JP2021065991A - 被加工物の研削方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 70
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 12
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
Description
1a 表面
1b 裏面
1c 中央部分
1d 外周部分
2 研削装置
4 装置基台
4a 開口
6 チャックテーブル
6a 第1のポーラス部
6b 第2のポーラス部
6c 仕切り部
6d 枠体
6e テーブルベース
8 X軸移動テーブル
10 搬出入領域
12 加工領域
14 研削ユニット
16 支持部
18 Z軸ガイドレール
20 Z軸移動プレート
22 Z軸ボールねじ
24 Z軸パルスモータ
26 スピンドルハウジング
28 スピンドル
30 ホイールマウント
32 研削ホイール
34 研削砥石
36a,36b 吸引路
38a,38b 吸引源
40a,40b 切り替え部
42 回転軸
44 研削水
46a,46b 厚さ
48 環状軌道
50 接触領域
Claims (5)
- 被加工物の径よりも小さい外径の円板状の第1のポーラス部と、該第1のポーラス部を囲繞し該被加工物の径に対応した外径の環状の第2のポーラス部と、該第1のポーラス部及び該第2のポーラス部の間に配設された仕切り部と、該第2のポーラス部を囲繞する枠体と、を上面に備え、該上面の中央を貫く回転軸の周りに回転し、該被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルの該上面の該中央の上方の領域を通る環状軌道上を移動する研削砥石を備え、該チャックテーブルで吸引保持された該被加工物に研削水を供給しながら該研削砥石で該被加工物の露出した裏面側を研削する研削ユニットと、
を備える研削装置において、
中央部分が外周部分よりも低く凹状に反った該被加工物を第1の厚さになるまで該裏面から研削する被加工物の研削方法であって、
該チャックテーブルの該上面に表面側が対面し該チャックテーブルの該第1のポーラス部で該中央部分が吸引保持された該被加工物を該第1の厚さよりも厚い第2の厚さとなるまで該裏面側から該研削ユニットの該研削砥石で研削する第1の研削ステップと、
該チャックテーブルの該第1のポーラス部及び該第2のポーラス部で該中央部分及び該外周部分が吸引保持された該被加工物を該第1の厚さとなるまで該裏面側から該研削ユニットの該研削砥石で研削する第2の研削ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。 - 被加工物の径よりも小さい外径の円板状の第1のポーラス部と、該第1のポーラス部を囲繞し該被加工物の径に対応した外径の環状の第2のポーラス部と、該第1のポーラス部及び該第2のポーラス部の間に配設された仕切り部と、該第2のポーラス部を囲繞する枠体と、を上面に備え、該上面の中央を貫く回転軸の周りに回転し、該被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルの該上面の該中央の上方の領域を通る環状軌道上を移動する研削砥石を備え、該チャックテーブルで吸引保持された該被加工物に研削水を供給しながら該研削砥石で該被加工物の露出した裏面側を研削する研削ユニットと、
を備える研削装置において、
中央部分が外周部分よりも低く凹状に反った該被加工物を第1の厚さになるまで該裏面から研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物の表面側を該チャックテーブルの該上面に対面させ、該チャックテーブルの該第1のポーラス部で該被加工物の該中央部分を吸引保持する第1の保持ステップと、
該第1の厚さよりも厚い第2の厚さとなるまで該被加工物を該裏面側から該研削ユニットの該研削砥石で研削する第1の研削ステップと、
該チャックテーブルの該第1のポーラス部及び該第2のポーラス部で該被加工物の該中央部分及び該外周部分を吸引保持する第2の保持ステップと、
該第1の厚さとなるまで該被加工物を該裏面側から該研削ユニットの該研削砥石で研削する第2の研削ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。 - 被加工物の径よりも小さい外径の円板状の第1のポーラス部と、該第1のポーラス部を囲繞し該被加工物の径に対応した外径の環状の第2のポーラス部と、該第1のポーラス部及び該第2のポーラス部の間に配設された仕切り部と、該第2のポーラス部を囲繞する枠体と、を上面に備え、該上面の中央を貫く回転軸の周りに回転し、該被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルの該上面の該中央の上方の領域を通る環状軌道上を移動する研削砥石を備え、該チャックテーブルで吸引保持された該被加工物に研削水を供給しながら該研削砥石で該被加工物の露出した裏面側を研削する研削ユニットと、
を備える研削装置において、
中央部分が外周部分よりも低く凹状に反った該被加工物を第1の厚さになるまで該裏面から研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物の表面側を該チャックテーブルの該上面に対面させ、該チャックテーブルの該第1のポーラス部で該被加工物の該中央部分を吸引保持する第1の保持ステップと、
該第1の厚さとなるまで該被加工物を該裏面側から該研削ユニットの該研削砥石で研削する研削ステップと、を備え、
該研削ステップを実施する間に、該チャックテーブルの該第2のポーラス部で該被加工物の該外周部分を吸引保持する第2の保持ステップを実施することを特徴とする被加工物の研削方法。 - 該被加工物の研削が実施される際、該研削砥石は、該環状軌道の該チャックテーブルの該上面の該中央の上方の該領域から該チャックテーブルの該上面の該枠体の上方の領域に進行する間に該被加工物の該裏面に接触することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の被加工物の研削方法。
- 該チャックテーブルの該第2のポーラス部で該被加工物を吸引保持する際、該第2のポーラス部の外周に至る該研削水が該第2のポーラス部から該被加工物に作用する吸引力の漏出を抑制することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の被加工物の研削方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019194350A JP7353715B2 (ja) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 被加工物の研削方法 |
KR1020200118047A KR20210049665A (ko) | 2019-10-25 | 2020-09-15 | 피가공물의 연삭 방법 |
TW109136721A TW202128346A (zh) | 2019-10-25 | 2020-10-22 | 被加工物之研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019194350A JP7353715B2 (ja) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 被加工物の研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021065991A true JP2021065991A (ja) | 2021-04-30 |
JP7353715B2 JP7353715B2 (ja) | 2023-10-02 |
Family
ID=75636405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019194350A Active JP7353715B2 (ja) | 2019-10-25 | 2019-10-25 | 被加工物の研削方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7353715B2 (ja) |
KR (1) | KR20210049665A (ja) |
TW (1) | TW202128346A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4357304A1 (en) | 2021-06-18 | 2024-04-24 | UBE Corporation | Niobium-containing oxide powder, electrode using same, power storage device, negative electrode active material composition, and all-solid-state secondary battery |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009056518A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Kyocera Corp | 吸着装置およびそれを備えた加工システムならびに加工方法 |
JP2019130607A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置及び研削研磨方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4455750B2 (ja) | 2000-12-27 | 2010-04-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2008204995A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Lapmaster Sft Corp | 半導体ウエハの研磨方法 |
-
2019
- 2019-10-25 JP JP2019194350A patent/JP7353715B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-15 KR KR1020200118047A patent/KR20210049665A/ko unknown
- 2020-10-22 TW TW109136721A patent/TW202128346A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009056518A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Kyocera Corp | 吸着装置およびそれを備えた加工システムならびに加工方法 |
JP2019130607A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置及び研削研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202128346A (zh) | 2021-08-01 |
JP7353715B2 (ja) | 2023-10-02 |
KR20210049665A (ko) | 2021-05-06 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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