JPH097793A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【構成】 マイクロ波発振器２３とマイクロ波を伝送す
る導波管２２と導波管２２に接続された誘電体線路２１
と誘電体線路２１に対向配置されたマイクロ波導入窓１
４を有する反応器１１と反応器１１内に配設された試料
保持部１５ａと試料保持部１５ａに高周波を印加する高
周波電源１８とマイクロ波導入窓１４と試料保持部１５
ａとの間に設けられ、マイクロ波透過孔２４ａを有する
アースされた導電体板２４とを備えたプラズマ処理装置
において、マイクロ波透過孔２４ａに誘電体板２４が配
設されているマイクロ波プラズマ処理装置。 【効果】 フッ素系ガス等の腐食系のガスを使用してエ
ッチング等の処理を行っても、マイクロ波導入窓１４の
エッチングを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳細には例えば半導体ウエハ等のエッ
チング又は薄膜形成等を行う装置として用いられるマイ
クロ波プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空近くに減圧した容器内に反応ガスと
マイクロ波を導入し、ガス放電を起こさせてプラズマを
生成させ、このプラズマを基板表面に照射してエッチン
グや薄膜形成等の処理を行なわせるマイクロ波プラズマ
処理装置は、高集積半導体装置等の製造において欠くこ
とができないものとなってきている。その中でも特に、
プラズマの生成とプラズマ中におけるイオンの加速とが
それぞれ独立して制御可能なマイクロ波プラズマ処理装
置は、ドライエッチング技術や薄膜形成における埋め込
み技術にとって不可欠のものになってきており、その研
究開発が進められている。
【０００３】図３は、プラズマの生成とプラズマ中のイ
オンの加速とをそれぞれ独立して制御することを目的と
し、本出願人が特開平６ー１０４０９８号公報において
提案したマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に示した
断面図であり、図中１１は中空直方体形状の反応器を示
している。この反応器１１はステンレス等の金属を用い
て形成され、その周囲壁は二重構造となっており、その
内部には冷却水通路１２が形成され、冷却水通路１２に
流れる冷却水は冷却水導入口１２ａより供給され、冷却
水排出口１２ｂより排出されるようになっている。冷却
水通路１２の内側には反応室１３が形成されており、ま
た反応器１１の上部はマイクロ波の透過性を有し、誘電
損失が小さく、かつ耐熱性を有する石英ガラス、パイレ
ックスガラス、アルミナ等の誘電体を用いて形成された
マイクロ波導入窓１４によって気密状態に封止されてい
る。マイクロ波導入窓１４の下面には、アースされた電
極手段としての金属製の導電体板３１が当接して配置さ
れ、この導電体板３１にはマイクロ波の進行方向に対し
て垂直に複数個のマイクロ波透過孔３２が形成され、導
電体板３１は反応器１１を介して接地３３されている。
図３には示していないが、導電体板３１はマイクロ波導
入窓１４と試料保持部１５ａとの中間位置に配設され、
反応器１１を介して接地３３されていてもよい。
【０００４】また、反応室１３内における導電体板３１
と対向する箇所には試料Ｓを保持するための試料保持部
１５ａと、これが載置された試料台１５とが配設されて
おり、試料台１５は上下方向に昇降が可能なように駆動
装置（図示せず）に接続されている。試料保持部１５ａ
には試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させるための高周
波電源１８が接続されており、また試料Ｓを保持するた
めの静電チャック等の吸着機構（図示せず）が装備され
るとともに、試料Ｓを冷却するための冷媒等を循環させ
る冷却機構（図示せず）が配設されている。反応器１１
の下部壁には図示しない排気装置に接続された排気口１
６が形成されており、また反応器１１の一側壁には反応
室１３内に所要の反応ガスを供給するためのガス供給管
１７が接続されている。
【０００５】一方、反応器１１の上方には誘電体線路２
１が配設されており、誘電体線路２１はＡｌ等の金属板
２１ａ及び誘電体層２１ｃにより構成され、誘電体線路
２１の終端は金属製の反射板２１ｂで封止されている。
誘電体層２１ｃは金属板２１ａの下面に貼着され、この
誘電体層２１ｃは、例えば誘電損失の小さいフッ素樹
脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン等を用いて形成
されている。誘電体線路２１には導波管２２を介してマ
イクロ波発振器２３が連結されており、マイクロ波発振
器２３で発生したマイクロ波が導波管２２を介して誘電
体線路２１に導入されるようになっている。
【０００６】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用いて、例えば試料保持部１５ａ上に載置さ
れた試料Ｓ表面にエッチング処理を施す場合、まず試料
保持部１５ａに載置された試料Ｓの位置が所定の高さに
なるように前記駆動装置を用いて調整した後、排気口１
６から排気を行ない、その後にガス供給管１７から反応
室１３内に反応ガスを供給し、反応室１３内を所要の圧
力に設定する。また冷却水を冷却水導入口１２ａから供
給し、冷却水通路１２内を循環させて冷却水排出口１２
ｂから排出させる。次いで、マイクロ波発振器２３にお
いてマイクロ波を発振させ、このマイクロ波を導波管２
２を介して誘電体線路２１に導入する。すると誘電体線
路２１下方に電界が形成され、形成された電界がマイク
ロ波導入窓１４とアースされた導電体板３１におけるマ
イクロ波透過孔３２とを透過し、反応室１３内において
プラズマを生成させる。この後、高周波電源１８を用い
て試料保持部１５ａに高周波を印加し、ア−スされた導
電体板３１によって試料Ｓ表面に安定したバイアス電圧
を生じさせる。そして安定的に発生させたバイアス電圧
によってプラズマ中のイオンを試料Ｓ表面に対して垂直
に入射させるとともにイオンのエネルギーを制御しなが
らエッチングを行なう。
【０００７】上記したマイクロ波プラズマ処理装置にお
いては、マイクロ波透過孔３２を有するア−スされた導
電体板３１がマイクロ波導入窓１４に当接して配置され
ている。その結果、プラズマに対するアース電位が安定
してプラズマポテンシャルが安定し、試料保持部１５ａ
に高周波を印加した際、試料Ｓ表面に安定したバイアス
電圧を生じさせることができ、プラズマ中のイオンエネ
ルギーを適正化し、かつ試料表面に対してイオンを垂直
に照射することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英ガ
ラス製のマイクロ波導入窓１４が使用されている場合に
おいては、フッ素系のガスを用いてエッチング等の処理
を行うと、マイクロ波導入窓１４の試料保持部１５ａ側
の面でマイクロ波透過孔３２を介して反応室１３側に露
出している部分がフッ素系のガスと接触するためにエッ
チングされてしまうという課題があった。
【０００９】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、試料表面に安定したバイアス電圧を生じさせ
るとともに、エッチングガスとしてフッ素系のガスが使
用されても、マイクロ波導入窓の一部がエッチングされ
るのを防止することができるマイクロ波プラズマ処理装
置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波
管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置
されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内
に配設された試料保持部と、前記マイクロ波導入窓と前
記試料保持部との間に配設され、透過孔を有するアース
された電極（以下、導電体板と記す）とを備えたマイク
ロ波プラズマ処理装置において、前記透過孔に誘電体板
が配設されていることを特徴としている。
【００１１】
【作用】上記構成のマイクロ波プラズマ処理装置によれ
ば、透過孔を有する導電体板の該透過孔に誘電体板が配
設されているので、フッ素系ガス等の腐食系のガスを使
用してエッチング等の処理を行う場合においても、マイ
クロ波導入窓がエッチングされることはない。またマイ
クロ波は前記誘電体板を通過し、反応器内にプラズマを
発生させる。
【００１２】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置の実施例を図面に基づいて説明する。な
お、従来例と同一の機能を有する構成部品には同一の符
合を付すものとする。
【００１３】図１は実施例に係るマイクロ波プラズマ処
理装置を模式的に示した断面図であり、マイクロ波導入
窓１４に配設された導電体板２４を除いたその他の構成
は、従来例として図３に示したマイクロ波プラズマ処理
装置と同様であるため、ここではその詳細な説明は省略
する。
【００１４】実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置
にあっては、反応器１１内の石英ガラス製のマイクロ波
導入窓１４に当接して試料保持部１５ａと平行にアルミ
ニウム製の導電体板２４が配設されており、この導電体
板２４には、複数個のマイクロ波透過孔２４ａが形成さ
れている。この複数個のマイクロ波透過孔２４ａの形状
は特に限定されるものではないが、マイクロ波が透過し
易い形状であることが好ましい。このようなマイクロ波
透過孔２４ａの形状としては、例えば図２に示したよう
なマイクロ波の進行方向に対して平行に形成された長方
形等の形状等が挙げられる。そして、この導電体板２４
に形成されたマイクロ波透過孔２４ａにはアルミナセラ
ミックス製の誘電体板２５が透過孔に嵌合されること等
により配設されている。
【００１５】このように本実施例では、誘電体板２５の
材料としてアルミナセラミックスを用いているが、これ
に限定されるものではない。誘電体板２５としては、比
誘電率εr が４〜１０程度で、絶縁抵抗ＩＲが１０8 〜
１０12Ω程度のものであればよく、例えば石英等を用い
ても差し支えない。また、誘電体板２５の厚さは１０ｍ
ｍで、本実施例の場合、導電体板３１と同じ厚さである
が、通常、その厚さは２〜４ｍｍ程度であればよい。
【００１６】また、本実施例ではア−スされた導電体板
２４はマイクロ波導入窓１４に当接して配置されている
が、これに限定されるものではなく、別の実施例ではア
ースされた導電体板２４がマイクロ波導入窓１４と試料
保持部１５ａとの中間位置に配設されていてもよい。ま
た、本実施例では導電体板２４の材料としてアルミニウ
ムを用いているが、これに限定されるものではなく、導
電性を有し、汚染源になりにくい材料であればよく、カ
ーボン、シリコン、又は薄い表面酸化膜を有する材料
（例えば表面アルマイトとアルミニウム）を用いても差
し支えない。
【００１７】以下に、本実施例に係る装置を用いてシリ
コン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）のエッチングを行った結果に
ついて説明する。この場合、試料Ｓとして８インチのシ
リコンウエハ上に１μｍのＳｉＯ2 膜が形成されたもの
を使用し、放電用ガスとしてはＣＦ4 を約３０ｓｃｃ
ｍ、ＣＨＦ3 を約３０ｓｃｃｍ及びＡｒを約１００ｓｃ
ｃｍの割合で供給し、反応室１３内のガス圧力を約３０
ｍＴｏｒｒに設定し、またマイクロ波は周波数が２．４
５ＧＨｚのものを用い、１ｋＷの電力によりプラズマを
生成させた。さらに試料保持部１５ａには周波数が４０
０ｋＨｚの高周波を６００Ｗの電力で供給し、２分間前
記シリコンウエハのエッチング処理を行った。
【００１８】そして、このようなエッチング処理を５０
０枚のシリコンウエハについて繰り返したが、いずれの
シリコンウエハについても良好にエッチング処理が行わ
れていることが確認された。前記実験の後、マイクロ波
導入窓１４がエッチングされているか否かを観察した
が、マイクロ波導入窓１４にはエッチングによる削れは
観察されなかった。
【００１９】次に、複数個のマイクロ波透過孔２４ａが
形成された導電体板２４で、このマイクロ波透過孔２４
ａに誘電体板２５が配設されていない他は、上記実施例
の場合と同様の構成のプラズマエッチング装置を使用し
て、同様の条件で２００枚のシリコンウエハを処理した
ところ、マイクロ波導入窓１４が０．５ｍｍの深さまで
エッチングされていることが観察された。
【００２０】以上のように、実施例に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置にあっては、導電体板２５に形成された
マイクロ波透過孔２４ａに誘電体板２５が配設されてい
るので、ＣＦ4 及びＣＨＦ3 を含有するフッ素系ガスを
使用してエッチング等の処理を行っても、マイクロ波導
入窓１４がエッチングされることはない。またマイクロ
波透過孔２４ａには誘電体板２５が配設されているの
で、マイクロ波は誘電体板２５を通過し、反応器内にプ
ラズマを発生させる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波プラズマ処理装置にあっては、透過孔を有する導電
体板の該透過孔に誘電体板が配設されているので、フッ
素系ガス等の腐食系のガスを使用してエッチング等の処
理を行う場合、マイクロ波導入窓のエッチングを防止す
ることができる。またマイクロ波透過孔には誘電体板が
配設されているので、マイクロ波は誘電体板を通過し、
反応器内にプラズマを発生させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の実
施例を模式的に示した断面図である。
【図２】実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置のマ
イクロ波導入窓に配設された導電体板を模式的に示した
正面図である。
【図３】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。
【符号の説明】
１１ 反応器 １４ マイクロ波導入窓 １５ａ 試料保持部 １８ 高周波電源 ２１ 誘電体線路 ２２ 導波管 ２３ マイクロ波発振器 ２４ 導電体板 ２４ａ マイクロ波透過孔 ２５ 誘電体板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 克生 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 秋元 健司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送
    する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該
    誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する
    反応器と、該反応器内に配設された試料保持部と、前記
    マイクロ波導入窓と前記試料保持部との間に配設され、
    透過孔を有するアースされた電極とを備えたマイクロ波
    プラズマ処理装置において、 前記透過孔に誘電体板が配設されていることを特徴とす
    るマイクロ波プラズマ処理装置。
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US08/663,645 US5804923A (en) 1995-06-15 1996-06-14 Plasma processing apparatus having a protected microwave transmission window
DE69626446T DE69626446T2 (de) 1995-06-15 1996-06-14 Plasmabearbeitungsgerät
KR1019960021630A KR100218836B1 (ko) 1995-06-15 1996-06-14 플라스마 처리장치
EP96304453A EP0749148B1 (en) 1995-06-15 1996-06-14 Plasma processing apparatus
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TW (1) TW309694B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999066769A1 (fr) * 1998-06-19 1999-12-23 Sumitomo Metal Industries Limited Processeur plasmique
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
KR20020080014A (ko) * 2001-04-10 2002-10-23 주식회사 에이티씨 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US6209482B1 (en) * 1997-10-01 2001-04-03 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator
JP3430053B2 (ja) * 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7584714B2 (en) * 2004-09-30 2009-09-08 Tokyo Electron Limited Method and system for improving coupling between a surface wave plasma source and a plasma space
TW200640301A (en) * 2005-05-12 2006-11-16 Shimadzu Corp Surface wave plasma processing apparatus
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
JP5136574B2 (ja) * 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101697472B1 (ko) 2015-10-16 2017-01-18 삼안산업 주식회사 정전 지그를 이용한 유리병 도장용 적재 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3738352A1 (de) * 1987-11-11 1989-05-24 Technics Plasma Gmbh Filamentloses magnetron-ionenstrahlsystem
EP0502269A1 (en) * 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments
JP2570090B2 (ja) * 1992-10-08 1997-01-08 日本電気株式会社 ドライエッチング装置
JP3042208B2 (ja) * 1992-09-22 2000-05-15 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2611732B2 (ja) * 1993-12-13 1997-05-21 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
DE69524671T2 (de) * 1994-06-14 2002-08-14 Sumitomo Metal Ind Mikrowellenplasma-Bearbeitungssystem
JP3171222B2 (ja) * 1994-06-14 2001-05-28 日本電気株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999066769A1 (fr) * 1998-06-19 1999-12-23 Sumitomo Metal Industries Limited Processeur plasmique
US6358361B1 (en) 1998-06-19 2002-03-19 Sumitomo Metal Industries Limited Plasma processor
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
KR20020080014A (ko) * 2001-04-10 2002-10-23 주식회사 에이티씨 플라즈마 처리 장치

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