CN116276396A - 被加工物的磨削方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供被加工物的磨削方法，能够不使芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置的占有区域增加。与对包含第1材料的第1层进行磨削时的磨削磨轮的旋转速度(第1旋转速度)相比，使对包含与第1材料相比为难磨削材料的第2材料的第2层进行磨削时的磨削磨轮的旋转速度(第2旋转速度)为低速。由此，能够不产生不良情况而磨削第2层。另外，在这样磨削第2层的情况下，无需利用磨削力高的磨削磨轮或使被加工物的磨削速度减慢。由此，能够不使芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置的占有区域增加。

Description

被加工物的磨削方法
技术领域
本发明涉及被加工物的磨削方法，将被加工物磨削至规定的完工厚度。
背景技术
IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等半导体器件的芯片是在移动电话和个人计算机等各种电子设备中不可欠缺的构成要素。这样的芯片例如通过将在正面上形成有大量器件的晶片等被加工物按照包含各个器件的区域进行分割而制造。
另外，为了使得到的芯片薄化或使作为器件的构成要素的金属电极露出，大多在该被加工物的分割前进行磨削。这样的磨削例如通过一边使呈环状形成有多个磨削磨具的磨削磨轮旋转一边使多个磨削磨具与卡盘工作台所保持的被加工物接触而进行(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2009-90389号公报
要磨削的被加工物包含各种材料。例如在被加工物包含由硅(Si)构成的晶片(硅晶片)的情况下，有时在该晶片的一个面上形成有氧化硅(SiO2)膜。另外，在被加工物中，也有时设置成将作为器件的构成要素的金属电极埋设在硅晶片中。
并且，磨削的难易度根据所磨削的材料的种类而变化。例如当对氧化硅进行磨削时，容易产生磨削磨具所包含的磨粒的脱落(磨粒溃落)。因此，与硅相比，氧化硅为难磨削材料。另外，作为电极利用的金属的硬度低于硅，因此当对金属电极进行磨削时，容易大量产生微细的磨削屑。并且，在该情况下，容易产生由在磨削磨具的下表面露出的磨粒的磨削屑所致的包覆(堵塞)。因此，与硅相比，金属电极为难磨削材料。
鉴于该点，有时一边根据所磨削的材料的种类而变更条件一边磨削被加工物。例如在对包含难磨削材料的层进行磨削时，有时利用磨削力高的磨削磨轮(例如呈环状形成有分别包含的磨粒大的多个磨削磨具的磨削磨轮)或使被加工物的磨削速度(使磨削磨轮与卡盘工作台接近的速度)减慢。
但是，在为了对包含难磨削材料的层进行磨削而利用磨削力高的磨削磨轮的情况下，需要更换磨削磨轮或利用能够并存两种以上的磨削磨轮的磨削装置。在该情况下，担心芯片的生产率降低或磨削装置的占有区域(foot print：面积)增大。同样地，在为了对包含难磨削材料的层进行磨削而使被加工物的磨削速度减慢的情况下，也担心芯片的生产率降低。
发明内容
鉴于这些点，本发明的目的在于提供被加工物的磨削方法，能够不使芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置的占有区域增加。
根据本发明，提供被加工物的磨削方法，将具有第1层和与该第1层层叠的第2层的被加工物磨削至规定的完工厚度，该第1层包含第1材料，该第2层包含与该第1材料相比为难磨削材料的第2材料，其中，该被加工物的磨削方法具有如下的步骤：第1磨削步骤，一边使呈环状排列有多个磨削磨具的磨削磨轮以第1旋转速度旋转，一边通过该多个磨削磨具对卡盘工作台所保持的该被加工物的该第1层进行磨削；以及第2磨削步骤，一边使该磨削磨轮以与该第1旋转速度相比为低速的第2旋转速度旋转，一边通过该多个磨削磨具对该卡盘工作台所保持的该被加工物的该第2层进行磨削。
在本发明中，优选该被加工物的磨削方法在该第1磨削步骤与该第2磨削步骤之间还具有使该多个磨削磨具与该被加工物分离的分离步骤。
另外，在本发明中，优选该第1材料是硅，该第2材料是氧化硅，在实施该第2磨削步骤而将该第2层去除之后实施该第1磨削步骤。
另外，在第2磨削步骤中将包含氧化硅的层(例如氧化硅膜)去除的情况下，优选该第2磨削步骤在以规定的速度使该磨削磨轮与该卡盘工作台相对地移动以使得该磨削磨轮与该卡盘工作台接近的状态下开始该第2层的磨削，然后经过了规定的时间时结束。
或者，在该情况下，优选该第2磨削步骤在测量了该被加工物的厚度的状态下当该被加工物的厚度成为规定的厚度时结束。
在本发明中，与对包含第1材料的第1层进行磨削时的磨削磨轮的旋转速度(第1旋转速度)相比，使对包含与第1材料相比为难磨削材料的第2材料的第2层进行磨削时的磨削磨轮的旋转速度(第2旋转速度)为低速。
这里，在磨削时的磨削磨轮的旋转速度为低速的情况下，通过与被加工物的接触而对多个磨削磨具分别作用强摩擦力，多个磨削磨具容易被磨削。即，在该情况下，能够促进多个磨削磨具各自的自锐。由此，能够不产生不良情况而磨削第2层。
另外，在这样磨削第2层的情况下，无需利用磨削力高的磨削磨轮或使被加工物的磨削速度减慢。由此，能够不使芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置的占有区域增加。
附图说明
图1是示意性示出磨削装置的一例的立体图。
图2的(A)是示意性示出磨削前的被加工物的一例的立体图，图2的(B)是示意性示出磨削前的被加工物的一例的剖视图。
图3是示意性示出磨削单元的构成要素的一部分的侧视图。
图4是示意性示出将被加工物磨削至规定的完工厚度的被加工物的磨削方法的一例的流程图。
图5是示意性示出粗磨削步骤的具体例的流程图。
图6的(A)、图6的(B)和图6的(C)分别是示意性示出粗磨削步骤的情况的局部剖视侧视图。
标号说明
2：磨削装置；4：基台(4a：开口)；6：搬送单元；8a、8b：盒设置区域；10a、10b：盒；11：被加工物(11a：正面、11b：背面)；12：对位机构；13：由硅构成的晶片(硅晶片)；14：搬送单元；15：间隔道(分割预定线)；16：转台；17：器件；18：卡盘工作台(18a：保持面)；19：由氧化硅构成的薄膜(氧化硅膜)；20a、20b：厚度测量器；22a、22b：支承构造；24a、24b：移动机构；26：导轨；28a、28b：移动板；30：丝杠轴；32：电动机；34a、34b：磨削单元；36：壳体；38：旋转驱动源；40：主轴；42：安装座；44a、44b：磨削磨轮；46：磨轮基台；48：磨削磨具；50：搬送单元；52：清洗单元。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1是示意性示出磨削装置的一例的立体图。另外，图1所示的X轴方向(左右方向)和Y轴方向(前后方向)是在水平面上相互垂直的方向，另外，Z轴方向(上下方向)是与X轴方向和Y轴方向垂直的方向(铅垂方向)。
图1所示的磨削装置2具有对各构成要素进行支承或收纳的基台4。在该基台4的前端部的上表面侧形成有开口4a，在该开口4a的内侧设置有搬送单元6。该搬送单元6例如具有对后述的被加工物11的上表面侧进行吸引的吸引垫。
另外，在搬送单元6的左斜前方和右斜前方分别设置有盒设置区域8a、8b。并且，在各盒设置区域8a、8b上配设有能够收纳多个被加工物的盒10a、10b。
在该盒10a中，例如收纳在磨削装置2中进行磨削的预定的被加工物(磨削前的被加工物)。另外，在盒10b中，例如收纳在磨削装置2中进行了磨削的被加工物(磨削后的被加工物)。
图2的(A)是示意性示出磨削前的被加工物的一例的立体图，图2的(B)是示意性示出磨削前的被加工物的一例的剖视图。图2的(A)和图2的(B)所示的被加工物11在正面11a侧具有由硅(第1材料)构成的晶片(第1层)13。
另外，硅晶片13由呈格子状设定的间隔道(分割预定线)15划分成多个区域，在各区域内形成有IC或LSI等器件17。另外，在被加工物11的背面11b侧按照与硅晶片13层叠的方式形成有由与硅相比为难磨削材料的氧化硅(第2材料)构成的薄膜(氧化硅膜)(第2层)19。
该氧化硅膜19伴随形成器件时对被加工物11实施的处理(例如加热)等而形成。另外，在被加工物11中，可以将与硅相比为难磨削材料且作为器件15的构成要素的金属电极埋设在硅晶片13的内部。
另外，可以在被加工物11的正面11a上粘贴用于保护器件17的膜状的带。该带例如具有形成为圆形的膜状的基材以及设置于基材上的粘接层(糊料层)。
并且，该基材例如由聚烯烃、聚氯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯的树脂构成。另外，该粘接层例如由环氧系或丙烯酸系的粘接剂构成。或者，该粘接层可以是通过照射紫外线而硬化的紫外线硬化性树脂。
另外，对于被加工物11的材质、形状、构造和大小等没有限制。例如被加工物11可以包含由其他半导体材料构成的晶片、或由陶瓷、树脂或金属等材料构成的基板。同样地，对于器件17的种类、数量、形状、构造、大小和配置等也没有限制。
并且，在图1所示的盒10a中，例如使按照形成有氧化硅膜19的背面11b侧朝上的方式收纳被加工物11。另外，搬送单元6通过吸引垫对被加工物11的上表面侧(例如背面11b侧)进行吸引，在将被加工物11保持于搬送单元6的状态下将被加工物11从盒10a搬出。
另外，在搬送单元6的左斜后方且在能够通过搬送单元6搬送被加工物11的位置设置有对位机构12。并且，当将通过搬送单元6从盒10a搬出的被加工物11搬入至对位机构12时，按照夹住被加工物11而配置于规定的位置的方式使对位机构12进行动作。
另外，在搬送单元6的后方且在对位机构12的右侧设置有将在对位机构12中进行了对位的被加工物11搬出的搬送单元14。该搬送单元14例如具有对被加工物11的上表面侧(例如背面11b侧)进行吸引的吸引垫。
并且，当将通过对位机构12进行了对位的被加工物11吸引于搬送单元14的吸引垫而保持于搬送单元14时，按照使吸引垫旋转而将被加工物11向后方搬送的方式使搬送单元14进行动作。
另外，在搬送单元14的后方设置有圆盘状的转台16。该转台16与使转台16绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)连结。
另外，在转台16上设置有分别能够对被加工物11的下表面侧(例如正面11a侧)进行吸引保持的多个卡盘工作台18。另外，在图1中，示出3个卡盘工作台18沿着转台16的周向大致等间隔地排列的例子。
该卡盘工作台18具有与水平面(XY平面)大致平行的圆状的上表面，在该上表面上，对被加工物11进行保持。即，卡盘工作台18的上表面作为对被加工物11进行保持的保持面。
另外，转台16例如俯视顺时针地旋转而将各卡盘工作台18依次定位于搬送位置A、第1磨削位置(粗磨削位置)B、第2磨削位置(精磨削位置)C和搬送位置A。并且，通过搬送单元14搬送的被加工物11被搬入至定位于搬送位置A的卡盘工作台18。
另外，卡盘工作台18的保持面经由形成于卡盘工作台18的内部的流路(未图示)和阀(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连通。并且，在将被加工物11搬入至卡盘工作台18的状态下使吸引源进行动作，并且将阀打开，由此将被加工物11的下表面侧(例如正面11a侧)吸引于卡盘工作台18侧。由此，在卡盘工作台18的保持面上保持被加工物11。
另外，卡盘工作台18与使卡盘工作台18绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)连结。该旋转驱动源在通过后述的磨削磨轮44a、44b的多个磨削磨具48(参照图3)对被加工物11进行磨削时使卡盘工作台18旋转。
另外，在第1磨削位置B的附近和第2磨削位置C的附近分别设置有对卡盘工作台18所保持的被加工物11的厚度进行测量的厚度测量器20a、20b。各厚度测量器20a、20b经时地测量磨削被加工物11时的被加工物11的厚度的变化。
具体而言，各厚度测量器20a、20b具有一对高度计。该一对高度计中的一方具有在对被加工物11进行磨削时与未被后述的磨削磨轮44a、44b覆盖而露出的被加工物11的上表面(例如背面11b)接触的测头。
另外，一对高度计中的另一方具有在对被加工物11进行磨削时与未被被加工物11和后述的磨削磨轮44a、44b覆盖而露出的卡盘工作台18的保持面接触的测头。
因此，在对被加工物11进行磨削时，通过一对高度计分别测量被加工物11的上表面(例如背面11b)的高度和卡盘工作台18的保持面的高度。并且，各厚度测量器20a、20b将这些高度的差作为被加工物11的厚度而测量。
另外，在第1磨削位置B的后方配置有柱状的支承构造22a，在第2磨削位置C的后方配置有柱状的支承构造22b。并且，在各支承构造22a、22b的前表面侧(正面侧)设置有使移动板28a、28b沿着Z轴方向移动(升降)的移动机构24a、24b。
各移动机构24a、24b具有沿着Z轴方向延伸的一对导轨26。在该一对导轨26的前表面侧(正面侧)以能够滑动的方式连结有移动板28a、28b。另外，在一对导轨26之间配置有沿着Z轴方向延伸的丝杠轴30。
并且，在丝杠轴30的上端部连结有用于使丝杠轴30旋转的电动机32。另外，在丝杠轴30的形成有螺纹牙的外周面上设置有对根据丝杠轴30的旋转而循环的多个滚珠进行收纳的螺母(未图示)，构成滚珠丝杠。
另外，该螺母固定于移动板28a、28b的后表面侧(背面侧)。因此，若利用电动机32使丝杠轴30旋转，则移动板28a、28b与螺母一起沿着Z轴方向移动(升降)。
另外，在移动板28a的前表面侧(正面侧)固定有进行被加工物11的粗磨削的磨削单元34a。另一方面，在移动板28b的前表面侧(正面侧)固定有进行被加工物11的精磨削的磨削单元34b。
因此，若使移动板28a升降，则磨削单元34a也进行升降，另外，若使移动板28b升降，则磨削单元34b也进行升降。各磨削单元34a、34b具有沿着Z轴方向延伸的中空的圆柱状的壳体36。
在该壳体36的上部设置有电动机38，该电动机38与以能够旋转的方式收纳于壳体36的主轴的基端部(上端部)连结。另外，该主轴沿着Z轴方向延伸，其前端部(下端部)从壳体36的下部露出。
图3是示意性示出从壳体36的下部露出的磨削单元34a、34b的构成要素的侧视图。在从壳体36的下部露出的主轴40的前端部固定有由金属等构成的圆盘状的安装座42。
另外，在磨削单元34a的安装座42的下表面侧安装有粗磨削用的磨削磨轮44a，在磨削单元34b的安装座42的下表面侧安装有精磨削用的磨削磨轮44b。并且，各磨削磨轮44a、44b通过从电动机38经由主轴40和安装座42而传递的动力，绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转。
另外，各磨削磨轮44a、44b具有外径与安装座42的直径大致相等的圆环状的磨轮基台46。该磨轮基台46例如由铝或不锈钢等金属构成。另外，在磨轮基台46的下表面侧固定有多个磨削磨具48。
多个磨削磨具48例如分别具有长方体状的形状，沿着磨轮基台46的周向大致等间隔地排列。另外，多个磨削磨具48分别通过将由金刚石或cBN(cubic Boron Nitride，立方氮化硼)等构成的磨粒利用金属结合剂、树脂结合剂或陶瓷结合剂等结合材料固定而形成。
其中，作为磨削磨轮44a的磨削磨具48，应用适合粗磨削的磨削磨具，作为磨削磨轮44b的磨削磨具48，应用适合精磨削的磨削磨具。因此，磨削磨轮44b的磨削磨具48所包含的磨粒的平均粒径例如小于磨削磨轮44a的磨削磨具48所包含的磨粒的平均粒径。
另外，在各磨削单元34a、34b的内部设置有用于提供纯水等液体(磨削液)的磨削液提供路(未图示)。另外，可以在各磨削单元34a、34b的附近代替磨削液提供路或在磨削液提供路的基础上设置提供磨削液的喷嘴。
该磨削液在通过磨削磨轮44a、44b的多个磨削磨具48对被加工物11进行磨削时提供至被加工物11与多个磨削磨具48的接触界面(加工点)。由此，将被加工物11和磨削磨具48冷却，并且将由于磨削而产生的屑(磨削屑)冲掉。
并且，在磨削单元34a中，按照使磨削磨轮44a旋转时的多个磨削磨具48的轨迹与定位于第1磨削位置B的卡盘工作台18的保持面的中心重叠的方式配置各构成要素。
同样地，在磨削单元34b中，按照使磨削磨轮44b旋转时的多个磨削磨具48的轨迹与定位于第2磨削位置C的卡盘工作台18的保持面的中心重叠的方式配置各构成要素。
另外，在与搬送单元14在X轴方向上相邻的位置设置有将配置在定位于搬送位置A的卡盘工作台18上的被加工物11搬出的搬送单元50。该搬送单元50例如具有对被加工物11的上表面侧(例如背面11b侧)进行吸引的吸引垫。
并且，当将磨削完的被加工物11吸引于搬送单元50的吸引垫而保持于搬送单元50时，按照使吸引垫旋转而将被加工物11向前方搬送的方式使搬送单元50进行动作。
另外，在搬送单元50的右斜前方且在能够通过搬送单元50搬送被加工物11的位置设置有对被加工物11进行清洗的清洗单元52。并且，当通过搬送单元50将磨削完的被加工物11搬入至清洗单元52时，按照对被加工物11进行清洗的方式使清洗单元52进行动作。
图4是示意性示出在磨削装置2中将被加工物11磨削至规定的完工厚度的被加工物的磨削方法的一例的流程图。在该方法中，首先将背面11b朝上的状态的被加工物11保持在定位于搬送位置A的卡盘工作台18上(保持步骤：S1)。
接着，按照将卡盘工作台18定位于第1磨削位置B的方式使转台16旋转(第1旋转步骤：S2)。接着，一边使粗磨削用的磨削磨轮44a旋转，一边通过多个磨削磨具48对卡盘工作台18所保持的被加工物11进行磨削(粗磨削步骤：S3)。
图5是示意性示出粗磨削步骤(S3)的具体例的流程图，图6的(A)、图6的(B)和图6的(C)分别是示意性示出粗磨削步骤(S3)的情况的局部剖视侧视图。
在该粗磨削步骤(S3)中，首先一边使粗磨削用的磨削磨轮44a低速旋转，一边通过多个磨削磨具48对卡盘工作台18所保持的被加工物11的氧化硅膜19进行磨削(第1磨削步骤：S31)。
具体而言，按照磨削磨轮44a与主轴40和安装座42一起以700(rpm)以上且不足1500(rpm)的旋转速度(第2旋转速度)旋转的方式使电动机38进行动作。另外，按照卡盘工作台18以100(rpm)以上且不足300(rpm)的旋转速度旋转的方式使与卡盘工作台18连结的旋转驱动源进行动作。
并且，在保持使磨削磨轮44a和卡盘工作台18这双方旋转的状态下，按照使磨削磨轮44a和卡盘工作台18接近的方式通过移动机构24a使移动板28a和磨削单元34a以规定的速度下降。
由此，多个磨削磨具48与被加工物11的氧化硅膜19接触而对氧化硅膜19进行磨削(参照图6的(A))。另外，第1磨削步骤(S31)持续至将氧化硅膜19去除为止。
例如第1磨削步骤(S31)在开始氧化硅膜19的磨削之后经过规定的时间(具体而言，该规定的时间是用氧化硅膜19的厚度除以磨削单元34a的下降速度而得到的时间以上的时间)时结束。
或者，第1磨削步骤(S31)可以在通过厚度测量器20a测量被加工物11的厚度的状态下在被加工物11的厚度成为规定的厚度(具体而言，该规定的厚度是从被加工物11的原始厚度减去氧化硅膜19的厚度而得到的厚度以下的厚度)时结束。
接着，使多个磨削磨具48与被加工物11分离(分离步骤：S32)。具体而言，在保持使磨削磨轮44a和卡盘工作台18这双方旋转的状态下，按照使多个磨削磨具48和被加工物11分离的方式通过移动机构24a使移动板28a和磨削单元34a上升(参照图6的(B))。
接着，一边使粗磨削用的磨削磨轮44a高速旋转，一边通过多个磨削磨具48对卡盘工作台18所保持的被加工物11的硅晶片13进行磨削(第2磨削步骤：S33)。
具体而言，按照磨削磨轮44a与主轴40和安装座42一起以1500(rpm)以上且不足6000(rpm)的旋转速度(第1旋转速度)旋转的方式使电动机38进行动作。
并且，在保持使磨削磨轮44a和卡盘工作台18这双方旋转的状态下，按照使磨削磨轮44a与卡盘工作台18接近的方式通过移动机构24a使移动板28a和磨削单元34a以规定的速度(该规定的速度例如是与第1磨削步骤(S31)中的移动板28a和磨削单元34a的下降速度相等的速度)下降。
由此，多个磨削磨具48与被加工物11的硅晶片13接触而对硅晶片13进行磨削(参照图6的(C))。另外，第2磨削步骤(S33)可以在开始硅晶片13的磨削之后经过规定的时间时结束，也可以在被加工物11的厚度成为规定的厚度时结束。
接着，按照使磨削磨轮44a和卡盘工作台18这双方的旋转停止的方式，使电动机38和与卡盘工作台18连结的旋转驱动源的动作停止。另外，按照使多个磨削磨具48和被加工物11分离的方式通过移动机构24a使移动板28a和磨削单元34a上升。
接着，按照将卡盘工作台18定位于第2磨削位置C的方式使转台16旋转(第2旋转步骤：S4)。接着，一边使精磨削用的磨削磨轮44b旋转，一边通过多个磨削磨具48对卡盘工作台18所保持的被加工物11进行磨削(精磨削步骤：S5)。
具体而言，按照磨削磨轮44b与主轴40和安装座42一起以规定的旋转速度旋转的方式使电动机38进行动作。另外，按照卡盘工作台18以规定的旋转速度旋转的方式使与卡盘工作台18连结的旋转驱动源进行动作。
并且，在保持使磨削磨轮44b和卡盘工作台18这双方旋转的状态下，按照使磨削磨轮44b与卡盘工作台18接近的方式通过移动机构24b使移动板28b和磨削单元34b以规定的速度下降。
由此，多个磨削磨具48与被加工物11的硅晶片13接触而对硅晶片13进行磨削。另外，精磨削步骤(S5)持续至厚度测量器20b所测量的被加工物11的厚度达到规定的完工厚度为止。通过以上，完成图4所示的被加工物的磨削方法。
在上述粗磨削步骤(S3)中，与对由硅构成的晶片(硅晶片)13进行磨削时的磨削磨轮44a的旋转速度相比，使对由与硅相比为难磨削材料的氧化硅构成的薄膜(氧化硅膜)19进行磨削时的磨削磨轮44a的旋转速度为低速。
这里，在磨削时的磨削磨轮44a的旋转速度为低速的情况下，通过与被加工物11的接触而对多个磨削磨具48分别作用强摩擦力，多个磨削磨具48容易被磨削。即，在该情况下，能够促进多个磨削磨具48各自的自锐。由此，能够不产生不良情况而磨削氧化硅膜19。
另外，在这样磨削氧化硅膜19的情况下，无需利用磨削力高的磨削磨轮或使被加工物11的磨削速度(磨削磨轮44a的下降速度)减慢。由此，能够不使通过将被加工物11分割而制造的芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置2的占有区域增加。
另外，上述的被加工物的磨削方法是本发明的一个方式，本发明不限于上述的被加工物的磨削方法。例如也可以为了使与硅相比为难磨削材料且作为器件17的构成要素的金属电极在被加工物11的背面11b上露出而实施本发明的磨削方法。
在该情况下，在粗磨削步骤(S3)中，首先一边使磨削磨轮44a高速旋转，一边通过多个磨削磨具48对被加工物11的背面11b侧进行磨削直至到达金属电极的附近为止。并且，一边使磨削磨轮44a低速旋转一边进一步对被加工物11的背面11b侧进行磨削，直至对包含金属电极的层的一部分进行磨削为止。
在该粗磨削步骤(S3)中，如上所述，能够磨削包含与硅相比为难磨削材料的金属电极的层。另外，如上所述，能够不使通过将被加工物11分割而制造的芯片的生产率降低且能够抑制磨削装置2的占有区域增加。
另外，在本发明的磨削方法中，可以省略精磨削步骤(S5)。即，在本发明的磨削方法中，可以在第2磨削步骤(S33)中将被加工物11磨削至规定的完工厚度。
另外，在本发明的磨削方法中，可以省略分离步骤(S32)。即，在本发明的磨削方法中，可以在多个磨削磨具48与被加工物11接触的状态下变更磨削磨轮44a的旋转速度。
另外，在本发明的磨削方法中，可以一边使保持被加工物11的卡盘工作台18上升一边实施被加工物11的磨削。即，在磨削装置2中，只要设置有能够使磨削磨轮44a、44b和卡盘工作台18相对地移动的构造即可，对该构造没有限制。
除此以外，上述实施方式的构造和方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。

Claims (5)

1.一种被加工物的磨削方法，将具有第1层和与该第1层层叠的第2层的被加工物磨削至规定的完工厚度，该第1层包含第1材料，该第2层包含与该第1材料相比为难磨削材料的第2材料，其中，
该被加工物的磨削方法具有如下的步骤：
第1磨削步骤，一边使呈环状排列有多个磨削磨具的磨削磨轮以第1旋转速度旋转，一边通过该多个磨削磨具对卡盘工作台所保持的该被加工物的该第1层进行磨削；以及
第2磨削步骤，一边使该磨削磨轮以与该第1旋转速度相比为低速的第2旋转速度旋转，一边通过该多个磨削磨具对该卡盘工作台所保持的该被加工物的该第2层进行磨削。
2.根据权利要求1所述的被加工物的磨削方法，其中，
该被加工物的磨削方法在该第1磨削步骤与该第2磨削步骤之间还具有使该多个磨削磨具与该被加工物分离的分离步骤。
3.根据权利要求1或2所述的被加工物的磨削方法，其中，
该第1材料是硅，
该第2材料是氧化硅，
在实施该第2磨削步骤而去除了该第2层之后实施该第1磨削步骤。
4.根据权利要求3所述的被加工物的磨削方法，其中，
该第2磨削步骤在以规定的速度使该磨削磨轮与该卡盘工作台相对地移动以使得该磨削磨轮与该卡盘工作台接近的状态下开始该第2层的磨削，然后经过了规定的时间时结束。
5.根据权利要求3所述的被加工物的磨削方法，其中，
该第2磨削步骤在测量了该被加工物的厚度的状态下当该被加工物的厚度成为规定的厚度时结束。
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