JP2023104445A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ノッチ等を代替するマーク（溝）においてＤＡＦと保護部材が貼り付かないようにする。【解決手段】表面から裏面に至る面取り部を外周に有するとともに結晶方位を示す構造物が該外周に形成されたウェーハを該裏面側から研削して仕上げ厚みへと薄化するウェーハの加工方法であって、該ウェーハを該外周に沿って切削することで該ウェーハの該表面から該仕上げ厚み以上の深さで該面取り部を除去し、切削ブレードを該構造物に隣接する位置に切り込ませて該ウェーハを該表面から該仕上げ厚み以上の深さかつ該ウェーハの厚みを超えない深さで切削し、該構造物に代わって該ウェーハの結晶方位を示す溝を形成し、該ウェーハの該表面に保護部材を配設し、該ウェーハを該裏面から研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに、該溝の底部を除去して該溝を該ウェーハの該裏面に露出させる。【選択図】図６

Description

本発明は、外周に面取り部を有し、外周にノッチが形成されたウェーハを研削して薄化するウェーハの加工方法に関する。

携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）を設定する。そして、分割予定ラインで区画される各領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-scale Integration）等のデバイスを形成する。その後、ウェーハを裏面側から研削して薄化し分割予定ラインに沿って分割すると、個々のデバイスチップが形成される。

デバイスが形成されるシリコンウェーハの外周には、ウェーハを構成する部材の結晶方位を示すノッチやオリエンテーションフラット等の切り欠きが形成される。そして、ウェーハの加工プロセスの各種の工程では、このノッチ等が参照されて加工位置等が決定される。また、ウェーハの外周には、端部の欠け等を防止するために面取り部が形成される。面取り部が形成されたウェーハの外周では、ウェーハの断面形状が表面から裏面に至る円弧状となる。

ここで、外周に面取り部が形成されたウェーハを裏面側から研削して薄化すると、面取り部を構成する円弧面及び平坦な研削面により構成されるナイフエッジ形状がウェーハの外周に生じ、ウェーハの外周に欠けが生じやすくなる。そこで、ウェーハを研削する前に、該ウェーハの外周に円環状の切削ブレードを切り込ませ面取り部を除去するエッジトリミング加工が実施される（特許文献１参照）。

しかしながら、エッジトリミング加工を実施しその後にウェーハを研削して薄化すると、ノッチ等の切り欠きがウェーハから失われ、ウェーハの結晶方位を特定できなくなるとの問題が生じる。そこで、ノッチ等が失われる前に、ウェーハにノッチ等を代替するマークとして溝を形成する方法が提案されている（特許文献２及び特許文献３参照）。

特開２０００－１７３９６１号公報 特開２０１３－１１５１８７号公報 特開２０１３－２１１４０９号公報

近年、デバイスチップの実装面積の省面積化や高集積化のために、複数のデバイスチップを積層させてパッケージ化する技術が開発されている。各デバイスチップに予めダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれる接着フィルムを配設し、ＤＡＦを介して各デバイスチップを互いに貼着するとパッケージを形成できる。ＤＡＦ付きのデバイスチップを得るには、ウェーハにＤＡＦを貼着し、ウェーハともにＤＡＦを分割すればよい。そして、ＤＡＦは、研削されて薄化されたウェーハの被研削面である裏面に貼着される。

また、ウェーハの表面側には、ウェーハを裏面側から研削する際にウェーハの表面に形成されたデバイス等を保護するテープ状の保護部材が貼着される。そのため、研削されて薄化されたウェーハの裏面側にＤＡＦを貼着したとき、ノッチ等を代替するマークとなる溝にＤＡＦが垂れて、溝中でＤＡＦが保護部材に貼り付くことがある。この場合、保護部材とＤＡＦが強力に貼り付くため、両者を引き剥がすのは容易ではなく、引き剥がす際に無理な力がウェーハにかかりウェーハが破損する場合もあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ノッチ等を代替するマーク（溝）においてＤＡＦと保護部材が貼り付くことのないウェーハの加工方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、表面から裏面に至る面取り部を外周に有するとともに結晶方位を示す構造物が該外周に形成されたウェーハを該裏面側から研削して仕上げ厚みへと薄化するウェーハの加工方法であって、該ウェーハを該外周に沿って切削することで該ウェーハの該表面から該仕上げ厚み以上の深さで該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、切削ブレードを該構造物に隣接する位置に切り込ませて該ウェーハを該表面から該仕上げ厚み以上の深さかつ該ウェーハの厚みを超えない深さで切削し、該構造物に代わって該ウェーハの結晶方位を示す溝を形成する溝形成ステップと、該面取り部除去ステップ及び該溝形成ステップを実施した後、該ウェーハの該表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、該ウェーハを該裏面から研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに、該溝の底部を除去して該溝を該ウェーハの該裏面に露出させる研削ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。

好ましくは、該研削ステップでは、該溝が該ウェーハの該裏面に露出したことにより該裏面に開口が形成され、該開口の全周が該ウェーハの該裏面に囲まれる。

さらに、好ましくは、該溝形成ステップでは、該切削ブレードを該構造物に隣接する位置に該表面に垂直な方向から切り込ませる。

また、好ましくは、該溝形成ステップは、該面取り部除去ステップよりも後に実施される。または、好ましくは、該溝形成ステップは、該面取り部除去ステップよりも前に実施される。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハを研削する前に、結晶方位を示すノッチ等の構造物に隣接する位置に切削ブレードを切り込ませて該構造物に代わって結晶方位を示す溝を形成する。そして、ウェーハを裏面側から研削して仕上げ厚みへと薄化するとともに、溝の底部を除去して溝をウェーハの裏面に露出させる。この溝は、ノッチ等の構造物を代替するマークとして結晶方位を示す。

ここで、溝は、ウェーハを表面から仕上げ厚み以上の深さかつウェーハの厚みを超えない深さで切削ブレードを切り込ませることで形成される。そのため、この方法で形成された溝がウェーハの裏面に露出したとき、裏面に形成される開口の面積が比較的小さくなる。すると、研削され薄化されたウェーハの裏面側にＤＡＦを貼り付けたとき、ＤＡＦが開口に大きく落ち込むことがない。そのため、ウェーハの表面側に貼着された保護部材と、裏面に貼着されたＤＡＦと、が接触して貼り付くことがない。

したがって、本発明の一態様によると、ノッチ等を代替するマーク（溝）においてＤＡＦと保護部材が貼り付くことのないウェーハの加工方法が提供される。

ウェーハを模式的に示す斜視図である。 切削装置を模式的に示す斜視図である。 面取り部除去ステップを模式的に示す断面図である。 溝形成ステップを模式的に示す斜視図である。 溝の形成位置を模式的に示す平面図である。 図６（Ａ）は、溝形成ステップを模式的に示す側面図であり、図６（Ｂ）は、保護部材配設ステップを模式的に示す側面図であり、図６（Ｃ）は、研削ステップが実施されたウェーハを模式的に示す側面図であり、図６（Ｄ）は、ＤＡＦ貼り付けステップを模式的に示す側面図である。 研削装置を模式的に示す斜視図である。 研削ステップを模式的に示す断面図である。 溝が形成され裏面側から研削されたウェーハの裏面側を模式的に示す平面図である。 ウェーハの加工方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工される被加工物となるウェーハについて説明する。図１は、ウェーハ１の斜視図である。ウェーハ１は、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料の円板状のウェーハである。

ウェーハ１の表面１ａは、互いに交差する複数の分割予定ライン３で区画される。そして、ウェーハ１の表面１ａの分割予定ライン３で区画された各領域には、ＩＣやＬＳＩ等のデバイス５が形成される。ウェーハ１の表面１ａの複数のデバイス５が形成された領域はデバイス形成領域７であり、その周囲の領域は外周余剰領域９である。ウェーハ１を裏面１ｂ側から研削して薄化し、分割予定ライン３に沿ってウェーハ１を分割すると、個々のデバイスチップが形成される。

形成された複数のデバイスチップを積層させてパッケージ化する技術が開発されている。各デバイスチップに予めダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれる接着フィルムを配設し、ＤＡＦを介して各デバイスチップを互いに貼着するとパッケージを形成できる。ＤＡＦ付きのデバイスチップを得るには、ウェーハ１にＤＡＦを貼着し、ウェーハ１ともにＤＡＦを分割すればよい。そして、ＤＡＦは、研削されて薄化されたウェーハ１の被研削面である裏面１ｂに貼着される。

ところで、ウェーハ１の端部における欠けや割れを防止するために、ウェーハ１の外周１ｃには角部が削ぎ落された面取り部（図３参照）が形成される。面取り部の断面形状は、例えば、表面１ａから裏面１ｂに至る円弧状とされる。また、ウェーハ１の外周１ｃには、ウェーハ１を構成する部材の結晶方位を示すノッチ１１と呼ばれる切り欠きが形成される。

ウェーハ１に形成される複数のデバイス５を構成するトランジスタ等の半導体素子は、チャネルの方向と、半導体材料の結晶方位と、の関係により電気特性が変化する場合がある。また、分割予定ライン３と、ウェーハ１を構成する半導体材料の結晶方位と、の関係によりウェーハ１の分割のし易さが変化する場合がある。そこで、ウェーハ１に分割予定ライン３を設定する際やデバイス５を形成する際、ウェーハ１を分割する際等に、ノッチ１１が参照される。

外周１ｃに面取り部が形成されたウェーハ１をそのまま裏面１ｂ側から研削して薄化すると、外周１ｃにおけるウェーハ１の断面形状に、面取り部及び被研削面で形成されるナイフエッジ形状が生じる。そのため、研削されて薄化されたウェーハ１の外周１ｃに欠けが生じやすくなる。そこで、ウェーハ１を研削する前に、ウェーハ１の外周１ｃを切削して面取り部を除去するエッジトリミングと呼ばれる加工がウェーハ１に実施される。

次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、面取り部除去ステップ（エッジトリミング）及び溝形成ステップに使用できる切削装置について説明する。図２は、切削装置２を模式的に示す斜視図である。ただし、面取り部除去ステップと、溝形成ステップと、は同一の切削装置で実施される必要はない。

切削装置２で切削されるウェーハ１は、例えば、ウェーハ１の径よりも大きい径の開口を有する環状フレーム（不図示）と、該環状フレームの開口を塞ぐように該環状フレームに貼り付けられたテープ（不図示）と、と一体化された状態で切削装置２に搬入される。ウェーハ１にテープを貼着することでウェーハ１と、テープと、環状フレームと、を一体化してフレームユニットを形成すると、環状フレームを介してウェーハ１を取り扱えるため、ウェーハ１の取り扱いが容易となる。なお、各図においては、環状フレーム及びテープは省略されている。

切削装置２は、各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の前方の角部には開口４ａが形成されており、この開口４ａ内には昇降機構（不図示）によって昇降するカセット支持台８が設けられている。カセット支持台８の上面には、それぞれフレームユニットの一部となった複数のウェーハ１を収容するカセット１０が搭載される。なお、図２では説明の便宜上、カセット１０の輪郭のみを示している。

カセット支持台８の側方には、長手方向がＸ軸方向（前後方向、加工送り方向）に沿うように矩形の開口４ｂが形成されている。開口４ｂ内には、ボールネジ式のＸ軸移動機構（不図示）と、Ｘ軸移動機構の上部を覆うテーブルカバー１４及び防塵防滴カバー１６と、が配置されている。Ｘ軸移動機構は、テーブルカバー１４によって覆われたＸ軸移動テーブル（不図示）を備えており、このＸ軸移動テーブルをＸ軸方向に移動させる。

Ｘ軸移動テーブルの上面にはテーブルカバー１４から露出するように保持テーブル１８が配設されている。保持テーブル１８は、上方に露出した保持面１８ａに載せられたウェーハ１を吸引保持する機能を有する。保持テーブル１８は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に概ね平行な回転軸の周りに回転する。

保持テーブル１８は、ウェーハ１と同様の径のポーラス部材１８ｃと、該ポーラス部材１８ｃを覆う枠体と、を備える。保持テーブル１８の内部には、保持テーブル１８の外部に設けられたエジェクタ等の吸引源（不図示）に一端が接続された吸引路（不図示）が形成されている。吸引路の他端は、ポーラス部材１８ｃに達している。

保持テーブル１８の保持面１８ａには、ポーラス部材１８ｃの上面が露出されている。ポーラス部材１８ｃの上面は、ウェーハ１と同等の径を有し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して概ね平行に形成されている。さらに、保持テーブル１８の周囲には、ウェーハ１を支持する環状フレームを固定するための複数のクランプ１８ｂが設けられている。

ウェーハ１を保持テーブル１８で保持する際には、まず、ウェーハ１を含むフレームユニットを保持テーブル１８の保持面１８ａ上に載せる。そして、吸引路を介して吸引源と、ポーラス部材１８ｃと、を接続し、ウェーハ１の裏面１ｂに貼着されたテープを介してウェーハ１に負圧を作用させる。また、クランプ１８ｂで環状フレームを固定する。

切削装置２は、開口４ｂに隣接する領域に、ウェーハ１を保持テーブル１８等へと搬送する搬送ユニット（不図示）を備える。カセット支持台８の側方に近接する位置には、ウェーハ１を仮置きするための仮置き機構が設けられている。仮置き機構は、例えば、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレール１２を含む。一対のガイドレール１２は、搬送ユニットによりカセット１０から引き出されたウェーハ１をＸ軸方向に沿って挟み込んで所定の位置に合わせる。

所定の位置に合わされたウェーハ１は、搬送ユニットにより引き上げられ保持テーブル１８へと搬送される。このとき、一対のガイドレール１２を互いに離隔させ、ウェーハ１を一対のガイドレール１２の間に通す。

保持テーブル１８の上方には、環状の切削ブレードによってウェーハ１を切削する第１の切削ユニット２４ａと、第２の切削ユニット２４ｂと、が設けられている。基台４の上面には、第１の切削ユニット２４ａ及び第２の切削ユニット２４ｂを支持するための門型の支持部２０が、開口４ｂを跨ぐように配置されている。

支持部２０の前面上部には、第１の切削ユニット２４ａをＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる第１の移動ユニット２２ａと、第２の切削ユニット２４ｂをＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる第２の移動ユニット２２ｂとが設けられている。第１の移動ユニット２２ａはＹ軸移動プレート２８ａを、第２の移動ユニット２２ｂはＹ軸移動プレート２８ｂをそれぞれ備える。２つのＹ軸移動プレート２８ａ，２８ｂは、支持部２０の前面にＹ軸方向に沿って配置された一対のＹ軸ガイドレール２６にスライド可能に装着されている。

Ｙ軸移動プレート２８ａの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＹ軸ガイドレール２６に対して概ね平行なＹ軸ボールネジ３０ａが螺合されている。また、Ｙ軸移動プレート２８ｂの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＹ軸ガイドレール２６に対して概ね平行なＹ軸ボールネジ３０ｂが螺合されている。

Ｙ軸ボールネジ３０ａの一端には、Ｙ軸パルスモータ３２ａが連結されている。Ｙ軸パルスモータ３２ａによってＹ軸ボールネジ３０ａを回転させることにより、Ｙ軸移動プレート２８ａがＹ軸ガイドレール２６に沿ってＹ軸方向に移動する。また、Ｙ軸ボールネジ３０ｂの一端には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。該Ｙ軸パルスモータによってＹ軸ボールネジ３０ｂを回転させることにより、Ｙ軸移動プレート２８ｂがＹ軸ガイドレール２６に沿ってＹ軸方向に移動する。

Ｙ軸移動プレート２８ａの表面（前面）側には、一対のＺ軸ガイドレール３４ａがＺ軸方向に沿って設けられており、Ｙ軸移動プレート２８ｂの表面（前面）側には、Ｚ軸方向に沿って一対のＺ軸ガイドレール３４ｂが設けられている。また、一対のＺ軸ガイドレール３４ａにはＺ軸移動プレート３６ａがスライド可能に取り付けられ、一対のＺ軸ガイドレール３４ｂにはＺ軸移動プレート３６ｂがスライド可能に取り付けられている。

Ｚ軸移動プレート３６ａの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＺ軸ガイドレール３４ａに対して概ね平行な方向に沿うように設けられたＺ軸ボールネジ３８ａが螺合されている。Ｚ軸ボールネジ３８ａの一端にはＺ軸パルスモータ４０ａが連結されており、このＺ軸パルスモータ４０ａによってＺ軸ボールネジ３８ａを回転させることにより、Ｚ軸移動プレート３６ａがＺ軸ガイドレール３４ａに沿ってＺ軸方向に移動する。

Ｚ軸移動プレート３６ｂの裏面側（後面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＺ軸ガイドレール３４ｂに対して概ね平行な方向に沿うように設けられたＺ軸ボールネジ３８ｂが螺合されている。Ｚ軸ボールネジ３８ｂの一端にはＺ軸パルスモータ４０ｂが連結されており、このＺ軸パルスモータ４０ｂによってＺ軸ボールネジ３８ｂを回転させることにより、Ｚ軸移動プレート３６ｂがＺ軸ガイドレール３４ｂに沿ってＺ軸方向に移動する。

Ｚ軸移動プレート３６ａの下部には第１の切削ユニット２４ａが設けられている。第１の切削ユニット２４ａに隣接する位置には、保持テーブル１８によって吸引保持されたウェーハ１を撮影するためのカメラユニット４６ａが設けられている。また、Ｚ軸移動プレート３６ｂの下部には第２の切削ユニット２４ｂが設けられている。第２の切削ユニット２４ｂに隣接する位置には、保持テーブル１８によって吸引保持されたウェーハ１を撮影するためのカメラユニット４６ｂが設けられている。

第１の移動ユニット２２ａによって第１の切削ユニット２４ａ及びカメラユニット４６ａのＹ軸方向及びＺ軸方向の位置が制御され、第２の移動ユニット２２ｂによって第２の切削ユニット２４ｂ及びカメラユニット４６ｂのＹ軸方向及びＺ軸方向の位置が制御される。第１の切削ユニット２４ａの位置と、第２の切削ユニット２４ｂの位置と、はそれぞれ独立に制御される。

開口４ｂに対して開口４ａと反対側の位置には、開口４ｃが形成されている。開口４ｃ内にはウェーハ１を洗浄するための洗浄ユニット４８が配置されており、保持テーブル１８上で切削されたウェーハ１は、洗浄ユニット４８によって洗浄される。洗浄ユニット４８で洗浄されたウェーハ１は、再びカセット１０に収納される。

ここで、切削ユニット２４ａ，２４ｂについてさらに説明する。図３は、切削ユニット２４ａ，２４ｂでエッジトリミング加工（面取り部除去ステップＳ１０）を実施する様子を模式的に示す断面図である。図４は、切削ユニット２４ａ，２４ｂを使用して後述の溝形成ステップＳ２０を実施する様子を模式的に示す斜視図である。面取り部除去ステップＳ１０及び溝形成ステップＳ２０は、それぞれ、第１の切削ユニット２４ａと、第２の切削ユニット２４ｂと、のいずれで実施されてもよい。

各切削ユニット２４ａ，２４ｂは、Ｙ軸方向に沿ったスピンドル５０ａ，５０ｂと、スピンドル５０ａ，５０ｂの基端側を回転可能に収容するスピンドルハウジング５１ａ，５１ｂと、を備える。スピンドルハウジング５１ａ，５１ｂには、スピンドル５０ａ，５０ｂに接続されたモータ等の回転駆動源（不図示）が収容される。スピンドル５０ａ，５０ｂの先端には、フランジ機構５２ａ，５２ｂ及び固定ナット５４ａ，５４ｂにより円環状の切削ブレード５６ａ，５６ｂが固定される。

切削ブレード５６ａ，５６ｂは、例えば、アルミニウム等の材料で形成され中央に挿通穴が形成された円環状の基台５８ａ，５８ｂと、基台５８ａ，５８ｂの外周に固定された切り刃（砥石部）６０ａ，６０ｂと、を有するハブタイプと呼ばれる切削ブレードである。ただし、切削ブレード５６ａ，５６ｂは、ハブタイプに限定されない。

切り刃（砥石部）６０ａ，６０ｂは、無数の砥粒と、該砥粒を分散固定する結合材（ボンド）と、を含む。例えば、砥粒は、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ：cubic Boron Nitride）等の材料で形成され、結合材は、ニッケルめっき層、レジンボンド、ビトリファイドボンド、メタルボンド等である。

面取り部除去ステップＳ１０に使用される切削ブレード５６ａ，５６ｂの刃厚は、一例として、ウェーハ１の外周１ｃに形成された面取り部の幅に応じて決定される。切削ブレード５６ａ，５６ｂの刃厚は、例えば、２ｍｍ以上であることが好ましい。ただし、該刃厚はこれに限定されない。また、溝形成ステップＳ２０に使用される切削ブレード５６ａ，５６ｂの刃厚は、ウェーハ１に形成される後述の溝１５（図９等参照）の幅に応じて決定される。

回転駆動源を作動させてスピンドル５０ａ，５０ｂを回転させると切削ブレード５６ａ，５６ｂを回転でき、回転する切削ブレード５６ａ，５６ｂを保持テーブル１８に吸引保持されたウェーハ１に切り込ませると、ウェーハ１を切削できる。このときに、ウェーハ１及び切削ブレード５６ａ，５６ｂに純水等の切削液が噴射され、切削により生じた加工屑や摩擦熱が該切削液により除去される。

次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、研削ステップＳ４０に使用できる研削装置について説明する。図７は、研削装置６２を模式的に示す斜視図であり、図８は、研削装置６２で研削されているウェーハ１を模式的に示す断面図である。研削装置６２の基台６４の上面には、開口６４ａが設けられている。開口６４ａ内には、ウェーハ１を吸引保持する保持テーブル６６が上面に載るＸ軸移動テーブル５８が備えられている。

Ｘ軸移動テーブル５８は、図示しないＸ軸方向移動機構によりＸ軸方向に移動可能である。Ｘ軸移動テーブル５８は、該Ｘ軸方向移動機構により保持テーブル６６上でウェーハ１が着脱される搬入出領域７０と、該保持テーブル６６に吸引保持されたウェーハ１が研削加工される加工領域７２と、に位置付けられる。

保持テーブル６６の上面にはウェーハ１と同等の径の上面を有する多孔質部材が配設され、該多孔質部材の該上面がウェーハ１を保持する保持面６６ａとなる。保持テーブル６６は、一端が該多孔質部材に通じ、他端が図示しない吸引源に接続された吸引路（不図示）を内部に備える。該吸引源を作動させると、保持面６６ａ上に載せられたウェーハ１に負圧が作用して、ウェーハ１が保持テーブル６６に吸引保持される。また、保持テーブル６６は保持面６６ａに垂直な軸の周りに回転できる。

加工領域７２の上方には、ウェーハ１を研削する研削ユニット７４が配設される。基台６４の後方側には支持部７６が立設されており、この支持部７６により研削ユニット７４が支持されている。支持部７６の前面には、Ｚ軸方向に伸長する一対のＺ軸ガイドレール７８が設けられ、それぞれのＺ軸ガイドレール７８には、Ｚ軸移動プレート８０がスライド可能に取り付けられている。

Ｚ軸移動プレート８０の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール７８に平行なＺ軸ボールねじ８２が螺合されている。Ｚ軸ボールねじ８２の一端部には、Ｚ軸パルスモータ８４が連結されている。Ｚ軸パルスモータ８４でＺ軸ボールねじ８２を回転させれば、Ｚ軸移動プレート８０は、Ｚ軸ガイドレール７８に沿ってＺ軸方向に移動する。

Ｚ軸移動プレート８０の前面側下部には、ウェーハ１の研削を実施する研削ユニット７４が固定されている。Ｚ軸移動プレート８０をＺ軸方向に移動させると、研削ユニット７４はＺ軸方向に移動する。

研削ユニット７４は、Ｚ軸方向に沿ったスピンドル８８と、スピンドル８８の上端部を回転可能に収容するスピンドルハウジング８６と、スピンドル８８の下端に固定された円板状のホイールマウント９０と、を有する。スピンドルハウジング８６には、スピンドル８８の上端部に接続され、スピンドル８８をＺ軸方向のまわりに回転させるモータ等の回転駆動源が収容されている。

ホイールマウント９０の下面には、円環状の研削ホイール９２が固定される。研削ホイール９２の下面には、ダイヤモンド等で構成される砥粒が結合材に分散固定された研削砥石９４が環状に配設されている。

スピンドル８８を回転させて研削ホイール９２を回転させると、研削砥石９４が円環軌道上を回転移動する。そして、研削ユニット７４を下降させて回転移動する研削砥石９４をウェーハ１の被研削面に接触させると、ウェーハ１が研削される。研削装置６２は、図示しない厚み測定器を有し、ウェーハ１の厚みを監視しつつ研削を進め、ウェーハ１の厚みが所定の仕上げ厚みとなったときに研削ユニット７４の下降を停止して研削を終了する。

ウェーハ１を研削砥石９４で研削すると、ウェーハ１や研削砥石９４から加工屑や摩擦熱が発生する。研削装置６２は、研削水供給ノズル（不図示）を備え、ウェーハ１を研削砥石９４で研削する間、純水等の研削水を研削水供給ノズルからウェーハ１等に供給する。加工屑や摩擦熱は、研削水により除去される。

ウェーハ１を研削装置６２で研削して薄化する際、ウェーハ１の表面１ａ側を保護するために、ウェーハ１の表面１ａに保護部材１７（図８等参照）を貼着しておく。保護部材１７は、ウェーハ１と同等の径を有する円板状の部材であり、樹脂等の材料で形成される。より詳細には、保護部材１７は、ウェーハ１に接着力を作用させる接着剤層と、該接着剤層を支持する基材層と、を備えるテープ状の部材である。

ウェーハ１の表面１ａに保護部材１７を貼着すると、ウェーハ１を裏面１ｂ側から研削する際に表面１ａが保持テーブル６６に直接接しない。そのため、ウェーハ１の表面１ａに損傷が生じることはない。表面１ａ側に保護部材１７が貼着されたウェーハ１は、保持テーブル６６に置かれ保持テーブル６６に吸引保持される。

研削されて薄化されたウェーハ１の被研削面であった裏面１ｂには、ウェーハ１が分割されて形成されるデバイスチップの接着用部材として機能するＤＡＦが貼着される。図６（Ｄ）には、ウェーハ１の裏面１ｂ側に貼着されるＤＡＦ２１を模式的に示す側面図が含まれる。

ウェーハ１をエッジトリミング加工し裏面１ｂ側から研削すると、ウェーハ１の結晶方位を示すノッチ１１等の構造物が失われる。そのため、研削されたウェーハ１の結晶方位を特定できなくなる。そこで、従来、エッジトリミング加工が実施される前にノッチ１１等の構造物の近傍において径方向外側からウェーハ１を切削ブレードで切削し、ウェーハ１を上下に貫通する溝状のマークを形成していた。このマークがノッチ１１等の構造物を代替し、ウェーハ１の結晶方位を示していた。

しかしながら、ウェーハ１を上下に貫通するマークを形成してからウェーハ１を裏面１ｂ側から研削して薄化し、ウェーハ１の裏面１ｂ側にＤＡＦ２１を貼り付けると、ＤＡＦ２１が溝状のマークに垂れ下がる。そして、研削のためにウェーハ１の表面１ａ側に貼着されていた保護部材１７と、ＤＡＦ２１と、が溝状のマークにおいて接触し、貼り付いてしまう。

この場合、貼り付いた保護部材１７と、ＤＡＦ２１と、を分離しなければならず、この作業の際に、薄化されたウェーハ１に無理な力がかかり、ウェーハ１が破損することがあった。そこで、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、研削され薄化されたウェーハ１の裏面１ｂ側にＤＡＦ２１が貼着された際に、結晶方位を示す溝中でＤＡＦ２１と、保護部材１７と、を接触させない。

以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、表面１ａから裏面１ｂに至る面取り部を外周１ｃに有するとともに結晶方位を示す構造物（ノッチ１１等）が外周１ｃに形成されたウェーハ１を裏面１ｂ側から研削して仕上げ厚みへと薄化する方法に関する。図１０は、本実施形態に係るウェーハの加工方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。

まず、ウェーハ１を外周１ｃに沿って切削することでウェーハ１の表面１ａから仕上げ厚み以上の深さで面取り部を除去する面取り部除去ステップ（Ｓ１０）を実施する。面取り部除去ステップＳ１０では、図２で説明した切削装置２が使用されるとよい。図３は、面取り部除去ステップＳ１０を模式的に示す断面図である。

まず、保持テーブル１８にウェーハ１を載せ、保持テーブル１８でウェーハ１を吸引保持する。このとき、ウェーハ１の表面１ａ側を上方に露出させ、保持テーブル１８の保持面１８ａの中心と、ウェーハ１の中心と、の位置を合わせる。

そして、ウェーハ１の外周１ｃの一端部における接線上に切削ブレード５６ａ，５６ｂの切り刃６０ａ，６０ｂが位置付けられるように、保持テーブル１８及び切削ユニット２４ａ，２４ｂの相対的な位置を調整する。また、切削ユニット２４ａ，２４ｂの高さを調整して、ウェーハ１の仕上げ厚みを超える深さで表面１ａよりも低い高さ位置に切り刃６０ａ，６０ｂの下端を位置付ける。

その後、切削ブレード５６ａ，５６ｂを回転させ、保持テーブル１８を移動させてウェーハ１の外周１ｃの該一端部に切り刃６０ａ，６０ｂを切り込ませる。そして、保持テーブル１８をＺ軸の周りに回転させて、ウェーハ１の外周１ｃの全域を切削ブレード５６ａ，５６ｂで切削する。すると、ウェーハ１の外周１ｃの面取り部が部分的に除去される。図４には、外周１ｃの面取り部が除去されたウェーハ１を模式的に示す斜視図が含まれている。ウェーハ１の外周１ｃには、テラス部９ａが形成される。

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、面取り部除去ステップＳ１０の前又は後に、ノッチ１１等の構造物に代わってウェーハ１の結晶方位を示す溝を形成する溝形成ステップＳ２０を実施する。図４は、溝形成ステップＳ２０を模式的に示す斜視図である。溝形成ステップＳ２０では、切削ブレード５６ａ，５６ｂを該構造物に隣接する位置１３に切り込ませてウェーハ１を表面１ａから仕上げ厚み以上の深さかつウェーハ１の厚みを超えない深さで切削する。

溝形成ステップＳ２０では、面取り部除去ステップＳ１０で使用される切削ブレード５６ａ，５６ｂが使用されてもよい。面取り部除去ステップで使用される切削ブレード５６ａ，５６ｂの厚みが溝形成ステップＳ２０で形成される溝の長さと一致する場合、両ステップで共通の切削ブレード５６ａ，５６ｂを使用できる。さらにこの場合、一つの切削ユニットを備える切削装置２により面取り部除去ステップＳ１０及び溝形成ステップＳ２０を実施できる。

また、溝形成ステップＳ２０では、面取り部除去ステップＳ１０で使用される切削ブレード５６ａ，５６ｂとは異なる切削ブレード５６ａ，５６ｂが使用されてもよい。この場合、溝形成ステップＳ２０で形成される溝の長さに応じた厚みの切削ブレード５６ａ，５６ｂが溝形成ステップＳ２０で使用される。

溝形成ステップＳ２０では、切り刃６０ａ，６０ｂの下端部がノッチ１１等の構造物に隣接する位置１３と重なるように、切削ブレード５６ａ，５６ｂをウェーハ１の上方に位置付ける。ここで、ノッチ１１等の構造物に隣接する位置１３とは、構造物に代わってウェーハ１の結晶方位を示す溝が形成される位置である。例えば、該構造物からの位置関係が特定されておりその位置に溝が形成されたときにウェーハ１の結晶方位を示すことのできる位置である。

次に、切削ブレード５６ａ，５６ｂの回転を開始し、切削ユニット２４ａ，２４ｂを下降させ、ウェーハ１に切り刃６０ａ，６０ｂを切り込ませる。すなわち、切削ブレード５６ａ，５６ｂをウェーハ１のノッチ１１等の構造物に隣接する位置１３に表面１ａに垂直な方向から切り込ませる。このとき、切り刃６０ａ，６０ｂの下端がウェーハ１の仕上げ厚みを超えて表面１ａよりも深い高さ位置に達するように切削ユニット２４ａ，２４ｂを下降させる。その後、切削ユニット２４ａ，２４ｂを上昇させる。

図５は、面取り部除去ステップＳ１０及び溝形成ステップＳ２０が実施された後のウェーハ１を模式的に示す平面図である。溝形成ステップＳ２０が実施されると、ウェーハ１の位置１３には溝１５が形成される。なお、溝形成ステップＳ２０で溝１５が形成された直後においては、溝１５はウェーハ１の裏面１ｂ側に貫通しない。

図６（Ａ）には、ウェーハ１に切り込んだ切削ブレード５６ａ，５６ｂを模式的に示す側面図が含まれている。ここで、図６（Ａ）に示す通り、切削ブレード５６ａ，５６ｂの切り刃６０ａ，６０ｂの下端は、面取り部除去ステップＳ１０でウェーハ１の外周１ｃに形成されたテラス部９ａよりも深い高さ位置に到達してもよい。また、切り刃６０ａ，６０ｂの下端は、ウェーハ１の外周１ｃに形成されたテラス部９ａよりも浅い高さ位置に到達してもよい。

そして、溝形成ステップＳ２０において切削ブレード５６ａ，５６ｂの下端が到達する高さ位置は、後述の研削ステップＳ４０において裏面１ｂ側に露出する溝１５の予定された幅に基づいて決定されるとよい。溝形成ステップＳ２０で切り刃６０ａ，６０ｂの下端が到達する高さ位置が低いほど、研削ステップＳ４０で裏面１ｂ側に露出する溝１５の幅が広くなり、該高さ位置が高いほど、研削ステップＳ４０で裏面１ｂ側に露出する溝１５の幅が狭くなる。すなわち、露出する溝１５の領域の幅は、このように調整可能である。

なお、溝形成ステップＳ２０では、切削ブレード５６ａ，５６ｂを上方からウェーハ１の位置１３に切り込ませる方法に代えて、ウェーハ１の径方向外側から内側に向けて切削ブレード５６ａ，５６ｂをウェーハ１に切り込ませることで溝１５を形成してもよい。この場合、外周１ｃから所定の長さだけ径方向内側の位置まで切削ブレード５６ａ，５６ｂでウェーハ１を切削して、上下方向に貫通しない溝１５を形成する。

ただし、この方法で溝１５を形成した場合、溝１５が形成されたウェーハ１を後述の通り研削して所定の厚みとするときに溝１５の先端側（径方向内側の端部）からクラックが生じやすい。そして、クラックが成長してウェーハ１の表面１ａに形成されたデバイス５に到達すると、最終的にウェーハ１が分割されて製造されるデバイスチップが不良品となる。そのため、溝形成ステップＳ２０では、切削ブレード５６ａ，５６ｂが上方からウェーハ１に切り込むことが好ましい。

さらに、溝形成ステップＳ２０では、切削ブレード５６ａ，５６ｂの切り刃６０ａ，６０ｂの刃先形状を適宜選択することにより、ウェーハ１に特定の形状の溝１５を形成できる。例えば、切り刃の刃厚が一定の切削ブレードを使用すると、切り刃の刃厚に相当する長さの溝１５をウェーハ１に形成できる。また、例えば、先端に向けて刃厚の薄くなる鋭利な形状の切り刃を有する切削ブレードを使用すると、長さの短い溝１５をウェーハ１に形成できる。

なお、溝形成ステップＳ２０は、面取り部除去ステップＳ１０の前に実施されてもよい。両ステップで同じ切削ブレード５６ａ，５６ｂを続けて使用する場合、先に溝形成ステップＳ２０を実施してウェーハ１に形成された溝１５を観察することで、切削ブレード５６ａ，５６ｂの状態を予め確認できる。また、溝１５の長さ等から、切削ブレード５６ａ，５６ｂの高さを確認できる。そのため、状態及び高さが確認された切削ブレード５６ａ，５６ｂで面取り部除去ステップＳ１０を実施できる。

特に、面取り部除去ステップＳ１０では、ウェーハ１を切削ブレードで分割する際に切削ブレードが切り込むときと比較して大きな領域が切削ブレード５６ａ，５６ｂにより切削される。そのため、切削ブレード５６ａ，５６ｂの切り刃６０ａ，６０ｂの消耗も比較的激しく、消耗に伴い切り刃６０ａ，６０ｂの下端の高さ位置も変化しやすいため、切削ブレード５６ａ，５６ｂの状態及び高さの確認が重要となる。

また、溝形成ステップＳ２０は、面取り部除去ステップＳ１０の後に実施されてもよい。面取り部除去ステップＳ１０を実施してウェーハ１に外周１ｃに沿ったテラス部９ａを形成したとき、ウェーハ１の表面１ａのテラス部９ａに囲まれた領域の外縁の位置を検出することで、切削ブレード５６ａ，５６ｂ及びウェーハ１の位置合わせの精度を確認できる。また、該外縁の位置を基準に切削ブレード５６ａ，５６ｂの位置合わせを実施できる。そのため、溝形成ステップＳ２０において、溝１５を所定の位置に精密に形成できる。

本実施形態に係るウェーハの加工方法では、面取り部除去ステップＳ１０及び溝形成ステップＳ２０を実施した後、ウェーハ１の表面１ａに保護部材１７を配設する保護部材配設ステップＳ３０を実施する。図６（Ｂ）は、表面１ａ側に保護部材１７が配設され、上下が反転されたウェーハ１を模式的に示す側面図である。保護部材１７は、次に説明する研削ステップＳ４０において、ウェーハ１の表面１ａ側を保護する。

次に、保護部材配設ステップＳ３０を実施した後に実施される研削ステップＳ４０について説明する。研削ステップＳ４０では、ウェーハ１を裏面１ｂから研削して仕上げ厚みへと薄化する。このとき、溝１５の底部が除去され溝１５をウェーハ１の裏面１ｂに露出させる。

研削ステップＳ４０は、図７に示す研削装置６２により実施される。まず、図６（Ｂ）に示すように、保護部材１７が配設された表面１ａ側を下方に向けるとともに被研削面となる裏面１ｂ側を上方に向ける。そして、この状態で保持テーブル６６の保持面６６ａの上にウェーハ１を載せ、保持テーブル６６でウェーハ１を吸引保持し、保持テーブル６６を加工領域７２に移動させる。

次に、スピンドル８８を回転させて研削ホイール９２を回転させ、研削砥石９４を環状軌道上で移動させる。そして、研削ユニット７４の下降を開始し、移動する研削砥石９４の底面をウェーハ１の裏面１ｂに接触させることでウェーハ１の研削を開始する。図８は、研削ステップＳ４０を模式的に示す断面図である。

研削ステップＳ４０では、図示しない厚み測定器によりウェーハ１の厚みを監視し、ウェーハ１の厚みが所定の仕上げ厚みとなったことが確認されたときに研削ユニット７４の下降を終了し、ウェーハ１の研削を終了する。図９は、裏面１ｂ側から研削されて薄化されたウェーハ１の裏面１ｂを模式的に示す平面図である。

ウェーハ１の外周１ｃに形成されていた面取り部は、面取り部除去ステップＳ１０により表面１ａ側の部分が除去され、研削ステップＳ４０により残りの部分が除去される。図９には、研削ステップＳ４０が実施される前におけるウェーハ１の外周１ｃであった位置１ｄが二点鎖線で示されている。研削後のウェーハ１には面取り部が残らないため、ウェーハ１の断面形状にナイフエッジ形状が生じることはなく、ナイフエッジ形状に起因する損傷がウェーハ１に生じるおそれもない。

また、研削ステップＳ４０では、ウェーハ１が仕上げ厚みとなるまで研削される過程において溝１５の底部が除去され、溝１５がウェーハ１の裏面１ｂ側に露出する。図６（Ｃ）は、研削ステップＳ４０が完了した際におけるウェーハ１を模式的に示す側面図である。

ウェーハ１の裏面１ｂ側には、溝１５が露出したことにより開口１９ｂが形成される。研削後のウェーハ１では、外周１ｃに形成されていたノッチ１１等の構造物が除去されるが、溝１５がウェーハ１の表面１ａ及び裏面１ｂに露出するために、溝１５に基づいてウェーハ１の結晶方位の特定が可能である。

ここで、溝１５は、溝形成ステップＳ２０において切削ブレード５６ａ，５６ｂがウェーハ１に表面１ａ側から切り込むことにより形成された。そのため、図６（Ｃ）に示されるように、溝１５の裏面１ｂ側の開口１９ｂは、溝１５の表面１ａ側の開口１９ａよりも小さくなる。また、裏面１ｂ側の開口１９ｂは、溝形成ステップＳ２０における切削ブレード５６ａ，５６ｂの切り込み深さにより大きさを調整できる。

例えば、溝形成ステップＳ２０における該切り込み深さをウェーハ１の仕上げ厚みを僅かに超える程度とすれば、研削ステップＳ４０が完了した際にウェーハ１の裏面１ｂ側に形成される溝１５の開口１９ｂは極めて小さくなる。すなわち、後述の通り、ウェーハ１の裏面１ｂ側にＤＡＦを貼り付けた際に溝１５にＤＡＦが垂れ落ちないように開口１９ｂの大きさを調整することも可能となる。

例えば、溝形成ステップＳ２０において径が４９．４ｍｍの切削ブレード５６ａ，５６ｂを使用する場合、ウェーハ１の仕上げ厚みを２０μｍに加えた深さでウェーハ１の表面１ａよりも低い位置に到達させる。この場合、研削ステップＳ４０を実施してウェーハ１を仕上げ厚みに薄化すると、ウェーハ１の裏面１ｂ側に２ｍｍ程度の幅の開口１９ｂを形成できる。ノッチ１１の幅は３～４ｍｍ程度とされるため、溝形成ステップＳ２０をこのように実施すると開口１９ｂの幅がノッチ１１と同程度かそれよりもやや小さくできる。

研削ステップＳ４０が完了した後、ウェーハ１は研削装置６２から搬出され、裏面１ｂ側にＤＡＦが貼り付けられる（ＤＡＦ貼り付けステップＳ５０）。図６（Ｄ）は、ＤＡＦ２１が貼り付けられたウェーハ１を模式的に示す側面図である。このとき、開口１９ｂが十分に小さければ、ＤＡＦ２１が溝１５中に垂れ落ちてウェーハ１の表面１ａ側に配設された保護部材１７に接触することがない。

ウェーハ１の裏面１ｂ側にＤＡＦ２１が貼り付けられた後、ウェーハ１の表面１ａから保護部材１７を剥離する（剥離ステップＳ６０）。その後、ウェーハ１が分割予定ライン３に沿って分割される（分割ステップＳ７０）。分割予定ライン３に沿ってウェーハ１をＤＡＦ２１ごと分割すると、ＤＡＦ２１付きの個々のデバイスチップが製造される。

ウェーハ１の分割は、例えば、円環状の切削ブレードを備える切削装置で実施されてもよい。または、ウェーハ１にレーザビームを照射してレーザ加工できるレーザ加工装置で実施されてもよい。ウェーハ１を切削装置またはレーザ加工装置に搬入する際には、ウェーハ１の裏面１ｂ側には、ＤＡＦ２１を介してダイシングテープが貼着され、ダイシングテープの外周部が環状フレームに固定されて、フレームユニットが形成されてもよい。

または、ＤＡＦ貼り付けステップＳ５０として、ダイシングテープの一方の面に貼られたＤＡＦ２１がダイシングテープごとウェーハ１の裏面１ｂ側に配設されてもよい。この場合においても、ダイシングテープの外周部を環状フレームに固定するとフレームユニットを形成できる。

なお、ウェーハ１にＤＡＦ２１を貼り付ける前にウェーハ１から保護部材１７を剥離できれば、溝１５にＤＡＦ２１が垂れ落ちても保護部材１７に接触することはない。しかしながら、研削ステップＳ４０で薄化され強度が低くなったウェーハ１をダイシングテープ等に固定する前に保護部材１７を剥離するのは困難である。そのため、保護部材１７を剥離する前にウェーハ１にＤＡＦ２１を貼り付ける必要がある。

そして、以上に説明してきた通り、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、ウェーハ１の結晶方位を示す溝１５が裏面１ｂに露出して形成された開口１９ｂの大きさをＤＡＦ２１が垂れ落ちない大きさに調整できる。そのため、ウェーハ１の裏面１ｂに貼り付けられたＤＡＦ２１が溝１５を通して保護部材１７に接触することがない。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）、図９等に示す通り、ウェーハ１に形成される溝１５がウェーハ１の側方に露出する場合を例に説明した。すなわち、上記の溝形成ステップＳ２０では、切削ブレード５６ａ，５６ｂが切り込む位置１３（図４等参照）にウェーハ１の面取り部除去ステップＳ１０で切削されて除去された領域の一部が含まれていた。しかしながら、本発明の一態様はこれに限定されない。

すなわち、溝形成ステップＳ２０において切削ブレード５６ａ，５６ｂが切り込む位置１３には、面取り部除去ステップＳ１０で切削されてウェーハ１から除去された領域がまったく含まれていなくてもよい。この場合、溝形成ステップＳ２０でウェーハ１に形成される溝１５はウェーハ１の側方に露出せず、研削ステップＳ４０でウェーハ１の裏面１ｂに形成される溝１５の開口１９ｂは、全周においてウェーハ１の裏面１ｂに囲まれる。

溝１５の開口１９ｂが全周において切れ目無くウェーハ１の裏面１ｂに囲まれる場合、裏面１ｂに貼り付けられたＤＡＦ２１がより開口１９ｂに垂れ落ちにくくなる。そのため、ＤＡＦ２１と保護部材１７に接触がより生じにくくなる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウェーハ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｃ 外周
１ｄ 外周であった位置
３ 分割予定ライン
５ デバイス
７ デバイス形成領域
９ 外周余剰領域
９ａ テラス部
１１ ノッチ
１３ 位置
１５ 溝
１７ 保護部材
１９ａ，１９ｂ 開口
２１ ＤＡＦ
２ 切削装置
４，６４ 基台
４ａ，４ｂ，４ｃ，６４ａ 開口
８ カセット支持台
１０ カセット
１２ ガイドレール
１４ テーブルカバー
１６ 防塵防滴カバー
１８，６６ 保持テーブル
１８ａ，６６ａ 保持面
１８ｂ クランプ
１８ｃ ポーラス部材
２０，７６ 支持部
２２ａ，２２ｂ 移動ユニット
２４ａ，２４ｂ 切削ユニット
２６，３４ａ，３４ｂ，７８ ガイドレール
２８ａ，２８ｂ，３６ａ，３６ｂ，８０ 移動プレート
３０ａ，３０ｂ，３８ａ，３８ｂ，８２ ボールネジ
３２ａ，４０ａ，４０ｂ，８４ パルスモータ
４６ａ，４６ｂ カメラユニット
４８ 洗浄ユニット
５０ａ，５０ｂ，８８ スピンドル
５１ａ，５１ｂ，８６ スピンドルハウジング
５２ａ，５２ｂ フランジ機構
５４ａ，５４ｂ 固定ナット
５６ａ 切削ブレード
５８ Ｘ軸移動テーブル
５８ａ，５８ｂ 基台
６０ａ，６０ｂ 切り刃
６２ 研削装置
７０ 搬入出領域
７２ 加工領域
７４ 研削ユニット
９０ ホイールマウント
９２ 研削ホイール
９４ 研削砥石

Claims (5)

1. 表面から裏面に至る面取り部を外周に有するとともに結晶方位を示す構造物が該外周に形成されたウェーハを該裏面側から研削して仕上げ厚みへと薄化するウェーハの加工方法であって、
   該ウェーハを該外周に沿って切削することで該ウェーハの該表面から該仕上げ厚み以上の深さで該面取り部を除去する面取り部除去ステップと、
   切削ブレードを該構造物に隣接する位置に切り込ませて該ウェーハを該表面から該仕上げ厚み以上の深さかつ該ウェーハの厚みを超えない深さで切削し、該構造物に代わって該ウェーハの結晶方位を示す溝を形成する溝形成ステップと、
   該面取り部除去ステップ及び該溝形成ステップを実施した後、該ウェーハの該表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
   該保護部材配設ステップを実施した後、該ウェーハを該裏面から研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに、該溝の底部を除去して該溝を該ウェーハの該裏面に露出させる研削ステップと、
   を備えるウェーハの加工方法。
2. 該研削ステップでは、該溝が該ウェーハの該裏面に露出したことにより該裏面に開口が形成され、該開口の全周が該ウェーハの該裏面に囲まれることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該溝形成ステップでは、該切削ブレードを該構造物に隣接する位置に該表面に垂直な方向から切り込ませることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェーハの加工方法。
4. 該溝形成ステップは、該面取り部除去ステップよりも後に実施されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェーハの加工方法。
5. 該溝形成ステップは、該面取り部除去ステップよりも前に実施されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェーハの加工方法。

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