TW302593B - - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ ί ) 1 1 技 術 領 域 - Γ 逭 是 — m 鼷 於 電 漿 處 理 裝 置 方 面 的 發 明 9 說 淸 楚 一 點 1 9 本 發 明 是 —* 俚 用 來 蝕 刻 半 導 體 晶 元 或 在 晶 元 上 製 作 薄 '—->. 請 先 1 m 的 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 〇 閲- I 讀- 1 技 術 背 景 背 & 1 1 之 1 微 波 電 漿 處 理 装 置 在 製 造 高 密 度 半 導 體 原 件 上 應 用 得 注 意 1 I 相 當 廣 泛 Ο 在 這 種 微 波 電 漿 處 理 裝 置 中 我 們 把 反 應 氣 事 項 1 再 通 和 微 波 送 入 真 空 室 中 用 來 產 生 電 離 氣 fit 因 而 在 室 4 寫 本 装 中 生 成 電 漿 〇 電 漿 可 Μ 應 用 在 晶 元 上 用 來 蝕 刻 表 面 或 頁 S.__<· 1 1 者 是 製 作 薄 m 層 0 而 特 別 當 微 波 電 漿 處 理 裝 置 應 用 在 乾 1 1 蝕 刻 技 術 及 嵌 入 技 術 上 時 如 何 使 電 漿 的 生 成 和 電 漿 中 1 * 1 離 子 的 加 速 度 兩 者 的 控 制 相 互 獨 立 就 變 得 相 當 重 要 9 1 -訂 而 且 已 受 到 相 當 廣 泛 的 研 究 Ο 1 圖 一 是 B 本 專 利 公 開 特 許 案 t Ko k a i He i S e i 6 -104908 1 I 中 歸 類 為 一 般 應 用 的 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 的 剖 面 圖 〇 這 個 1 I 發 明 是 著 重 在 使 (1) 電 漿 的 生 成 和 (2) 電 漿 中 離 子 的 加 1 速 度 * 兩 者 的 控 制 相 互 獨 立 〇 在 _ — 中 9 反 應 容 器 禰 為 I 11 1 其 材 霣 為 不 鏞 網 鋁 或 是 類 似 的 物 質 0 而 反 應 容 器 1 1 11外壁的雙臁结構形成 了 冷 卻 管 線 12 〇 冷 卻 m 從 冷 卻 管 1 1 線 入 口 12a 沿著冷卻管線12到冷卻管線出 □ 12b 循 環 著 1 1 I 〇 反 應 容 器 11的中間形成 了 一 個 反 m 室 13 〇 反 m 容 器 11 1 1 的頂端是用«介質材料作成的微波導人窗14密封起來 > 1 一 般 所 用 的 η 介 質 有 石 英 玻 璃 不 裂 m 热 玻 璃 或 是 m ± 1 等 等 具 有 低 介 質 損 耗 及 热 阻 的 材 料 〇 一 個 用 來 加 热 反 1 -3 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） 經濟部中央揉準局員工消費合作杜印製 30^,533 % 五、發明説明（> ) 應室13内部的霣热器瓖鐃在反應容器11的周圓，而在鼸 中並沒有摞示出來。經由霣熱器加热Μ及循瑁在冷卻管 線12之中的冷卻劑冷卻，我們可Μ精確的控制反應室13 中的溫度。 微波導入窗14是附著在接地的金鼷辱霣極板31的底端 。導電極板31上面有多個垂直於微波行進方向的微波傅 導孔32。導罨極板31經由反應容器11接地。導«極板31 也可以裝置在微波導入窗14和置物架15a之間，雖然麵 中沒有顯示這種排列方式，不遇導霣極板31仍然是經由 反應容器11接地。 在反應室13之中，所要處理的目檷物30烴由置物架15a 固定後放在處理台15,上處理台15可K經由一個驅動裝置 的控制上下移動（未匾示出 >。置物架15a埋接到高頻霣 源供應器18,而在目檷物30的表面產生偏壓。置物架15a 上有機械夾盤（未圈示出），例如靜電夾盤，來穩穩的固 定住目檷物30。而置物架15a上也有裝置冷卻系统（未 圈示出）*用來冷卻目檷物30。在反懕容器11的底皤的 排氣口 16連接到抽氣裝置（未團示出）上。而在反應容器 11側壁的進氣口 17刖將預定的反應氣《引進反應室13。 在反齷容器11上面的電介質線21是由（1) 一個鋁或類 似材霣作成的金鼷電極21a和（2) —個電介質靥21c所 組成。轚介質媒21的終端是由金屬反射面21b所密封起 來。電介質暦21c是附著在金靨電極21a的底端。電介 質曆21c是由氟合成樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯成是類似 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) " 訂 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 等 等 具 有 低 霣 介 霣 損 耗 的 材 料 鼸 構 成 〇 霣 介 質 21經 由 Γ m 波 管 22連 接 到 撤 波 震 通 器 23 t 所 以 微 波 震 通 器 23所 產 1 生 的 微 波 可 Μ 經 由 導 波 管 22傳 送 到 電 介 質 m 21 〇 /·—v 請 I 上 述 微 波 電 漿 處 理 裝 置 在 蝕 刻 由 置 物 架 15 a 所 固 定 先 閱· 讀 1 1 住 的 巨 檷 物 30的 表 面 時 • 我 們 調 整 處 理 台 15位 茸 使 得 巨 背 面 | 之- 1 檷 物 30 處 於 個 缠 當 的 高 度 〇 接 下 來 不 必 要 的 氣 體 將 經 注 意 1 1 由 排 氣 0 16從 反 應 室 1 3中 排 出 t 然 後 反 應 氣 體 經 由 進 氣 事 項 1 再 1 P 17進 入 反 應 室 13 » 直 到 達 到 預 定 的 壓 力 為 止 〇 同 時 9 寫 本 装 冷 卻 m 經 由 冷 卻 管 線 入 P 12 a m 入 冷 卻 管 線 12 9 然 後 由 頁 Sw^ 1 I 冷 卻 管 線 出 Ρ 12b 排 出 0 之 後 由 撤 波 震 盪 器 23 產 生 的 微 1 1 波 沿 著 導 波 管 22行 進 到 η 介 質 線 21 〇 當 微 波 進 入 電 介 質 1 r 麵 線 21後 » 霣 介 質 線 21 之 下 將 產 生 一 電 磁 場 • 而 撖 波 即 透 1 -訂 微 波 傅 導 孔 32進 入 反 應 室 13 〇 随 著 微 波 的 導 入 9 於 是 1 反 應 室 13 中 就 有 電 漿 生 成 〇 接 著 當 高 頻 電 源 供 m 器 18所 1 I 供 應 的 高 頻 霣 懕 傳 到 置 物 架 15 a 之 上 時 t 就 在 百 禰 物 30 1 1 I 的 表 面 產 生 了 偏 壓 〇 在 穩 定 的 偏 壓 下 9 霣 漿 之 中 能 ft 受 j 到 控 制 的 離 子 將 垂 直 入 射 到 要 被 鈾 刻 的 百 檷 物 30的 表 面0 I 在 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 中 ， 因 為 具 有 微 波 傅 専 孔 32的 導 1 1 霣 極 板 3 1 是 連 接 在 微 波 導 入 窗 14上 曹 所 Μ 接 地 η 位 相 對 1 1 於 電 漿 是 固 定 的 〇 而 在 反 應 室 13中 的 霣 漿 電 位 亦 嫌 著 穩 1 I 定 9 因 此 穩 定 的 僱 壓 可 以 均 勻 的 施 加 到 巨 檷 物 30的 表 面 1 1 〇 所 Μ 霣 漿 中 離 子 的 能 量 可 以 被 精 確 的 控 制 而 且 m 子 1 可 垂 直 的 入 射 到 百 檷 物 的 表 面 〇 1 而 一 般 的 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 之 中 的 微 波 m 入 窗 14 畲 m 1 _ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 五、發明説明 ( 斗 ) 1 1 著 時 間 而 膨 脹 • 所 K 當 機 器 烴 遇 長 時 間 持 鑛 搡 作 後 t 導 1 1 電 極 板 31和 微 波 導 入 窗 14之 間 將 因 热 膨 脹 係 數 的 不 同 而 1 出 現 我 們 所 不 希 望 有 的 空 隙 〇 而 在 空 隙 中 將 可 能 有 放 電 請 • 1 I 的 現 象 發 生 * 造 成 不 易 在 百 禰 物 30上 產 生 的 镉 壓 〇 先 閱 1 K 1 另 一 個 缺 點 是 由 於 微 波 専 入 窗 14躭 在 電 漿 旁 » 所 以 微 背 I 之 1 波 導 入 窗 14 會 受 到 電 漿 的 侵 蝕 0 特 別 當 微 波 導 入 窗 14是 注 意 1 I 由 石 英 玻 璃 或 類 似 的 材 料 構 成 時 • 很 容 易 受 到 氯 氟 事 項 1 I 溴 等 鹵 素 氣 體 霣 漿 的 腐 触 〇 因 此 微 波 導 入 窗 14的 寬 度 將 再 填 1 -*1- .· 本 嫌 著 時 間 改 變 〇 所 以 電 漿 的 分 佈 和 密 度 也 會 改 變 t 而 較 頁 S_^ 1 I 不 容 易 均 句 播 定 的 完 成 電 漿 處 理 〇 1 1 發 明 巨 的 1 如 刖 所 述 $ 本 發 明 的 百 標 之 一 是 提 供 一 可 Μ 遴 免 產 生- 1 — 訂 不 必 要 的 m 電 現 的 電 Μ 埋 裝 置 而 使 得 穩 定 的 電 壓 1 可 以 均 每 地 施 加 到 所 要 處 理 的 百 禰 物 上 〇 1 I 本 發 明 的 另 一 個 g 檷 是 提 供 一 具 有 防 腐 蝕 保 護 撤 波 導 1 1 入 窗 -B 的 電 m 理 装 S 〇 1 1 下 面 將 說 明 本 發 明 之 其 他 優 點 及 特 貼 * 而 對 此 技 藝 热 I 知 者 間 讀 下 列 文 章 或 實 行 本 發 明 後 應 也 知 道 本 發 明 之 其 1 1 他 優 點 及 特 點 〇 而 由 本 發 明 之 申 猜 專 利 範 麵 亦 可 知 本 發 1 0 1 明 設 置 及 組 合 方 面 的 優 點 〇 1 I 發 明 總 論 k 1 1 根 據 本 發 明 的 第 一 届 觀 點 9 在 一 個 霣 漿 處 理 裝 置 中 9 1 待 處 理 的 e 禰 物 放 置 反 應 室 中 > 而 在 微 波 導 入 組 件 暴 « 1 I 於 反 應 室 之 中 的 表 面 附 上 — m 導 電 的 薄 m 〇 除 了 微 波 進 I Ί -C — 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 30^503 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 丨（ Γ ) 1 1 入 反 應 室 所 烴 m 的 傳 導 部 份 » 其 它 地 方 都 鋪 上 導 η 薄 膜 1 〇 而 導 轚 薄 膜 是 當 成 接 地 端 使 用 〇 在 裝 S Ψ 1 導 堪 薄 膜 1 最 好 是 Μ 霣 漿 激 級 的 技 術 製 作 在 微 波 導 入 組 件 上 〇 導 電 請 1 | 薄 膜 的 材 料 可 是 碳 化 矽 (S i〇 9 矽 (S η » 碳 (C) 和 鋁 先 閱· If 1 1 (A 1) » 而 厚 度 可 Μ 從 10 U aid 100 U 讓c > 背 I 之- 1 而 由 本 發 明 的 第 二 個 觀 點 » 在 m 電 漿 處 理 裝 置 中 » 注 意 1 1 待 處 理 的 g 摞 物 放 置 反 應 室 中 * 而 在 撖 波 導 入 組 件 暴 露 事 項 1 再 1 於 反 應 室 之 中 的 表 面 附 上 —* 罾 専 霣 的 薄 棋 • 除 了 傳 導 部 瑱 寫 本 装 份 • 撤 波 導 入 組 件 的 其 他 地 方 都 鋪 上 導 霣 薄 m 〇 而 導 電 頁 ^^ 1 I 薄 膜 是 當 成 接 地 皤 使 用 0 裝 置 之 中 • 由 無 櫬 氧 化 物 或 無 1 1 機 氮 化 物 所 構 成 厚 10 U η到 100 U 的絕緣薄膜最好是K 1 | 漿 m 鍍 技 術 來 製 造 〇 導 電 薄 膜 可 K 附 著 在 絕 緣 薄 上 1 •訂 〇 絕 緣 薄 m 也 可 只 作 在 傳 導 部 份 上 〇 或 者 絕 緣 薄 膜 也 1 可 Μ 覆 蓋 在 傅 導 部 份 Μ 及 専 電 薄 膜 之 上 〇 1 | 圄 示 簡 要 說 明 1 I 匾 1 是 一 般 徹 波 霣 漿 處 理 裝 置 的 剖 面 « 〇 1 圖 2 是 本 發 明 第 一 較 佳 實 行 例 中 撤 波 電 漿 處 理 裝 置 的 I 剖 面 圈 〇 1 1 1 匾 3 是 麵 二 的 第 一 較 佳 實 行 例 中 導 電 薄 膜 的 平 面 圖 〇 - 1 1 圖 4 A和 4B是 具 有 m 緣 薄 m 和 導 電 薄 m 的 撤 波 導 入 窗 依 1 I 照 本 發 明 第 二 較 佳 實 行 例 的 製 造 流 程 剖 面 _ 〇 1 1 圈 5 A和 5B是 具 有 m 緣 薄 膜 和 導 轚 薄 m 的 微 波 導 入 窗 依 1 1 照 本 發 明 第 三 較 佳 賁 行 例 的 製 造 流 程 剖 面 圔 〇 1 圓 6 A和 6B是 具 有 m 緣 薄 m 和 導 霣 薄 膜 的 微 波 導 入 窗 依 1 -7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐) A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( b ) 1 1 照 本 發 明 第 四 較 佳 實 行 例 的 製 造 淀 程 剖 面 〇 1 圈 7A和 7B是 具 有 m 緣 薄 膜 和 導 轚 薄 膜 的 微 波 導 入 窗 依 1 .I 照 本 發 明 第 五 較 佳 實 行 例 的 製 造 流 程 剖 面 圈 〇 y—v 請 1 先 1 較 佳 實 例 說 明 閲 面 園 2 是 本 發 明 第 一 較 佳 實 行 例 中 微 波 電 漿 處 理 裝 置 的 背 I 之 1 剖 面 圈 0 在 圈 2 中 9 反 應 容 器 櫺 為 11 f 其 材 質 為 不 绣 網 注 意 1 I 、 鋁 或 是 類 似 的 物 質 〇 而 反 應 容 器 11 1 外 壁 的 雙 層 结 構 事 項 1 I 再 形 成 了 冷 卻 管 線 112 0 冷 卻 劑 從 冷 卻 管 線 入 P 112a 沿 著 填 寫 本 冷 卻 管 線 11 2 到 冷 卻 管 線 出 〇 112b 循 瑁 著 〇 反 應 容 器 111 頁 V—✓ 1 I 的 中 間 形 成 了 一 個 反 應 室 113 0 反 m 容 器 111 的 頂 端 是 1 1 用 電 介 質 材 料 作 成 的 微 波 導 入 窗 114 密 封 起 來 f 一 般 所 1 用 的 電 介 質 有 石 英 玻 璃 不 裂 射 熱 玻 璃 或 是 礬 土 等 等 具 1 訂 有 低 電 介 質 損 耗 及 热 阻 的 材 料 〇 —* 個 用 來 加 熱 反 應 室 113 1 內 部 的 轚 熱 器 環 m 在 反 應 容 器 11 1 的 周 圍 ♦ 而 在 圓 2 中 1 I 並 沒 有 標 示 出 來 〇 經 由 電 熱 器 加 熱 以 及 循 環 在 冷 卻 管 線 1 I 112 之 中 的 冷 卻 劑 冷 卻 • 我 們 可 以 精 確 的 控 制 反 應 室 13 1 1 中 的 溫 度 〇 I 撤 波 導 入 窗 114 是 選 擇 性 地 附 著 在 接 地 的 導 霣 薄 膜 124 1 1 的 底 端 〇 導 霣 薄 膜 124 上 面 有 多 個 垂 直 於 微 波 行 進 方 向 1 的 微 波 傅 導 孔 124c Ο 導 霣 薄 膜 124 經 由 反 應 容 器 11 1 接 1 地 〇 1 1 在 反 應 室 113 之 中 » 所 要 處 理 的 檷 物 130 經 由 罝 物 1 1 架 115a 固 定 後 放 在 處 理 台 115 上 » 處 理 台 115 可 以 經 由 1 | 一 個 驅 動 裝 置 的 控 制 上 下 移 動 (未圓示出） 〇 置 物 架 115a 1 1 -8 — 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 7 ) 1 1 連 接 到 高 頻 霣 源 供 應 器 118 » 而 在 巨 標 物 130 的 表 面 產 1 生 僱 壓 〇 置 物 架 115a 上 有 櫬 械 夾 盤 (未_示出）， 例 如 靜 1 Γ 霣 夾 盤 9 來 穩 播 的 固 定 住 百 標 物 130 〇 而 置 物 架 11 5 a 上 /-V 請 I .也 有 裝 置 冷 卻 系 統 (未圓示出>, 用 來 冷 卻 百 摞 物 130 〇 先 閲— 1 1 在 反 應 容 器 11 1 的 底 端 的 排 氣 P 116 連 接 到 抽 琢 裝 置 背 1 I 之 1 (未圓示出） 上 〇 而 在 反 應 容 器 11 1 側 壁 的 進 氣 □ 117 則 注 意 1 I 將 頊 定 的 反 應 氣 體 引 進 反 應 室 113 〇 事 項 I 再 1 "»!· 在 反 應 容 器 11 1 上 面 的 電 介 質 線 121 是 由 (1) 個 鋁 填 寫 本 裝 或 類 似 材 質 作 成 的 金 臛 霣 極 121a 和 (2) —* 個 電 介 質 曆 頁 1 I 121c 所 組 成 〇 電 介 質 線 121 的 終 端 是 由 金 «1 反 射 面 121b 1 1 所 密 封 起 來 〇 電 介 質 暦 121c 是 附 著 在 金 画 電 極 121a 的 底 1 端 〇 電 介 質 層 121c 是 由 氟 合 成 樹 脂 聚 乙 烯 聚 苯 乙 烯 1 訂 或 是 類 似 等 等 具 有 低 電 介 質 損 耗 的 材 料 鼷 構 成 0 電 介 質 1 媒 121 經 由 専 波 管 122 連 接 到 微 波 震 盪 器 123 » 所 微 1 I 波 Μ 盪 器 123 所 產 生 的 微 波 可 經 由 導 波 管 122 傳 送 到 1 I 電 介 質 線 121 〇 1 上 述 的 撤 波 電 漿 處 理 裝 置 在 蝕 刻 經 由 置 物 架 115a 所 固 1 定 住 的 巨 標 物 130 的 表 面 時 » 我 們 調 整 處 理 台 11 5 位 置 1 使 得 S 棟 物 130 處 於 一 僩 適 當 的 高 度 〇 接 下 來 不 必 要 的 1 1 氣 體 將 經 由 排 氣 口 116 從 反 應 室 113 中 排 出 » 然 後 反 應 1 I 氣 體 將 經 由 進 氣 P 11 7 進 入 反 應 室 113 直 到 達 到 預 定 1 1 的 m 力 為 止 0 同 時 * 冷 卻 m 經 由 冷 卻 管 線 入 P 112a 進 入 1 1 冷 卻 管 線 112 > 然 後 由 冷 卻 管 線 出 □ 1 1 2b排 出 〇 之 後 由 1 I 微 波 震 盪 器 123 產 生 的 微 波 沿 著 導 波 管 122 行 進 到 霣 介 1 -9 一 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（ί ) 質線121 。當微波進入霣介質線121後，電介質埭121 之下將產生一霣磁場，而微波即透通微波傳導孔124cit 入反應室113 。隨著微波的導入，於是反應室113中就 有11霣漿生成。接著當高頻電源供應器118所供應的高 頻轚壓傅到置物架115a之上時，就在目檷物130的表面 產生僱懕。在S定的僑壓下，電漿之中能量受到控制的 離子將垂直入射到要被蝕刻的目檷物130的表面。目檷 物130躭在反應室113中被霣漿蝕刻。 画3中是附有導霉1 „膜1 24的微波導入窗11 4. W幾農 结構。經由電黎濺鍍技術，除了微波傳導孔124c的部份 ，微波導入窗114的其他部份都覆蓋上一曆導電薄膜124 。圖3中，與反應容器111接著的部份棵為”124a”，而 在反應室113上方的部份標示為” 124b”。撤波經由微波 傅導孔124c進入反應室113 。導電薄膜124和接地的反 應容器111在電性上是相連的，所以導電薄膜124也相 當於是一個接地皤。在製造導霣薄膜124時，相對於通 孔124c的位置上將有遮罩覆蓋。 導電薄膜的材料通常是具有（1)良好導霣性、（2)對 於鹵素氣艚電漿有很好的抗腐蝕性，Μ及（3)不會產生 污染物的材料所構成。例如碳化矽（SiC),矽（Si),碳 (C)和鋁（A1)等具有薄氧化靥昀材料，像是覆有一層 aluiite的鋁。考盧熱阻抗、轚漿阻抗特性Μ及製造成 本，導霣薄膜124 —般的厚度為10-100/i·。如果薄_ 124的厚度小於10« Β,薄贓124的热阻抗和電漿阻抗 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^ 农-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v-s •—f 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 將變低。而如果導電薄膜124的厚度大於100//·,製造 成本將會通高，且造成薄臢124的密度降低，引起《[裂 及剝落。 雖然我們並沒有限制微波傳導孔124c的形狀，但正如 _三中所示，一般堪是作成長條形較好。 在微波導入窗114底端製造導霣薄腠124的技術，除 了上述的霣漿濺鍍技術外，運用CVD (Chemical Vapor Deposition)technique、其他類型的激敏技術、LTAVD (Low Temperature Arc Vapor Deposition)coating technique也是可行的。在各式各樣的技術中，濺鍍技 術是較好，而且運用任一種測鍍技術也都是可行的。 所形成的導®薄膜具有（1) U w p . p . b . 1 e v e 1 〇 f impurity、（2)高抗蝕性、（3)高強度、（4)高密度、 (5)高热阻抗、（6)對於微波専入窗114有高度附著力 、（7)可Μ蓮用在覆蓋各種複雑形狀的產品上、（8)容 晶調整覆蓋厚度、（9) high crystal directivity for crystal letal等等特性，因此本發明的導《薄膜124 缠用來覆蓋在微波導人窗114上。 Μ下將K合附圈介紹本發明的第二到第五較佳實行例 。在第二到第五較佳實行例中，撤波導入窗114面對置 物架115a的那一面覆蓋著導電薄膜（134 、144 、154 、164 )及絕緣薄嫫（125 、135 、155 、165 )。在第 二到第五較佳實行例中，導霄薄臢和絕緣薄臢的組合各 不相同。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) λ4規格（210X297公釐） 一 裝 訂 ^ » (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（、。） 首先看看第二較佳實行例中的微波霣漿處理裝置。圈 4 A和4B是第二較佳實行例中撖波霄漿處理裝置所採用的 微波導入窗114的製造流程放大剖面匪。因為裝置的其 他部份和第一較佳實行例中完全一樣，所K圖4A和48中 只畫出撤波導入窗114這個部份。 製作的第一步是是微波導入窗114面對置物架115a的 那一面鍍上絕緣薄_125 ,如圖4A所示。 絕緣薄_125最好由高抗蝕性及低污染性的材料構成 。例如，像是礬土（Al2 〇3 )以及五氧化二釔（Y2 05 ) 等無機氧化物，或像是四氮化三矽（Si3 Ν4 >Μ及氮化 «(BN)等無櫬氮化物。我們可Μ利用圓2和圖3中製造 導電薄膜124的同樣方法製造絕緣薄膜125 。絕緣薄膜 的較佳厚度為10«·到1〇〇«β。如果絕緣薄膜125的厚 度小於10 « β,薄膜125的热阻抗和電漿阻抗將變低。 而如果絕緣薄臢125的厚度大於100«·,其製造成本將 會過高，且造成薄膜125的密度降低，引起龜裂及剌落 。而形成的絕緣薄膜125和上述的導霄薄_124具有相 同的特性。 接著如匾4Β所示導電薄膜134 Μ和第一較佳實行例相 同的方式覆蓋在絕緣薄膜125上。導霣薄膜134和第一 較佳實行例中導電薄膜124具有相同的形狀和厚度。 因此我們可Μ這麽想：絕緣薄縝125完全覆蓋住撤波 導入窗114的底端，而導霣薄瞑134是埋揮性的覆躉在 絕緣薄膜125上，並且與圈3中導霣薄膜124有相同的 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4说格（210X297公釐） ^^^1· ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 —^^^1 { ^^^^1 —^n HBI mu 一 浲 、v奋 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 302593 at B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ Μ ) 1 1 形 吠。 因 此 微 波 經 进 只 有 覆 釐 絕 緣 薄 膜 125 的 部 份 進 入 I 反 懕室 11 3 〇 1 接下 來 討 論 第 三 較 佳 實 行 例 中 的 微 波 電 漿 處 理 裝 置 〇 請 1 1 画 5 A和 5B是 第 一 三 佳 實 行 例 中 微 波 電 漿 處 理 裝 置 所 採 用 先 閲 1 的 撖波 導 入 窗 114 的 製 造 流 程 放 大 剖 面 圖 〇 因 為 裝 置 的 背 面 1 I 之 1 其 他部 份 和 第 較 隹 實 行 例 中 完 全 樣 t 所 圈 5Α和 5B 注 意 1 I 中 只耋 出 微 波 導 入 窗 114 這 偭 部 份 〇 事 項 1 I 再 1 如顯 5A所 示 9 絕 緣 薄 腠 135 堪 擇 性 的 附 著 在 微 波 専 入 填 寫 本 裝 窗 114 的 底 饑 〇 然 後 在 微 波 導 入 窗 114 的 其 他 部 份 覆 蓋 頁 '—^ 1 1 上 導電 薄 m 144 〇 而 覆 蓋 上 絕 緣 薄 膜 135 的 部 份 變 成 圏 1 1 3 中撤 波 傅 導 孔 124c 的 部 份 〇 在 實 際 製 作 時 » 除 了 微 波 1 | 傅 導孔 124c 的 部 份 > 微 波 導 入 窗 114 底 端 的 其 他 部 份 都 1 訂 加 上遮 罩 9 然 後 藉 著 m 鍍 技 術 在 微 波 傳 導 孔 124c 的 部 份 1 覆 蓋上 絕 緣 薄 膜 135 〇 接 著 在 絕 緣 薄 膜 135 的 部 份 加 上 1 I 遮 軍， 然 後 在 其 他 部 份 覆 蓋 上 導 電 薄 m 144 〇 而 絕 緣 薄 1 I 膜 135 和 導 電 薄 膜 144 最 好 有 一 樣 的 厚 度 〇 1 J 如上 所 述 » 根 據 第 三 較 佳 實 行 例 9 在 撤 波 導 入 窗 11 4 丨 的 底端 9 絕 緣 薄 m 135 只 覆 蓋 在 微 波 傳 導 孔 124c 的 部 份 1 1 9 而其 他 部 份 則 覆 蓋 上 導 電 薄 膜 144 〇 因 此 • 微 波 烴 由 1 覆 蓋著 絕 緣 薄 膜 135 的 撤 波 傅 導 孔 124 進 人 反 懕 室 113° 1 接下 來 討 論 第 四 較 佳 賁 行 例 中 的 微 波 霄 漿 處 理 装 置 〇 1 1 麵 6 A和 6B是 第 四 較 佳 實 行 例 中 微 波 霣 漿 處 理 裝 置 所 採 用 1 1 的 微波 導 入 窗 1 1 4 的 製 造 流 程 放 大 剖 面 Η 〇 因 為 裝 置 的 1 其 他部 份 和 第 一 較 佳 實 行 例 中 完 全 一 樣 » 所 Μ 麵 6 Α和 6B 1 1 -13- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（θ ) 中只畫出微波専入窗114逭個部份。 如圓6A所示，専電薄鼷154照著第一較佳實行例的方 式選擇性的附著在微波導入窗114的底端。接著在整 個底面對應微波導入窗114的上端開孔（_3的124b), Μ及包括微波傳導孔124c的部份覆蓋上絕緣薄膜155 。 在覆蓋絕緣薄膜155時，先在導霣薄膜154的部份加上 遮單，直到在微波傳導孔124c部份的絕緣薄謓155和導 霣薄膜154有相同的厚度之後，移開通孔124b上的遮罩 ，然後將絕緣薄膜155覆蓋在整個表面上。在圔3中的 接著部份124a因為要經由反應容器111接地，所Μ不覆 上絕緣薄膜155 。 如上所述，微波導入窗114底端的接著部份124a的部 份，只覆蓋上導電薄膜154 。而絕緣薄膜則覆蓋在導電 薄膜154 Μ及微波傳専孔124c的上方，並且具有平坦的 表面。絕緣薄膜155的厚度最好在20-200W·之間。 接著部份124a是由只有導電薄膜154的部份所構成， 而導電薄膜154烴由反應容器111接地。另一方面，微 波經由内部純粹由絕緣薄_155所構成的撤波傅専孔 124c進入反應室113 。 接下來討論第五較佳寘行例中的微波電漿處理裝置。 B 7 A和7B是第四較佳實行例中微波電漿處理裝置所採用 的微波導入窗114的製造流程放大剖面圃。因為裝置的 其他部份和第一較佳實行例中完全一樣，所以圃7A和7B 中只耋出微波導入窗114埴個部份。 -1 4 -* 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） i ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1 nn ^ V 一燊 i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央橾準扃貝工消费合作社印簟 五、發明説明（Η ) 1 1 如圔 7A所 示 f 導 電 薄 膜 164照 著 第 —* 較 佳 實 行 例 的 方 1 式理揮 性 的 附 著 在 撖 波 導 入 窗114 的 底 m 0 接 著 在 整 個 1 底面對 m 微 波 導 入 窗 114 的 上端 開 孔 (圖3 的124b的部 請 1 1 j 份）， 以 及 包 括 微 波 傳 導 孔 124c 的 部 份 覆 蓋 上 m 緣 薄 m 先. 閱 I I 1 165 。 在 m Μ 絕 緣 薄 膜 165 時， 先 在 導 電 薄 m 164 的 部 背 面 1 1 之 1 份加上 m 軍 $ 直 到 在 微 波 傳 導孔 124c 部 份 的 涵 緣 薄 膜 165 注 意 1 1 和導電 薄 膜 164 有 相 同 的 厚 度之 後 9 移 開 通 孔 124b 上 的 孝 項 再 1 遮罩， 而 另 外 在 微 波 傅 導 孔 124c 上 加 上 遮 軍 參 然 後 如 填 寫 士 7Β所示 » 再 次 覆 蓋 m 緣 薄 膜 165 〇 尽 頁 1 I 我們 可 用 另 外 一 種 方 法 製造 第 五 較 佳 實 行 例 中 的 微 1 1 波導入 窗 114 〇 覆 蓋 専 電 薄 膜164 的 方 法 仍 和 第 __* 較 佳 1 1 實行例 中 的 方 法 一 樣 » 如 圔 七A所示， 然後在微波導入 1 訂 窗114 上 通 孔 124b » 包 括 微 波傳 導 孔 124c 的 部 份 9 覆 蒼 1 上絕緣 薄 m 165 0 再 覆 蓋 絕 緣薄 膜 165 時 t 要 先 在 接 著 1 1 部份124a 上 加 上 遮 軍 » 然 後 以相 似 的 方 式 覆 m 在 通 孔 1 I 124bM 及 微 波 傳 導 孔 124c 上 〇 1 j 如上 所 述 9 在 微 波 導 入 窗 114 底 端 124a 的 部 份 9 只 覆 .卜 l 蓋上導 霣 薄 m 164 〇 然 後 在 通孔 124b 上 覆 Μ 有 導 霣 薄 膜 1 I 164， 但 不 包 括 微 波 傅 導 孔 124c 的 部 份 • 覆 蓋 上 絕 緣 薄 t 1 1 m 165 » 最 後 才 在 微 波 傳 導 孔 124c 的 部 份 覆 董 上 m 緣 薄 1 1 Μ 165 〇 在 只 有 覆 Μ m 緣 薄 m 165 的 部 份 以 及 同 時 覆 Μ 1 I 有導電 薄 m 164 和 絕 薄 m 165 的 部 份 • 兩 者 的 薄 膜 厚 1 1 度是不 一 樣 的 〇 換 _jt— 之 , 在 微波 傳 導 孔 124c •上 覆 m 的 絕 1 緣薄曠 165 的 厚 度 是 和 導 霣 薄膜 164 一 樣 厚 〇 而 覆 蒼 在 1 1 -1 5 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 導霣薄膜164上的絕緣薄膜165的厚度從10u·到1〇〇//祖 皆可。 接著部份124a是由只有導電薄膜164的部份所構成， 而導霣薄膜164經由反應容器111接地。另一方面，微 波經由内部纯粒由絕緣薄膜165所構成的微波傳導孔 124c進入反應室113 。 性能測試 接下來的部份是本發明的實驗數據資料。 TEST 1 測試一是針對圖二和圖三中第一較佳實行例的微波電 漿處理裝置進行。在測試一中，厚50αιη的導電薄膜124 是Μ鋁為材料，在一大氣壓的氩氣下，利用電漿濺鍍技 術製成。而每涸矩形微波傳導孔124c的大小為200nimX 30mm。進行测試的是蝕刻二氧化矽的平均速度。蝕刻過 程依據Μ下條件進行： 目標物（130):帶有厚二氧化矽層的八时矽晶元。 解離混和氣髖：f 3 0 s c c m的C F 4 (3 0 s c c m 的 C H F 3 lOOsccin 的 Ar \

反應室（113)中氣壓：3 0 m Τ 〇 r r 微波頻率：2.45GHz 產生電漿的功率：lkW 傳送到置物架115a高頻電壓（RF)的頻率：400kHz,功 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） I- nm In m ^ ^^^1 tn I a ^^^1--eJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（π ) 1 1 測 試 晶 兀總 敝 * 10片 1 蝕 刻 時 間： 1 分 鐘 1. 根 據 測 試一 t 蝕 刻二 氧 化 矽 的 平 均 速 度 為 6 0 0 n 雞 / d i n u t e 請 1 | 9 而 所 有 受測 試 的 矽晶 圓 的 蝕 刻 速 度 誤 差 在 土 5X之内 ο 先 閲 1 在 相 同 條件 下 蝕 刻完 500 片 矽 晶 元 之 後 > 我 粞試 最 背 面 1 I 之 1 後 十 片 晶 元的 蝕 刻 速度 及 其 速 度 誤 差 〇 结 果 » 其 平均 蝕 注 意 1 | 刻 速 度 為 5 9 0η m / λ i n u t e » 而 蝕 刻 速 度 誤 差 亦 在 士 5X之 内。 事 項 I 再 1 TEST 2 填 寫 本 装 测 試 二 是針 對 園 6 A和 6B 中 第 四 較 佳 實 行 例 的 撖 波電 漿 頁 Nw-· 1 I 處 理 裝 置 進行 的 0 在測 試 二 中 » 以 和 測 試 一 相 同 的方 法 1 1 製 造 50 U m的鋁製導電薄膜 >而厚5 0 // 的 絕 緣 薄 膜155 1 | * 以 三 氧 化二 鋁 (A 1 2 0 3 )為材料， 在~ -大氣壓的氬氣 1 訂 下 9 利 用 撤波 濺 鍍 技術 製 成 〇 而 每 個 矩 形 微 波 傳 導孔 1 124c 的 大 小為 200· b X 3 0 臟 B < >進行測試的是蝕刻二氧化 1 I 矽 的 平 均 速度 〇 蝕 刻過 程 依 據 >λ 下 條 件 進 行 • 1 1 巨 檷 物 (130) 帶有 1 i t η 厚 二 氧 化 矽 層 的 八 时 矽晶 元0 1 1 解 離 混 和氣 體 ： 3 0 s c c η 的 CF 4 V- I 3 0 s c c η 的 CHF 3 1 1 100s c c 的A r 1 f I 反 應 室 (113 ) 中 氣壓 30 T 0 r Γ 1 微 波 頻 率： 2 . 45GHz 1 1 產 生 電 漿的 功 率 ：lk V 1 1 傅 送 到 置物 架 115a 高 頻 電 壓 (RF) 的 頻 率 400kHz , 功 1 I 率 600V 1 -17- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） 30^593 A7 B7五、發明説明（4) 為 度 速 均 平 的 矽 化 氧 片 二 10鐘刻 :分蝕 數 1 , 埋:二 元間試 晶時測 試刻據 澜蝕根 0 最 内試 之測 5X們 士我 在， 差後 誤之 度元 速晶 刻矽 蝕片 的 ο 圓50 晶完 矽刻 的蝕 試下 澜件 受條 有同 所相 而在 蝕内 均之 平5X 其± ，在 果亦 結差 。 誤 差度 誤速 度刻 速蝕 其而 及， 度te be u an 刻.|1 触/ 的on 元57 晶為 片度 十速 後刻 起 照 試對 測了 能為 性 做 置 裝 I: 理 處 漿 電 的 般 1 中 1X 圃 對 們 我 霣的 導樣 是一 上是 14置 窗裝 入的 導明 波發 微本 了中 除二 ,圔 述和 所置 上裝 ，如般 見 〇 一 試， 测外 饀之 131 另板 了極 連的 ， 相試te 是測nu 者而丨 兩。B/ 但的0Π ，樣60 141 為 窗是度 入一速 導試均 波測平 撤和的 於件矽 鼷條化 附的氧 不行二 並進刻 31試蝕 板测> 極個(1 電這： 導。果 。 的结 測較 受過 有刻 所 出上 間Ur 當 1 { 而窗30 元 晶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. ιτ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 元的 晶度 矽速 片刻 ο 蝕 50而 的的一立，差 試多現建後誤 ο 入 内導 之波 5X0 士和 在31 差板 誤極 度霉 速導 刻在 触 ， 圓過 晶元 矽晶 物刻 檷蝕 目下 刻之 蝕件 侍條 在的 易樣 不同 較在 此。 因壓 。偏 隙的 空定 個蒱 ，度 te速 nu刻 B1蝕 /了 on示 55顬 成果 變結 度這 速。 均 * F 2 ΡΓ 1 的± 刻為 蝕變 的降低以及蝕刻速度誤差的坩大。 如上所述，在測試一中受测試的撤波霣漿處理裝置中 ，微波導入窗114的底端覆蓋了 一暦導電薄膜124 ,所 W可K預防裝置操作«久之後，在微波導入窗114與導-18- 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（1) «薄瞋124之間出現空隙的問題。·另外，導«薄膜124 是接地的，而置物架115a是接到高頻電壓源。因此反應 室113中將不會有我們不希望的放電規象發生，所K目 標物130的表面可以建立锞定的僱壓。正如由測試结果 所得知，一般如矽晶元等目摞物可Μ在長期操作下有穗 定的蝕刻速度和均勻度。 而在测試二中受測試的微波霉漿處理裝置中，微波導 入窗114在通孔部份（124b),包括覆蓋有導電薄膜154 的部份，整個覆蓋上絕緣薄膜155 。另外，導霣薄膜154 是接地的，而置物架115a是接到高頻電壓源。除了第一 較佳實行例的優黏外，微波専入窗114完全不會受到電 漿的腐蝕。也就是，二般如矽晶元等目摞物可Μ在長期. 操作下有镲定的蝕刻速度和均匀度。 雖然上面我們藉由特定賁例來說明本發明，但是對此 技藝热知者應知本發明範圍不限於此，而應包含種種變 化及替代。 ! { 裝'1Τί J (請L閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 1 . 一 種 電 漿 處 理 裝 置 » 包 括 1 ⑴ 一 個 用 來 放 置 待 處 理 百 標 物 的 反 應 室 \ 1 .1' ② 將 反 應 氣 體 送 入 反 m 室 的 機 構 1 請 1 先 1 © 產 生 微 波 的 懺 構 » 微 波 是 用 來 激 發 反 應 室 中 電 漿 » 閱 讀 1 I (4) 個 撤 波 導 入 組 件 9 其 中 包 含 了 個 能 讓 微 波 穿 透 背 面 1 I 之 進 入 反 應 室 的 傳 導 部 份 » 注 意 1 事 1 (5) 一 個 導 II 薄 m 覆 蓋 於 微 波 導 入 組 件 暴 η 於 反 應 室 項 I *- 其 之 中 的 表 面 上 » 導 電 薄 膜 覆 蓋 在 除 了 傳 導 部 份 Μ 外 填 寫 本 装 的 地 方 > 並 且 接 地 作 為 接 地 端 > 頁 1 I (6) 一 個 高 頻 電 源 供 應 器 t 用 來 供 應 百 標 物 高 頻 電 壓 9 1 1 伴 随 著 由 微 波 導 入 組 件 所 傳 入 的 微 波 » 在 反 應 室 中 1 1 產 生 電 漿 〇 1 訂 2 .如 串 謫 專 利 範 圍 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 » 其 中 的 導 電 1 薄 膜 是 以 •簠 m J 鍍 技 術 所 製 成 〇 1 1 3 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 的 導 電 1 I 薄 m 的 主 要 材 料 為 碳 化 矽 (S iC)， W (Si). 碳（C)和鋁 I (A1 ) 〇 丨 4 .如 申 請 専 利 範 m 第 1 項 之 電 漿 處 理 裝 置 t 其 中 的 導 電 1 | 薄 膜 的 厚 度 為 10 U 通到100 U 通之間 1 5 · — 種 霄 漿 處 理 裝 置 » 包 括 • 1 ⑴ 一 個 用 來 放 置 待 庳 理 百 檷 物 的 反 應 室 • • 1 1 ⑵ 將 反 應 氣 體 送 入 反 應 室 的 機 構 » 1 1 (3) 產 生 微 波 的 機 構 > 微 波 是 用 來 瀲 發 反 應 室 中 電 漿 t 1 I ⑷ 一 個 微 波 専 入 組 件 » 其 中 包 含 了 一 個 能 讓 微 波 穿 透 1 I -20- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 Βδ C8 D8 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印褽 六、申請專利範圍 1 1 進 入 反 m 室 的 傳 導 部 份 • 1 © 一 個 導 霄 薄 膜 覆 蓋 於 微 波 導 入 組 件 暴 η 於 反 應 室 · 1 之 中 的 表 面 上 » 請 先- 1 © 個 導 電 薄 膜 9 覆 蓋 於 微 波 導 入 組 件 上 除 了 傳 導 部 閲 讀 份 以 外 的 表 面 » 並 且 接 地 作 為 接 地 端 \ 背 Λ 1 I 之 1 ⑺ 一 個 高 頻 電 源 供 應 器 » 用 來 供 應 百 檷 物 高 頻 霣 壓 » 注 意 1 I 伴 皤 著 由 微 波 導 入 組 件 所 傅 入 的 微 波 在 反 應 室 中 事 項 矣 J 產 生 電 漿 〇 填 寫 本 裝 6 .如 申 讅 專 利 範 園 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 的 絕 緣 頁 _____ 1 I 薄 膜 是 以 無 機 氧 化 材 料 所 製 成 〇 1 1 7 .如 申 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 » 其 中 的 絕 緣 1 1 薄 m 是 以 無 機 氮 化 物 材 料 所 製 成 〇 1 -訂 8 .如 申 請 專 利 範 園 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 » 其 中 絕 緣 薄 1 膜 的 厚 度 為 10 U I[到 100 U B之間< 1 | 9 .如 申 請 專 利 範 画 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 > 其 中 的 導 電 1 I 薄 膜 是 以 電 漿 m 鍍 技 術 所 製 成 〇 1 」 10 . 如 申 謫 專 利 範 m 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 的 導 | 電 薄 膜 的 主 要 材 料 為 碳 化 矽 (S iC), 矽（S i ), 碳（C)和 1 I 鋁 (A 1 ) 〇 - 1 1 11. 如 申 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 導 電 1 薄 m 的 厚 度 為 10 U m SK 1 0 0 /i m之間 > 1 1 12 . 如 申 謫 專 利 範 圃 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 • 其 中 導 1 1 薄 m 覆 蓋 在 m 薄 膜 上 〇 1 I 13. 如 申 讅 專 利 範 園 第 5 項 之 霣 漿 處 理 裝 置 » 其 中 絕 緣 1 1 -21- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 六、申請專利範圍 1 1 薄 m 只 覆 蓋 在 傳 導 部 份 之 上 Ο 丨’ 14 . 如 串 請 專 利 範 Η 第 5 項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 絕 緣 1 1· 薄 膜 覆 蓋 在 傳 導 部 份 及 導 電 薄 膜 之 上 〇 請 先- 1 15. 如 申 謫 專 利 範 麵 第 14項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 導 電 閲 讀 1 薄 膜 和 絕 緣 薄 膜 的 製 造 步 驟 如 下 • • 背 1 I 之· 1 ⑴ 在 微 波 導 入 組 件 的 表 面 上 覆 m 導 電 薄 膜 5 注 意 1 I m 在 微 波 専 入 組 件 整 涸 表 面 上 覆 蓋 絕 緣 薄 膜 〇 事 項 再 1 16 . 如 申 謫 專 利 範 圃 第 14項 之 電 漿 處 理 裝 置 9 其 中 導 電 填 窝 本 裝 薄 膜 和 絕 緣 薄 膜 的 製 造 步 驟 如 下 頁 1 1 ⑴ 在 微 波 導 入 組 件 的 表 面 上 覆 蓋 導 電 薄 膜 « 9 1 1 (2) 在 傳 導 部 份 的 表 面 覆 蓋 第 一 層 和 導 電 薄 膜 具 有 相 同 1 1 厚 度 的 絕 緣 薄 膜 » 1 訂 (3) 在 導 電 薄 膜 之 上 覆 蓋 上 第 層 絕 緣 薄 膜 Ο 1 17 . 一 種 微 波 電 漿 處 理 装 置 » 包 括 * ♦ 1 | (1) 一 個 用 來 放 置 待 處 理 半 導 體 晶 元 的 反 應 室 * 1 I ⑵ 將 反 應 氣 思 送 入 反 應 室 的 機 構 » I 」 一 個 產 生 撤 波 的 微 波 震 盪 器 t 撤 波 是 用 來 激 發 反 應 | 室 中 電 漿 • - 1 I ⑷ 一 個 具 有 多 個 傳 導 部 份 的 微 波 導 入 窗 » 而 撤 波 透 過 1 1 傳 導 部 份 進 入 反 應 室 • 1 I © 一 涸 絕 緣 薄 膜 覆 蓋 於 微 波 専 入 窗 暴 露 於 反 應 室 之 1 1 I 中 的 表 面 上 1 而 絕 緣 薄 膜 是 Μ 無 機 氧 化 物 製 成 1 1 (6) 一 個 導 電 薄 膜 » 覆 蓋 於 微 波 導 入 組 件 上 除 了 傅 導 部 1 I 份 外 的 表 面 » 而 導 電 薄 膜 是 以 霉 漿 濺級 技 術 所 製 1 -22- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 成，並且接地作為接地端； ⑺一個高頻電源供應器，用來供應半導趙晶元高頻電 壓，伴随著由微波導入組件所傳入的微波，在反應 室中產生霄漿。 _. ^ ^装 訂 ·-* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 -23- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）