定位置で
処理することができるので、処理を均一に行なうことが
でき、半導体ウエハ上に形成されたデバイスの歩留りを
向上することができる。

【００２６】尚、本実施例では処理ガスに、ＣＨＦ₃，
ＣＦ₄，ＣＯ等のガスを述べたが不活性ガスＨｅ，Ｎ₂
または、希ガス、例えばＮｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ
等のガスとの混合ガス、または処理ガスの混合ガスでも
よいことは勿論であり、さらに、このガスをイオン化す
る手段はＵＶランプに限らずイオナイザーを使用しても
よく、また静電チャックの保持部に残留する残留電荷の
除電は被処理体を保持部に載置する前でも後でもどちら
でも良く、本発明はかかる実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能で
ある。また、実施例ではプラズマエッチング装置につい
て述べたが、前記プラズマエッチング装置にとらわれ
ず、ＣＶＤ、ＬＣＤ等のプラズマにより被処理体を処理
する装置に用いることができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、被処理体をクーロン力により
保持する静電チャックの被処理体を保持する保持部の残
留電荷を処理ガスをイオン化手段によりイオン化し、静
電チャックにイオン化ガスを供給することにより、高電
位に帯電された静電チャック表面が負に帯電されていれ
ばイオンにより中和され、また静電チャック表面が正に
帯電されていればイオンの周辺に存在する電子により中
和され、静電チャックの被処理体を保持する保持部に残
留する残留電荷をより確実にかつ短時間で除電すること
ができ、静電チャックの被処理体の保持位置により正確
に載置することができるという顕著な効果がある。

【００２８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の実施例が適用されるプラズ
マ・エッチング裝置の概略断面図である。

【図２】図１の被処理体の吸着作用を示す概略断面図で
ある。

【図３】図１のイオン化手段の作用を示す部分平面図で
ある。

【図４】

【ａ】図１のイオン化手段の作用を示す部分平面図であ
る。

【ｂ】図１のイオン化手段の作用を示す部分平面図であ
る。

【符合の説明】

Ｗ被処理体（半導体ウエハ）１容器２上部電極３下部電極４排気ガス系５搬入出系７静電チャック１４ガス導入手段２０静電チャック・シート３２保持部８０イオン化手段８４紫外線発生手段（ＵＶランプ）２００制御手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体をクーロン力にて保持する静電
チャックを具備し、前記被処理体をプラズマを生起させ処理するプラズマ処
理装置において、前記被処理体を処理する処理室に処理ガスを導入するガ
ス導入手段と、このガス導入手段により導入された処理ガスをイオン化
するイオン化手段とを具備し、このイオン化手段によりイオン化された処理ガスを前記
静電チャックの前記被処理体保持部に供給するよう構成
したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記静電チャックの残留電荷の除電を少
なくとも前記プラズマを生起する前または後のいずれか
一方で行なう制御手段を備えたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記静電チャックの残留電荷の除電を少
なくとも前記被処理体を静電チャックに保持する前また
は後のいずれか一方で行なう制御手段を備えたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装
置。