KR940004734A - 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고진공상태에서 밀도가 높고 균일성이 우수한 플라즈마를 발생시킬수 있는 플라즈마발생장치에 관한 것 이다.
본 발명의 기술구성은 플라즈마발생장치외 챔버(1)외 벽면(1a)의 내측에는 제1의 전극으로서의 3개의 측방전극(2A), (2B), (2C)이 등간격으로 원주상에 설치되어 있고, 측방전극(2A). (2B), (2C)에는 위상이 대략 120°씩 다른 50MHz의 고주파전력이 인가되어 있으며 챔버(1)의 저부에는 재2의 전극으로서의 시료대(4)가 설치되고, 상기 시료대(4)의 외측에는 링상의 접지전극(5)이 설치되어 있으며 시료대(4)에는 13.56MHz의 고주파전력이 인가되어 있고, 3개의 측방전극(2A),(BB), (2C)과 접지전극(5)과의 간격은 시료대(4)와 접지전극(5)과의 간격 보다도 큰 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 플라즈마발생장치의 제1실시예로서의 드라이에칭장치를 표시하는 사시도.
제2도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치의 종단면도.
제3도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치의 횡단면도.
제4도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치에 있어 랭뮤어프로브(Langmuir probe)법에 의해 전자밀도를 측정한 결과를 표시한 도면.

Claims (8)

  1. 진공실과, 상기 진공실내에 약 등간격으로 설치된 N개(N은 2이상의 정수)의 제1의 전극과, 위상이 대략[360/N]°씩 벗어난 제1주파수의 고주파전력을 상기 제1의 전극에 그 배치순으로 인가하는 제1의 고주파전력공급원으로 하여 상기 제1의 전극에 의해 형성되는 회전전계에 의해 상기 제1의 전극에 둘러싸인 플라즈마발생부에 고밀도의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생수단과, 상기 진공실내에 설치된 제2의 전극 및 접지전극과 상기 제2의 전극에 제2주파수의 고주파전력을 인가하는 제2의 고주파전원 공급원으로 하여 상기 플라즈마발생부에 발생한 플라즈마중에서 이온을 인출하는 인출수단을 구비한 플라즈마발생장치에 있어서, 상기 접지전극은 상기 접지전극과 상기 제2의 전극에 의해 형성되는 전계가 상기 제1의 전극에 의해 형성되는 회전전계와 간섭하지 않는 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 전극은 상기 진공실의 측방에 각각 설치되어 있고 상기 제2의 전극 및 접지전극은 상기 진공실의 저부에 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 접지전극은 링상으로 형성되고 또한 상기 제2의 전극의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극과 상기 접지전극과의 사이의 거리는, 상기 제2의 전극과 상기 접지전극간의 거리보다도 크게 설정 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극에 인가되는 고주파전력의 제1주파수는 상기 제2의 전극에 인가되는 고주파전력의 제2주파수보다도 높게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  6. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 진공실의 벽면은 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  7. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극의 표면은 상기 제1의 전극에 스퍼터가 부착하는 것을 지지하는 절연성의 보호막에 의해 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  8. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 진공실의 진공도는 10pa 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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