JP2021000712A - 保持装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被加工物を保持テーブルから容易に取り外すことが可能な保持装置を提供する。【解決手段】被加工物を保持する保持面を備え、保持面に被加工物の外周部を吸引する環状の吸引溝が形成された保持テーブルと、保持面の外周縁の外側に配置され、保持面と保持面で保持された被加工物との間に向かって気体を供給する気体供給手段と、を備え、吸引溝は、吸引溝に負圧を作用させる吸引源、及び、吸引溝に流体を供給する流体供給源に接続されている保持装置。【選択図】図１
Description
本発明は、被加工物を保持する保持装置に関する。
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成された半導体ウェーハを分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数の半導体デバイスチップが製造される。また、基板上に実装された複数の半導体デバイスチップを樹脂でなる封止材（モールド樹脂）で被覆することによって形成されたパッケージ基板を分割することにより、パッケージデバイスが製造される。このパッケージデバイスは、携帯電話やパーソナルコンピュータに代表される様々な電子機器に内蔵される。
近年では、電子機器の小型化、薄型化に伴い、半導体デバイスチップやパッケージデバイスにも薄型化が求められている。そこで、分割前の半導体ウェーハやパッケージ基板を研削して薄化する手法が用いられている。
上記の半導体ウェーハやパッケージ基板に代表される被加工物の分割には、例えば、環状の切削ブレードで被加工物を切削する切削装置が用いられる。また、被加工物の薄化には、例えば、研削砥石で被加工物を研削する研削装置が用いられる。
切削装置や研削装置等の加工装置には、被加工物を保持する保持テーブルが備えられる。例えば特許文献１には、ポーラスセラミックス等の多孔質部材でなるポーラス板を備えた保持テーブルが開示されている。ポーラス板の上面は被加工物を保持する保持面を構成しており、この保持面は吸引源に接続されている。被加工物をポーラス板の保持面上に配置した状態で、保持面に吸引源の負圧を作用させることにより、被加工物が保持テーブルによって吸引保持される。
上記の保持テーブルでは、上面に微細な凹凸を有する多孔質部材によって保持面が構成される。この保持面で被加工物を保持すると、被加工物が保持面の凹凸に沿って変形し、被加工物の上面の高さ位置にばらつきが生じることがある。この高さ位置のばらつきは、被加工物を加工する際における加工精度の低下の要因になる。また、被加工物の加工によって生じた屑（加工屑）等の異物が保持面の凹凸に入り込むと、異物が除去されにくくなり、保持テーブルを洗浄しても異物が保持面に残留してしまうことがある。
そこで、多孔質部材の代わりに、金属等でなる非多孔質部材によって保持面が構成された保持テーブルが用いられることがある。この保持テーブルでは、保持面の外周部に吸引溝が形成されており、この吸引溝が被加工物の外周部を吸引することによって、被加工物が保持面で吸引保持される。
保持テーブルの保持面が非多孔質部材によって構成されると、多孔質部材が用いられる場合よりも保持面の平坦性が向上する。そのため、保持テーブルで被加工物を保持した際、被加工物は保持面に沿って平坦に保持され、被加工物の上面の高さ位置のばらつきが低減される。また、保持面に加工屑等の異物が付着しても、保持面が平坦であるため、保持テーブルを洗浄することによって異物が容易に除去される。
なお、加工装置で被加工物を加工する際には、加工屑の除去や被加工物の冷却等を目的として、純水等の加工液が供給される。この加工液は、被加工物の加工中に被加工物と保持テーブルの保持面との間に入り込むことがある。ここで、特に保持面が非多孔質部材によって構成されていると、加工液が被加工物と保持面との間で残留しやすい。その結果、被加工物が加工液を介して保持面に吸着し、加工完了後に被加工物を保持テーブルから取り外すことが困難になる場合がある。
そこで、保持テーブルから被加工物を取り外す際には、保持面に形成された吸引溝から被加工物に向かってエアー等を噴射させることにより、被加工物の取り外しをアシストする方法が用いられる。しかしながら、被加工物が保持面に強く吸着しており、エアーの噴射を行っても被加工物が保持面から離れないことがある。また、被加工物を保持面から離すためにエアーの噴射量を上げると、吸引溝と重なる被加工物の外周部のみが部分的に強く押し上げられ、被加工物が変形又は損傷してしまう恐れがある。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、被加工物を保持テーブルから容易に取り外すことが可能な保持装置の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、被加工物を保持する保持面を備え、該保持面に該被加工物の外周部を吸引する環状の吸引溝が形成された保持テーブルと、該保持面の外周縁の外側に配置され、該保持面と該保持面で保持された該被加工物との間に向かって気体を供給する気体供給手段と、を備え、該吸引溝は、該吸引溝に負圧を作用させる吸引源、及び、該吸引溝に流体を供給する流体供給源に接続されている保持装置が提供される。
なお、好ましくは、該保持テーブルを、該保持面と垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転させる回転手段を更に備える。また、好ましくは、該気体供給手段を、該保持面の外周縁に沿って移動させる移動手段を更に備える。また、好ましくは、該気体供給手段は、該保持面の外周縁の外側に、該保持面の外周縁に沿って配置される環状の配管を備え、該配管は、該被加工物と該保持面との間に向かって該気体を噴射させる噴射口を備える。
本発明の一態様に係る保持装置は、保持テーブルの保持面の外周縁の外側に配置され、被加工物と保持面との間に向かって気体を供給する気体供給手段を備える。この保持装置を用いると、被加工物を保持テーブルから取り外す際、被加工物と保持面との間に気体を入り込ませ、保持面に吸着した被加工物を保持面から離しやすくすることが可能となる。これにより、被加工物を保持テーブルから容易に取り外すことができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る保持装置の構成例について説明する。図１（Ａ）は、保持装置（保持機構、保持ユニット）２を示す斜視図である。
保持装置２は、被加工物１１を保持する保持テーブル（保持手段）４を備える。保持テーブル４は、非多孔質材料でなり、平面視で円形に形成されている。例えば保持テーブル４は、非多孔質の金属（ＳＵＳ（ステンレス鋼）等）、ガラス、セラミックス等でなる。また、保持テーブル４の上面は、被加工物１１を保持する保持面４ａを構成する。保持面４ａは、Ｘ軸方向（第１水平方向）及びＹ軸方向（第２水平方向）と概ね平行に形成されている。
被加工物１１は、保持テーブル４によって保持された状態で、加工、洗浄等の処理が施される部材（被保持物又は被処理物）である。例えば被加工物１１は、シリコン等でなる円盤状のウェーハであり、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイス１５が形成されている。
なお、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる任意の形状及び大きさのウェーハであってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。また、被加工物１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。
保持テーブル４の保持面４ａは、被加工物１１の全体を支持可能な形状及び大きさに形成されている。具体的には、保持面４ａは、被加工物１１よりも直径の大きな円形に形成される。例えば、被加工物１１の直径が３００ｍｍ程度である場合、保持面４ａの直径は３１０ｍｍ程度に設定できる。ただし、保持面４ａの形状及び大きさは、被加工物１１の形状及び大きさに応じて適宜変更される。
保持テーブル４の保持面４ａ側には、環状の吸引溝（凹部）４ｂが保持面４ａの外周縁に沿って形成されている。吸引溝４ｂは、保持面４ａで開口しており、保持テーブル４上に被加工物１１が配置された際に被加工物１１によって覆われる領域に形成される。具体的には、吸引溝４ｂは、被加工物１１よりも直径の小さい円環状に形成される。例えば吸引溝４ｂは、保持面４ａの外周縁から保持面４ａの中心側に３〜６ｍｍ程度離れた位置に、所定の幅（例えば１〜２ｍｍ程度）で形成される。
なお、図１（Ａ）では吸引溝４ｂが連続した線状に形成されている例を示しているが、吸引溝４ｂの形状に制限はない。例えば、複数の線状の吸引溝４ｂが、保持面４ａの外周縁に沿って環状に配列されていてもよい。すなわち、吸引溝４ｂは、保持面４ａの外周縁に沿って不連続な線状（破線状）に形成されていてもよい。また、保持テーブル４には、直径の異なる２本以上の環状の吸引溝４ｂが同心円状に形成されていてもよい。
また、保持テーブル４には、モータ等の回転手段（回転機構、不図示）が接続されている。この回転手段は、保持テーブル４を保持面４ａと垂直な方向（Ｚ軸方向、鉛直方向、上下方向）に沿う回転軸を中心として回転させる。さらに、保持テーブル４には、移動手段（移動機構、不図示）が接続されている。この移動手段は、保持テーブル４を保持面４ａと平行な方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に沿って移動させる。
図１（Ｂ）は、保持装置２を示す断面図である。保持テーブル４の吸引溝４ｂは、保持テーブル４の内部に形成された吸引路６に接続されており、吸引路６はバルブ８を介してエジェクタ等の吸引源１０に接続されている。また、吸引路６は、バルブ１２介して、エアー等の流体を供給する流体供給源１４に接続されている。さらに、吸引路６には、吸引路６の圧力を測定する圧力測定器１６が接続されている。
また、保持装置２は、保持面４ａの外周縁の外側に配置され、エアー等の気体を供給する気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）１８を備える。気体供給手段１８は、エアーを噴射するエアーブロー器等であり、噴射口１８ａから気体を噴射する。例えば気体供給手段１８は、噴射口１８ａの高さ位置（Ｚ軸方向における位置）が保持面４ａの高さ位置と一致するように配置され、保持面４ａの側方から保持面４ａに向かって気体を供給する。
気体供給手段１８は、保持テーブル４によって保持された被加工物１１を取り外す際、保持面４ａと保持面４ａで保持された被加工物１１との間に向かって気体を供給することにより、被加工物１１の取り外しをアシストする。なお、気体供給手段１８の具体的な動作については後述する。
さらに保持装置２は、保持装置２を構成する各構成要素（バルブ８、吸引源１０、バルブ１２、流体供給源１４、圧力測定器１６、気体供給手段１８、回転手段、移動手段等）に接続された制御部（不図示）を備える。この制御部はコンピュータ等によって構成され、保持装置２の各構成要素の動作を制御する。
保持装置２で被加工物１１を保持する際は、まず、保持テーブル４の保持面４ａ上に被加工物１１を配置する。例えば被加工物１１は、表面１１ａ側が上方に露出し、裏面１１ｂ側が保持テーブル４の保持面４ａに対向し、被加工物１１の中心位置が保持面４ａの中心位置と一致するように、保持テーブル４上に配置される。このとき、保持テーブル４に形成された吸引溝４ｂの全体が被加工物１１によって覆われ、被加工物１１の外周縁側の領域（外周部）の一部が吸引溝４ｂと重なる。
そして、被加工物１１が保持面４ａ上に配置された状態で、バルブ８を開くとともにバルブ１２を閉じる。これにより、吸引源１０の負圧がバルブ８及び吸引路６を介して吸引溝４ｂに作用し、被加工物１１の外周部が吸引溝４ｂに吸引される。すなわち、吸引溝４ｂは被加工物１１の外周部を吸引する吸引領域に相当する。これにより、被加工物１１が保持テーブル４によって吸引保持される。
図２（Ａ）は、被加工物１１を保持した状態の保持装置２を示す斜視図である。例えば保持装置２は、被加工物１１を加工する加工装置や、被加工物１１を洗浄する洗浄装置等に、被加工物１１を保持する保持機構（保持ユニット）として備えられる。そして、保持装置２によって保持された被加工物１１に対して、加工、洗浄等の各種の処理が施される。
なお、保持装置２が設置される加工装置の種類に制限はない。加工装置の例としては、環状の切削ブレードで被加工物１１を切削する切削装置、研削砥石で被加工物１１を研削する研削装置、研磨パッドで被加工物１１を研磨する研磨装置、レーザービームの照射によって被加工物１１を加工するレーザー加工装置等が挙げられる。
例えば、切削装置やレーザー加工装置を用いて被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って分割すると、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。また、被加工物１１の分割前に、研削装置及び研磨装置を用いて被加工物１１の裏面１１ｂ側に研削加工及び研磨加工を施すことにより、被加工物１１を薄化し、デバイスチップを薄型化できる。
被加工物１１の加工、洗浄等が完了すると、被加工物１１は保持テーブル４から取り外され、所定の場所に搬送される。図２（Ｂ）は、被加工物１１が取り外される際の保持装置２を示す斜視図である。
被加工物１１の加工時には、被加工物１１の加工によって生じた屑（加工屑）の除去や被加工物１１の冷却等を目的として、純水等の加工液が供給される。また、被加工物１１の洗浄時には、被加工物１１に純水等の洗浄液が供給される。この加工液や洗浄液等の液体は、被加工物１１と保持テーブル４の保持面４ａとの間に入り込み、被加工物１１の加工又は洗浄の完了後も、被加工物１１と保持面４ａとの間で残留することがある。この場合、被加工物１１が液体を介して保持面４ａに吸着し、被加工物１１を保持テーブル４から取り外しにくくなる。
そこで、本実施形態では、被加工物１１を保持テーブル４から取り外す際、吸引溝４ｂから上方に向かって流体２０を噴射させるとともに、気体供給手段１８から被加工物１１と保持面４ａとの間に向かって気体２２を供給する。これにより、被加工物１１が保持面４ａから離れやすくなり、被加工物１１の取り外しがアシストされる。以下、被加工物１１の取り外し時における保持装置２の具体的な動作例について説明する。
図３（Ａ）は、被加工物１１が取り外される際の保持装置２を示す断面図である。保持装置２から被加工物１１を取り外す際は、まず、被加工物１１を保持テーブル４上から搬送する搬送手段（搬送機構、不図示）によって、被加工物１１を表面１１ａ側から吸引保持する。なお、搬送手段の種類や構造に制限はない。例えば搬送機構として、ベルヌーイ効果を利用して被加工物１１と接触せずに被加工物１１を保持する非接触チャックを用いることができる。
次に、バルブ８を閉じるとともに、バルブ１２を開く。これにより、吸引溝４ｂによる被加工物１１の吸引が解除される。また、流体供給源１４からバルブ１２及び吸引路６を介して吸引溝４ｂにエアー等の流体２０が供給される。その結果、吸引溝４ｂの内部で真空が解除されるとともに、吸引溝４ｂから上方に向かって流体２０が噴射される。
吸引溝４ｂから流体２０が噴射されると、被加工物１１の外周部の裏面１１ｂ側に流体２０が吹き付けられ、被加工物１１の外周部が保持面４ａから僅かに浮き上がる。これにより、被加工物１１の取り外しがアシストされる。
なお、流体供給源１４が供給する流体２０の成分は、被加工物１１の取り外しのアシストが可能であれば制限されない。例えば流体供給源１４は、水や、水とエアーとが混合された混合流体を供給してもよい。なお、流体供給源１４の構成は、流体２０の成分に応じて適宜変更できる。
また、保持面４ａの外周縁の外側（保持面４ａの半径方向外側）に設けられた気体供給手段１８の噴射口１８ａから、エアー等の気体２２が、保持面４ａと保持面４ａで保持された被加工物１１との間に向かって噴射される。この気体２２は、被加工物１１と保持面４ａとの間に入り込み、被加工物１１の裏面１１ｂと保持面４ａとの接触領域に吹き付けられる。これにより、被加工物１１と保持面４ａとを互いに離隔させる力が作用し、被加工物１１が保持面４ａから容易に分離される。
図３（Ｂ）は、被加工物１１が取り外された後の保持装置２を示す断面図である。保持テーブル４から取り外された被加工物１１は、前述の搬送手段（非接触チャック等）によって所定の場所に搬送される。
被加工物１１が加工液や洗浄液によって保持面４ａに強く吸着している場合、吸引溝４ｂからの流体２０の噴射のみを行っても、被加工物１１が保持面４ａから離れないことがある。また、被加工物１１を保持面４ａから分離するために流体２０の噴射量を上げると、吸引溝４ｂと重なる被加工物１１の外周部のみが部分的に強く押し上げられ、被加工物１１が変形又は損傷してしまう恐れがある。
そこで、本実施形態では、被加工物１１の外周部が流体２０によって押し上げられる際、上記のように保持面４ａの外側に配置された気体供給手段１８から被加工物１１と保持面４ａとの間に向かって気体２２を供給する。これにより、気体２２が被加工物１１と保持面４ａとの間に入り込み、被加工物１１の中央部が裏面１１ｂ側から気体２２によって押し上げられる。その結果、被加工物１１の中央部が保持面４ａから容易に離れ、被加工物１１の変形又は損傷が防止される。
なお、保持テーブル４から被加工物１１を取り外す際、気体供給手段１８は、保持面４ａの外周部の一部に気体２２を供給してもよいし、保持面４ａの外周部の全体に気体２２を供給してもよい。ただし、被加工物１１の取り外しを効果的にアシストするためには、気体２２が保持面４ａの外周縁の全体に渡って噴射されることが好ましい。
図４は、気体供給手段１８が回転する保持テーブル４に向かって気体２２を供給する様子を示す平面図である。前述の通り、保持テーブル４にはモータ等の回転手段（不図示）が接続されており、保持面４ａと垂直な方向（Ｚ軸方向）に沿う回転軸を中心として回転する。そして、保持テーブル４を回転させながら気体供給手段１８から気体２２を噴射させると、気体２２が保持面４ａの外周縁の全体に渡って供給される。
図５（Ａ）は、気体供給手段１８が移動しながら保持テーブル４に向かって気体２２を供給する様子を示す平面図である。図５（Ａ）に示すように、気体供給手段１８は、保持面４ａの外周縁に沿って移動（回転）可能に構成されていてもよい。例えば気体供給手段１８は、保持面４ａと中心位置が一致し、且つ保持面４ａよりも直径が大きい円の円周上を、噴射口１８ａが保持面４ａ側に面した状態を維持しながら移動する。
気体供給手段１８の移動は、例えば気体供給手段１８を保持面４ａの外周縁に沿って移動させる移動手段によって制御される。図５（Ｂ）は、気体供給手段１８を移動させる移動手段（移動機構、移動ユニット）３０を示す正面図である。
移動手段３０は、水平面内で旋回する支持アーム３２を備える。支持アーム３２の先端は、保持面４ａと重畳しない位置、すなわち平面視で保持面４ａの外側に配置されている。また、支持アーム３２の先端部には接続部材３４が接続されており、接続部材３４の下面側には気体供給手段１８が固定されている。なお、気体供給手段１８は、噴射口１８ａが保持面４ａ側に面するように固定されている。
支持アーム３２の上端側には、支持アーム３２を回転させるモータ等の回転手段（回転機構、不図示）が接続されている。この回転手段は、支持アーム３２をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させる。なお、支持アーム３２の回転軸の位置は、例えば保持面４ａの中心と一致するように設定される。気体供給手段１８から気体２２を噴射させながら、回転手段で支持アーム３２を回転させると、気体供給手段１８が保持面４ａの外周縁に沿って移動し、気体２２が保持面４ａの外周縁の全体に渡って供給される。
また、上記では、保持面４ａの外周縁のうち一部の領域に気体２２を供給可能な小型の気体供給手段１８について説明したが、保持装置２に設けられる気体供給手段の構成はこれに限定されない。例えば保持装置２は、保持面４ａの外周縁の全体にわたって同時に気体を供給可能な気体供給手段を備えていてもよい。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に、気体供給手段１８の変形例である気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）４０を示す。図６（Ａ）は気体供給手段４０を示す平面図であり、図６（Ｂ）は気体供給手段４０を示す断面図である。
気体供給手段４０は、金属等でなる環状の配管４２を備える。配管４２は、保持面４ａよりも直径が大きい円環状に形成され、その内部に気体４４が流れる流路４２ａを備える。配管４２としては、例えば金属でなる中空のＯリングが用いられる。この配管４２は、保持面４ａの外側に、保持面４ａを囲むように配置される。
また、配管４２は、配管４２の内壁から外壁に貫通する複数の噴射口４２ｂを備える（図６（Ｂ）参照）。噴射口４２ｂはそれぞれ、流路４２ａに連結され、配管４２の半径方向内側（保持面４ａ側）に向かって開口している。複数の噴射口４２ｂは、例えば配管４２の径方向に沿って概ね等間隔に配置される。
配管４２の流路４２ａには、エアー等の気体４４を供給する気体供給源（不図示）が接続されている。気体供給源から配管４２の流路４２ａに気体４４が所定の流量で供給されると、気体４４は流路４２ａを流れ、複数の噴射口４２ｂから保持面４ａに向かって噴射される。これにより、保持面４ａの外周縁の全体にわたって気体４４が同時に供給される。
なお、噴射口４２ｂの個数に制限はなく、保持面４ａの直径等に応じて、保持面４ａの外周縁の全体に渡って気体４４が供給されるように適宜設定される。また、図６（Ｂ）では複数の円形の噴射口４２ｂが形成された配管４２を示しているが、噴射口４２ｂの形状に制限はない。例えば噴射口４２ｂは、楕円状又は矩形状に形成されていてもよい。
また、配管４２にはスリット状の噴射口が形成されていてもよい。図７は、スリット状の噴射口４２ｃを備える配管４２を示す断面図である。この噴射口４２ｃは、配管４２の内壁から外壁に貫通し、配管４２の周方向に沿って環状に形成されている。また、噴射口４２ｃは、流路４２ａに連結されるとともに、配管４２の半径方向内側（保持面４ａ側）に向かって開口している。
気体供給源から配管４２の流路４２ａに気体４４が所定の流量で供給されると、気体４４は流路４２ａを流れ、線状に形成された噴射口４２ｃから保持面４ａに向かって気体４４が噴射される。これにより、保持面４ａの外周縁の全体にわたって気体４４が同時に供給される。なお、配管４２の形状に制限はなく、保持面４ａの形状に応じて適宜変更できる。また、配管４２は、環状に連結された閉ループ状に形成されていてもよいし、一端と他端とが連結されていない開ループ状に形成されていてもよい。
以上の通り、本実施形態に係る保持装置２は、保持テーブル４の保持面４ａの外周縁の外側に配置され、被加工物１１と保持面４ａとの間に向かって気体２２を供給する気体供給手段１８を備える。この保持装置２を用いると、被加工物１１を保持テーブル４から取り外す際、被加工物１１と保持面４ａとの間に気体２２を入り込ませ、保持面４ａに吸着した被加工物１１を保持面４ａから離しやすくすることが可能となる。これにより、被加工物１１を保持テーブル４から容易に取り外すことができる。
なお、本実施形態では、保持テーブル４に環状の吸引溝４ｂが形成されている例を示したが、保持テーブル４の構造は、被加工物１１の保持が可能な範囲内で適宜変更できる。例えば、吸引溝４ｂの内側（吸引溝４ｂよりも保持面４ａの半径方向内側）に、保持面４ａで開口する一又は複数の吸引溝がさらに形成されていてもよい。
より具体的には、保持テーブル４の中心部に、所定の直径（例えば１〜６ｍｍ程度）をもつ円柱状の吸引溝（凹部）が形成されていてもよい。この吸引溝は吸引路６と接続され、被加工物１１を保持テーブル４で保持する際の吸引口、及び、被加工物１１を保持テーブル４から取り外す際に流体を噴射させる噴射口として機能する。この吸引溝を設けることにより、被加工物１１を保持テーブル４でより確実に保持可能になるとともに、被加工物１１の取り外しがより容易となる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ 被加工物
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
２ 保持装置（保持機構、保持ユニット）
４ 保持テーブル（保持手段）
４ａ 保持面
４ｂ 吸引溝（凹部）
６ 吸引路
８ バルブ
１０ 吸引源
１２ バルブ
１４ 流体供給源
１６ 圧力測定器
１８ 気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）
１８ａ 噴射口
２０ 流体
２２ 気体
３０ 移動手段（移動機構、移動ユニット）
３２ 支持アーム
３４ 接続部材
４０ 気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）
４２ 配管
４２ａ 流路
４２ｂ，４２ｃ 噴射口
４４ 気体
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
２ 保持装置（保持機構、保持ユニット）
４ 保持テーブル（保持手段）
４ａ 保持面
４ｂ 吸引溝（凹部）
６ 吸引路
８ バルブ
１０ 吸引源
１２ バルブ
１４ 流体供給源
１６ 圧力測定器
１８ 気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）
１８ａ 噴射口
２０ 流体
２２ 気体
３０ 移動手段（移動機構、移動ユニット）
３２ 支持アーム
３４ 接続部材
４０ 気体供給手段（気体供給機構、気体供給ユニット）
４２ 配管
４２ａ 流路
４２ｂ，４２ｃ 噴射口
４４ 気体
Claims (4)
- 被加工物を保持する保持面を備え、該保持面に該被加工物の外周部を吸引する環状の吸引溝が形成された保持テーブルと、
該保持面の外周縁の外側に配置され、該保持面と該保持面で保持された該被加工物との間に向かって気体を供給する気体供給手段と、を備え、
該吸引溝は、該吸引溝に負圧を作用させる吸引源、及び、該吸引溝に流体を供給する流体供給源に接続されていることを特徴とする保持装置。 - 該保持テーブルを、該保持面と垂直な方向に沿う回転軸を中心として回転させる回転手段を更に備えることを特徴とする請求項１記載の保持装置。
- 該気体供給手段を、該保持面の外周縁に沿って移動させる移動手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の保持装置。
- 該気体供給手段は、該保持面の外周縁の外側に、該保持面の外周縁に沿って配置される環状の配管を備え、
該配管は、該被加工物と該保持面との間に向かって該気体を噴射させる噴射口を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の保持装置。
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0547910A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Tadahiro Omi | 静電吸着装置 |
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| JPS5227266A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Wafer support |
| JPH0547910A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-02-26 | Tadahiro Omi | 静電吸着装置 |
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