JP2023171985A - ウェーハの研削方法 - Google Patents
ウェーハの研削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023171985A JP2023171985A JP2022083480A JP2022083480A JP2023171985A JP 2023171985 A JP2023171985 A JP 2023171985A JP 2022083480 A JP2022083480 A JP 2022083480A JP 2022083480 A JP2022083480 A JP 2022083480A JP 2023171985 A JP2023171985 A JP 2023171985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- holding surface
- annular recess
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 85
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 4
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】ウェーハのノッチを残してエッジトリミングを行い、ウェーハの加工時間を短縮できるウェーハの研削方法を提供する。【解決手段】外周部に円環凹部(Wc)を形成したウェーハ(W)の一方の面側を保持面(15)で吸引保持するチャックテーブル(10)と、ウェーハ(W)の他方の面を砥石(40)で研削して厚みを薄くするウェーハの研削方法であって、該円環凹部(Wc)を吸引可能な外周吸引領域(16)を有する該保持面(15)でウェーハ(W)の一方の面を吸引保持する保持工程と、該円環凹部(Wc)を残すように研削水を供給しながら砥石(40)で研削する研削工程と、を備え、該研削工程は、該円環凹部(Wc)が形成されている部分を該外周吸引領域(16)に該研削水を介して引き下げながら研削する。【選択図】図3
Description
本発明は、ウェーハの研削方法に関する。
ウェーハの研削方法は、チャックテーブルに保持されたウェーハを砥石で研削する。ウェーハを薄化させる研削工程において、ウェーハの外縁にシャープエッジが形成されると、ウェーハの割れや欠けが発生しやすくなる問題がある。
特許文献1では、シャープエッジが形成されるウェーハの外周部を、あらかじめ薄化ウェーハの仕上げ厚みよりわずかに深いトリミング深さでトリミング(エッジトリミング)することで、シャープエッジの形成を防ぐ技術が記載されている。
また、ウェーハの形態によっては、デバイスの分割に利用する際の目印として、結晶方位を示すノッチをウェーハの外周部に形成するものがある。ノッチを形成したウェーハについても外周部のエッジトリミングを行う。この場合、ウェーハの外側面は、エッジトリミングした側面となり、結晶方位を示すノッチが欠失しまうため、特許文献2および特許文献3のように、ノッチの拡張を行っている。
エッジトリミング後、ノッチ拡張工程には時間を要する。したがって、ウェーハの加工時間を短縮するためには、ノッチの形状を維持しながらエッジトリミングする研削方法が必要である。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ノッチを残してエッジトリミングを行い、ウェーハの加工時間を短縮することを目的とする。
本発明の一態様のウェーハの研削方法は、一方の面側から所定の深さで外周部に円環凹部を形成したウェーハの一方の面側を保持面で吸引保持するチャックテーブルと、研削水を供給しつつ該保持面に保持されたウェーハの他方の面を砥石で研削して厚みを薄くするウェーハの研削方法であって、ウェーハの一方の面より大きい面積で該円環凹部を吸引可能な外周吸引領域を有する該保持面でウェーハの一方の面を吸引保持する保持工程と、
該円環凹部を残すように該他方の面に研削水を供給しながら砥石で該他方の面を研削する研削工程と、を備え、該研削工程は、該円環凹部が形成されている部分を該外周吸引領域に該研削水を介して引き下げながら研削する。
該円環凹部を残すように該他方の面に研削水を供給しながら砥石で該他方の面を研削する研削工程と、を備え、該研削工程は、該円環凹部が形成されている部分を該外周吸引領域に該研削水を介して引き下げながら研削する。
さらに、該保持面は、ウェーハの円環凹部の内側の一方の面を吸引保持する中央保持面と、該円環凹部を吸引する外周保持面と、を備え、該研削工程は、他方の面を研削して厚みが薄くなった該円環凹部が形成されている部分を、吸引源に連通した該外周保持面に作用する吸引力で該外周保持面に引き下げる、ことが好ましい。
本発明のウェーハの研削方法によれば、ノッチを残してエッジトリミングを行い、ウェーハの加工時間を短縮することができる。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの研削方法について説明する。図1は、本実施の形態に係る研削方法に用いる研削前ウェーハを示す平面図および断面図である。図2は、本実施の形態に係る研削方法を示す斜視図である。図3および図4は、第1の実施の形態に係る研削方法の研削前および研削後の断面図である。図5および図6は、第2の実施の形態に係る研削方法の研削前および研削後の断面図である。
各図に示すX軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な関係にある。X軸方向とY軸方向は略水平な方向であり、Z軸方向は上下方向(垂直方向)である。各図において、X軸方向を示す両矢線のうち、Xの文字が付されている側を左方とし、Xの文字が付されていない側を右方とする。Y軸方向を示す両矢線のうち、Yの文字が付されている側を前方とし、Yの文字が付されていない側を後方とする。Z軸方向を示す両矢線のうち、Zの文字が付されている側を上方とし、Zの文字が付されていない側を下方とする。
図1Aは、本実施の形態に係る研削方法に用いる研削前ウェーハを示す平面図である。研削前のウェーハWは、略円板状に形成されている。なお、ウェーハWは、研削対象になる板状のワークであればよく、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体基板でもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の無機材料基板でもよいし、さらに半導体製品のパッケージ基板等でもよい。ウェーハWは、外周に結晶方位を示すノッチWdが形成されている。
図1Bは、本実施の形態に係る研削方法に用いるウェーハを示す断面図である。研削加工において、ウェーハWの被研削面Waは、被保持面Wbの反対面である。ウェーハWの被保持面Wb側の外周部は、所定深さに段差状の円環凹部Wcが形成されている。また、被保持面Wbには、保護テープTが貼着されている。図1Bにおいて、ノッチWdの形成箇所は破線で示している。
研削前ウェーハWにおいて、ウェーハWの被研削面Waから被保持面Wbまでの厚みは、500μm-780μmであることが好ましく、755μmであることがより好ましい。
ウェーハWの被保持面Wbから円環凹部Wcの環状面までの厚みは、5μm-50μmであることが好ましく、10μmであることがより好ましい。また、円環凹部Wcの環状面の径方向の幅は、2mm-5mmであることが好ましく、3mmであることがより好ましい。
図2に示すように、研削装置1は、チャックテーブル10と研削機構30(研削手段)とを相対回転させることにより、チャックテーブル10がウェーハWを保持しながら、ウェーハWを所定の厚みに研削するように構成されている。
研削装置1は、略直方体形状の基台2を有している。チャックテーブル10を支持するテーブル支持台11が設けられている。テーブル支持台11は、チャックテーブル10を回転可能に支持する。チャックテーブル10は、円盤形状を有し、回転手段12によって円盤中心を軸に回転可能に設けられている。
チャックテーブル10の上面には、たとえばポーラスセラミック材で構成されるポーラス部13を有する。ポーラス部13は、図1では図示されない吸引源に接続されている。ポーラス部13の表面は、ウェーハWを吸引保持する保持面15である。この構成により、ウェーハWがチャックテーブル10に置かれた場合には、保持面15の中央でウェーハWが吸引保持される。保持面15の外周には外周吸引領域16を有する。外周吸引領域16は、ウェーハWの一方の面の面積より大きい面積で、ウェーハWの円環凹部Wcを吸引可能である。
テーブル支持台11には、ウェーハWの外周に研削水を供給する水シールノズル3が接続されている。研削水は、図1では図示しない研削水源から供給される。ノズルの形状は、特に限定はされない。例えば、管状のノズルを用いてもよく、チャックテーブル10の外周を囲むように配置したリングノズルを用いてもよい。
チャックテーブル10のテーブル支持台11は、駆動機構20の可動板23に接続されており、この駆動機構20から供給される駆動力によって、基台2の上面に形成された開口部2a内をスライド移動する。これにより、チャックテーブル10は、加工前のウェーハWを供給し、加工後のウェーハWを回収する搬入出位置と、研削機構30とウェーハWとが対向する研削位置との間をスライド移動する。なお、開口部2aは、蛇腹状の防塵カバー4で覆われている。
駆動機構20は、駆動基台21上に配置されたY軸方向に平行な一対のガイドレール22と、一対のガイドレール22にスライド可能に設置されたモータ駆動の可動板23とを有している。研削装置1の背面側には、ナット部24が形成され、このナット部24にボールネジ25が螺合されている。ボールネジ25の一端部に連結された駆動モータ26が回転駆動されることで、可動板23が一対のガイドレール22に沿ってY軸方向に移動される。
基台2の上面には、厚み算出部5が設けられている。厚み算出部5において、第1の厚み算出部5aは、チャックテーブル10の保持面高さを測定し、第2の厚み算出部5bは、ウェーハWの上面高さを測定する。第1の厚み算出部5a及び第2の厚み算出部5bは、共に接触式のハイトゲージで構成される。
コラム31には、研削機構30を上下動させる駆動機構32が設けられている。駆動機構32は、コラム31の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール33と、一対のガイドレール33にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル34とを有している。Z軸テーブル34の前面には、ハウジング35を介して研削機構30が支持されている。Z軸テーブル34の背面側にはボールネジ36が螺合されており、ボールネジ36の一端には駆動モータ37が連結されている。駆動モータ37によってボールネジ36が回転駆動され、研削機構30がガイドレール33に沿ってZ軸方向に移動される。
研削機構30のスピンドル38の下端にはマウント39が設けられ、マウント39の下面に複数の研削砥石40が環状に配設された研削ホイール41が装着される。研削砥石40は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成される。
図3は、第1の実施の形態に係る研削方法に用いる研削装置の研削前の断面図である。図3は、図2に示す研削装置1のチャックテーブル10及び研削機構30を詳しく説明するが、図3に示されていなくても、研削装置1が通常備える構成については備えているものとする。
チャックテーブル10のポーラス部13は、吸引源50に連通することにより、保持面15で保護テープTを介して、ウェーハWの被保持面Wbを吸引保持する。ポーラス部13を吸引する流路は、中央の領域を吸引する流路51と外周吸引領域16を吸引する流路52を有する。
研削機構30において、研削ホイール41の内周には、研削水を吐出する研削水吐出口42が設けられている。研削水は研削水源43から流路44を通って供給される。
続けて、本実施の形態に係る研削方法について説明する。
本実施の形態に係る研削方法は、保持面15でウェーハWの被保持面Wbを吸引保持する保持工程と、円環凹部Wcを残すように、研削水を供給しながら、砥石でウェーハWの被研削面Waを研削する研削工程、によって実施される。
本実施の形態に係る研削方法によって、ウェーハWのノッチを残してエッジトリミングを行い、ウェーハの加工時間を短縮することができる。ノッチ拡張、または、再生工程を行う場合、工程の時間を短縮することができる。また、ウェーハを薄く研削する時に保持面15bを吸引源に連通させ保持面15bが研削水吐出口42から供給された研削水45、または、水シールノズル3から供給された研削水45を吸引することによってウェーハの外周部のエッジトリミングした部分(円環凹部Wc)を保持面15bに向かって引き下げるので、研削砥石40に引っかかることがなくなり、ウェーハWの外周部のエッジトリミングした部分(円環凹部Wc)の破損を防止できる。
図3および図4は、第1の実施の形態に係る研削方法の研削前および研削後の断面図である。図3および図4を用いて第1の実施の形態に係る研削方法について説明する。
(保持工程)
加工前のウェーハWが、搬入出位置において、チャックテーブル10に供給される。
加工前のウェーハWが、搬入出位置において、チャックテーブル10に供給される。
図3に示すように、チャックテーブル10は、保持面15に発生している吸引力で、保護テープTを介して、被保持面Wbを吸引保持する。ウェーハWを保持したチャックテーブル10が研削位置までスライド移動する。
なお、保持面15がウェーハWを吸引保持する際、および、チャックテーブル10が研削位置にスライド移動する際に、水シールノズル3から研削水45を供給して保持面15に水シールを形成するようにしてもよい。
(研削工程)
研削機構30がZ軸方向に下降して、被研削面Waの研削を開始する。また、水シールノズル3、または、研削水吐出口42から、被研削面Waに研削水45を供給する。
研削機構30がZ軸方向に下降して、被研削面Waの研削を開始する。また、水シールノズル3、または、研削水吐出口42から、被研削面Waに研削水45を供給する。
研削加工中、または、研削加工の合間に、厚み算出部5がウェーハWの厚みを算出する。第1の厚み算出部5aがチャックテーブル10の保持面高さを測定し、第2の厚み算出部5bがウェーハWの上面高さの測定を行う。
図4に示すように、被研削面Waの研削加工中に、ある程度のウェーハ厚みになると、ウェーハWの円環凹部Wcが、外周吸引領域16によって吸引されて、引き下げられる。この際、水シールノズル3が、円環凹部Wcに研削水45を供給することで、円環凹部Wcと外周吸引領域16との間に研削水45が満たされることで、より効率的に円環凹部Wcを吸引することができる。
ウェーハWの厚みが、所定の厚みになった段階で研削工程が終了する。一連の工程において、ウェーハWを所定の厚みに研削しながら、ウェーハWの外周部(円環凹部Wc)のノッチWdのある個所を吸引保持して保持面15に引き下げるので、ノッチWdを残しつつ、エッジトリミングを実施できる。つまり、ノッチWdを残しながら、所定の厚みを有するウェーハWを得ることができる。
これにより、ウェーハの加工時間を短縮することができる。ノッチ拡張、または、再生工程を行う場合、工程の時間を短縮することができる。また、ウェーハを薄く研削する時にウェーハの外周部のエッジトリミングした部分を吸引保持して保持面に引き下げるので、研削砥石によってウェーハの外周部のエッジトリミングした部分の破損を防止できる。
研削後ウェーハWにおいて、被研削面Waから被保持面Wbまでの厚みは、60μm-150μmであることが好ましく、80μmであることがより好ましい。被研削面Waから円環凹部Wcの環状面までの厚みは、50μm-100μmであることが好ましく、70μmであることがより好ましい。
ウェーハWを保持したチャックテーブル10が、搬入出位置までスライド移動する。加工後のウェーハWが、回収される。
図5および図6は、第2の実施の形態に係る研削方法の研削前および研削後の断面図である。図5および図6を用いて第2の実施の形態に係る研削方法について説明する。以降の説明では第1の実施の形態と異なる部分のみ説明する。
第2の実施の形態に係る研削方法に用いる研削装置1において、チャックテーブル10の保持面15は、ウェーハWの円環凹部Wcの内側の一方の面を吸引保持する中央保持面15aと、円環凹部Wcを吸引する外周保持面15bに区画が分けられている。外周保持面15bを有する領域は、第1の実施の形態における外周吸引領域16に相当する。
中央保持面15aのポーラス部13aは、第1の実施の形態に係る研削方法に用いる研削装置1と同様の素材である。一方で、外周保持面15bのポーラス部13bは、中央保持面15aのポーラス部13bよりもポーラスが粗い素材である。
外周保持面15bのポーラス部13bにおいて、中央保持面15aのポーラス部13aよりもポーラスの孔が粗いことにより、研削工程において、ウェーハWの円環凹部Wcが、より効率的に外周吸引領域16によって吸引することが可能となる。
なお、中央保持面15aと外周保持面15bは、同じ粗さのポーラスで形成されていてもよい。また、中央保持面15aと外周保持面15bとを別々に吸引源に連通させるように構成してもよい。つまり、ある程度のウェーハ厚みになるまでは、中央保持面15aのみを吸引源に連通させていて、後に外周保持面15bを吸引源に連通させ水シールノズル3から研削水45を供給して円環凹部Wc(エッジトリミングした部分)を外周保持面15bに向かって引き下げるようにしてもよい。また、中央保持面15aのみを吸引源に連通させ、ある程度のウェーハ厚みに研削しているときに、外周保持面15bから水を噴出させてもよい。これによって円環凹部Wcは、外周保持面15bから噴出した水によって支持され円環凹部Wcがばたつくことが無く、研削砥石40によって研削されやすくなる。そして、ある程度のウェーハ厚みに研削されたら、外周保持面15bを吸引源に連通させ水シールノズル3から研削水45を供給して円環凹部Wc(エッジトリミングした部分)を外周保持面15bに向かって引き下げるようにしてもよい。
以上説明したように、本実施の形態に係る研削方法によって、ウェーハWのノッチを残してエッジトリミングを行い、ウェーハの加工時間を短縮できる、ノッチ再生工程を行う場合、再生工程の時間を短縮できる。また、ウェーハを薄く研削する時にウェーハの外周部のエッジトリミングした部分を吸引保持して保持面に引き下げるので、研削砥石によってウェーハの外周部のエッジトリミングした部分の破損を防止できる。
1 :研削装置
2 :基台
2a :開口部
3 :水シールノズル
4 :防塵カバー
5a :第1の厚み算出部
5b :第2の厚み算出部
10 :チャックテーブル
11 :テーブル支持台
12 :回転手段
13 :ポーラス部
13a :ポーラス部
13b :ポーラス部
14 :吸引源
15 :保持面
15a :中央保持面
15b :外周保持面
16 :外周吸引領域
20 :駆動機構
21 :駆動基台
22 :ガイドレール
23 :可動板
24 :ナット部
25 :ボールネジ
26 :駆動モータ
30 :研削機構
31 :コラム
32 :駆動機構
33 :ガイドレール
34 :Z軸テーブル
35 :ハウジング
36 :ボールネジ
37 :駆動モータ
38 :スピンドル
39 :マウント
40 :研削砥石
41 :研削ホイール
42 :研削水吐出口
43 :研削水源
44 :流路
45 :研削水
50 :吸引源
51 :流路
52 :流路
T :保護テープ
W :ウェーハ
Wa :被研削面
Wb :被保持面
Wc :円環凹部
Wd :ノッチ
2 :基台
2a :開口部
3 :水シールノズル
4 :防塵カバー
5a :第1の厚み算出部
5b :第2の厚み算出部
10 :チャックテーブル
11 :テーブル支持台
12 :回転手段
13 :ポーラス部
13a :ポーラス部
13b :ポーラス部
14 :吸引源
15 :保持面
15a :中央保持面
15b :外周保持面
16 :外周吸引領域
20 :駆動機構
21 :駆動基台
22 :ガイドレール
23 :可動板
24 :ナット部
25 :ボールネジ
26 :駆動モータ
30 :研削機構
31 :コラム
32 :駆動機構
33 :ガイドレール
34 :Z軸テーブル
35 :ハウジング
36 :ボールネジ
37 :駆動モータ
38 :スピンドル
39 :マウント
40 :研削砥石
41 :研削ホイール
42 :研削水吐出口
43 :研削水源
44 :流路
45 :研削水
50 :吸引源
51 :流路
52 :流路
T :保護テープ
W :ウェーハ
Wa :被研削面
Wb :被保持面
Wc :円環凹部
Wd :ノッチ
Claims (2)
- 一方の面側から所定の深さで外周部に円環凹部を形成したウェーハの一方の面側を保持面で吸引保持するチャックテーブルと、研削水を供給しつつ該保持面に保持されたウェーハの他方の面を砥石で研削して厚みを薄くするウェーハの研削方法であって、
ウェーハの一方の面より大きい面積で該円環凹部を吸引可能な外周吸引領域を有する該保持面でウェーハの一方の面を吸引保持する保持工程と、
該円環凹部を残すように該他方の面に研削水を供給しながら砥石で該他方の面を研削する研削工程と、を備え、
該研削工程は、
該円環凹部が形成されている部分を該外周吸引領域に該研削水を介して引き下げながら研削するウェーハの研削方法。 - 該保持面は、ウェーハの円環凹部の内側の一方の面を吸引保持する中央保持面と、該円環凹部を吸引する外周保持面と、を備え、
該研削工程は、他方の面を研削して厚みが薄くなった該円環凹部が形成されている部分を、吸引源に連通した該外周保持面に作用する吸引力で該外周保持面に引き下げる、請求項1記載のウェーハの研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022083480A JP2023171985A (ja) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | ウェーハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022083480A JP2023171985A (ja) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | ウェーハの研削方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023171985A true JP2023171985A (ja) | 2023-12-06 |
Family
ID=89028886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022083480A Pending JP2023171985A (ja) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | ウェーハの研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023171985A (ja) |
-
2022
- 2022-05-23 JP JP2022083480A patent/JP2023171985A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20070238264A1 (en) | Method and apparatus for supporting wafer | |
KR102017346B1 (ko) | 연삭 장치 및 연삭 방법 | |
TWI783139B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
US20220324082A1 (en) | Processing method of workpiece | |
JP2018060873A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI780318B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2021174896A (ja) | 加工方法及び保持テーブル | |
JP2018060912A (ja) | 加工方法 | |
JP6879807B2 (ja) | 加工装置 | |
TW201905996A (zh) | 晶圓加工方法 | |
CN113400101A (zh) | 磨削方法 | |
JP2017213613A (ja) | ドレッサーボード及びドレス方法 | |
JP2017204606A (ja) | ウエーハ製造方法 | |
JP2023171985A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JP2012006123A (ja) | 洗浄方法 | |
JP6850569B2 (ja) | 研磨方法 | |
JP2021065991A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP5975839B2 (ja) | 研削装置 | |
US11878387B2 (en) | As-sliced wafer processing method | |
JP2012039039A (ja) | 加工方法 | |
US20220274224A1 (en) | Grinding method for workpiece | |
KR20170016284A (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
KR20230024207A (ko) | 드레싱 링 및 피가공물의 연삭 방법 | |
TW202230504A (zh) | 被加工物之研削方法 | |
JP2023104445A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20231030 |