JP3169993B2 - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
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- adsorbed
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等に応用さ
れる静電吸着装置に係る。より詳細には被吸着物と電極
の間に介在する絶縁体内の残留電荷をすみやかに消去さ
せる手段を具備することにより、迅速、確実かつ安全に
被吸着物を電極から離脱させることが可能な静電吸着装
置に関する。
れる静電吸着装置に係る。より詳細には被吸着物と電極
の間に介在する絶縁体内の残留電荷をすみやかに消去さ
せる手段を具備することにより、迅速、確実かつ安全に
被吸着物を電極から離脱させることが可能な静電吸着装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静電吸着装置における被吸着物の
離脱技術の主なものとしては機械的手段によって強制的
に被吸着物を剥離せしめるものと電気的手段によって残
留電荷を消去するものとに区別される。
離脱技術の主なものとしては機械的手段によって強制的
に被吸着物を剥離せしめるものと電気的手段によって残
留電荷を消去するものとに区別される。
【０００３】それらの手段のうち代表例を以下に示す。 （１）機械的手段による離脱機構： （１ー１）吸着電極面から突出可能なピンもしくはピス
トン等の機械的離脱力付与手段によって強制的に剥離さ
せるもの。
トン等の機械的離脱力付与手段によって強制的に剥離さ
せるもの。
【０００４】（１ー２）圧電素子もしくは超音波振動子
を吸着電極面内に埋め込み、これらの素子の作動をもっ
て離脱力付与手段とするもの。
を吸着電極面内に埋め込み、これらの素子の作動をもっ
て離脱力付与手段とするもの。
【０００５】（１ー３）高圧力のガスを吸着電極及び被
吸着物の隙間に充填させ、ガス圧の膨張力をもって離脱
力付与手段とするもの。 （２）電気的手段による離脱機構： （２ー１）吸着電極と被吸着物に印加する電圧の極性を
反転することにより、両者に介在する絶縁物の残留電荷
を消去させて吸着力の消滅をはかるもの。
吸着物の隙間に充填させ、ガス圧の膨張力をもって離脱
力付与手段とするもの。 （２）電気的手段による離脱機構： （２ー１）吸着電極と被吸着物に印加する電圧の極性を
反転することにより、両者に介在する絶縁物の残留電荷
を消去させて吸着力の消滅をはかるもの。
【０００６】（２ー２）吸着電極と被吸着物の電位を接
地電位にし、吸着力の消滅をはかるもの。
地電位にし、吸着力の消滅をはかるもの。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の各種従
来技術にはいずれも原理的もしくは実用上次のような問
題があった。 （１）機械的手段による強制剥離における問題点： （１ー１）突出可能なピンもしくはピストン等の機械的
機構はそれらの制御部を伴って静電吸着装置の構造を複
雑化するのみならず、機械的可動部及び摺動部はパーテ
ィクル（微少な発塵粒子）の発生源となり、潤滑剤の使
用とともに真空中で静電吸着装置を応用する場合、例え
ばシリコンウエハー等の被吸着物に対し著しい汚染をも
たらし、このため高性能半導体製造装置に適用すること
は不適当であった。
来技術にはいずれも原理的もしくは実用上次のような問
題があった。 （１）機械的手段による強制剥離における問題点： （１ー１）突出可能なピンもしくはピストン等の機械的
機構はそれらの制御部を伴って静電吸着装置の構造を複
雑化するのみならず、機械的可動部及び摺動部はパーテ
ィクル（微少な発塵粒子）の発生源となり、潤滑剤の使
用とともに真空中で静電吸着装置を応用する場合、例え
ばシリコンウエハー等の被吸着物に対し著しい汚染をも
たらし、このため高性能半導体製造装置に適用すること
は不適当であった。
【０００８】（１ー２）圧電素子や超音波振動子を吸着
電極に内蔵させた場合、電極の実効吸着面積が減少し、
かつ埋め込まれた圧電素子や超音波振動子と電極の吸着
面を同一平面に形成し、維持することが困難であるばか
りでなく両者の熱膨張率の不均衡により昇温、冷却時の
吸着・保持の能力が阻害されることにより、装置の信頼
性を低下させる原因となった。
電極に内蔵させた場合、電極の実効吸着面積が減少し、
かつ埋め込まれた圧電素子や超音波振動子と電極の吸着
面を同一平面に形成し、維持することが困難であるばか
りでなく両者の熱膨張率の不均衡により昇温、冷却時の
吸着・保持の能力が阻害されることにより、装置の信頼
性を低下させる原因となった。
【０００９】（１ー３）ガス圧の膨張力により残留電荷
の吸着力に抗して被吸着物を離脱させる場合、被吸着物
がすでにシリコンウエハのような計量の物体においては
離脱の瞬間、ガスの瞬時膨張によってウエハが吹き上げ
られ、著しくはウエハの破損に至る難点があった。他
方、かかる現象を回避するためガス圧を低く抑えた場合
は、離脱までに要する長時間が実用上の障害になった。 （２）電気的手段による残留電荷消去の問題点： （２ー１）印加電圧の極性反転により絶縁中の残留電荷
を消去しようとする場合、ただ１回の極性反転によって
残留電荷を過不足なしの完全消去に成功することは困難
である。これを克服するため印加電圧の極性を繰り返し
反転させつつ、徐々にその値を小さくしてゆき、最終的
にゼロにするというプロセスが不可避であった。したが
ってこの極性反転法のみによるならば、剥離を瞬時に実
行することができず、数秒間の程度の時間を不可避的に
必要とした。
の吸着力に抗して被吸着物を離脱させる場合、被吸着物
がすでにシリコンウエハのような計量の物体においては
離脱の瞬間、ガスの瞬時膨張によってウエハが吹き上げ
られ、著しくはウエハの破損に至る難点があった。他
方、かかる現象を回避するためガス圧を低く抑えた場合
は、離脱までに要する長時間が実用上の障害になった。 （２）電気的手段による残留電荷消去の問題点： （２ー１）印加電圧の極性反転により絶縁中の残留電荷
を消去しようとする場合、ただ１回の極性反転によって
残留電荷を過不足なしの完全消去に成功することは困難
である。これを克服するため印加電圧の極性を繰り返し
反転させつつ、徐々にその値を小さくしてゆき、最終的
にゼロにするというプロセスが不可避であった。したが
ってこの極性反転法のみによるならば、剥離を瞬時に実
行することができず、数秒間の程度の時間を不可避的に
必要とした。
【００１０】（２ー２）静電吸着にかかる総ての部分の
電位を接地電位にすることは自然現象の理にかなう自明
の手段であるが、この手段においては接地の瞬間から所
定の時定数をもって流れる放電電流及びこれに続いて時
間と共に減少しながら相当永続する、いわゆる吸収電流
が存する。このため装置が接地電位に到達し、完全にク
ーロン力が消滅するまで３〜５秒間待たねばならなかっ
た。
電位を接地電位にすることは自然現象の理にかなう自明
の手段であるが、この手段においては接地の瞬間から所
定の時定数をもって流れる放電電流及びこれに続いて時
間と共に減少しながら相当永続する、いわゆる吸収電流
が存する。このため装置が接地電位に到達し、完全にク
ーロン力が消滅するまで３〜５秒間待たねばならなかっ
た。
【００１１】機械的手段及び電気的手段はいずれもそれ
ぞれが以上のような問題を有していたため、これら両者
を組み合わせ、相互に補完した手段も提案されていた
が、それらは総て静電吸着装置を一段と複雑化、大型化
させ、ひいては製作コストの高騰を招く結果となった。
ぞれが以上のような問題を有していたため、これら両者
を組み合わせ、相互に補完した手段も提案されていた
が、それらは総て静電吸着装置を一段と複雑化、大型化
させ、ひいては製作コストの高騰を招く結果となった。
【００１２】本発明は上記従来技術の問題点と限界を解
決して、確実かつ安全な吸着・離脱を可能ならしめ、動
作が迅速であり、かつ簡単な構造によって高性能半導体
製造装置にも適用可能な静電吸着装置を提供することを
目的とする。
決して、確実かつ安全な吸着・離脱を可能ならしめ、動
作が迅速であり、かつ簡単な構造によって高性能半導体
製造装置にも適用可能な静電吸着装置を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の静電吸着装置
は、吸着電極及び被吸着物の雰囲気に導入されるガスに
紫外線を照射する照射部とを具備したことを特徴とす
る。
は、吸着電極及び被吸着物の雰囲気に導入されるガスに
紫外線を照射する照射部とを具備したことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】本発明では、紫外線を照射したガスを吸着電極
及び被吸着物の雰囲気に噴射する。紫外線を照射された
ガス分子は紫外線の光量子からエネルギーを得て励起状
態へ遷移し、正イオンと電子に電離する。この結果電離
状態のガスと電子流を吸着電極及び絶縁物に照射すると
離脱を阻害している残留電荷が電離ガスの電荷によって
中和され、被吸着物を離脱することができる。ここで噴
射ガスは残留電荷を中和する量であることが必要かつ充
分であって、特に噴射圧力を大きくする必要は全くな
い。
及び被吸着物の雰囲気に噴射する。紫外線を照射された
ガス分子は紫外線の光量子からエネルギーを得て励起状
態へ遷移し、正イオンと電子に電離する。この結果電離
状態のガスと電子流を吸着電極及び絶縁物に照射すると
離脱を阻害している残留電荷が電離ガスの電荷によって
中和され、被吸着物を離脱することができる。ここで噴
射ガスは残留電荷を中和する量であることが必要かつ充
分であって、特に噴射圧力を大きくする必要は全くな
い。
【００１５】しかし、電離ガスによる残留電荷の消去が
進行するにつれて、吸着力が微弱になってゆき、ついに
噴射ガス流が被吸着物に及ぼす力の方が相対的に大とな
った時点で残留電荷が完全には中和されない段階でも電
極からの円滑な剥離を自然な形態で促す効果を結果とし
て生ずる。
進行するにつれて、吸着力が微弱になってゆき、ついに
噴射ガス流が被吸着物に及ぼす力の方が相対的に大とな
った時点で残留電荷が完全には中和されない段階でも電
極からの円滑な剥離を自然な形態で促す効果を結果とし
て生ずる。
【００１６】本発明で、ガスの導入管の少なくとも内表
面を絶縁物で形成することは、紫外線照射によって電離
したガス分子がガス導入管を通過する際管壁を通して電
荷が失われることを阻止する上で有効な手段である。
面を絶縁物で形成することは、紫外線照射によって電離
したガス分子がガス導入管を通過する際管壁を通して電
荷が失われることを阻止する上で有効な手段である。
【００１７】静電吸着装置の用途は、搬送装置類全般、
印刷機械、ロボット等広汎にわたっているが、本発明で
は例えば高性能半導体装置、例えばＲＩＥ（Reactive I
on Etching）、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition), P
lasma Sputter/Asher, Photolithography, Epitaxial G
rowth 等の製造プロセスに適用することが便宜であっ
て、これらの場合静電吸着の利点が特に強く発揮でき
る。前記プロセスにおける雰囲気清浄度の要請を満たす
ガスであって紫外線照射によって効率よく電離されるも
のとして窒素ガスもしくはアルゴンガスもしくはこれら
両者の混合ガスを採用することが効果的である。
印刷機械、ロボット等広汎にわたっているが、本発明で
は例えば高性能半導体装置、例えばＲＩＥ（Reactive I
on Etching）、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition), P
lasma Sputter/Asher, Photolithography, Epitaxial G
rowth 等の製造プロセスに適用することが便宜であっ
て、これらの場合静電吸着の利点が特に強く発揮でき
る。前記プロセスにおける雰囲気清浄度の要請を満たす
ガスであって紫外線照射によって効率よく電離されるも
のとして窒素ガスもしくはアルゴンガスもしくはこれら
両者の混合ガスを採用することが効果的である。
【００１８】一方、前記窒素ガス、アルゴンガスもしく
は窒素・アルゴン混合ガスの中に酸素ガス及び水蒸気が
混在している場合、紫外線照射によって酸素ガスはオゾ
ンに変換される。このオゾンは前記半導体製造プロセス
に適用する場合には水蒸気の存在下で半導体基板上に自
然酸化膜を生成させるという好ましくない作用を有す
る。この際、紫外線照射による酸素からオゾンへの変換
効率は窒素ガス及びアルゴンガスの励起遷移確率より大
きいことを考慮し、前記半導体プロセスにおける自然酸
化膜生成に重大な影響を与え始める限界レベルとして酸
素及び水蒸気の混入濃度をそれぞれ１０ｐｐｍ及び１ｐ
ｐｍ以下とすることが好ましい。
は窒素・アルゴン混合ガスの中に酸素ガス及び水蒸気が
混在している場合、紫外線照射によって酸素ガスはオゾ
ンに変換される。このオゾンは前記半導体製造プロセス
に適用する場合には水蒸気の存在下で半導体基板上に自
然酸化膜を生成させるという好ましくない作用を有す
る。この際、紫外線照射による酸素からオゾンへの変換
効率は窒素ガス及びアルゴンガスの励起遷移確率より大
きいことを考慮し、前記半導体プロセスにおける自然酸
化膜生成に重大な影響を与え始める限界レベルとして酸
素及び水蒸気の混入濃度をそれぞれ１０ｐｐｍ及び１ｐ
ｐｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
【実施例】（第１実施例）以下本発明の第１実施例を図
１〜図３を参照して説明する。
１〜図３を参照して説明する。
【００２０】図２は第１実施例を示す平面図、図２は図
１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、簡単のた
め、平面図において半導体基板８を省略して描いてあ
る。
１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、簡単のた
め、平面図において半導体基板８を省略して描いてあ
る。
【００２１】本例では、吸着電極１はモリブデン円板
で、シリコン基板８を吸着する面上には噴射ガスの接触
を容易にする目的で複数個の細溝３を直径方向に放射状
に設ける。このモリブデン円板１に貫通孔を通って、シ
リコン基板８に電圧を印加するため、該モリブデン円板
と電気的に絶縁された接触端子４を設ける。該接触端子
４はモリブデン電極端子５とスイッチ９を介して静電吸
着電源１０に接続する。上記モリブデン円板１がシリコ
ン基板８を吸着する面は、細溝３の表面を含めた全面を
酸化アルミナを主成分とする絶縁層２で被覆する。
で、シリコン基板８を吸着する面上には噴射ガスの接触
を容易にする目的で複数個の細溝３を直径方向に放射状
に設ける。このモリブデン円板１に貫通孔を通って、シ
リコン基板８に電圧を印加するため、該モリブデン円板
と電気的に絶縁された接触端子４を設ける。該接触端子
４はモリブデン電極端子５とスイッチ９を介して静電吸
着電源１０に接続する。上記モリブデン円板１がシリコ
ン基板８を吸着する面は、細溝３の表面を含めた全面を
酸化アルミナを主成分とする絶縁層２で被覆する。
【００２２】他方、上記モリブデン電極を囲んで円環状
のガス導入管６を吸着面より下方に、かつ吸着電極と同
心の位置に設ける。ガス導入管６の内側にガス噴出口７
を、細溝３の直径方向の延長線上であって、噴射ガスが
細溝３に沿って中心方向に最大噴出量が得られる角度に
設ける。
のガス導入管６を吸着面より下方に、かつ吸着電極と同
心の位置に設ける。ガス導入管６の内側にガス噴出口７
を、細溝３の直径方向の延長線上であって、噴射ガスが
細溝３に沿って中心方向に最大噴出量が得られる角度に
設ける。
【００２３】ガス導入管５は、好ましくは石英ガラスを
用いて製作するが、ステンレス等の金属管を用いる場合
は酸化不動態処理等の手段によって内壁面に絶縁被覆を
施す。ガス導入管６に注入するガス系の全体概念図を図
３に示す。ガスタンク１１から供給されたガスはガス流
制御部１２を経て純化装置１３において混入酸素濃度及
び水蒸気濃度をそれぞれ１０ｐｐｍ以下および１ｐｐｍ
以下に純化される。次いで、紫外線照射部１４に至り電
離ガスとなって静電吸着装置１５を内臓する半導体製造
装置へ送られる。なお、紫外線照射部１４から静電吸着
装置１５までの配管長は可能な限り短くし、電離ガスの
再結合による電荷の損失を極小にすることが望ましい。
用いて製作するが、ステンレス等の金属管を用いる場合
は酸化不動態処理等の手段によって内壁面に絶縁被覆を
施す。ガス導入管６に注入するガス系の全体概念図を図
３に示す。ガスタンク１１から供給されたガスはガス流
制御部１２を経て純化装置１３において混入酸素濃度及
び水蒸気濃度をそれぞれ１０ｐｐｍ以下および１ｐｐｍ
以下に純化される。次いで、紫外線照射部１４に至り電
離ガスとなって静電吸着装置１５を内臓する半導体製造
装置へ送られる。なお、紫外線照射部１４から静電吸着
装置１５までの配管長は可能な限り短くし、電離ガスの
再結合による電荷の損失を極小にすることが望ましい。
【００２４】（第２実施例）以下本発明の第２実施例を
図４、図５及び図６を参照して説明する。
図４、図５及び図６を参照して説明する。
【００２５】図４は第２実施例を示す平面図、図５及び
図６はそれぞれ図４のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線に沿っ
た断面図である。なお、簡単のため平面図において半導
体基板８を省略して描いてある。
図６はそれぞれ図４のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線に沿っ
た断面図である。なお、簡単のため平面図において半導
体基板８を省略して描いてある。
【００２６】この実施例においてはモリブデン円板１の
中心部に該モリブデン円板１を貫通してガス噴射口７’
を設け、ここから噴射された電離ガスはモリブデン円板
１上に放射状に設けた細溝３に沿ってアルミナ表面２へ
導入される。また、シリコン基板８に電圧を印加するた
めの接触端子４は近傍の細溝３から離れた位置を適当に
選んで設ける。
中心部に該モリブデン円板１を貫通してガス噴射口７’
を設け、ここから噴射された電離ガスはモリブデン円板
１上に放射状に設けた細溝３に沿ってアルミナ表面２へ
導入される。また、シリコン基板８に電圧を印加するた
めの接触端子４は近傍の細溝３から離れた位置を適当に
選んで設ける。
【００２７】ガス導入管６に注入するガス系は図３と共
通である。
通である。
【００２８】なお、各実施例を示す図１、図２、図４、
図５及び図６において、対応する箇所はそれぞれ同一の
数字で示したので再度の説明は省略する。また、細溝３
の形状、本数、電圧印加端子４の位置、個数はこれら実
施例の図示したものに限定されるものではない。なお、
各実施例は、半導体基板８の直径が静電吸着電極１のそ
れより大で使用することが多い場合及び直径の大小関係
がその反対の場合にそれぞれより適している。ただし、
この使い分けは何ら絶対的なものではない。
図５及び図６において、対応する箇所はそれぞれ同一の
数字で示したので再度の説明は省略する。また、細溝３
の形状、本数、電圧印加端子４の位置、個数はこれら実
施例の図示したものに限定されるものではない。なお、
各実施例は、半導体基板８の直径が静電吸着電極１のそ
れより大で使用することが多い場合及び直径の大小関係
がその反対の場合にそれぞれより適している。ただし、
この使い分けは何ら絶対的なものではない。
【００２９】各実施例においてそれぞれ直径８インチ及
び２インチのシリコンウエハを吸着後、スイッチ９を開
いてガス噴射後、いずれの場合も１秒以内に確実にしか
もウエハの位置を乱すことなく離脱させることが確かめ
られた。
び２インチのシリコンウエハを吸着後、スイッチ９を開
いてガス噴射後、いずれの場合も１秒以内に確実にしか
もウエハの位置を乱すことなく離脱させることが確かめ
られた。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、静電吸着装置を確実か
つ安全な吸着・離脱をならしめ、動作が迅速であり、か
つ簡単な構造によって、搬送装置類全般、印刷機械、ロ
ボット等広汎にわたっているが、本発明では特に高性能
半導体装置等の製造プロセスに適用可能な静電吸着装置
を提供することが可能となる。
つ安全な吸着・離脱をならしめ、動作が迅速であり、か
つ簡単な構造によって、搬送装置類全般、印刷機械、ロ
ボット等広汎にわたっているが、本発明では特に高性能
半導体装置等の製造プロセスに適用可能な静電吸着装置
を提供することが可能となる。
【図１】 第１実施例に係る静電吸着装置の平面図であ
る。
る。
【図２】 図１のＡ−Ａ’の断面図である。
【図３】 本発明に係る静電吸着装置に電離ガスを供給
するための系全体の概念図である。
するための系全体の概念図である。
【図４】 第２実施例に係る静電吸着装置の平面図であ
る。
る。
【図５】 図４のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図６】 図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
１ 静電吸着電極、 ６ ガス導入管、 ８ 半導体基板、 １４ 紫外線照射部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 仁三 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉（無番 地）東北大学工学部電子工学科内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】 電極上に絶縁物を介して被吸着物を置
き、前記電極と被吸着物との間に電圧を印加して静電吸
着を行う静電吸着装置において、前記電極及び被吸着物
の配設空間の雰囲気に導入されるガスに紫外線を照射す
るための照射部を具備したことを特徴をする静電吸着装
置。 - 【請求項２】 前記ガスが窒素ガスもしくはアルゴンガ
ス又は窒素ガスとアルゴンガスの混合気体のいずれかで
あることを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23093991A JP3169993B2 (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 静電吸着装置 |
| PCT/JP1992/001048 WO1993004210A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| EP92917995A EP0661385A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| US08/680,519 US6146135A (en) | 1991-08-19 | 1996-07-09 | Oxide film forming method |
| US10/120,628 US6949478B2 (en) | 1991-08-19 | 2002-04-11 | Oxide film forming method |
| US11/129,710 US20050206018A1 (en) | 1991-08-19 | 2005-05-13 | Oxide film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23093991A JP3169993B2 (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 静電吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547910A JPH0547910A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3169993B2 true JP3169993B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=16915675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23093991A Expired - Lifetime JP3169993B2 (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3169993B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014232772A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | リンテック株式会社 | 静電保持装置および静電保持装置からの保持対象物の離脱方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5681424A (en) * | 1993-05-20 | 1997-10-28 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method |
| JPH06338463A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
| DE4423346A1 (de) * | 1994-07-04 | 1996-01-11 | Basf Ag | Kupferoxid/Zirkonoxid-Katalysator |
| US6567257B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck |
| JP6132497B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
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- 1991-08-19 JP JP23093991A patent/JP3169993B2/ja not_active Expired - Lifetime
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