JP2004241420A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガラス基板の絶縁破壊をより確実に防止でき、歩留まりを向上できる真空装置を提供する。
【解決手段】反応室2でガラス基板Aの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。ガラス基板Aをロードロック室21から搬送室11へと搬入して反応室2へと搬送する。ロードロック室21から搬送室11へと搬送するときに最もガラス基板Aが絶縁破壊しやすい。ロードロック室21にプラズマ発生部25を設ける。ロードロック室21から搬送室11へとガラス基板Aを搬送する前に、プラズマ発生部25にてロードロック室21の内部にプラズマを発生させる。ロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除く。
【選択図】 図1
【解決手段】反応室2でガラス基板Aの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。ガラス基板Aをロードロック室21から搬送室11へと搬入して反応室2へと搬送する。ロードロック室21から搬送室11へと搬送するときに最もガラス基板Aが絶縁破壊しやすい。ロードロック室21にプラズマ発生部25を設ける。ロードロック室21から搬送室11へとガラス基板Aを搬送する前に、プラズマ発生部25にてロードロック室21の内部にプラズマを発生させる。ロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除く。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、前室から搬送室へと搬入され反応室へと搬送された被処理体を処理する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置や有機EL(Electro Luminescence)表示装置などのフラットパネルディスプレイの製造工程においては、無アルカリガラスにて成形された被処理体としてのガラス基板の表面に減圧下で成膜処理やエッチング処理を行う処理装置としての真空装置が多用されている。
【0003】
そして、この種の真空装置は、減圧下で基板の表面にアルミニウム膜を成膜する基板処理室としての反応室を備えており、この反応室の一側部には、この反応室へと基板を減圧下にて搬送させる電離気体発生室としての搬送室が開閉部を介して取り付けられている。この搬送室には紫外線(UV)ランプが取り付けられており、この搬送室の室内には不活性ガスであるアルゴンガスが充填されている。
【0004】
そして、この搬送室の紫外線ランプの点灯により、この搬送室内のアルゴンガスが陽イオンと電子とに電離されて、これら陽イオンおよび電子にて反応室へと搬送された基板の帯電が開閉部を介して取り除かれる。さらに、反応室の反対側である搬送室の一側部には、この搬送室へと基板を搬入させるロード室としての前室が開閉部を介して取り付けられている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平9−324260号公報(第2−3頁および図5)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の真空装置においては、搬送室の紫外線ランプを点灯させることにより、この搬送室内のアルゴンガスを陽イオンと電子とに電離させて、これら陽イオンおよび電子にて反応室へと搬送された基板の帯電を取り除くにすぎない。
【0007】
このため、前室や搬送室の室内で発生した基板の帯電を取り除くことができないから、反応室で処理された基板を搬送室および前室を介して搬出させることにより、この基板の絶縁破壊が発生してしまうおそれがあるため、この基板の歩留まりの向上が容易ではないという問題を有している。
【0008】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板の絶縁破壊をより確実に防止でき、歩留まりが向上する処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理体を処理する処理室と、この処理室へと前記被処理体を搬送する搬送室と、この搬送室へと前記被処理体を搬入させる前室と、これら前室および搬送室いずれかの室内の前記被処理体の帯電を取り除く除電手段とを具備したものである。
【0010】
そして、前室から搬送室へと搬入されるときや、搬送室から前室へと搬送されるときに最も被処理体が絶縁破壊されるおそれがあるので、前室から搬送室へと被処理体が搬入される前や、この搬送室から前室へと被処理体が搬送される前に、これら前室および搬送室いずれかの室内にて被処理体の帯電を取り除くことにより、この被処理体の絶縁破壊をより確実に防止できるから、この被処理体の歩留まりを向上できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の処理装置の一実施の形態の構成を図1を参照して説明する。
【0012】
図1において、1は基板処理装置としての真空装置で、この真空装置1は、液晶表示装置や有機EL(Electro Luminescence)表示装置などのフラットパネルディスプレイなどに用いられる無アルカリガラスにて成形された被処理体としてのガラス基板Aを処理する。このガラス基板Aの表面には、多結晶シリコンが活性層に用いられた薄膜トランジスタがマトリクス状に形成された画素表示部分のマトリクス回路や、周辺駆動回路などが作り込まれている。
【0013】
また、真空装置1は、減圧下でガラス基板Aの一主面である表面に対して成膜処理およびエッチング処理などのいずれかをする成膜装置あるいはエッチング装置などである。そして、この真空装置1は、室内にてガラス基板Aの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする基板処理室としての反応室2を備えている。
【0014】
この反応室2の内部である室内の下側には、上面にガラス基板Aが設置されるステージとしてのサセプタである基板ホルダ3が取り付けられている。また、この反応室2の室内の上側には、基板ホルダ3の上面に下面を対向させてRF(Radio Frequency)電極4が取り付けられている。このRF電極4は、電磁波を発振させて、基板ホルダ3の上面に設置されたガラス基板Aの表面を成膜処理あるいはエッチング処理などさせる。
【0015】
さらに、この反応室2の下側には、この反応室2の内部を外部に連通させて開口させる開口部5が設けられている。この開口部5には、反応室2の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ6が取り付けられている。また、この反応室2の一側部には、この反応室2の室内へとガラス基板Aが搬送され、このガラス基板Aが反応室2の室内から搬出される搬送室11が仕切りバルブ12を介して取り付けられている。この仕切りバルブ12は、搬送室11と反応室2との間に設けられ、これら搬送室11および反応室2間を開閉可能に閉塞する。すなわち、この仕切りバルブ12は、この仕切りバルブ12にて搬送室11と反応室2とを仕切ることにより、これら搬送室11内の雰囲気と反応室2内の雰囲気とを遮断する。
【0016】
また、搬送室11の室内には、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N2)あるいはヘリウム(He)などの不活性ガスが導入されて充填されている。さらに、この搬送室11の内部である室内の下側中央部には、この搬送室11の室内へと搬入されたガラス基板Aを反応室2の基板ホルダ3の上面へと搬送して設置させる搬送ロボット13が取り付けられている。また、この搬送室11の下側には、この搬送室11の内部を外部に連通させて開口させる開口部14が設けられており、この開口部14には、搬送室11の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ15が取り付けられている。この調圧バルブ15は、搬送室11の室内の不活性ガスの充填による圧力を、反応室2の反対側に位置する搬送室11の一側部に設けられた前室としてのロードロック室21の室内の圧力と同じに調圧する。
【0017】
このロードロック室21は、搬送室11の室内へとガラス基板Aが搬入され、このガラス基板Aが搬送室11の室内から搬出される。さらに、このロードロック室21と搬送室11との間には、仕切りバルブ22が設けられ、この仕切りバルブ22は、ロードロック室21および搬送室11間を開閉可能に閉塞する。すなわち、この仕切りバルブ22は、この仕切りバルブ22にてロードロック室21と搬送室11とを仕切ることにより、これらロードロック室21内の雰囲気と搬送室11内の雰囲気とを遮断する。
【0018】
また、ロードロック室21は、外部から搬送室11内へとガラス基板Aを搬送する以前に、このガラス基板Aを一旦格納する。さらに、このロードロック室21は、このロードロック室21内にガラス基板Aが搬送された後に、このロードロック室21内を真空に排気させてから、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N2)あるいはヘリウム(He)などの不活性ガスが導入されて充填される。
【0019】
そして、ロードロック室21の下側には、このロードロック室21内を外部に連通させて開口させる開口部23が設けられており、この開口部23には、ロードロック室21の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ24が取り付けられている。この調圧バルブ24は、ロードロック室21内に不活性ガスが充填された際に、このロードロック室21の室内の圧力を所定値に調整する。
【0020】
さらに、このロードロック室21の上側には、このロードロック室21内に誘電結合型のプラズマを発生させて、このロードロック室21内に搬入されたガラス基板Aの帯電を取り除いて電気的に中和させる除電手段としてのプラズマ発生手段であるプラズマ発生部25が取り付けられている。このプラズマ発生部25は、ロードロック室21へと搬入されたガラス基板Aを搬送ロボット13にて搬送室11へと搬送させる前に、このロードロック室21の室内へと搬入されたガラス基板Aに対してプラズマを発生させて、このガラス基板Aを除電させる。
【0021】
また、このプラズマ発生部25は、ロードロック室21の上側面の中央部に設けた壁部26の外周部に、導電体であるコイル27を巻回させて構成されている。このコイル27には、交流電源28が接続されている。そして、このプラズマ発生部25は、コイル27に交流電源28からRF電力を供給することにより、このコイル27からプラズマを放電させて、このプラズマをロードロック室21の室内に発生させて生成させ、このプラズマにより生成されたイオンや電子を拡散させたり、このプラズマにより発生した光である真空紫外線によってロードロック室21内のガラス基板Aを電離させたりして、このガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0022】
さらに、搬送室11の反対側に位置するロードロック室21の一側部には、このロードロック室21の一側部を開閉可能に閉塞させる仕切りバルブ29が取り付けられている。この仕切りバルブ29は、この仕切りバルブ29にてロードロック室21の一側部を外部に対して仕切ることにより、このロードロック室21内の雰囲気を外部から遮断する。また、ロードロック室21に対向した仕切りバルブ29の外側には、このロードロック室21内へとガラス基板Aを搬入させる搬送ロボット31が取り付けられている。
【0023】
次に、上記一実施の形態の作用を説明する。
【0024】
まず、反応室2および搬送室11のそれぞれを、これら反応室2および搬送室11それぞれの調圧バルブ6,15にて予め真空排気させる。
【0025】
この後、ロードロック室21の仕切りバルブ29を開放させ、この仕切りバルブ29からガラス基板Aを搬送ロボット31にてロードロック室21内へと搬入させる。
【0026】
この状態で、このロードロック室21の仕切りバルブ29を閉塞させた後、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて真空排気させる。
【0027】
そして、このロードロック室21内が真空排気された後、このロードロック室21内に不活性ガスを導入させて充填させるとともに、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて所定の圧力に調圧させる。
【0028】
同時に、搬送室11内に不活性ガスを導入させて充填させるとともに、この搬送室11内を調圧バルブ24にてロードロック室21内と同じ圧力に調圧させる。
【0029】
この後、交流電源28からプラズマ発生部25のコイル27へとRF電力を供給させて、このプラズマ発生部25内でプラズマを放電させてロードロック室21内にプラズマを発生させ、このロードロック室21内に搬送されたガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0030】
この状態で、ロードロック室21と搬送室11との間の仕切りバルブ22を開放させて、この仕切りバルブ22からガラス基板Aを搬送ロボット13にて搬送室11内へと搬入させる。
【0031】
この後、この搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を閉塞させた後、この搬送室11と反応室2との間の仕切りバルブ12を開放させる。
【0032】
この状態で、この仕切りバルブ12から搬送室11内の搬送ロボット13にてガラス基板Aを反応室2内へと搬入させるとともに、このガラス基板Aを反応室2内の基板ホルダ3の上面に設置させた後、この反応室2と搬送室11との間の仕切りバルブ12を閉塞する。
【0033】
そして、この反応室2内に、反応に用いるガスを導入させるとともに、この反応室2内の圧力を調圧バルブ6にて調節して一定の圧力に保たせる。
【0034】
この状態で、この反応室2のRF電極4にRF電力を供給して、この反応室2内にプラズマを発生させてこの反応室2内のガスを分解させ、この反応室2内の基板ホルダ3の上面に設置させたガラス基板Aの表面に対して成膜あるいはエッチングをする。
【0035】
この後、反応室2のRF電極4へのRF電力の供給と、この反応室2内へのガスの供給とのそれぞれを遮断して停止させた後、この反応室2の調圧バルブ6を開放させて、この反応室2内を真空にする。
【0036】
この状態で、この反応室2と搬送室11との間の仕切りバルブ12を開放させてから、この搬送室11内の搬送ロボット13にて反応室2の基板ホルダ3に設置されたガラス基板Aを搬送室11へと搬出させる。
【0037】
次いで、これら搬送室11と反応室2との間の仕切りバルブ12を閉塞させた後、この搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を開放させてから、搬送室11へと搬出されたガラス基板Aを搬送室11内の搬送ロボット13にてロードロック室21へと搬出させる。
【0038】
この状態で、ガラス基板Aの搬入時と同様に、搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を閉塞させた後、このロードロック室21内を真空排気させてから、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させて、プラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させ、このロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0039】
この後、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて大気開放させて、このロードロック室21内が大気圧になった後に、このロードロック室21の仕切りバルブ29を開放させる。
【0040】
この状態で、このロードロック室21の外側の搬送ロボット31にてロードロック室21内のガラス基板Aを、このロードロック室21の外部へと搬出させる。
【0041】
上述したように、上記一実施の形態によれば、液晶表示装置や有機EL表示装置などのフラットパネルディスプレイなどに用いられる無アルカリガラスにて成形されたガラス基板Aは、絶縁性を有するので帯電しやすい。また、このガラス基板Aは、搬送時の空気の摩擦などによって容易に帯電する。特に、このガラス基板Aが帯電した状態で他の物質に近づくと、このガラス基板A上に形成されている薄膜トランジスタなどが絶縁破壊してしまうおそれがある。
【0042】
一方、アモルファスシリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタに比べ、多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタは、電流駆動能力が高いため、画素表示部分のマトリックス回路のみならず、周辺駆動回路をもガラス基板A上に作り込むことができる。さらに、この多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は150nm程度であるのに対し、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は350nm程度であるので、薄膜トランジスタの耐圧は、多結晶シリコンを用いたものの方が低い。このため、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタに比べ、より低い帯電量で絶縁破壊が発生する。
【0043】
さらに、ガラス基板Aの絶縁破壊は、このガラス基板Aが帯電した他の物質に近づいたときに最も発生するおそれがあるから、このガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す際に、このガラス基板Aの絶縁破壊が発生してしまうおそれがある。したがって、真空装置1のロードロック室21から搬送室11へと搬送ロボット13にてガラス基板Aを搬送するときや、このガラス基板Aを搬送室11からロードロック室21へと搬送ロボット13にて搬送するときに、このガラス基板Aの絶縁破壊が最も生じるおそれがある。
【0044】
このため、ロードロック室21にプラズマ発生部25を設けて、このロードロック室21から搬送室11へとガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す直前である最も有効なときに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させて、このロードロック室21内のイオンや電子を拡散させるとともに、このプラズマにより発生した真空紫外光にてガラス基板Aの表面付近のガスを電離させて、このガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0045】
また同様に、ロードロック室21から外部へとガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す直前である最も有効なときに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させて、このロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0046】
この結果、この真空装置1のロードロック室21から搬送室11へと搬入される際のガラス基板Aの帯電や、このロードロック室21から外部へと搬出される際のガラス基板Aの帯電をそれぞれ効率良く取り除くことができるので、このガラス基板A上の薄膜トランジスタなどの絶縁破壊をより確実に防止できる。したがって、真空装置1の内部でのガラス基板A上の素子破壊などを防止できるから、このガラス基板Aの歩留まりを向上できるとともに、このガラス基板Aから製造されるフラットパネルディスプレイなどの歩留まりをも向上できる。
【0047】
さらに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させる際に用いるガスは、プラズマ発生部25にて発生されるプラズマに酸化力あるいは還元力があると、ロードロック室21の調圧バルブ24などの真空パーツに損傷を与えてしまう。このため、プラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させる以前に、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させることにより、プラズマ発生部25にて生成されるプラズマの酸化力あるいは還元力の発生を防止できるので、このプラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させた際における、このロードロック室21の調圧バルブ24などの真空パーツの損傷を防止できる。
【0048】
また、ロードロック室21の排気系として調圧バルブ24を取り付けたことにより、このロードロック室21内の圧力を調整できる。このため、このロードロック室21内にプラズマ発生部25にてプラズマを発生させる以前に、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させた際に、このロードロック室21内の圧力を所定の値に調整しつつ安定させることにより、このロードロック室21内へのプラズマ発生部25によるプラズマ放電を安定させることができる。
【0049】
なお、上記一実施の形態では、ロードロック室21にプラズマ発生部25を設けたが、ガラス基板Aを搬送室11からロードロック室21へと搬出させる際の搬送ロボット13による受け渡しの前に、このガラス基板Aの帯電を取り除く目的であれば、搬送室11にプラズマ発生部25を設けてもよい。そして、このプラズマ発生部25を搬送室11に設けた場合には、この搬送室11の調圧バルブ15にて搬送室11内の圧力を調整して安定させればよい。
【0050】
また、コイル27を用いた誘導結合型プラズマ発生方式のプラズマ発生部25としたが、このプラズマ発生部25のプラズマ発生方式はどのような方式でも効果を発揮できるので、どのような方式であってもよい。ただし、発生させるプラズマによる除電効果はプラズマ密度が高いほうが大きく、また低圧力で放電させた方が大きい。このため、容量結合型プラズマ発生方式よりは、誘導結合型プラズマ発生方式や、キャビティを用いたマイクロ波プラズマ発生方式の方が短時間で効果を発揮できる。
【0051】
さらに、無アルカリガラスにて成形されたガラス基板A以外の基板などの被処理体であっても、帯電するおそれがあれば、上記一実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。また、これら被処理体の処理前あるいは処理後に、これら被処理体を除電する必要のある装置であれば、上記一実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、前室から搬送室へと搬入されるときや、搬送室から前室へと搬送されるときに最も被処理体が絶縁破壊されるおそれがあるので、前室から搬送室へと被処理体が搬入される前や、この搬送室から前室へと被処理体が搬送される前に、これら前室および搬送室いずれかの室内にて被処理体の帯電を取り除くことにより、この被処理体の絶縁破壊をより確実に防止できるから、この被処理体の歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の処理装置の一実施の形態を示す説明図である。
【符号の説明】
1 処理装置としての真空装置
2 処理室としての反応室
11 搬送室
21 前室としてのロードロック室
24 圧力調整手段としての調圧バルブ
25 除電手段としてのプラズマ発生手段であるプラズマ発生部
A 被処理体としてのガラス基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、前室から搬送室へと搬入され反応室へと搬送された被処理体を処理する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置や有機EL(Electro Luminescence)表示装置などのフラットパネルディスプレイの製造工程においては、無アルカリガラスにて成形された被処理体としてのガラス基板の表面に減圧下で成膜処理やエッチング処理を行う処理装置としての真空装置が多用されている。
【0003】
そして、この種の真空装置は、減圧下で基板の表面にアルミニウム膜を成膜する基板処理室としての反応室を備えており、この反応室の一側部には、この反応室へと基板を減圧下にて搬送させる電離気体発生室としての搬送室が開閉部を介して取り付けられている。この搬送室には紫外線(UV)ランプが取り付けられており、この搬送室の室内には不活性ガスであるアルゴンガスが充填されている。
【0004】
そして、この搬送室の紫外線ランプの点灯により、この搬送室内のアルゴンガスが陽イオンと電子とに電離されて、これら陽イオンおよび電子にて反応室へと搬送された基板の帯電が開閉部を介して取り除かれる。さらに、反応室の反対側である搬送室の一側部には、この搬送室へと基板を搬入させるロード室としての前室が開閉部を介して取り付けられている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平9−324260号公報(第2−3頁および図5)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の真空装置においては、搬送室の紫外線ランプを点灯させることにより、この搬送室内のアルゴンガスを陽イオンと電子とに電離させて、これら陽イオンおよび電子にて反応室へと搬送された基板の帯電を取り除くにすぎない。
【0007】
このため、前室や搬送室の室内で発生した基板の帯電を取り除くことができないから、反応室で処理された基板を搬送室および前室を介して搬出させることにより、この基板の絶縁破壊が発生してしまうおそれがあるため、この基板の歩留まりの向上が容易ではないという問題を有している。
【0008】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板の絶縁破壊をより確実に防止でき、歩留まりが向上する処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理体を処理する処理室と、この処理室へと前記被処理体を搬送する搬送室と、この搬送室へと前記被処理体を搬入させる前室と、これら前室および搬送室いずれかの室内の前記被処理体の帯電を取り除く除電手段とを具備したものである。
【0010】
そして、前室から搬送室へと搬入されるときや、搬送室から前室へと搬送されるときに最も被処理体が絶縁破壊されるおそれがあるので、前室から搬送室へと被処理体が搬入される前や、この搬送室から前室へと被処理体が搬送される前に、これら前室および搬送室いずれかの室内にて被処理体の帯電を取り除くことにより、この被処理体の絶縁破壊をより確実に防止できるから、この被処理体の歩留まりを向上できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の処理装置の一実施の形態の構成を図1を参照して説明する。
【0012】
図1において、1は基板処理装置としての真空装置で、この真空装置1は、液晶表示装置や有機EL(Electro Luminescence)表示装置などのフラットパネルディスプレイなどに用いられる無アルカリガラスにて成形された被処理体としてのガラス基板Aを処理する。このガラス基板Aの表面には、多結晶シリコンが活性層に用いられた薄膜トランジスタがマトリクス状に形成された画素表示部分のマトリクス回路や、周辺駆動回路などが作り込まれている。
【0013】
また、真空装置1は、減圧下でガラス基板Aの一主面である表面に対して成膜処理およびエッチング処理などのいずれかをする成膜装置あるいはエッチング装置などである。そして、この真空装置1は、室内にてガラス基板Aの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする基板処理室としての反応室2を備えている。
【0014】
この反応室2の内部である室内の下側には、上面にガラス基板Aが設置されるステージとしてのサセプタである基板ホルダ3が取り付けられている。また、この反応室2の室内の上側には、基板ホルダ3の上面に下面を対向させてRF(Radio Frequency)電極4が取り付けられている。このRF電極4は、電磁波を発振させて、基板ホルダ3の上面に設置されたガラス基板Aの表面を成膜処理あるいはエッチング処理などさせる。
【0015】
さらに、この反応室2の下側には、この反応室2の内部を外部に連通させて開口させる開口部5が設けられている。この開口部5には、反応室2の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ6が取り付けられている。また、この反応室2の一側部には、この反応室2の室内へとガラス基板Aが搬送され、このガラス基板Aが反応室2の室内から搬出される搬送室11が仕切りバルブ12を介して取り付けられている。この仕切りバルブ12は、搬送室11と反応室2との間に設けられ、これら搬送室11および反応室2間を開閉可能に閉塞する。すなわち、この仕切りバルブ12は、この仕切りバルブ12にて搬送室11と反応室2とを仕切ることにより、これら搬送室11内の雰囲気と反応室2内の雰囲気とを遮断する。
【0016】
また、搬送室11の室内には、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N2)あるいはヘリウム(He)などの不活性ガスが導入されて充填されている。さらに、この搬送室11の内部である室内の下側中央部には、この搬送室11の室内へと搬入されたガラス基板Aを反応室2の基板ホルダ3の上面へと搬送して設置させる搬送ロボット13が取り付けられている。また、この搬送室11の下側には、この搬送室11の内部を外部に連通させて開口させる開口部14が設けられており、この開口部14には、搬送室11の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ15が取り付けられている。この調圧バルブ15は、搬送室11の室内の不活性ガスの充填による圧力を、反応室2の反対側に位置する搬送室11の一側部に設けられた前室としてのロードロック室21の室内の圧力と同じに調圧する。
【0017】
このロードロック室21は、搬送室11の室内へとガラス基板Aが搬入され、このガラス基板Aが搬送室11の室内から搬出される。さらに、このロードロック室21と搬送室11との間には、仕切りバルブ22が設けられ、この仕切りバルブ22は、ロードロック室21および搬送室11間を開閉可能に閉塞する。すなわち、この仕切りバルブ22は、この仕切りバルブ22にてロードロック室21と搬送室11とを仕切ることにより、これらロードロック室21内の雰囲気と搬送室11内の雰囲気とを遮断する。
【0018】
また、ロードロック室21は、外部から搬送室11内へとガラス基板Aを搬送する以前に、このガラス基板Aを一旦格納する。さらに、このロードロック室21は、このロードロック室21内にガラス基板Aが搬送された後に、このロードロック室21内を真空に排気させてから、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N2)あるいはヘリウム(He)などの不活性ガスが導入されて充填される。
【0019】
そして、ロードロック室21の下側には、このロードロック室21内を外部に連通させて開口させる開口部23が設けられており、この開口部23には、ロードロック室21の室内の圧力を調整する圧力調整手段としての調圧弁である調圧バルブ24が取り付けられている。この調圧バルブ24は、ロードロック室21内に不活性ガスが充填された際に、このロードロック室21の室内の圧力を所定値に調整する。
【0020】
さらに、このロードロック室21の上側には、このロードロック室21内に誘電結合型のプラズマを発生させて、このロードロック室21内に搬入されたガラス基板Aの帯電を取り除いて電気的に中和させる除電手段としてのプラズマ発生手段であるプラズマ発生部25が取り付けられている。このプラズマ発生部25は、ロードロック室21へと搬入されたガラス基板Aを搬送ロボット13にて搬送室11へと搬送させる前に、このロードロック室21の室内へと搬入されたガラス基板Aに対してプラズマを発生させて、このガラス基板Aを除電させる。
【0021】
また、このプラズマ発生部25は、ロードロック室21の上側面の中央部に設けた壁部26の外周部に、導電体であるコイル27を巻回させて構成されている。このコイル27には、交流電源28が接続されている。そして、このプラズマ発生部25は、コイル27に交流電源28からRF電力を供給することにより、このコイル27からプラズマを放電させて、このプラズマをロードロック室21の室内に発生させて生成させ、このプラズマにより生成されたイオンや電子を拡散させたり、このプラズマにより発生した光である真空紫外線によってロードロック室21内のガラス基板Aを電離させたりして、このガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0022】
さらに、搬送室11の反対側に位置するロードロック室21の一側部には、このロードロック室21の一側部を開閉可能に閉塞させる仕切りバルブ29が取り付けられている。この仕切りバルブ29は、この仕切りバルブ29にてロードロック室21の一側部を外部に対して仕切ることにより、このロードロック室21内の雰囲気を外部から遮断する。また、ロードロック室21に対向した仕切りバルブ29の外側には、このロードロック室21内へとガラス基板Aを搬入させる搬送ロボット31が取り付けられている。
【0023】
次に、上記一実施の形態の作用を説明する。
【0024】
まず、反応室2および搬送室11のそれぞれを、これら反応室2および搬送室11それぞれの調圧バルブ6,15にて予め真空排気させる。
【0025】
この後、ロードロック室21の仕切りバルブ29を開放させ、この仕切りバルブ29からガラス基板Aを搬送ロボット31にてロードロック室21内へと搬入させる。
【0026】
この状態で、このロードロック室21の仕切りバルブ29を閉塞させた後、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて真空排気させる。
【0027】
そして、このロードロック室21内が真空排気された後、このロードロック室21内に不活性ガスを導入させて充填させるとともに、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて所定の圧力に調圧させる。
【0028】
同時に、搬送室11内に不活性ガスを導入させて充填させるとともに、この搬送室11内を調圧バルブ24にてロードロック室21内と同じ圧力に調圧させる。
【0029】
この後、交流電源28からプラズマ発生部25のコイル27へとRF電力を供給させて、このプラズマ発生部25内でプラズマを放電させてロードロック室21内にプラズマを発生させ、このロードロック室21内に搬送されたガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0030】
この状態で、ロードロック室21と搬送室11との間の仕切りバルブ22を開放させて、この仕切りバルブ22からガラス基板Aを搬送ロボット13にて搬送室11内へと搬入させる。
【0031】
この後、この搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を閉塞させた後、この搬送室11と反応室2との間の仕切りバルブ12を開放させる。
【0032】
この状態で、この仕切りバルブ12から搬送室11内の搬送ロボット13にてガラス基板Aを反応室2内へと搬入させるとともに、このガラス基板Aを反応室2内の基板ホルダ3の上面に設置させた後、この反応室2と搬送室11との間の仕切りバルブ12を閉塞する。
【0033】
そして、この反応室2内に、反応に用いるガスを導入させるとともに、この反応室2内の圧力を調圧バルブ6にて調節して一定の圧力に保たせる。
【0034】
この状態で、この反応室2のRF電極4にRF電力を供給して、この反応室2内にプラズマを発生させてこの反応室2内のガスを分解させ、この反応室2内の基板ホルダ3の上面に設置させたガラス基板Aの表面に対して成膜あるいはエッチングをする。
【0035】
この後、反応室2のRF電極4へのRF電力の供給と、この反応室2内へのガスの供給とのそれぞれを遮断して停止させた後、この反応室2の調圧バルブ6を開放させて、この反応室2内を真空にする。
【0036】
この状態で、この反応室2と搬送室11との間の仕切りバルブ12を開放させてから、この搬送室11内の搬送ロボット13にて反応室2の基板ホルダ3に設置されたガラス基板Aを搬送室11へと搬出させる。
【0037】
次いで、これら搬送室11と反応室2との間の仕切りバルブ12を閉塞させた後、この搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を開放させてから、搬送室11へと搬出されたガラス基板Aを搬送室11内の搬送ロボット13にてロードロック室21へと搬出させる。
【0038】
この状態で、ガラス基板Aの搬入時と同様に、搬送室11とロードロック室21との間の仕切りバルブ22を閉塞させた後、このロードロック室21内を真空排気させてから、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させて、プラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させ、このロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0039】
この後、このロードロック室21内を調圧バルブ24にて大気開放させて、このロードロック室21内が大気圧になった後に、このロードロック室21の仕切りバルブ29を開放させる。
【0040】
この状態で、このロードロック室21の外側の搬送ロボット31にてロードロック室21内のガラス基板Aを、このロードロック室21の外部へと搬出させる。
【0041】
上述したように、上記一実施の形態によれば、液晶表示装置や有機EL表示装置などのフラットパネルディスプレイなどに用いられる無アルカリガラスにて成形されたガラス基板Aは、絶縁性を有するので帯電しやすい。また、このガラス基板Aは、搬送時の空気の摩擦などによって容易に帯電する。特に、このガラス基板Aが帯電した状態で他の物質に近づくと、このガラス基板A上に形成されている薄膜トランジスタなどが絶縁破壊してしまうおそれがある。
【0042】
一方、アモルファスシリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタに比べ、多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタは、電流駆動能力が高いため、画素表示部分のマトリックス回路のみならず、周辺駆動回路をもガラス基板A上に作り込むことができる。さらに、この多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は150nm程度であるのに対し、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は350nm程度であるので、薄膜トランジスタの耐圧は、多結晶シリコンを用いたものの方が低い。このため、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタに比べ、より低い帯電量で絶縁破壊が発生する。
【0043】
さらに、ガラス基板Aの絶縁破壊は、このガラス基板Aが帯電した他の物質に近づいたときに最も発生するおそれがあるから、このガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す際に、このガラス基板Aの絶縁破壊が発生してしまうおそれがある。したがって、真空装置1のロードロック室21から搬送室11へと搬送ロボット13にてガラス基板Aを搬送するときや、このガラス基板Aを搬送室11からロードロック室21へと搬送ロボット13にて搬送するときに、このガラス基板Aの絶縁破壊が最も生じるおそれがある。
【0044】
このため、ロードロック室21にプラズマ発生部25を設けて、このロードロック室21から搬送室11へとガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す直前である最も有効なときに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させて、このロードロック室21内のイオンや電子を拡散させるとともに、このプラズマにより発生した真空紫外光にてガラス基板Aの表面付近のガスを電離させて、このガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0045】
また同様に、ロードロック室21から外部へとガラス基板Aを搬送ロボット13にて受け渡す直前である最も有効なときに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させて、このロードロック室21内のガラス基板Aの帯電を取り除いて、このガラス基板Aを電気的に中和させる。
【0046】
この結果、この真空装置1のロードロック室21から搬送室11へと搬入される際のガラス基板Aの帯電や、このロードロック室21から外部へと搬出される際のガラス基板Aの帯電をそれぞれ効率良く取り除くことができるので、このガラス基板A上の薄膜トランジスタなどの絶縁破壊をより確実に防止できる。したがって、真空装置1の内部でのガラス基板A上の素子破壊などを防止できるから、このガラス基板Aの歩留まりを向上できるとともに、このガラス基板Aから製造されるフラットパネルディスプレイなどの歩留まりをも向上できる。
【0047】
さらに、プラズマ発生部25からロードロック室21内にプラズマを発生させる際に用いるガスは、プラズマ発生部25にて発生されるプラズマに酸化力あるいは還元力があると、ロードロック室21の調圧バルブ24などの真空パーツに損傷を与えてしまう。このため、プラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させる以前に、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させることにより、プラズマ発生部25にて生成されるプラズマの酸化力あるいは還元力の発生を防止できるので、このプラズマ発生部25にてロードロック室21内にプラズマを発生させた際における、このロードロック室21の調圧バルブ24などの真空パーツの損傷を防止できる。
【0048】
また、ロードロック室21の排気系として調圧バルブ24を取り付けたことにより、このロードロック室21内の圧力を調整できる。このため、このロードロック室21内にプラズマ発生部25にてプラズマを発生させる以前に、このロードロック室21内に不活性ガスを充填させた際に、このロードロック室21内の圧力を所定の値に調整しつつ安定させることにより、このロードロック室21内へのプラズマ発生部25によるプラズマ放電を安定させることができる。
【0049】
なお、上記一実施の形態では、ロードロック室21にプラズマ発生部25を設けたが、ガラス基板Aを搬送室11からロードロック室21へと搬出させる際の搬送ロボット13による受け渡しの前に、このガラス基板Aの帯電を取り除く目的であれば、搬送室11にプラズマ発生部25を設けてもよい。そして、このプラズマ発生部25を搬送室11に設けた場合には、この搬送室11の調圧バルブ15にて搬送室11内の圧力を調整して安定させればよい。
【0050】
また、コイル27を用いた誘導結合型プラズマ発生方式のプラズマ発生部25としたが、このプラズマ発生部25のプラズマ発生方式はどのような方式でも効果を発揮できるので、どのような方式であってもよい。ただし、発生させるプラズマによる除電効果はプラズマ密度が高いほうが大きく、また低圧力で放電させた方が大きい。このため、容量結合型プラズマ発生方式よりは、誘導結合型プラズマ発生方式や、キャビティを用いたマイクロ波プラズマ発生方式の方が短時間で効果を発揮できる。
【0051】
さらに、無アルカリガラスにて成形されたガラス基板A以外の基板などの被処理体であっても、帯電するおそれがあれば、上記一実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。また、これら被処理体の処理前あるいは処理後に、これら被処理体を除電する必要のある装置であれば、上記一実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、前室から搬送室へと搬入されるときや、搬送室から前室へと搬送されるときに最も被処理体が絶縁破壊されるおそれがあるので、前室から搬送室へと被処理体が搬入される前や、この搬送室から前室へと被処理体が搬送される前に、これら前室および搬送室いずれかの室内にて被処理体の帯電を取り除くことにより、この被処理体の絶縁破壊をより確実に防止できるから、この被処理体の歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の処理装置の一実施の形態を示す説明図である。
【符号の説明】
1 処理装置としての真空装置
2 処理室としての反応室
11 搬送室
21 前室としてのロードロック室
24 圧力調整手段としての調圧バルブ
25 除電手段としてのプラズマ発生手段であるプラズマ発生部
A 被処理体としてのガラス基板
Claims (4)
- 被処理体を処理する処理室と、
この処理室へと前記被処理体を搬送する搬送室と、
この搬送室へと前記被処理体を搬入させる前室と、
これら前室および搬送室いずれかの室内の前記被処理体の帯電を取り除く除電手段とを具備したことを特徴とした処理装置。 - 除電される前室および搬送室のいずれかの室内の圧力を調整する圧力調整手段を具備したことを特徴とした請求項1記載の処理装置。
- 除電される前室および搬送室のいずれかには、不活性ガスが充填されていることを特徴とした請求項1または2記載の処理装置。
- 除電手段は、プラズマを発生させて、除電される搬送室および前室のいずれかの室内の前記被処理体を電気的に中和させるプラズマ発生手段であることを特徴とした請求項1ないし3いずれか記載の処理装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311745A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | クラスタ処理装置 |
US20120211029A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Pandit Viraj S | Load lock assembly and method for particle reduction |
US9644270B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor depositing apparatus and method of manufacturing oxide semiconductor using the same |
JP2018186179A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板取り外し方法 |
CN109819570A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 日新离子机器株式会社 | 平面面板显示器制造装置 |
US10453694B2 (en) * | 2011-03-01 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
US10468282B2 (en) | 2011-03-01 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement |
US10566205B2 (en) | 2012-02-29 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
US11171008B2 (en) * | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
JP7378700B2 (ja) | 2019-09-20 | 2023-11-14 | 日新イオン機器株式会社 | 基板処理装置 |
-
2003
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4637081B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-02-23 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | クラスタ処理装置 |
US8322299B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cluster processing apparatus for metallization processing in semiconductor manufacturing |
JP2007311745A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | クラスタ処理装置 |
US20120211029A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Pandit Viraj S | Load lock assembly and method for particle reduction |
US11574831B2 (en) | 2011-03-01 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement |
US11177136B2 (en) * | 2011-03-01 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
US11171008B2 (en) * | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
US10453694B2 (en) * | 2011-03-01 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
US10468282B2 (en) | 2011-03-01 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement |
US10566205B2 (en) | 2012-02-29 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
US10943788B2 (en) | 2012-02-29 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
US9644270B2 (en) | 2014-03-21 | 2017-05-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Oxide semiconductor depositing apparatus and method of manufacturing oxide semiconductor using the same |
JP2018186179A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板取り外し方法 |
JP2019096459A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 日新イオン機器株式会社 | フラットパネルディスプレイ製造装置 |
KR20190059179A (ko) | 2017-11-22 | 2019-05-30 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 플랫 패널 디스플레이 제조 장치 |
CN109819570A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 日新离子机器株式会社 | 平面面板显示器制造装置 |
JP7209318B2 (ja) | 2017-11-22 | 2023-01-20 | 日新イオン機器株式会社 | フラットパネルディスプレイ製造装置 |
JP7378700B2 (ja) | 2019-09-20 | 2023-11-14 | 日新イオン機器株式会社 | 基板処理装置 |
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