TW309694B - - Google Patents

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TW309694B TW085107835A TW85107835A TW309694B TW 309694 B TW309694 B TW 309694B TW 085107835 A TW085107835 A TW 085107835A TW 85107835 A TW85107835 A TW 85107835A TW 309694 B TW309694 B TW 309694B
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Description

30S694 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 技 術 領 域 1 這 是 - 個 關 於 霉 漿 處 理 裝 置 方 面 的 發 明 說 的 清 楚 —* 1 點 本 發 明 是 一 個 用 來 蝕 刻 半 専 體 晶 元 或 在 晶 元 上 製 作 請 1 I 薄 祺 的 微 波 電 漿 處 理 装 置 〇 先 閱 1 I 讀 1 | 技 術 背 景 背 1 I 之 1 微 波 % 漿 處 理 裝 置 在 製 造 高 密 度 半 導 體 原 件 上 應 用 得 注 意 1 相 當 廣 泛 〇 在 這 種 微 波 電 漿 處 理 裝 置 中 我 們 把 反 應 氣 事 項 r 1 1 體 和 微 波 送 入 真 空 室 中 用 來 產 生 離 氣 99 因 而 在 室 i 本 1 裝 中 生 成 霣 漿 0 % 漿 可 Μ 應 用 在 晶 元 上 用 來 蝕 刻 表 面 或 頁 1 1 是 製 作 薄 膜 曆 0 而 特 別 當 微 波 電 漿 處 理 裝 置 應 用 在 乾 蝕 1 1 刻 技 術 及 嵌 入 技 術 上 時 如 何 使 電 漿 的 生 成 和 電 漿 中 離 1 I 子 的 加 速 度 兩 者 的 控 制 相 互 獨 立 變 得 相 當 重 要 而 且 1 訂 已 受 到 相 當 廣 泛 的 研 究 0 1 圖 一 是 曰 本 專 利 公 開 特 許 案 > ICo k a i He is e i 6 104098 1 I 中 歸 類 為 一 般 應 用 的 微 波 電 漿 處 理 裝 置 的 剖 面 圖 〇 這 個 1 1 1 發 明 是 著 重 在 使 電 漿 的 生 成 和 1S 漿 中 離 子 的 加 速 度 兩 者 1 i 的 控 制 相 互 獨 立 〇 在 圖 -一 中 * 反 應 容 器 檷 為 11 • 其 材 質 線 I 為 不 鏽 網 ·> 鋁 或 是 類 的 物 霣 〇 而 反 應 容 器 11 外 壁 的 雙 1 1 層 结 構 形 成 了 冷 卻 管 線 12 〇 冷 卻 劑 從 冷 卻 管 線 入 P 12 a 1 1 沿 著 冷 卻 管 線 12到 冷 卻 W 線 出 Ρ 12b 循 m 著 〇 反 應 容 器 1 I 11 的 中 間 形 成 了 一 涸 反 應 室 13 〇 反 應 容 器 11 的 頂 端 和 是 1 1 用 電 介 質 材 料 作 成 的 微 波 導 入 窗 14密 封 起 來 一 般 所 用 1 1 的 電 介 質 有 石 英 玻 璃 不 裂 耐 熱 玻 璃 或 是 礬 土 等 等 具 有 1 I 低 電 介 質 損 耗 及 熱 阻 的 材 料 Ο __. 個 用 來 加 熱 反 應 室 13 内 1 1 -3 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X2W公釐〉 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 309694 A1 __B7 五、發明説明(> ) 部的電熱器瓖编在反應容器11的周園,而在圖中並沒有 檷示出來。經由甭熱器加熱以及在冷卻管線12中循 瑁的冷卻劑的冷#卩,我們可Μ精確的控制反應室13中的溫 度0 微波導人窗14是附著在接地端的金颶導電極板31的底 端。導電極板31上分佈了多個垂直於微波行進方向的微 波傅導孔32。専電欞板31經由反應容器11接地。導霣極 板31也可Κ裝置在撤波導入窗14和置物架15a之間,雖 然圈中沒有顧示瑄種排列方式,不過導霣極板31仍然是 經由反應容器11接地。 在反應室13之中,在處理台15上裝有用來固定目禰物 30的置物架15a,處理台15可K經由一個驅動器(未圖示 出)的控制上下移動。置物架15a連接到高頻電源供應 器18,而在目標物30的表面產生偏壓。置物架15a上有 機械夾盤(未圖示出),例如靜電夾盤來穗稱的固定住目 摞物30。而置物架15a上也有裝置冷卻系統(未画示出) *用來冷卻目禰物30。在反應容器11的底端的排氣口 16 連接到抽氣裝置(未圖示出)上。而在反應容器11側壁的 進氣口 17則將預定的反應氣體引進反應室13。 在反應容器11上面的電介質線21是由一涸鋁或類似材 霣作成的金靨電極21a和一個電介霣層21c所組成。電 介霣線21的終端是由金屬反射面21b所密封起來。電介 霣層21c是附著在金钃電極21a的底端。電介質層21c 是由氰合成樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯或是類似等等具有 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項/^寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 低 電 介 質 損 耗 的 材 料 牖 構 成 〇 電 介 質 線 2 1 經 由 導 波 管 22 1 1 連 接 到 微 波 震 盪 器 23 , 所 Μ 微 波 籐 盪 器 23所 產 生 的 微 波 1 1 可 以 經 由 導 波 管 22 傳 送 到 電 介 霣 線 21 0 請 I | 上 述的微波電 漿 處 理 装 置 在 蝕 刻 經 由 置 物 架 15 a 所 固 定 先 閲 讀 1 1 住 的 0 標 物 30的 表 面 時 f 我 們 調 整 處 理 台 1 5位 置 使 得 巨 背 面 1 之 1 檷 物 30 處 於 ___. 涸 缠 當 的 高 度 〇 接 下 來 不 必 要 的 氣 體 將 經 意 1 I 由 排 氣 0 16從 反 應 室 1 3 中 排 出 然 後 反 應 氣 體辨經由進 氣 事 項 1 1 口 1 7進 入 反 應 室 1 3 » 直 到 達 到 預 定 的 壓 力 為 止 0 同 時 > % 本 1 裝 冷 卻 劑 經 由 冷 卻 管 線 入 口 12 a 進 入 冷 卻 管 線 12 « 然 後 由 頁 '—^ 1 1 冷 卻 管 線 出 P 12b 排 出 〇 之 後 由 微 波 務 盪 器 23 產 生 的 微 1 1 波 沿 著 導 波 管 22行 進 到 電 介 質 線 21 〇 當 微 波 進 入 電 介 質 1 | 線 2 1 後 » 電 介 質 線 21 之 下 將 產 生 電 磁 場 » 而 微 波 就 經 由 1 1 訂 微 波 傅 導 孔 32進 人 反 懕 室 1 3 0 随 著 嫌 波 的 導 入 , 反 應 室 1 1 3 中 於 是 就 有 電 漿 生 成 〇 接 著 當 高 頻 電 源 供 應 器 18所 供 1 I 應 的 高 頻 電 颸 傳 到 置 物 架 15 a 之 上 時 * 百 檷 物 30的 表 面就 1 I 產 生 了 偏 魅 0 在 穩 定 的 僱 懕 下 t 電 漿 之 中 能 量 被 控 制 的 1 1 離 子 將 垂 直 入 射 到 要 被 蝕 刻 的 百 摞 物 30的 表 面 0 線 I 在 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 中 • 因 為 具 有 微 波 傳 導 孔 32的 導 1 1 霣 極 板 3 1 是 連 接 在 微 波 導 入 窗 1 4上 • 所 >λ 接 地 霣 位 相 對 I 1 於 電 漿 是 固 定 的 〇 而 在 反 應 室 1 3 中 的 電 漿 電 位 亦 皤 著 m 1 I 定 « 因 此 播 定 的 偏 壓 可 Μ 均 勻 的 施 加 到 巨 檷 物 30的 表 面 1 ! 0 所 以 電 漿 中 離 子 的 能 量 可 Μ 精 確 的 控 制 , 而 且 離 子 可 1 | 以 垂 直 的 入 射 到 巨 檷 物 的 表 面 0 1 | 然 而 在 一 般 的 微 波 處 理 裝 置 中 * 當 微 波 導 入 窗 是 由 石 1 f -5 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公趫) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 五、發明説明( A ) 1 1 英 玻 璃 或 類 U 材 質 所 構 成 * 而 且 牲 刻 氣 體 是 使 用 氟 系 化 1 1 合 物 時 » 激 波 導 入 窗 1 4的 下 方 表 面 會 被 電 漿 所 蝕 刻 〇 原 1 因 是 微 波 導 人 窗 1 4的 下 方 表 面 在 微 波 傳 導 孔 32的 部 份 是 請 1 I 暴 充 在 反 應 室 13下 的 0 此 外 9 m 波 導 入 窗 是 很 昂 貴 的 » 先 閱 1 I 讀 1 I 並 且 在 更 換 時 也 會 相 當 麻 煩 0 背 1 之 1 發 明 巨 的 意 1 I 如 上 述 * 這 涸 發 明 的 百 標 是 提 供 — 個 就 算 是 使 用 氟 系 事 項 r 1 1 蝕 刻 氣 體 也 不 會 造 成 微 波 導 人 部 份 遭 蝕 刻 的 電 漿 處 理 裝 寫 本 1 裝 置 0 頁 1 I 下 面 將 說 明 本 發 明 之 其 他 優 點 及 特 點 * 而 對 此 技 m 熟知 1 1 者閲 讓 下 列 文 章 或 實 行 本 發 明 後 應 也 知 道 本 發 明 之 其 他 1 I 優 點 及 特 黏 0 而 由 本 發 明 之 申 請 專 利 範 圍 亦 可 知 本 發 明 1 訂 設 置 及 組 合 方 面 的 優 點 〇 1 發 明 m 論 ! I 就 本 發 明 的 一 個 觀 點 來 看 f 在 傳 導 孔 裡 會 裝 上 由 電 介 1 1 質 製 的 電 極 板 〇 通 常 較 佳 的 電 介 質 材 質 的 相 對 介 電 常 數 1 1 應 在 4 到 8 之 間 而 且 絕 緣 電 阻 在 10 8 到 10 12 Ω 之 間 * 如 線 I 礬 土 陶 瓷 類 的 絕 緣 物 就 是 〇 m 緣 體 的 厚 度 最 好 和 導 電 極 1 1 板 樣 f 而 大 小 可 Μ 和 微 波 傳 導 孔 相 吻 合 〇 1 1 在 發 明 中 的 電 漿 處 理 裝 置 中 1 附 有 電 介 質 組 件 的 微 波 1 I 導 入 結 構 被 裝 在 微 波 傳 導 孔 上 * 如 此 來 微 波 導 人 窗 I 1 可 避 免 被 即 使 像 氟 氣 這 類 專 門 用 來 侵 蝕 物 質 的 侵 蝕 氣 體 1 所 触 刻 〇 微 波 穿 過 電 介 霣 組 件 進 入 到 反 懕 室 中 * 然 後 在 1 | 褢 面 產 生 霣 漿 〇 1 1 -6 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨Ox29?公釐) A7 B7 經濟部中央標隼局員工消资合作社印製 五、發明説明( S: ) 1 1 附圖説明 1 1 圈 1 是 —· 般 撤 波 電 漿 處 理 裝 置 的 剖 面 圖 〇 1 圖 2 是 本 發 明 中 較 佳 實 行 例 的 微 波 電 漿 處 理 装 置 的 剖 請 1 先 1 面 圖 〇 閱 I 讀 1 | 圖 3 是 在 麵 2 中 的 較 佳 實 行 例 所 使 用 的 導 電 極 板 (接 背 1 I 之 1 地 端 )剖面圃 意 1 1 較 佳 實 例 說 明 事 項 1 1 在 此 » 一 個 較 佳 實 行 例 的 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 是 >λ 结 合 板 % 本 1 裝 附 ΠΒΠ 画 的 方 式 來 加 Μ 說 明 〇 圖 2 是 本 發 明 中 較 佳 實 行 例 的 頁 ___. 1 I 微 波 電 漿 處 理 裝 置 的 剖 面 圖 0 在 圖 2 中 , 標 號 "1 11 η 代 1 1 表 一 儸 由 不 绣 m 或 鋁 之 類 金 鼸 所 製 成 的 反 m 容 器 〇 這 m ! I 反 應 容 器 11 1 有 一 個 雙 暦 结 構 的 外 壁 用 以 形 成 冷 卻 管 線 I 1 訂 112。 冷 卻 m 由 入 Π 11 2 a 沿 著 冷 卻 管 線 1 1 2 循 環 流 至 出 〇 1 112b 〇 於 是 在 反 應 容 器 11 1 中 形 成 一 個 反 應 室 11 3 0 反 1 I 應 容 器 11 1 的 頂 端 和 由 電 介 質 物 筲 所 構 成 的 MlL·. 微 波 導 入 窗 1 1 密 接 起 來 〇 電 介 質 材 質 通 常 是 具 有 低 電 介 霣 損 耗 和 低 魏 1 1 阻 像 石 英 玻 璃 > 附 熱 不 裂 玻 璃 鋁 之 類 的 材 筲 〇 在 反 應 線 I 容 器 11 1 的 通 圈 附 有 一 個 用 來 加 熱 反 應 室 11 3 内 部 的 電 1 1 熱 器 0 瑄 個 電 熱 器 在 nan 圃 2 中 並 沒 有 被 顯 示 出 來 〇 1 1 用來作為接地端的導電極 板 124 覆 蓋 微 波 導 入 窗 11 4 的 1 I 下 方 表 面 〇 在 導 電 極 板 124 上 有 許 多 撖 波 傅 導 孔 124c * I 1 而 傅 導 孔 的 放 置 方 式 是 和 微 波 傳 遞 方 向 相 互 垂 直 的 〇 導 1 | 電 極 板 124 是 經 由 反 應 容 器 11 1 與 接 地 點 133 連 结 〇 1 在 反 應 室 11 3 之 中 » 在 處 理 台 11 5 上 的 置 物 架 11 5 a 被 1 I -7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX 297公f ) 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 A7 B7五、發明説明() 用來固定即將被蝕刻的目搮物130 。處理台115的升高 或下降是利用一個未顯示出的驅動器來達成。置物架 115a連接一個高頻的電源118 ,其作用是在目標物130 的表面上產生偏壓。置物架115a上有機械夾盤(未圖示 出),例如靜電夾盤來键S的固定住目標物130 。而置 物架115a上也有裝置冷卻系统(未圖示出),用來冷卻目 檷物130 。在反應容器111的底端的排氣口 116連接到 抽氣裝置(未麵示出)上。而在反應容器111側壁的進氣 口 117則將預定的反應氣體引進反應室113 。 在反應容器111上面的電介質線121是由一個鋁或類 Μ材質作成的金饜霣極121a和一個電介質暦121c所組成 。電介霣線121的终端是由金屬反射面121b所密封起來 。電介質層121c是附著在金鼸霉極121a的底嫌|。電介質 層121c是由氟合成樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯或是類似等 等具有低電介質損耗的材料靨構成。電介質線121經由 導波管122埋接到微波震盪器123 ,所K微波震盪器123 所產生的微波可Μ經由導波管122傳送到霣介質線121。 上述的微波霉漿處理裝置在蝕刻經由置物架115a所固 定住的目摞物130的表面時,我們調整處理台115位置 使得目檷物130處於一個適當的高度。接下來不必要的 氣體將經由排氣口 116從反應室113中排出,然後反應 氣體將經由進氣口 117進入反應室113 ,直到達到預定 的®力為止。同時,冷卻劑經由冷卻管線入口 112a進入 冷卻管線112 ,然後由冷卻管線出口 112b排出。之後由 -8- ---------批衣------ir------.^ (請先閱讀背面之注意事項%楱寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2丨0X 297公蝽) 309694 A7 _B7五'發明説明(7) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 介1進就頻生子反 的板然圖涸板 成,的導是 4 導 電124C是高產離在 4 極雖如每質 製間類和 K11波 到線12於的就的是11電。成於介 所之之為可 窗微 進質孔中懕面制於 窗導的作對電 霣10璃設也 入於 行介導 3 供表控。 入了行垦。的 材到玻被度 導置 2 電傳11所的被面 導蓋平常過成 瓷 4 英度厚 波放 12,波室 80 量表 波覆互通通製 陶在石厚的 撤 Μ 管後微應1113能的。微都相但易瓷 土” 如的板 和可 波 1 由反器物中 ο 刻在 .是 ,容陶 礬ε7.5 質 4 也 導12經,應檷之13蝕。外5a的較土 由e間12介124 著線就人供目漿物所的4C11制比礬 要數 Ω 板電 板12 沿質波導源,電檷漿成12架限波由 定常12質。 極板 波介微的電時,目電製孔物不微個 一電10介min電極 微電而波頻上下的被所導置是樣一 不介至電10導電 的入,微高之® 刻 0鋁傳和吠這入 並對 8 中是 的導 生進埸著當5afi触13由波 4 形-嵌 5 相10行都 後而 產波磁随著11的被物是微12的形都12的在例. 地然 3 微電。接架定要摞 4 了板4C方4C板質R"霣樣。接 , 12當一 3。 物潘到目12除極12長12極材 Γ 在一 間中的 器。生11成置在射中板,電孔的孔 電常阻。4 之例合 通 1 產室生到。入 3 極面導導示導 導通電是12e 行密 琢12將應漿傳壓直11電表。傳顯傳。然是緣就板4B實互 波線下反霣壓II垂室導方 4 波所波 5 雖但絕質極到在相 微霣之入有電 了將應 下12微 3 微12.且材轚 2 是 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項/螇寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210乂 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( S ) 1 1 入 窗 11 4 與 置 物 架 11 5 a 的 中 間 » 不 —* 定 要 和 Mti. 微 波 導 入 窗 1 1 11 4 相 鄰 接 0 在 埴 涸 裝 置 中 的 導 電 極 板 124 是 用 鋁 製 成 1 I 的 » 然 而 其 它 不 易 產 生 污 染 的 材 質 亦 可 9 像 石 墨 矽 % 請 1 這 些 有 表 面 氣 化 層 的 材 質 ♦ 而 本 身 也 有 a 1 u ffi it e S U Γ f ace 先 閲 1 1 ik 1 | 的 鋁 » 都 可 用 來 當 作 導 電 極 板 124 〇 背 1 | 之 1 效 能 測 試 意 1 1 以 下 敘 述 實 驗 的 數 據 结 果 〇 這 個 测 試 是 使 用 例 圖 2 事 項 1 1 1 | 例 m 3 所 顯 示 的 較 佳 實 行 例 的 微 波 電 漿 處 理 裝 置 y 测 試 寫 本 1 裝 瑁 境 則 如 下 所 述 頁 N—^ 1 I 百 檷 物 130 含 1 U ID 8 时S ί 0 2 的 矽 晶 元 1 1 電 離 氣 體 混 合 比 例 : 30 S C cm 的 四 m 甲 烷 (CF 4 ) 1 1 30 S C cm 的 三 氟 甲 院 (CHF 3 ) 1 訂 100s c c Β的氩氣(Ar ) 1 反 應 室 11 3 壓 力 ; 30 in T or Γ 1 1 微 波 頻 率 * 2 . 45GH Z 1 1 電 漿 產 生 功 率 : lk y 1 1 送 至 置 物 架 的 高 頻 電 壓 (R F ) 11 5 a 頻 率 400kHz > 功 旅 I 率 : 600 W 1 1 晶 元 測 試 數 巨 * 500 1 1 触 刻 時 間 : 每 晶 元 2 分 鐘 1 | 在 上 述 的 測 試 當 中 * 每 個 晶 元 都 被 良 好 的 蝕 刻 » 而 且 1 1 微 波 導 人 窗 11 4 並 未 遭 受 到 蝕 刻 0 1 I 另 一 個 參 考 性 測 試 是 在 和 上 述 相 同 的 環 境 下 » 使 用 一 1 般 的 ΛΜ. 微 波 電 漿 處 理 裝 置 • 而 這 種 裝 置 並 未 在 微 波 導 入 窗 1 1 -1 0- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準·( CNS〉Λ4規格(210X297公釐) 五、發明説明(? A7 B7 元 窗.和卩 技化 反 晶入係 4 Μ 此變 個^gCFu 。 Μ ο 波的像罾漿是種 20微 5 用 電但含 刻的12使㈣生,包 触。例板是 U 產明應 過度行質使 W 中發而 經深實介即⑽室本 , 在的佳電 ,li應說此 示 e 較上刻 1 反來於 顯5Π1為装蝕 在例限 果 ο 因加被 後實不 结了道4C未lag然定園 。刻知12並tti,特範 5 触M處 4^3 由明 12被可孔llfftill藉發 板窗們導窗 室們本 系 質入我傳入 |鼯我知 鼠 介導中波導II反面應 電波試微波ιί達上者 。 裝微測在微 到然知代 加,從 4WF35 雖熟替 上後11所CH12藝及 (讀先閱讀背面之注意事項孑4寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標羋(CNS )八4坑格(210X 297公釐)

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  1. 309694 D8 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 1 . 一 種 電 漿 處 理 裝 置 * 包 括 : 1 ⑴ 一 個 用 來 放 g 摞 物 的 反 應 室 » 1 ⑵ 一 個 將 處 理 用 氣 體 送 入 反 應 室 的 機 構 ; /~·> 請 1 - 先 1 (3) __. 個 能 產 生 微 波 » VX 激 發 反 應 室 裡 的 電 漿 的 櫬 構 « 閱 讀 1 (4) 一 個 撤 波 導 入 組 件 9 微 波 穿 透 此 組 件 到 達 反 應 室 * 背 1¾ 1 1 之 1 (5) 一 涸 裝 在 撤 波 導 入 組 件 表 面 上 的 接 地 導 電 極 板 r 而 注 1 極 板 表 面 是 暴 m 在 反 應 室 中 的 * 且 在 導 電 極 板 裡 裝 事 1 1 有 涸 能 讓 微 波 穿 過 的 傳 導 孔 \ 寫 本 1 裝 (Φ —» 個 位 於 在 導 電 極 板 中 傳 導 部 份 的 電 介 質 組 件 ; 頁 1 I (7) 一 個 提 供 百 檷 物 高 頻 電 壓 的 高 頻 電 源 供 應 器 0 1 1 2 .如 申 請 專 利 範 圃 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 > 其 中 電 介 質 1 1 組 件 的 相 對 介 電 常 數 在 4 到 10之 間 » 而 其 絕 緣 電 阻 在 1 訂 10 8 到 10 12 間 〇 1 3 .如 申 謫 專 利 範 ΒΜ» 圍 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 * 其 中 電 介 質 1 I 組 件 是 用 礬 土 陶 瓷 製 成 的 〇 1 4 ·如 申 請 専 利 範 r=nt 圍 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 » 其 中 電 介 質 I 1 組 件 的 厚 度 和 導 電 極 板 相 同 〇 旅 I 5 ·如 申 講 專 利 範 匾 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 霄 介 霣 1 I 組 件 的 厚 度 在 2 至4 n m 間 〇 1 I 6 .如 Φ 請 專 利 範 圃 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 • 其 中 電 介 質 1 I 組 件 的 大 小 和 微 波 傅 導 孔 相 吻 合 〇 1 1 7 . ~~1 種 電 漿 独 刻 裝 置 » 包 括 : 1 1 ⑴ 一 個 反 應 室 » 便 在 反 應 室 裡 面 處 理 巨 檷 物 * 1 I (2) 一 個 能 將 處 理 用 氣 體 送 至 反 懕 室 的 懺 構 » 1 1 -1 2- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(21〇Χ2ζ>7公釐) 六、申請專利範圍 Λ8 B8 C8 D8 激 反 極個 件 ; 生 達 ,一 組在同 產 到 板有 質阻相。 中 後 極含 介電板器 室然 電中 電緣極應 應件 導板;中絕電供 反 組 地極過,其其導源 在此 接電穿,而和電 會透 的導波件,度頻 波穿 面在微組間厚高 微會 表且讓質之的的 , 波 件,能介10件 Μ 構微 組中孔電到組電 0 入室導的 4 且頻 的件 導應傳合在並高 波組 波反,吻數,物 微人 微在孔相常間標 生導 在露導板電12目 產;波 蓋暴傳極介10供 能漿撤.,覆面的電對至提 涸電個室個表上導相 8 個 一 發一應一板 Μ 和的101 (3)(4)(5)© ⑺ 裝------訂------戒 (請先閱讀背面之注意事項声填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US6209482B1 (en) * 1997-10-01 2001-04-03 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus with adaptable applicator
JP4014300B2 (ja) 1998-06-19 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3430053B2 (ja) * 1999-02-01 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2002280196A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Micro Denshi Kk マイクロ波を利用したプラズマ発生装置
KR20020080014A (ko) * 2001-04-10 2002-10-23 주식회사 에이티씨 플라즈마 처리 장치
US7584714B2 (en) * 2004-09-30 2009-09-08 Tokyo Electron Limited Method and system for improving coupling between a surface wave plasma source and a plasma space
TW200640301A (en) * 2005-05-12 2006-11-16 Shimadzu Corp Surface wave plasma processing apparatus
JP2010016225A (ja) * 2008-07-04 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置
JP5136574B2 (ja) 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101697472B1 (ko) 2015-10-16 2017-01-18 삼안산업 주식회사 정전 지그를 이용한 유리병 도장용 적재 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3738352A1 (de) * 1987-11-11 1989-05-24 Technics Plasma Gmbh Filamentloses magnetron-ionenstrahlsystem
EP0502269A1 (en) * 1991-03-06 1992-09-09 Hitachi, Ltd. Method of and system for microwave plasma treatments
JP2570090B2 (ja) * 1992-10-08 1997-01-08 日本電気株式会社 ドライエッチング装置
JP3042208B2 (ja) * 1992-09-22 2000-05-15 住友金属工業株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2611732B2 (ja) * 1993-12-13 1997-05-21 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JP3171222B2 (ja) * 1994-06-14 2001-05-28 日本電気株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
DE69524671T2 (de) * 1994-06-14 2002-08-14 Sumitomo Metal Ind Mikrowellenplasma-Bearbeitungssystem

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