JP2002050675A - 半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。 - Google Patents

半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。

Info

Publication number
JP2002050675A
JP2002050675A JP2001124515A JP2001124515A JP2002050675A JP 2002050675 A JP2002050675 A JP 2002050675A JP 2001124515 A JP2001124515 A JP 2001124515A JP 2001124515 A JP2001124515 A JP 2001124515A JP 2002050675 A JP2002050675 A JP 2002050675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective coating
dielectric material
wafer
wafer support
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001124515A
Other languages
English (en)
Inventor
Woo Robert
ウー ロバート
Deingu Jiian
ディング ジィアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2002050675A publication Critical patent/JP2002050675A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】集積回路処理装置において使用される半導体ウ
エハの静電気的クランピングに使用される誘電材を保護
する保護被覆に関し、物理的及び化学的に強固な保護被
覆を実現することを目的とする。 【解決手段】望ましい実施例においては、保護被覆１０
は、アルミニウム酸化物若しくは窒化アルミニウムのよ
うなアルミニウム化合物を備え、そしてウエハ５０をウ
エハサポート４０へクランプするために要する静電荷を
干渉することがないように、１から３０ミクロンの範囲
にあるが誘電材２０の厚さの５０％を越えないような厚
さを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電層の上方に形成さ
れた保護被覆に関する。この保護被覆は、集積回路処理
装置において半導体ウエハをウエハサポートへ静電気的
にクランピングすることに用いられ、化学物質の侵食か
ら上記誘電層を保護する。並びに本発明は、誘電層を保
護する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の構造をウエハに形成するため
の、気密チャンバー内の半導体ウエハの処理 (processi
ng) においては、半導体ウエハはチャンバー内のウエハ
サポート上に通常置かれる。ウエハをサポートに固定さ
せるために、並びに特に処理におけるウエハの動き（垂
直方向であれ左右方向であれ）を防ぐためには、ウエハ
を下方の (underlying) サポートへ物理的にクランプす
るのが通例であった。
【０００３】しかし最近では、ウエハをサポートに固定
させるための機械力の使用に伴い経験されてきた様々な
問題、例えば粒子の形成、機械応力、エッチプロファイ
ル(etch profiles) 等のために、ウエハをサポートに固
定するための他の方法が研究され、採用されてきた。
【０００４】静電クランピングと一般に呼ばれるこのよ
うなウエハ固定手段の１つは、ウエハに面する金属製ウ
エハサポートの部分の上方、即ちウエハの下表面と下方
の金属製ウエハサポートの対向面 (facing surface) と
の間に形成された誘電材の表面における静電荷を利用し
ている。例えば、このような静電クランプは、Abe の米
国特許４，３８４，９１８号；日本国特許公報２−２７
７４８号、及びJpn. Journal of Applied Physics, Vo
l.31 (1992) 2145-2150 ページのWatanabeらによる「ア
ルミナ静電チャックの静電力及び吸収電流」に記載され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】静電クランピングを利
用した、ウエハ固定のこの形式は、ウエハのウエハサポ
ートに対する機械的クランピングにおいて直面されたそ
れ以前の問題を取り除くことに好結果であることを証明
したが、腐食の問題に直面した。その理由は、ウエハを
ウエハサポートに固定するための静電クランピングの使
用においては最も満足な性能を与える誘電材は、チャン
バーにおける半導体ウエハの処理において用いられるあ
る種の化学物質に対して十分な耐性を示さないからであ
る。
【０００６】特に、金属ウエハサポートの最上面 (top
surface) に誘電材としてポリイミド材料が具備された
場合、ポリイミド材料はエッチング後のチャンバーの自
然洗浄(in situ cleaning) に用いられるＯ2ガスによる
化学侵食を受けやすい、ということが見出された。ポリ
イミド材料はまた、Ｏ2侵食の受けやすさよりも程度は
少ないものの、同様にフッ素含有ガスによる化学侵食も
受けやすい、ということも見出された。
【０００７】そのため、半導体ウエハをウエハサポート
へ静電クランプする目的で金属ウエハサポートの表面上
に形成される誘電材へ、化学侵食に対する保護を誘電材
の表面上の静電荷に障害なく提供することが望ましいだ
ろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、ウ
エハサポートに半導体ウエハを静電的にクランプする分
野の改良を含み、これは当該ウエハに面する表面上に形
成された誘電材を有する。ここで、この改良は、半導体
ウエハの処理において用いられる化学物質による化学侵
食に対しての誘電材の保護を提供するために誘電表面上
に形成される保護被膜を備える；更に本発明は、処理に
おいて垂直若しくは左右にウエハが動くことなくウエハ
サポートへウエハを固定するために、ウエハに面する被
覆されたウエハサポート上の十分な静電荷の形成につい
て障害のないような方法で誘電材の上に保護層を形成す
ることにより、その誘電材を保護する方法を備える。
【０００９】
【実施例】この発明は、ウエハをウエハサポートへ静電
的にクランプするために、半導体ウエハ処理装置におい
てウエハサポートへ供給される誘電材の上方に形成され
る保護被覆を備える。また、ウエハサポートに対するウ
エハの所望の静電クランピングに障害なく誘電材の上方
に保護被覆を形成する方法を備える。
【００１０】保護されるべき誘電材は、所望の静電荷を
蓄積するために導電面の上方に形成される非導電性材料
を備えていてもよい。しかし、この発明は、例えばポリ
イミドのような高分子誘電材に特に向いているが、それ
は、そのような材料は良好な誘電材を形成するが、ウエ
ハ上の集積回路構造の形成に用いられる処理によって侵
食されるからである。
【００１１】誘電材の上方に形成される保護被覆は、半
導体ウエハの処理に用いられる化学物質による化学侵食
に対し誘電材に所望の保護を、誘電材により提供される
所望の静電クランピングの障害とならずに提供できる材
料を備えることが根本的に必要である。この保護材料は
また、半導体ウエハ上の集積回路構造の形成の過程の中
でウエハサポートが入れられる装置内で行われる種々の
処理と適合(compatible) すべきであり、例えば、半導
体ウエハの処理に用いられる化学物質と反応せず又はこ
の化学物質の障害にならないということである。
【００１２】誘電材の上方に形成される保護被覆は、ウ
エハに面する誘電表面上に所望の静電荷を確立すること
への障害とならないようにやや薄くなければならない。
この静電荷の保持力の強度は、誘電材の厚さの自乗に反
比例することがわかっている。誘電層の上方の表面に形
成される静電荷の障害となるほどに保護層を厚くしない
ことを保証するため、一般に、保護被覆の厚さは保護さ
れる誘電材の厚さの約５０％を越えるべきはなく、望ま
しくは誘電材の約１０％を越えるべきではない。所望の
化学的保護を与えるためには、保護被覆は通常３０ミク
ロンを越える必要はなく、望ましくは保護被覆は約１０
ミクロンを越えないだろう。
【００１３】所望の化学的な保護、及び下方の誘電材か
ら被覆を貫く静電荷強度の均一性の双方のために、保護
被覆はまた厚さにおいて均一であるべきである。更に、
この被覆は、ウエハサポート及びその上にある誘電表面
の上方のみならず角部(corners) においても同様に、被
覆厚さの均一性に関してコンフォーマル(conformal)で
あるべきである。ここで厚さの均一性とは、与えられた
保護被覆の厚さが、典型的な９点測定パターンを用い
て、平均厚さより＋／−約５％を越えて変化しないこと
を意味する。保護被覆層の厚さにおける所望の均一性を
達するために、必要ならば、下方の誘電材の角部の鋭度
(the sharpness of the corner) は所望により丸くす
るか傾斜させてもよいことに留意すべきである。
【００１４】上述したように、保護被覆は、半導体ウエ
ハの処理に用いられるエッチング材のような処理材料に
よる化学的侵食に対して耐性を持たなければならない。
特に、この保護層は、Ｏ2含有エッチャント若しくはフ
ッ素含有エッチャントの如きエッチャントによる侵食か
ら下方の誘電材に対する保護を提供できなければならな
い。一般に、少なくとも約１ミクロン、望ましくは約３
ミクロンの保護被覆の最小厚みは、下方の誘電材への所
望の保護の程度を提供する十分な厚さを保証するであろ
う。しかし、保護被覆の最小かつ均一な厚さのみが必要
ということではなく、保護被覆にいかなるピンホールや
開口も不在であることもまた必要である。ここでピンホ
ールの不在とは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による保護
層の試験でピンホールが１つも目視されないことを意味
する。
【００１５】保護被覆の更なる要件として、下方の誘電
材のクラックや機械応力の誘発(inducement) を回避す
るため、保護被覆の熱膨張係数は誘電材及び誘電材が形
成される金属サポートとの両方と、摂氏約１５０度の温
度まで十分に調和するか若しくは適合していなければな
らない。ここで「十分に調和」とは、保護被覆の熱膨張
係数が前記ウエハサポートの熱膨張係数又は上記誘電材
の熱膨張係数より約２０％を越えて変化しないことを意
味する。
【００１６】保護被覆はまた、通常の半導体ウエハ処理
において通常に遭遇するかも知れないどのような粒子に
よる浸透に対しても耐えるよう十分物理的に強固でなけ
ればならない。すなわち、軟らかくそれゆえ粒子浸透を
受けやすいであろう誘電材に対しての機械的保護を保護
被覆が提供できなければならないということである。ウ
エハサポートへの誘電材の形成及びその結果としてのウ
エハサポート上への静電荷の形成は、直ちに発明のいか
なる部分をも構成することはないが、金属製の電極を供
給し誘電材へ埋め込むことは、誘電材の表面上に所望の
静電荷を形成する一つの方法である。もし粒子が誘電材
の中に十分に浸透しこの埋設された電極に接触すれば、
所望の静電荷の形成は妨害されてしまうだろう。従って
当該保護被覆は、所望の化学的保護を提供することと同
様に、このような浸透に対しての機械的保護を与えるこ
とができるべきである。
【００１７】最後に、保護被覆は、ウエハがウエハサポ
ートより取り除かれるとき静電荷を開放せしめるよう十
分に導電性であるべきだが、ウエハサポートへのウエハ
のクランピング若しくはチャッキングにおいて表面の静
電荷を保持するよう十分に絶縁性でもあるべきである。
約１０13オーム・センチメートル（Ωｃｍ）から約１０
20Ωｃｍの範囲にある抵抗率を持つ保護材料は、導電率
対抵抗率の見地から通常満足されることが見出されるで
あろう。
【００１８】誘電材を上に載せた金属製のウエハサポー
トがアルミニウム材料を備える場合、アルミニウム酸化
物（例えばＡｌ2Ｏ3）若しくは窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）のような無機アルミニウム化合物であって、約３ミ
クロンから約３０ミクロンの範囲の厚さ、望ましくは約
３ミクロン乃至約２０ミクロンの厚さであり、誘電材の
厚さの約５０％を越えないような厚さに形成された上記
無機アルミニウム化合物は、上記要件の全てに合致する
であろうことが見出されている。
【００１９】この保護層は、イオンアシスト（Ｅ−ｂｅ
ａｍ）蒸着処理、若しくはプラズマスプレー処理、若し
くはＣＶＤ処理のような堆積処理により、誘電材の上方
及び露出したウエハサポート表面の上方に形成されるだ
ろう。望ましくは、保護被覆の堆積の間、ウエハサポー
ト及びその上の誘電材は保護材料源の上の方に配置され
若しくは位置され、保護材料の堆積の間誘電材及び／若
しくはウエハサポートへのいかなる粒子の堆積をも防止
し若しくは少なくとも抑制する。
【００２０】例示して説明すれば、そして限定するもの
ではないが、イオンアシスト蒸着処理がウエハサポート
及びその上の誘電材の上方に保護被覆を堆積することに
用いられる場合、ビーム出力は数キロワット（ｋＷ）で
あろう。被覆されるウエハサポートは、ビームによって
蒸発される被覆源から約２０インチ (inches) に配置さ
れればよい。温度は室温から約１５０度の範囲にあれば
よい。圧力はできるだけ低く、望ましくは約０．１から
約１トール (Torr) の範囲にあればよい。そして、時間
は、温度及びビーム出力のレベルにより、約１から約２
４時間まで変化すればよい。
【００２１】さて図１を参照すれば、その発明の保護被
覆は１０に示され、それは誘電材２０の露出した表面を
覆っており、その誘電材２０は電極３０をその中に持ち
誘電材２０の表面における静電荷の所望の発生を支援す
る。誘電材２０は、順に、金属性のウエハサポート４０
の表面に固定され、そのウエハサポート４０は通常アル
ミニウムを、又はアルミニウム合金即ち少なくとも約５
０％以上アルミニウムを含んだ合金を備えているだろ
う。その構造は、例示の目的のためだけに、ウエハ５０
をそれらの上に持つよう更に示されるが、保護被覆１０
が誘電材２０及び金属製のウエハサポート４０の上方に
形成されている間はウエハはそこにはないと理解されよ
う。この図に示される材料の相対的な厚さは、例示の目
的だけのために誇張された幾つかの材料の厚さと比率が
とれていないと理解されよう。
【００２２】前述したように、保護被覆１０は、誘電材
２０の表面を覆うコンフォーマルな被覆の形成が可能で
ある材料を備えるべきである。特に、ウエハ５０が誘電
材の上の静電荷によって接着することになる誘電材２０
の平坦な表面２２の上方に形成されている保護被覆１０
の部分１２は、誘電材２０の先端２４の上に形成された
保護被覆の部分１４及び誘電材２０のコーナー２６の上
に形成された保護被覆１６と、ほぼ同じ厚さであるべき
である。保護被覆材料１０による誘電材２０のこのコン
フォーマルな被覆は、ウエハ５０が接する表面に亘る静
電荷の均一な電荷分布を可能ならしめるだけではなく、
所望の化学的保護の均一性を結果として生じるだろう。
【００２３】さて図２を参照すれば、誘電材２０及び金
属製のウエハサポート４０への保護被覆１０の形成に用
いられる典型的な装置１００が例示されている。例示さ
れた実施例においては、装置１００はイオンアシスト
（Ｅ−ｂｅａｍ）型堆積装置を備え、この堆積装置は、
クランピング機構１２０をその中に持つ堆積チャンバー
１１０を有し、このクランピング機構１２０はクランピ
ングフィンガー１２４をもつペデスタル１２６を備え、
このクランピングフィンガー１２４は誘電材２０で覆わ
れていない金属製ウエハサポート４０の周辺部と係合
し、ペデスタル１２６に対してウエハサポート４０を押
しつけるだろう。望ましくは、図示したように、クラン
ピング機構１２０はチャンバー１１０の頂点に隣接して
配置され若しくは位置され、前述のように、誘電材２０
の上へのいかなる粒子の堆積をも回避するだろう。
【００２４】例示したるつぼ (crucible) １３０のよう
な収納容器はチャンバー１１０の底部に隣接して配置さ
れ、その中に保護材料、例えばＡｌ2Ｏ3若しくはＡｌ
Ｎ、が入れられ、この保護材料は誘電材２０及び金属製
ウエハサポート４０の露出した表面に被覆される。荷電
粒子ビーム源 (a charged particle beam source) １４
０もまたチャンバー１１０の底部に据えられて図示さ
れ、この荷電粒子ビーム源１４０から電子若しくはイオ
ンビーム１４４が発生され、チャンバー１１０内に照射
される。この例示された実施例においては、チャンバー
１１０内の磁気偏向手段１５０がビーム１４４をるつぼ
１３０に向かって偏向し、そしてその中にある保護材料
を叩き蒸発させる。
【００２５】例示すれば、直径１９６ミリメートル（ｍ
ｍ）のアルミニウム製ウエハサポートであって、その上
に形成された５０マイクロメートル（μｍ）の厚さのポ
リイミド層を有するウエハサポートは、この発明に従
い、４μｍの厚さの酸化アルミニウムの保護被覆で被覆
された。摂氏約１００度の温度及び約１０-5トールの圧
力に維持されたチャンバーにおいて、ウエハサポート及
びその上の誘電材より２０インチ下に置かれたるつぼか
ら蒸発した酸化アルミニウムにより、酸化アルミニウム
被覆が堆積された。酸化アルミニウムは、約１．５ｋＷ
の出力レベルにおけるイオンビームを用いて約１２時間
の間るつぼより蒸発され誘電材の上に被覆された。
【００２６】この結果として形成された酸化アルミニウ
ム保護被覆はＳＥＭによるピンホールの試験を受けた
が、ピンホールは１つも見つけられなかった。ウエハサ
ポート及び誘電材の上方に堆積された被覆をテストする
ために、この構造体は約８時間平均温度約９０度のＯ2
ガスプラズマ下に暴露された。この構造体はその後、下
方のポリイミド誘電材への化学侵食に対する試験を受け
た。化学侵食は何も見つけられなかった。
【００２７】保護被覆の均一性は、ダミーコーティング
（実際のポリイミド層上ではないものへの被覆）を用い
て、光学干渉計であるオプティカルナノスペック（opti
calnanospec) によって測定され、最も厚い部分から最
も薄い部分までの厚さの変化は約２−３％以下であるこ
とが見出された。
【００２８】この保護被覆を更にテストするため、エッ
チチャンバーに据えられウエハに面した表面に固定され
た誘電材を有する半導体ウエハサポートに、数多くの半
導体ウエハが連続的に静電クランプされた。このウエハ
サポートは、この発明に従い、誘電材の上の保護被覆を
備えていた。１２枚のウエハに通常の酸素エッチングを
実施した後各ウエハは試験され、そしてエッチングの間
に動かなかったことが見出され、静電クランピングは誘
電材を覆う保護被覆の形成によって不利に影響されなか
ったことを示した。そしてこのウエハサポート上の保護
被覆は、この処理の後いかなるクラッキングの兆候もな
いかを更に試験されたが、この兆候は、この保護被覆及
び下方の誘電材及びウエハサポートの間の熱的不整合を
示すものである。一つの兆候も見出されなかった。保護
された誘電材への粒子の衝突によるダメージの兆候もま
た存在しなかった。最後に、このウエハサポート上の誘
電材は化学侵食の兆候について試験されたが、一つの兆
候も見出されなかった。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明は、静電クラン
ピングが利用できる改良されたウエハサポートを提供
し、静電クランピングに利用される静電荷と関連してウ
エハサポート上に形成された誘電材は、半導体ウエハの
処理において用いられる化学物質による化学侵食からウ
エハの静電クランピングを損ねない方法で保護される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ウエハサポートの垂直断面図であり、
本発明による、ウエハサポート表面の上に形成された誘
電層及び露出した誘電層表面に形成された保護層を示
す。
【図２】図２は、ウエハサポート上の誘電層の上に被覆
される保護層の形成に用いられる装置の側面の絵画図で
ある。
【符号の説明】
１０…保護被覆、１２…保護被覆における誘電材の平坦
な部分の上に形成された部分、１４…保護被覆における
誘電材の末端の上に形成された部分、１６…保護被覆に
おける誘電材の角部の上に形成された部分、２０…誘電
材、２２…誘電材における平坦な部分、２４…誘電材に
おける末端部分、２６…誘電材における角部、３０…電
極、４０…ウエハサポート、５０…ウエハ、１００…保
護被覆の形成に用いられる典型的な装置、１１０…チャ
ンバー、１２０…クランピング機構、１２４…クランピ
ングフィンガー、１２６…ペデスタル、１３０…るつ
ぼ、１４０…荷電粒子ビーム源、１４４…荷電粒子ビー
ム源より発生する電子若しくはイオンビーム、１５０…
磁気偏向手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ウー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94566， プレザントン， パセオ グラ ナダ 3112 (72)発明者 ジィアン ディング アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95129， サン ノゼ， グレン ヘイヴ ェン ドライヴ 1337 Ｆターム(参考） 4K031 AA06 CB43 CB46 DA04 5F004 BA00 BB18 BB22 BB30 5F031 CA02 HA02 HA03 HA16 MA32

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 侵食性ガスを用いる半導体処理チャンバ
    内で使用される、半導体ウエハを静電荷によりクランプ
    ならしめる金属製ウエハサポート上の誘電材の上部に配
    置された保護被覆であって、 前記半導体ウエハを、静電荷により前記金属製ウエハサ
    ポートへクランプならしめるための所望の静電荷を確立
    することへの障害とならないように前記誘電材の上方に
    配置され、前記誘電材を侵食性ガスによる化学侵食から
    保護するための前記保護被覆。
  2. 【請求項２】 前記保護被覆の熱膨張係数が、前記金属
    製ウエハサポートの熱膨張係数若しくは前記誘電材の熱
    膨張係数のいずれかの５％を超えて変化しない、請求項
    １記載の保護被覆。
  3. 【請求項３】 前記保護被覆の組成が、アルミニウム酸
    化物及び窒化アルミニウムからなる群より選択されるア
    ルミニウム化合物を備える、請求項１記載の保護被覆。
  4. 【請求項４】 前記保護被覆の厚さが、前記誘電材の５
    ０％を超えない厚さであって約３ミクロンから２０ミク
    ロンの範囲である、請求項１記載の保護被覆。
  5. 【請求項５】 コンフォーマルであってピンホールを含
    まない、請求項１記載の保護被覆。
  6. 【請求項６】 約１０13Ωｃｍ乃至１０20Ωｃｍの範囲
    の抵抗率を有し、前記半導体ウエハを把持する間は前記
    静電荷を均一な強度に保持し、前記ウエハが前記金属製
    ウエハサポートより除去される時には前記静電荷を開放
    することを可能ならしめる、請求項１記載の保護被覆。
  7. 【請求項７】 前記金属製ウエハサポートが、アルミニ
    ウム又はアルミニウム合金を備える、請求項１記載の保
    護被覆。
  8. 【請求項８】 前記誘電材がその内部に電極を有する、
    請求項１記載の保護被覆。
  9. 【請求項９】 前記誘電材が高分子誘電材を備える、請
    求項１記載の保護被覆。
  10. 【請求項１０】 前記誘電材がポリイミドを備える、請
    求項１記載の保護被覆。
  11. 【請求項１１】 前記侵食性ガスが、酸素ガス又はフッ
    素含有ガスを含む、請求項１記載の保護被覆。
  12. 【請求項１２】 半導体ウエハを静電荷によりクランプ
    ならしめる金属製ウエハサポートと、 前記金属製ウエハサポート上に配置された誘電材と、 前記誘電材の内部に備えられた電極と、 前記金属製ウエハサポート上の誘電材を覆う保護被膜
    と、を備える、半導体ウエハ用サポート。
  13. 【請求項１３】 前記保護被覆の熱膨張係数が、前記
    金属製ウエハサポートの熱膨張係数若しくは前記誘電材
    の熱膨張係数のいずれかの５％を超えて変化しない、請
    求項１２記載の半導体ウエハ用サポート。
  14. 【請求項１４】 半導体処理チャンバ内で使用される、
    ペデスタルとフィンガーとを備えたクランピング機構に
    保持された、請求項１２又は１３に記載の半導体ウエハ
    用サポート。
  15. 【請求項１５】 侵食性ガスを用いる半導体処理チャン
    バ内で使用される、半導体ウエハを静電荷によりクラン
    プならしめる半導体ウエハ用サポートの保護被覆を形成
    する方法であって、 堆積チャンバ内に、誘電材を上部に有する金属製ウエハ
    サポートを置くステップ、 前記金属製ウエハサポートの誘電材の上部にわたって、
    保護被覆を堆積するステップ、を備える方法。
  16. 【請求項１６】 前記保護被覆が、イオンアシスト蒸着
    処理と、プラズマスプレー処理と、ＣＶＤ処理とからな
    る群より選択される堆積工程により形成される、請求項
    １５記載の方法。
JP2001124515A 1993-04-22 2001-04-23 半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。 Pending JP2002050675A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US5201893A 1993-04-22 1993-04-22
US08/052018 1993-04-22

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8348794A Division JPH06326175A (ja) 1993-04-22 1994-04-21 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002050675A true JP2002050675A (ja) 2002-02-15

Family

ID=21974878

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8348794A Pending JPH06326175A (ja) 1993-04-22 1994-04-21 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法
JP2001124515A Pending JP2002050675A (ja) 1993-04-22 2001-04-23 半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8348794A Pending JPH06326175A (ja) 1993-04-22 1994-04-21 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5560780A (ja)
EP (1) EP0635869A1 (ja)
JP (2) JPH06326175A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005057234A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Kyocera Corp 静電チャック
US7993571B2 (en) 2003-03-26 2011-08-09 Saint-Gobain Ceramic & Plastics, Inc. Silicon carbide ceramic components having oxide layer

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6278600B1 (en) 1994-01-31 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved temperature control and puncture resistance
US5729423A (en) * 1994-01-31 1998-03-17 Applied Materials, Inc. Puncture resistant electrostatic chuck
US5646814A (en) 1994-07-15 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck
US5792562A (en) * 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
NL1000452C2 (en) * 1995-05-30 1996-12-03 Xycarb Ceramics Bv The mfr. of a chuck to hold an object by means of an electrostatic field
US5656093A (en) * 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6117246A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6217655B1 (en) 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6140581A (en) * 1997-12-03 2000-10-31 Mitsubishi Electronics America, Inc. Grounded packaged semiconductor structure and manufacturing method therefor
EP0948042A1 (de) * 1998-03-06 1999-10-06 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen
US5969934A (en) * 1998-04-10 1999-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US5905626A (en) * 1998-04-12 1999-05-18 Dorsey Gage, Inc. Electrostatic chuck with ceramic pole protection
KR20010089376A (ko) 1998-10-29 2001-10-06 조셉 제이. 스위니 전력을 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템내의 제품을 통하여연결하기 위한 장치
US6067222A (en) * 1998-11-25 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus and method for fabricating same
US6263829B1 (en) 1999-01-22 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture
US6839217B1 (en) 1999-10-01 2005-01-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure
DE10050413A1 (de) * 1999-10-14 2001-04-19 Schlumberger Technologies Inc Elektrostatische Spannvorrichtung
US6362946B1 (en) 1999-11-02 2002-03-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
US6538873B1 (en) 1999-11-02 2003-03-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump
US6723274B1 (en) 1999-12-09 2004-04-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High-purity low-resistivity electrostatic chucks
US6603650B1 (en) 1999-12-09 2003-08-05 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Electrostatic chuck susceptor and method for fabrication
GB2375231A (en) * 1999-12-09 2002-11-06 Saint Gobain Ceramics Electrostatic chucks with flat film electrode
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US6598559B1 (en) 2000-03-24 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Temperature controlled chamber
JP3808286B2 (ja) * 2000-06-07 2006-08-09 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
US6544340B2 (en) 2000-12-08 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Heater with detachable ceramic top plate
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6581275B2 (en) 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US6682627B2 (en) 2001-09-24 2004-01-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having a corrosion-resistant wall and method
US20030219986A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier for processing substrates
JP4710216B2 (ja) * 2002-06-11 2011-06-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成方法
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
JP2007016272A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Ge Speciality Materials Japan Kk 基板上に被覆形成される保護膜及びその製造方法
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
KR101329630B1 (ko) 2006-04-13 2013-11-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가열소자
WO2008082978A2 (en) * 2006-12-26 2008-07-10 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method of forming
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
DE102010011020A1 (de) * 2010-03-11 2011-09-15 Infineon Technologies Ag Trägerplatte
US9478428B2 (en) 2010-10-05 2016-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode
US20120083129A1 (en) 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for focusing plasma
US20130264309A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Ian J. Kenworthy Acoustic energy utilization in plasma processing
CN104465478B (zh) * 2014-12-22 2017-01-25 北京中科信电子装备有限公司 一种静电吸盘的加工方法
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
JP7083080B2 (ja) * 2018-01-11 2022-06-10 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
CN111670491A (zh) * 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US11031272B2 (en) * 2018-11-06 2021-06-08 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro device electrostatic chuck with diffusion blocking layer
WO2024076562A1 (en) * 2022-10-03 2024-04-11 Applied Materials, Inc. Web coating method and vented cooling drum with integral electrostatic clamping

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR452222A (fr) * 1912-12-20 1913-05-10 Pierre Emmanuel Emile Raverot Perfectionnement de la transmission téléphonique de la parole
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS6059104B2 (ja) * 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
GB2147459A (en) * 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
US4832781A (en) * 1988-01-07 1989-05-23 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum
EP0339903B1 (en) * 1988-04-26 1993-10-06 Toto Ltd. Method of making dielectric ceramics for electrostatic chucks
JPH0227748A (ja) * 1988-07-16 1990-01-30 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置及びその作成方法
JP2665242B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-22 東陶機器株式会社 静電チャック
JPH03102814A (ja) * 1989-09-16 1991-04-30 Nikon Corp 静電チャック装置
JPH03152953A (ja) * 1989-11-10 1991-06-28 Nikon Corp 静電チヤツク
EP0439000B1 (en) * 1990-01-25 1994-09-14 Applied Materials, Inc. Electrostatic clamp and method
FR2661039B1 (fr) * 1990-04-12 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique.
JP2754420B2 (ja) * 1990-06-21 1998-05-20 株式会社ニコン ウェーハ保持装置
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5055964A (en) * 1990-09-07 1991-10-08 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck having tapered electrodes
JPH04146639A (ja) * 1990-10-09 1992-05-20 Nikon Corp 静電吸着装置
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
US5280156A (en) * 1990-12-25 1994-01-18 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means
US5166856A (en) * 1991-01-31 1992-11-24 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with diamond coating
JP2764472B2 (ja) * 1991-03-25 1998-06-11 東京エレクトロン株式会社 半導体の成膜方法
EP1120817B8 (en) * 1991-03-26 2007-10-10 Ngk Insulators, Ltd. Use of a corrosion-resistant member
US5191506A (en) * 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
JPH04367247A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Kyocera Corp セラミック製静電チャック
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
US5284549A (en) * 1992-01-02 1994-02-08 International Business Machines Corporation Selective fluorocarbon-based RIE process utilizing a nitrogen additive
JP2865472B2 (ja) * 1992-02-20 1999-03-08 信越化学工業株式会社 静電チャック
JPH05304201A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Kyocera Corp セラミックス製静電チャックの製造方法
JP2938679B2 (ja) * 1992-06-26 1999-08-23 信越化学工業株式会社 セラミックス製静電チャック
JP2798570B2 (ja) * 1992-12-01 1998-09-17 京セラ株式会社 静電チャック
JPH06291175A (ja) * 1993-04-01 1994-10-18 Kyocera Corp 静電チャック
US5350479A (en) * 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7993571B2 (en) 2003-03-26 2011-08-09 Saint-Gobain Ceramic & Plastics, Inc. Silicon carbide ceramic components having oxide layer
JP2005057234A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Kyocera Corp 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
EP0635869A1 (en) 1995-01-25
JPH06326175A (ja) 1994-11-25
US5560780A (en) 1996-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002050675A (ja) 半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。
US10563297B2 (en) Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
TW460601B (en) Copper sputtering target
TW302593B (ja)
US5874361A (en) Method of processing a wafer within a reaction chamber
US4665463A (en) Electrostatic chuck
KR100625712B1 (ko) 웨이퍼 미립자 오염 정도가 낮은 정전 웨이퍼 클램프
EP0880818B1 (en) Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
US20060165994A1 (en) Protective coating on a substrate and method of making thereof
US20040173314A1 (en) Plasma processing apparatus and method
US6409896B2 (en) Method and apparatus for semiconductor wafer process monitoring
US6676812B2 (en) Alignment mark shielding ring without arcing defect and method for using
US4551216A (en) Layer containing carbon and a method and apparatus for producing such a layer
JPH0729819A (ja) 電荷制御を伴うフォーカス型イオンビーム処理
US20050133162A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JPH0661335A (ja) 半導体製造装置用の基板保持プレート
US4392938A (en) Radio frequency etch table with biased extension member
TW200417293A (en) Plasma processing device and processing method
KR980011764A (ko) 전면 고밀도 플라즈마 증착 제공 방법 및 그 장치
JPH05502336A (ja) 導電性ダイヤモンド被覆表面を有するプラズマ反応チャンバ
CA1270895A (en) Conductive coated semiconductor electrostatic deflection plates
US20070029503A1 (en) Grid structure for holding specimen of electron microscopy
JPS597352B2 (ja) 高周波スパツタリング装置
TW417223B (en) Apparatus and method for improved deposition of conformal liner films and plugs in high aspect ratio contacts
US5989442A (en) Wet etching

Legal Events

Date Code Title Description
A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20040510

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20040513

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041019