KR20220147502A - 연삭 방법 - Google Patents

연삭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220147502A
KR20220147502A KR1020220039043A KR20220039043A KR20220147502A KR 20220147502 A KR20220147502 A KR 20220147502A KR 1020220039043 A KR1020220039043 A KR 1020220039043A KR 20220039043 A KR20220039043 A KR 20220039043A KR 20220147502 A KR20220147502 A KR 20220147502A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
wafer
oxide film
grinding wheel
chuck table
Prior art date
Application number
KR1020220039043A
Other languages
English (en)
Inventor
요시카즈 스즈키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220147502A publication Critical patent/KR20220147502A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047—Grinding heads for working on plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/20—Drives or gearings; Equipment therefor relating to feed movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/006—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the speed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

(과제) 연삭 지석의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막을 제거함과 함께, 웨이퍼를 박화한다.
(해결 수단) 제 1 면에 산화막을 갖는 웨이퍼의 제 1 면측을 연삭하는 연삭 방법으로서, 연삭휠을 회전시키면서 연삭 유닛을 연삭 이송함과 함께, 제 2 면측을 흡인 유지한 척 테이블을 제 1 회전 속도로 회전시킴으로써, 연삭 지석의 하면이 산화막을 돌파한 후, 연삭 지석의 측면으로 산화막을 깎아내어, 제 1 면측에 웨이퍼의 둘레 방향에서의 단차를 형성하는 제 1 연삭 스텝과, 제 1 연삭 스텝 후, 연삭 유닛을 상승시킴으로써, 연삭 지석을 웨이퍼로부터 떼어놓는 상승 스텝과, 상승 스텝 후, 제 2 면을 흡인 유지한 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도로 회전시킨 상태에서, 연삭휠을 회전시키면서 연삭 유닛을 연삭 이송하여 웨이퍼를 연삭하는 제 2 연삭 스텝을 구비하는 연삭 방법을 제공한다.

Description

연삭 방법{GRINDING METHOD}
본 발명은, 산화막 부착 웨이퍼를 연삭하는 연삭 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 칩의 제조 프로세스에서는, 소정 두께의 반도체 디바이스 칩을 형성하기 위해, 디바이스가 형성되어 있는 웨이퍼의 표면측과는 반대측의 이면측을 연삭 장치로 연삭하여 웨이퍼를 박화 (薄化) 하는 것이 실시된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
연삭 장치는, 소정의 회전축의 둘레로 회전 가능한 원판상의 척 테이블을 구비하고 있고, 척 테이블의 상방에는, 연직 방향으로 거의 평행하게 배치된 스핀들을 갖는 연삭 유닛이 배치되어 있다. 스핀들의 하단부에는, 원판상의 마운트를 개재하여 원환상의 연삭휠이 장착된다. 연삭휠은, 환상의 기대와, 기대의 일면에 있어서 기대의 둘레 방향을 따라 배치된 복수의 연삭 지석을 갖는다.
웨이퍼를 연삭할 때에는, 웨이퍼의 이면측이 상방으로 노출되도록 웨이퍼의 표면측을 척 테이블로 흡인 유지한다. 그리고, 스핀들 및 척 테이블을 각각 회전시킴과 함께, 연삭 유닛을 하방으로 연삭 이송함으로써, 웨이퍼의 이면측을 연삭한다.
일본 공개특허공보 2009-90389호
그런데, 웨이퍼의 이면측에는, 산화막이 형성되어 있는 경우가 있다. 산화막을 연삭하면, 연삭 지석의 컨디션이 악화되기 쉽다. 예를 들어, 연삭 지석의 글레이징, 셰딩, 로딩 등이 발생하기 쉽다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 연삭 지석의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막을 제거함과 함께, 웨이퍼를 박화하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 복수의 연삭 지석이 환상으로 배치된 연삭휠이 장착된 연삭 유닛을 사용하여, 제 1 면에 산화막을 갖는 산화막 부착 웨이퍼의 그 제 1 면측을 연삭하는 연삭 방법으로서, 그 연삭휠을 회전시키면서 그 연삭 유닛을 연삭 이송함과 함께, 그 제 1 면과는 반대측에 위치하는 제 2 면측을 흡인 유지한 척 테이블을 제 1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 연삭 지석의 하면이 그 산화막을 돌파한 후, 그 연삭 지석의 측면으로 그 산화막을 깎아내어, 그 제 1 면측에 있어서 그 웨이퍼의 둘레 방향에서의 단차를 형성하는 제 1 연삭 스텝과, 그 제 1 연삭 스텝 후, 그 연삭 유닛을 상승시킴으로써, 그 연삭 지석을 그 웨이퍼로부터 떼어놓는 상승 스텝과, 그 상승 스텝 후, 그 제 2 면을 흡인 유지한 그 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도로 회전시킨 상태에서, 그 연삭휠을 회전시키면서 그 연삭 유닛을 연삭 이송하여 그 웨이퍼를 연삭하는 제 2 연삭 스텝을 구비하는 연삭 방법이 제공된다.
바람직하게는, 그 제 1 연삭 스텝에 있어서의 그 척 테이블의 그 제 1 회전 속도는, 10 rpm 이상 60 rpm 이하이다. 또, 바람직하게는, 그 제 2 연삭 스텝에 있어서의 그 척 테이블의 그 제 2 회전 속도는, 100 rpm 이상 500 rpm 이하이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 연삭 방법에서는, 제 1 면에 산화막을 갖는 산화막 부착 웨이퍼의 제 1 면측을 연삭한다. 이를 위해, 먼저, 연삭휠을 회전시키면서 연삭 유닛을 연삭 이송함과 함께, 웨이퍼의 제 2 면측을 흡인 유지한 척 테이블을 제 1 회전 속도로 회전시킴으로써, 연삭 지석의 하면이 산화막을 돌파한 후, 연삭 지석의 측면으로 산화막을 깎아내어, 제 1 면측에 있어서 웨이퍼의 둘레 방향에서의 단차를 형성한다 (제 1 연삭 스텝).
그 때문에, 웨이퍼의 둘레 방향에서 단차가 형성되지 않을 정도로 빠른 회전 속도로 척 테이블을 회전시킴으로써 주로 연삭 지석의 하면으로 산화막을 깎아내는 경우에 비해, 연삭 지석의 하면의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막을 제거할 수 있다.
제 1 연삭 스텝 후, 연삭 유닛을 상승시킴으로써, 연삭 지석을 웨이퍼로부터 떼어놓는다 (상승 스텝). 상승 스텝 후, 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도로 회전시킨 상태에서, 연삭휠을 회전시키면서 연삭 유닛을 연삭 이송하여 웨이퍼를 소정 두께까지 연삭한다 (제 2 연삭 스텝).
상승 스텝 후에 연삭 유닛을 연삭 이송하여 제 2 연삭 스텝을 실시함으로써, 연삭 지석의 측면만이 아니라, 연삭 지석의 하면 및 측면의 양방을 이용하여, 제 1 면측을 연삭할 수 있다. 특히, 제 2 연삭 스텝에서는, 제 2 회전 속도가 제 1 회전 속도에 비해 빠르기 때문에, 단차를 포함하는 웨이퍼의 이면측을 서서히 연삭할 수 있다.
그 때문에, 척 테이블을 회전시키지 않고 이면측에 산화막의 두께보다 깊은 홈을 형성하고, 그 후, 연삭 지석이 당해 홈에 배치된 상태에서 척 테이블의 회전을 개시하여 산화막을 포함하는 이면측을 단번에 연삭하는 경우에 비해, 연삭 지석에 대한 부하가 저감되기 때문에 연삭 지석의 마모량을 저감시킬 수 있다.
또, 제 1 연삭 스텝에서는, 주로 연삭 지석의 하면으로 산화막을 깎아내는 경우에 비해 연삭 지석의 하면의 컨디션이 비교적 양호하게 유지되기 때문에, 제 2 연삭 스텝에서는, 연삭 지석의 하면이 충분히 연삭에 기여할 수 있다.
도 1 은, 연삭 장치의 사시도이다.
도 2 는, 연삭 방법의 플로도이다.
도 3 은, 제 1 연삭 스텝을 나타내는 도면이다.
도 4(A) 는 연삭 지석이 산화막을 돌파했을 때의 웨이퍼의 상면도이고, 도 4(B) 는 도 4(A) 의 측면도이다.
도 5(A) 는 제 1 연삭 스텝의 완료시의 웨이퍼의 상면도이고, 도 5(B) 는 도 5(A) 의 측면도이다.
도 6 은, 상승 스텝을 나타내는 도면이다.
도 7 은, 제 2 연삭 스텝을 나타내는 도면이다.
도 8(A) 는 제 2 연삭 스텝 개시시의 웨이퍼의 상면도이고, 도 8(B) 는 도 8(A) 의 측면도이다.
도 9(A) 는 연삭 지석이 최초로 단차의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이고, 도 9(B) 는 연삭 지석이 2 번째로 단차의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이고, 도 9(C) 는 연삭 지석이 3 번째로 단차의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이고, 도 9(D) 는 스파크 아웃의 모습을 나타내는 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일 양태에 관련된 실시형태에 대하여 설명한다. 먼저, 본 실시형태에서 사용하는 연삭 장치 (2) 에 대하여 설명한다. 도 1 은, 연삭 장치 (2) 의 일부 단면 측면도이다. 도 1 에서는, 연삭 장치 (2) 의 구성 요소의 일부를 기능 블록으로 나타낸다.
또, 도 1 에 나타내는, X 축 방향, Y 축 방향 및 Z 축 방향 (상하 방향, 연삭 이송 방향) 은, 서로 직교하는 방향이다. 연삭 장치 (2) 는, 각 구성 요소가 탑재되는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 의 상면에는 X 축 방향을 따라 길이부를 갖는 개구 (4a) 가 형성되어 있다.
개구 (4a) 의 내부에는, 볼나사식의 X 축 방향 이동 기구 (6) 가 배치되어 있다. X 축 방향 이동 기구 (6) 는, X 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (도시 생략) 을 갖는다. 1 쌍의 가이드 레일 사이에는, X 축 방향을 따라 나사축 (도시 생략) 이 배치되어 있다.
나사축의 일단에는, 나사축을 회전시키기 위한 펄스 모터 (도시 생략) 가 연결되어 있다. 나사축에는, X 축 방향 이동 테이블 (도시 생략) 의 하면측에 형성되어 있는 너트부 (도시 생략) 가 볼 (도시 생략) 을 개재하여 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
펄스 모터로 나사축을 회전시키면, X 축 방향 이동 테이블은 X 축 방향을 따라 이동한다. X 축 방향 이동 테이블 상에는, 모터 등의 회전 구동원 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 당해 회전 구동원은, 테이블 커버 (8) 상에 형성되어 있는 척 테이블 (10) 을, 소정의 회전축 (16) (도 3 참조) 의 둘레로 회전시킨다.
여기에서, 도 3 을 참조하여 척 테이블 (10) 의 구성에 대하여 설명한다. 척 테이블 (10) 은, 세라믹스로 형성된 원판상의 프레임체 (12) 를 갖는다. 프레임체 (12) 에는, 원판상의 오목부가 형성되어 있다. 오목부의 바닥부에는, 흡인로 (도시 생략) 의 일단부가 노출되어 있다. 흡인로의 타단부는, 이젝터 등의 흡인원 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
오목부에는, 원판상의 포러스판 (14) 이 고정되어 있다. 포러스판 (14) 의 상면은 중심부가 외주부에 비해 약간 돌출된 원뿔상으로 형성되어 있다. 흡인원을 동작시키면, 흡인로를 개재하여 부압이 전달되어, 포러스판 (14) 의 상면에는 부압이 생긴다.
포러스판 (14) 의 상면과 프레임체 (12) 의 상면은, 거의 면일 (面一) 하게 되어 있으며, 웨이퍼 (11) (도 1 참조) 를 흡인 유지하는 유지면 (14a) 으로서 기능한다. 척 테이블 (10) 의 하부에는, 회전 구동원 (도시 생략) 의 회전축 (16) 이 연결되어 있다.
척 테이블 (10) 은, 각각 환상의 베어링 (18), 지지판 (20) 을 개재하여, 환상의 테이블 베이스 (22) 에 의해 지지되어 있다. 또, 테이블 베이스 (22) 의 하면측에는, 고정 지지부 (24a) 와, 2 개의 가동 지지부 (24b) 가 형성되어 있다.
적어도 1 개의 가동 지지부 (24b) 가 Z 축 방향으로 신축함으로써, 테이블 베이스 (22) 의 기울기가 조정된다. 이로써, 유지면 (14a) 의 일부가 연삭 지석 (54) 의 연삭면과 거의 평행해지도록, 척 테이블 (10) 의 기울기가 조정된다.
여기에서, 도 1 로 되돌아와, 연삭 장치 (2) 의 다른 구성 요소에 대하여 설명한다. 테이블 커버 (8) 의 X 축 방향의 양측에는, X 축 방향으로 신축 가능한 벨로즈상의 커버 (26) 가 형성되어 있다. 개구 (4a) 의 X 축 방향의 일방측 (후방측) 에는, 상방으로 연신되는 직방체상의 지지 구조 (28) 가 형성되어 있다.
지지 구조 (28) 의 전면측에는, Z 축 방향 이동 기구 (30) 가 형성되어 있다. Z 축 방향 이동 기구 (30) 는, Z 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (32) 을 구비한다. 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (32) 에는, Z 축 방향 이동 플레이트 (34) 가 Z 축 방향을 따라 슬라이드 가능한 양태로 장착되어 있다.
Z 축 방향 이동 플레이트 (34) 의 후면측 (이면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 너트부에는, Z 축 방향을 따라 배치된 나사축 (36) 이 볼 (도시 생략) 을 개재하여 회전 가능한 양태로 연결되어 있다.
Z 축 방향에 있어서의 나사축 (36) 의 상단부에는, Z 축 펄스 모터 (38) 가 연결되어 있다. Z 축 펄스 모터 (38) 에 의해 나사축 (36) 을 회전시키면, Z 축 방향 이동 플레이트 (34) 는, Z 축 가이드 레일 (32) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
Z 축 방향 이동 플레이트 (34) 의 전면측에는, 지지구 (支持具) (40) 가 형성되어 있다. 지지구 (40) 는, 연삭 유닛 (42) 을 지지하고 있다. 연삭 유닛 (42) 은, 높이가 Z 축 방향으로 거의 평행하게 배치된 원통상의 스핀들 하우징 (44) 을 갖는다.
스핀들 하우징 (44) 에는, 높이가 Z 축 방향으로 거의 평행하게 배치된 원기둥상의 스핀들 (46) 의 일부가, 회전 가능한 상태로 수용되어 있다. 스핀들 (46) 의 상단부에는, 스핀들 (46) 을 회전시키기 위한 모터 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
스핀들 (46) 의 하단부는, 스핀들 하우징 (44) 으로부터 노출되어 있고, 이 하단부에는, 스테인리스강 등의 금속 재료로 형성된 원판상의 휠 마운트 (48) 의 상면측이 고정되어 있다.
휠 마운트 (48) 의 하면측에는, 휠 마운트 (48) 와 대략 동 직경의 환상의 연삭휠 (50) 이 장착되어 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 연삭휠 (50) 은, 알루미늄 합금 등의 금속 재료로 형성된 환상의 휠 기대 (52) 를 갖는다.
휠 기대 (52) 의 하면측에는, 휠 기대 (52) 의 둘레 방향을 따라 복수의 연삭 지석 (54) 이 대략 등간격으로 환상으로 배치되어 있다. 복수의 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 은, Z 축 방향에 있어서 대략 동일 높이 위치에 있으며, 웨이퍼 (11) 를 연삭하는 연삭면을 구성하고 있다.
웨이퍼 (11) 를 연삭할 때에는, 먼저, 도 1 에 나타내는 위치 (반입 반출 위치) 에 척 테이블 (10) 을 배치하고, 유지면 (14a) 으로 웨이퍼 (11) 를 흡인 유지한다. 이어서, 연삭 유닛 (42) 의 하방에 위치하는 연삭 위치로, 척 테이블 (10) 을 이동시킨다.
연삭 위치의 근방에는, 연삭시에 연삭 지석 (54) 과 이면 (11b) 의 접촉 영역 (가공 영역) 에, 순수 등의 연삭수를 공급하기 위한 연삭수 공급 노즐 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 또, 연삭 위치에 배치된 척 테이블 (10) 에 대해 Y 축 방향에서 인접하는 위치에는, 웨이퍼 (11) 의 두께를 측정하기 위한 하이트 게이지 (56) 가 형성되어 있다.
X 축 방향 이동 기구 (6), 회전 구동원, 흡인원, Z 축 방향 이동 기구 (30), 연삭 유닛 (42), 연삭수 공급 노즐, 하이트 게이지 (56) 등의 동작은, 연삭 장치 (2) 의 제어 유닛 (58) 에 의해 제어된다.
제어 유닛 (58) 은, 예를 들어, CPU (Central Processing Unit) 로 대표되는 프로세서 (처리 장치) 와, DRAM (Dynamic Random Access Memory) 등의 주기억 장치와, 플래시 메모리 등의 보조 기억 장치를 포함하는 컴퓨터에 의해 구성되어 있다.
보조 기억 장치에는, 소프트웨어가 기억되어 있다. 이 소프트웨어에 따라 처리 장치 등을 동작시킴으로써, 제어 유닛 (58) 의 기능이 실현된다. 또, 보조 기억 장치에는, 후술하는 연삭 방법을 실행하기 위한 소정의 프로그램도 기억되어 있다.
웨이퍼 (11) 는, 소정 (예를 들어, 약 200 ㎜) 의 직경을 갖는 원판상의 실리콘 웨이퍼이며, 단결정층 (11c) (도 4(B) 참조) 을 갖는다. 또한, 웨이퍼 (11) 의 종류, 재질, 크기, 형상, 구조 등에 제한은 없다. 웨이퍼 (11) 는, 실리콘 이외의 화합물 반도체 (GaN, SiC 등), 세라믹스, 금속 등으로 형성된 웨이퍼나 기판이어도 된다.
웨이퍼 (11) 는, 표면 (제 2 면) (11a) 과, 표면 (11a) 과는 반대측에 위치하는 이면 (제 1 면) (11b) 을 갖는다. 웨이퍼 (11) 의 두께는, 200 ㎛ 이상 800 ㎛ 이하의 소정치 (예를 들어, 725 ㎛) 이다.
표면 (11a) 에는, 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) 이 격자상으로 설정되어 있다. 복수의 스트리트에 의해 구획된 직사각형상의 각 영역의 표면 (11a) 측에는, IC (Integrated Circuit), LSI (Large Scale Integration) 등의 디바이스 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
웨이퍼 (11) 의 표면 (11a) 측에는, 디바이스를 보호할 목적으로 수지제의 보호 테이프 (13) 가 첩부된다. 또한, 웨이퍼 (11) 에 형성되는 디바이스의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에 제한은 없다. 웨이퍼 (11) 에는, 디바이스가 형성되어 있지 않아도 된다.
웨이퍼 (11) 는, 산화막 부착 웨이퍼이고, 이면 (11b) 측 전체에, 1 ㎛ 정도 두께의 산화막 (11d) (예를 들어, 실리콘의 열산화막) 을 갖는다 (도 4(B) 참조). 이면 (11b) 측을 연삭할 때에는, 먼저, 산화막 (11d) 이 연삭되는데, 산화막 (11d) 을 연삭하면, 연삭 지석 (54) 의 컨디션이 악화되기 쉽다.
예를 들어, 연삭 지석 (54) 의 글레이징, 셰딩, 로딩 등이 발생하기 쉽다. 본 실시형태에서는, 연삭 지석 (54) 의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막 (11d) 을 제거하여 웨이퍼 (11) 를 박화하기 위해, 도 2 에 나타내는 순서에 따라 이면 (11b) 측을 연삭한다.
도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 연삭 방법의 플로도이다. 먼저, 이면 (11b) 이 상방으로 노출되도록, 표면 (11a) 측을 유지면 (14a) 으로 흡인 유지한다 (유지 스텝 S10). 이 때, 웨이퍼 (11) 는, 유지면 (14a) 의 형상을 모방하여 변형된다.
또한, 척 테이블 (10) 은, 유지면 (14a) 의 일부가 연삭 지석 (54) 의 연삭면과 거의 평행해지도록, 그 기울기가 조정되어 있다 (도 3 참조). 유지 스텝 S10 후, 제 1 연삭 스텝 S20 을 실시한다.
도 3 은, 제 1 연삭 스텝 S20 을 나타내는 도면이다. 제 1 연삭 스텝 S20 에서는, 스핀들 (46) 을 고속 (본 예에서는, 4000 rpm) 으로 회전시킴으로써 연삭휠 (50) 을 회전시키면서, 연삭 유닛 (42) 을 하방으로 연삭 이송한다.
이 때, 연삭수 공급 노즐로부터 가공 영역으로 연삭수를 공급함과 함께, 척 테이블 (10) 을 제 1 회전 속도 (16a) 로 회전시킨다. 제 1 회전 속도 (16a) 는, 10 rpm 이상 60 rpm 이하, 보다 바람직하게는 10 rpm 이상 30 rpm 이하의 소정치이다. 본 실시형태의 제 1 회전 속도 (16a) 는, 15 rpm 이다.
또, 본 실시형태에서는, 산화막 (11d) 의 두께가 1 ㎛ 이고, 연삭 이송 속도가 3 ㎛/s 이기 때문에, 하면 (54a) 이 산화막 (11d) 에 접촉하고 나서 (1/3)s 에서, 하면 (54a) 이 산화막 (11d) 을 돌파한다 (도 4(A), 도 4(B) 참조).
도 4(A) 는, 연삭 지석 (54) 이 산화막 (11d) 을 돌파했을 때의 웨이퍼 (11) 의 상면도이고, 도 4(B) 는, 도 4(A) 의 측면도이다. 도 4(A) 의 위치 A 와, 도 4(B) 의 위치 A 는 대응하고 있다. 위치 B, C 및 D 에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 도 4(B) 에서는 보호 테이프 (13) 를 생략하고 있다. 이후의 도면에서도, 보호 테이프 (13) 를 생략하는 경우가 있다.
연삭 지석 (54) 이 산화막 (11d) 을 돌파할 때까지는, 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 에 의해, 산화막 (11d) 이 연삭된다. 그리고, 연삭 지석 (54) 이 산화막 (11d) 을 돌파하면, 도 4(B) 에 나타내는 바와 같이 연삭 지석 (54) 의 바닥면이 단결정층 (11c) 에 접하고, 이 이후에는, 주로 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 에 의해, 산화막 (11d) 이 제거된다.
그 때문에, 척 테이블 (10) 을 비교적 고속 (예를 들어, 300 rpm) 으로 회전시켜, 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 으로 산화막 (11d) 을 깎아내는 경우에 비해, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막 (11d) 을 제거할 수 있다.
산화막 (11d) 을 완전히 제거하기 위해서는, 척 테이블 (10) 을 1 회전 이상 회전시킬 필요가 있다. 구체적으로 설명하면, 제 1 회전 속도 (16a) 가 15 rpm 인 경우, 하면 (54a) 이 산화막 (11d) 에 접촉한 시점부터 4s 동안 연삭을 실시하면, 척 테이블 (10) 이 1 회전하고 (왜냐하면, (60/15)s ＝ 4s), 연삭 지석 (54) 은 12 ㎛ (＝(3 ㎛/s) × 4s) 만큼 하방으로 나아간다.
그러나, 도 4(B) 에 나타내는 바와 같이, 연삭 개시부터 연삭 지석 (54) 이 산화막 (11d) 을 돌파할 때까지의 동안에 생기는 산화막 (11d) 의 깎고 남은 부분이 있으므로, 척 테이블 (10) 을 정확하게 1 회전시킨 것만으로는, 이면 (11b) 측으로부터 완전하게는 산화막 (11d) 을 제거할 수 없다.
연삭 유닛 (42) 의 연삭 이송 속도가 3 ㎛/s 인 경우, 연삭 개시부터 연삭 지석 (54) 이 산화막 (11d) 을 돌파할 때까지의 동안에 (1/3)s 걸리고 있으므로, 제 1 연삭 스텝 S20 에서는, 4s 에 더하여 추가로 (1/3)s 이상의 시간 (예를 들어 합계로 4.4s), 이면 (11b) 측을 연삭한다.
이와 같이 하여, 산화막 (11d) 을 완전히 깎아낸다. 이 때, 웨이퍼 (11) 의 둘레 방향 (11e) 에서, 단차 (11f) (도 5(A), 도 5(B) 참조) 가 형성된다. 도 5(A) 는, 제 1 연삭 스텝 S20 의 완료시의 웨이퍼 (11) 의 상면도이고, 도 5(B) 는, 도 5(A) 의 측면도이다. 도 5(A) 의 위치 E 와, 도 5(B) 의 위치 E 는 대응하고 있다. 위치 F 및 G 에 대해서도 마찬가지이다.
연삭 유닛 (42) 의 연삭 이송 속도가 일정한 경우, 단차 (11f) 의 깊이는, 척 테이블 (10) 의 회전 속도에 의해 정해진다. 예를 들어, 척 테이블 (10) 을 10 rpm 으로 회전시키는 경우, 척 테이블 (10) 은 6s (＝60/10s) 로 1 회전하고, 이 동안에, 이면 (11b) 측에는, 18 ㎛ (＝6s × 3 ㎛/s) 의 깊이의 단차 (11f) 가 형성된다.
또, 척 테이블 (10) 을 30 rpm 으로 회전시키는 경우, 척 테이블 (10) 은 2s (＝60/30s) 로 1 회전하고, 이 동안에, 이면 (11b) 측에는, 6 ㎛ (＝2s × 3 ㎛/s) 의 깊이의 단차 (11f) 가 형성된다.
이와 같이, 비교적 저속의 제 1 회전 속도 (16a) 에서 기인하여, 예를 들어, 5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하의 소정의 깊이를 갖는 단차 (11f) 를 형성한다. 본 실시형태의 단차 (11f) 의 깊이는, 약 13 ㎛ (＝3 ㎛/s × 4.4s) 이다.
도 5(A), 도 5(B) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 연삭 스텝 S20 의 완료시의 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측에는, 나선 계단상의 1 개의 단차 (11f) 가 형성된다. 도 5(A) 에서는, 단차 (11f) 에 대응하는 영역에 굵은 선을 긋고, 소 마크 (saw mark) 를 얇은 선으로 나타내고 있다.
그런데, 둘레 방향 (11e) 에서 상기 서술한 소정의 깊이를 갖는 단차 (11f) 가 형성되지 않을 정도로 빠른 회전 속도로 척 테이블 (10) 을 회전시킴으로써, 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 으로 산화막 (11d) 을 깎아내는 경우, 하면 (54a) 의 컨디션이 악화되기 쉽다.
본 실시형태의 제 1 연삭 스텝 S20 에서는, 단차 (11f) 가 형성되지 않을 정도로 척 테이블 (10) 을 고속으로 회전시키는 경우에 비해, 하면 (54a) 의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막 (11d) 을 제거할 수 있다.
제 1 연삭 스텝 S20 의 완료 후, 연삭 유닛 (42) 을 상승시킴으로써, 연삭 지석 (54) 을 이면 (11b) 으로부터 떼어놓는다 (상승 스텝 S30). 보다 구체적으로는, 하면 (54a) 이 이면 (11b) 의 최고 위치보다 상방에 위치하도록, 연삭 유닛 (42) 을 상승시킨다.
도 6 은, 상승 스텝 S30 을 나타내는 도면이다. 상승 스텝 S30 후, 척 테이블 (10) 을 제 1 회전 속도 (16a) 보다 빠른 제 2 회전 속도 (16b) 로 회전시켜, 제 2 연삭 스텝 S40 을 실시한다.
도 7 은, 제 2 연삭 스텝 S40 을 나타내는 도면이다. 도 8(A) 는, 제 2 연삭 스텝 S40 개시시의 웨이퍼 (11) 의 상면도이고, 도 8(B) 는, 도 8(A) 의 측면도이다. 도 8(A) 의 위치 H 와, 도 8(B) 의 위치 H 는 대응하고 있다. 위치 I 및 J 에 대해서도 마찬가지이다.
상승 스텝 S30 후에 연삭 유닛 (42) 을 연삭 이송하여 제 2 연삭 스텝 S40 을 실시함으로써, 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 만이 아니라, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 및 측면 (54b) 의 양방을 이용하여, 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측을 연삭할 수 있다.
제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 제 2 회전 속도 (16b) 로 척 테이블 (10) 을 회전시킨 상태에서, 연삭휠 (50) 을 회전시키면서 연삭 유닛 (42) 을 연삭 이송하여 웨이퍼 (11) 를 소정 두께 (11g) (도 9(D) 참조) 까지 연삭하여 박화한다.
또한, 본 실시형태에 있어서 스핀들 (46) 의 회전 속도는, 제 1 연삭 스텝 S20 및 상승 스텝 S30 으로부터 변경하지 않고, 4000 rpm 으로 유지하지만, 척 테이블 (10) 의 회전 속도보다 충분히 고속이라면, 스핀들 (46) 의 회전수는 적절히 설정하면 된다.
제 2 회전 속도 (16b) 는, 100 rpm 이상 500 rpm 이하, 보다 바람직하게는 200 rpm 이상 400 rpm 이하의 소정치이다. 본 실시형태의 제 2 회전 속도 (16b) 는, 300 rpm 이다.
그 때문에, 척 테이블 (10) 이 1 회전하는 데에 0.2s (＝(60/300)s) 를 필요로 한다. 또, 연삭 이송 속도가 3 ㎛/s 이기 때문에, 0.2s 의 동안에, 연삭 유닛 (42) 은 0.6 ㎛ (＝3 ㎛/s × 0.2s) 만큼 하방으로 연삭 이송된다.
도 9(A) 는, 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 이 최초로 단차 (11f) 의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이고, 도 9(B) 는, 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 이 2 번째로 단차 (11f) 의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이다.
측면 (54b) 이 최초로 단차 (11f) 의 상단부에 닿은 후, 측면 (54b) 이 2 번째로 단차 (11f) 의 상단부에 닿을 때까지, 이면 (11b) 측의 상부는, 0.6 ㎛ (소정 두께 (11h)) 만큼 연삭되어 제거된다.
도 9(C) 는, 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 이 3 번째로 단차 (11f) 의 상단부에 닿는 모습을 나타내는 도면이다. 측면 (54b) 이 2 번째로 단차 (11f) 의 상단부에 닿은 후, 측면 (54b) 이 3 번째로 단차 (11f) 의 상단부에 닿을 때까지, 이면 (11b) 측의 상부는, 마찬가지로, 소정 두께 (11h) 만큼 제거된다.
특히, 제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 제 2 회전 속도 (16b) 가 제 1 회전 속도 (16a) 에 비해 빠르기 때문에, 단차 (11f) 를 포함하는 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측을 서서히 연삭할 수 있다.
그 때문에, 척 테이블 (10) 을 회전시키지 않고 이면 (11b) 측에 산화막 (11d) 의 두께보다 깊은 홈 (도시 생략) 을 형성하고, 그 후, 연삭 지석 (54) 이 당해 홈에 배치된 상태에서 척 테이블 (10) 의 회전을 개시하여 산화막 (11d) 을 포함하는 이면 (11b) 측을 단번에 연삭하는 경우에 비해, 연삭 지석 (54) 에 대한 부하가 저감되기 때문에 연삭 지석 (54) 의 마모량을 저감시킬 수 있다.
또, 제 1 연삭 스텝 S20 에서는, 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 으로 산화막 (11d) 을 깎아내는 경우에 비해 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 의 컨디션이 비교적 양호하게 유지되기 때문에, 제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 이 충분히 연삭에 기여할 수 있다.
제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 소정 시간, 이면 (11b) 측을 연삭한 후, 스핀들 (46) 및 척 테이블 (10) 의 회전 속도를 유지한 채로, 연삭 이송을 정지한다. 요컨대, 연삭 이송 속도를 0 ㎛/s 로 한다. 이로써, 소정 두께 (11g) 가 될 때까지 이면 (11b) 측을 연삭한다 (소위, 스파크 아웃).
도 9(D) 는, 제 2 연삭 스텝 S40 에 있어서의 스파크 아웃의 모습을 나타내는 도면이다. 스파크 아웃 후의 이면 (11b) 은, 스파크 아웃을 실시하지 않고 제 2 연삭 스텝 S40 을 종료한 경우에 비해 평탄해진다.
본 실시형태에서는, 제 1 연삭 스텝 S20 에서, 둘레 방향 (11e) 에서 상기 서술한 소정의 깊이를 갖는 단차 (11f) 가 형성되지 않을 정도로 빠른 회전 속도로 척 테이블 (10) 을 회전시킴으로써 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 으로 산화막 (11d) 을 깎아내는 경우에 비해, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 의 컨디션의 악화의 정도를 저감시키면서, 산화막 (11d) 을 제거할 수 있다.
또, 제 1 연삭 스텝 S20 후에 상승 스텝 S30 을 거쳐, 제 2 연삭 스텝 S40 을 실시한다. 이로써, 연삭 지석 (54) 의 측면 (54b) 만이 아니라, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 및 측면 (54b) 의 양방을 이용하여, 이면 (11b) 측을 연삭할 수 있다.
특히, 제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 제 2 회전 속도 (16b) 가 제 1 회전 속도 (16a) 에 비해 빠르기 때문에, 단차 (11f) 를 포함하는 웨이퍼 (11) 의 이면 (11b) 측을 서서히 연삭할 수 있다.
그 때문에, 척 테이블 (10) 을 회전시키지 않고 이면 (11b) 측에 산화막 (11d) 의 두께보다 깊은 홈을 형성하고, 그 후, 연삭 지석 (54) 이 당해 홈에 배치된 상태에서 척 테이블 (10) 의 회전을 개시하여 산화막 (11d) 을 포함하는 이면 (11b) 측을 단번에 연삭하는 경우에 비해, 연삭 지석 (54) 에 대한 부하가 저감되기 때문에 연삭 지석 (54) 의 마모량을 저감시킬 수 있다.
또, 제 1 연삭 스텝 S20 에서는, 주로 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 으로 산화막 (11d) 을 깎아내는 경우에 비해 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 의 컨디션이 비교적 양호하게 유지되기 때문에, 제 2 연삭 스텝 S40 에서는, 연삭 지석 (54) 의 하면 (54a) 이 충분히 연삭에 기여할 수 있다.
그 밖에, 상기 서술한 실시형태에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절히 변경하여 실시할 수 있다. 상기 서술한 실시형태의 연삭 장치 (2) 는, 소위 매뉴얼식이지만, 조(粗)연삭 유닛 및 마무리 연삭 유닛을 갖는 자동 연삭식이어도 된다. 또, 조연삭 유닛, 마무리 연삭 유닛 및 연마 유닛을 갖는 자동 연삭 연마식이어도 된다.
2 : 연삭 장치, 4 : 기대, 4a : 개구, 6 : X 축 방향 이동 기구, 8 : 테이블 커버
10 : 척 테이블, 12 : 프레임체, 14 : 포러스판, 14a : 유지면
11 : 웨이퍼, 11a : 표면 (제 2 면), 11b : 이면 (제 1 면), 11c : 단결정층, 11d : 산화막, 11e : 둘레 방향, 11f : 단차, 11g : 두께, 11h : 소정 두께
13 : 보호 테이프
16 : 회전축, 16a : 제 1 회전 속도, 16b : 제 2 회전 속도
18 : 베어링, 20 : 지지판, 22 : 테이블 베이스
24a : 고정 지지부, 24b : 가동 지지부, 26 : 커버, 28 : 지지 구조
30 : Z 축 방향 이동 기구, 32 : Z 축 가이드 레일, 34 : Z 축 방향 이동 플레이트
36 : 나사축, 38 : Z 축 펄스 모터, 40 : 지지구
42 : 연삭 유닛, 44 : 스핀들 하우징, 46 : 스핀들
48 : 휠 마운트, 50 : 연삭휠, 52 : 휠 기대
54 : 연삭 지석, 54a : 하면, 54b : 측면
56 : 하이트 게이지, 58 : 제어 유닛
A, B, C, D, E, F, G, H, I, J : 위치

Claims (3)

  1. 복수의 연삭 지석이 환상으로 배치된 연삭휠이 장착된 연삭 유닛을 사용하여, 제 1 면에 산화막을 갖는 산화막 부착 웨이퍼의 그 제 1 면측을 연삭하는 연삭 방법으로서,
    그 연삭휠을 회전시키면서 그 연삭 유닛을 연삭 이송함과 함께, 그 제 1 면과는 반대측에 위치하는 제 2 면측을 흡인 유지한 척 테이블을 제 1 회전 속도로 회전시킴으로써, 그 연삭 지석의 하면이 그 산화막을 돌파한 후, 그 연삭 지석의 측면으로 그 산화막을 깎아내어, 그 제 1 면측에 있어서 그 웨이퍼의 둘레 방향에서의 단차를 형성하는 제 1 연삭 스텝과,
    그 제 1 연삭 스텝 후, 그 연삭 유닛을 상승시킴으로써, 그 연삭 지석을 그 웨이퍼로부터 떼어놓는 상승 스텝과,
    그 상승 스텝 후, 그 제 2 면을 흡인 유지한 그 척 테이블을 제 1 회전 속도보다 빠른 제 2 회전 속도로 회전시킨 상태에서, 그 연삭휠을 회전시키면서 그 연삭 유닛을 연삭 이송하여 그 웨이퍼를 연삭하는 제 2 연삭 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 제 1 연삭 스텝에 있어서의 그 척 테이블의 그 제 1 회전 속도는, 10 rpm 이상 60 rpm 이하인 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    그 제 2 연삭 스텝에 있어서의 그 척 테이블의 그 제 2 회전 속도는, 100 rpm 이상 500 rpm 이하인 것을 특징으로 하는 연삭 방법.
KR1020220039043A 2021-04-27 2022-03-29 연삭 방법 KR20220147502A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021074620A JP2022168925A (ja) 2021-04-27 2021-04-27 研削方法
JPJP-P-2021-074620 2021-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220147502A true KR20220147502A (ko) 2022-11-03

Family

ID=83507725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220039043A KR20220147502A (ko) 2021-04-27 2022-03-29 연삭 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220344163A1 (ko)
JP (1) JP2022168925A (ko)
KR (1) KR20220147502A (ko)
CN (1) CN115246087A (ko)
DE (1) DE102022203870A1 (ko)
TW (1) TW202242989A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7497117B2 (ja) * 2020-07-16 2024-06-10 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009090389A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削加工装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003236736A (ja) * 2002-02-18 2003-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd 平面研削方法
JP5064102B2 (ja) * 2007-04-27 2012-10-31 株式会社ディスコ 基板の研削加工方法および研削加工装置
JP2009246098A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2012222123A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハの研削方法
JP6912284B2 (ja) * 2017-06-23 2021-08-04 株式会社ディスコ 研削装置
US20200130124A1 (en) * 2017-07-12 2020-04-30 Tokyo Electron Limited Grinding apparatus, grinding method and computer-readable recording medium

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009090389A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220344163A1 (en) 2022-10-27
TW202242989A (zh) 2022-11-01
DE102022203870A1 (de) 2022-10-27
JP2022168925A (ja) 2022-11-09
CN115246087A (zh) 2022-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7462094B2 (en) Wafer grinding method
JP2009004406A (ja) 基板の加工方法
JP2008272866A (ja) 基板の研削加工方法および研削加工装置
US11590630B2 (en) Workpiece grinding method
JP5268599B2 (ja) 研削装置および研削方法
JP2018060873A (ja) ウエーハの加工方法
JP5357477B2 (ja) 研削方法および研削装置
JP5215159B2 (ja) 位置合わせ機構、研削装置、位置合わせ方法および研削方法
CN101811273A (zh) 工件加工方法和工件加工装置
KR20220147502A (ko) 연삭 방법
JP2012146889A (ja) ウエーハの研削方法
JP2008130808A (ja) 研削加工方法
JP7413103B2 (ja) ウェーハの研削方法
KR20210049665A (ko) 피가공물의 연삭 방법
US11717927B2 (en) Workpiece grinding method
JP2024068963A (ja) 保持テーブル修正方法
KR20220145732A (ko) 연마 방법 및 연마 공구
JP2024066327A (ja) ウエーハの研磨方法
JP2023003963A (ja) 研削ホイール
JP2023003965A (ja) 研削ホイール
JP2022091470A (ja) 被加工物の研削方法
JP2023003962A (ja) 研削ホイール
JP2023051422A (ja) 切削装置
KR20220152133A (ko) 연삭 장치 및 피가공물의 연삭 방법
JP2023003964A (ja) 研削ホイール