KR970003443A - 플라스마 처리장치 - Google Patents

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코오이찌 이이오
쿄오이찌 코마치
카쯔오 카타야마
타케시 아키모토
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나카무라 타메아키
수미토모 킨조쿠코오교오 카부시키가이샤
가네꼬나오시
닛뽄덴키 카부시키가이샤
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Abstract

마이크로파가 파이크로파 투과공을 통하여 처리실을 통과하는 플라스마 처리장치가 개시되어 있다. 또한 마이크로파 투과공에 마이크로파 도입재가 유전체가 장착되어 있다. 유전체는 비유전율이 4~10, 절색저항이 108~1012Ω인 것이 바람직하다.

Description

플라스마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 마이크로파 플라스마 처리장치의 실시예를 모식적으로 나타낸 단면도, 제3도는 제2도에 표시한 실시예에 사용된 도전체판(접지전극)을 나타내는 정면도.

Claims (7)

  1. 처리하기 위한 시료가 위치한 처리실과, 처리실증으로 처리가스를 공급하는 수단과, 처리실증의 플라스마를 흥분시키기 위해 사용되는 마이크로파 발생수단과, 처리실증으로 마이크로파를 통과시키는 마이크로파 도입재와, 마이크로파 도입재에 있어서 처리실에 노출되는 표면에 형성된 마이크로파가 통과하는 투과공이 설치된 접지전극판과, 전극판의 투과부분에 형성된 유전재 및 시료에 고주파전원을 인가하는 고주파전원으로 구성되는 플라스마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 유전체는 비유전율이 4~10, 절색저항이 108~1012Ω인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 유전체는 알루미나 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 유전체는 전극판과 같은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 유전체는 그 두께가 2~4㎜인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 유전체는 마이크로파 투과공에 고정되는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리장치.
  7. 처리하기 위한 시료가 위치한 반응실(13)과, 반응실(13)중으로 처리가스를 공공급하는 수단과, 반응실(13)중의 플라스마를 흥분시키기 위해 사용되는 마이크로파 발생수단(23)과, 반응실(13)중으로 마이크로파를 통과시키는 마이크로파 도입재(14)와, 마이크로파 도입재(14)에 있어서 반응실(14)에 노출되는 표면에 형성된 마이크로파가 통과하는 1개이상의 투과공(32)이 설치된 접지전극판과, 전극판의 마이크로파 투과공(32)에 고정된 비유전율이 4~10, 절색저항이 108~1012Ω이고 전극판과 두께가 같은 유전체(21c) 및 시료에 고주파전압을 인가하는 고주파전원(18)으로 구성되는 플라스마처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960021630A 1995-06-15 1996-06-14 플라스마 처리장치 KR100218836B1 (ko)

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