KR940004734A - 플라즈마 발생장치 - Google Patents

플라즈마 발생장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940004734A
KR940004734A KR1019930015294A KR930015294A KR940004734A KR 940004734 A KR940004734 A KR 940004734A KR 1019930015294 A KR1019930015294 A KR 1019930015294A KR 930015294 A KR930015294 A KR 930015294A KR 940004734 A KR940004734 A KR 940004734A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
plasma
plasma generating
high frequency
frequency power
Prior art date
Application number
KR1019930015294A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970000419B1 (ko
Inventor
미쯔히로 오오구니
마사후미 구보다
노보루 노무라
이찌로 나까야마
도쿠히꼬 다마끼
Original Assignee
모리시다 요이치
마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시다 요이치, 마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤 filed Critical 모리시다 요이치
Publication of KR940004734A publication Critical patent/KR940004734A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970000419B1 publication Critical patent/KR970000419B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 고진공상태에서 밀도가 높고 균일성이 우수한 플라즈마를 발생시킬수 있는 플라즈마발생장치에 관한 것 이다.
본 발명의 기술구성은 플라즈마발생장치외 챔버(1)외 벽면(1a)의 내측에는 제1의 전극으로서의 3개의 측방전극(2A), (2B), (2C)이 등간격으로 원주상에 설치되어 있고, 측방전극(2A). (2B), (2C)에는 위상이 대략 120°씩 다른 50MHz의 고주파전력이 인가되어 있으며 챔버(1)의 저부에는 재2의 전극으로서의 시료대(4)가 설치되고, 상기 시료대(4)의 외측에는 링상의 접지전극(5)이 설치되어 있으며 시료대(4)에는 13.56MHz의 고주파전력이 인가되어 있고, 3개의 측방전극(2A),(BB), (2C)과 접지전극(5)과의 간격은 시료대(4)와 접지전극(5)과의 간격 보다도 큰 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 플라즈마발생장치의 제1실시예로서의 드라이에칭장치를 표시하는 사시도.
제2도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치의 종단면도.
제3도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치의 횡단면도.
제4도는 상기 제1실시예의 드라이에칭장치에 있어 랭뮤어프로브(Langmuir probe)법에 의해 전자밀도를 측정한 결과를 표시한 도면.

Claims (8)

  1. 진공실과, 상기 진공실내에 약 등간격으로 설치된 N개(N은 2이상의 정수)의 제1의 전극과, 위상이 대략[360/N]°씩 벗어난 제1주파수의 고주파전력을 상기 제1의 전극에 그 배치순으로 인가하는 제1의 고주파전력공급원으로 하여 상기 제1의 전극에 의해 형성되는 회전전계에 의해 상기 제1의 전극에 둘러싸인 플라즈마발생부에 고밀도의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생수단과, 상기 진공실내에 설치된 제2의 전극 및 접지전극과 상기 제2의 전극에 제2주파수의 고주파전력을 인가하는 제2의 고주파전원 공급원으로 하여 상기 플라즈마발생부에 발생한 플라즈마중에서 이온을 인출하는 인출수단을 구비한 플라즈마발생장치에 있어서, 상기 접지전극은 상기 접지전극과 상기 제2의 전극에 의해 형성되는 전계가 상기 제1의 전극에 의해 형성되는 회전전계와 간섭하지 않는 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 전극은 상기 진공실의 측방에 각각 설치되어 있고 상기 제2의 전극 및 접지전극은 상기 진공실의 저부에 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 접지전극은 링상으로 형성되고 또한 상기 제2의 전극의 주위에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극과 상기 접지전극과의 사이의 거리는, 상기 제2의 전극과 상기 접지전극간의 거리보다도 크게 설정 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극에 인가되는 고주파전력의 제1주파수는 상기 제2의 전극에 인가되는 고주파전력의 제2주파수보다도 높게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  6. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 진공실의 벽면은 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  7. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1의 전극의 표면은 상기 제1의 전극에 스퍼터가 부착하는 것을 지지하는 절연성의 보호막에 의해 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  8. 제1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 진공실의 진공도는 10pa 이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015294A 1992-08-13 1993-08-06 플라즈마발생장치 KR970000419B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-215,820 1992-08-13
JP21582092 1992-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004734A true KR940004734A (ko) 1994-03-15
KR970000419B1 KR970000419B1 (ko) 1997-01-09

Family

ID=16678804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930015294A KR970000419B1 (ko) 1992-08-13 1993-08-06 플라즈마발생장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5404079A (ko)
KR (1) KR970000419B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100383256B1 (ko) * 2000-08-04 2003-05-09 주식회사 래디언테크 고밀도 플라즈마 에칭 설비

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW249313B (ko) * 1993-03-06 1995-06-11 Tokyo Electron Co
JPH06333857A (ja) * 1993-05-27 1994-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置および成膜方法
JPH08274073A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Sony Corp アルミニウム系金属膜のエッチング方法
NO302060B1 (no) * 1995-05-02 1998-01-12 Nkt Res Center As Fremgangsmåte og elektrodesystem for eksitering av et plasma
US5578112A (en) * 1995-06-01 1996-11-26 999520 Ontario Limited Modular and low power ionizer
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
GB2311164A (en) * 1996-03-13 1997-09-17 Atomic Energy Authority Uk Large area plasma generator
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
US6368469B1 (en) * 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6514390B1 (en) 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6451179B1 (en) 1997-01-30 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6033974A (en) * 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US20070122997A1 (en) * 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6162705A (en) * 1997-05-12 2000-12-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) * 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
US6103599A (en) * 1997-07-25 2000-08-15 Silicon Genesis Corporation Planarizing technique for multilayered substrates
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US6143124A (en) 1997-08-22 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for generating a plasma from an electromagnetic field having a lissajous pattern
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
US6051073A (en) * 1998-02-11 2000-04-18 Silicon Genesis Corporation Perforated shield for plasma immersion ion implantation
US6228176B1 (en) 1998-02-11 2001-05-08 Silicon Genesis Corporation Contoured platen design for plasma immerson ion implantation
US6274459B1 (en) 1998-02-17 2001-08-14 Silicon Genesis Corporation Method for non mass selected ion implant profile control
US6254738B1 (en) 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
US6146508A (en) * 1998-04-22 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6660134B1 (en) 1998-07-10 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Feedthrough overlap coil
TW434636B (en) 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6132566A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6231725B1 (en) 1998-08-04 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering material onto a workpiece with the aid of a plasma
US6238528B1 (en) 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
US6217718B1 (en) 1999-02-17 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing plasma nonuniformity across the surface of a substrate in apparatus for producing an ionized metal plasma
US6458723B1 (en) 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
US6409890B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a uniform layer on a workpiece during sputtering
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
WO2001011930A2 (en) * 1999-08-10 2001-02-15 Silicon Genesis Corporation A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
AU2003236307A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma etching method and plasma etching device
JP3854909B2 (ja) * 2002-08-06 2006-12-06 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US7228198B2 (en) * 2002-08-09 2007-06-05 Mckesson Automation Systems, Inc. Prescription filling apparatus implementing a pick and place method
JP3671966B2 (ja) * 2002-09-20 2005-07-13 日新電機株式会社 薄膜形成装置及び方法
US20040149219A1 (en) * 2002-10-02 2004-08-05 Tomohiro Okumura Plasma doping method and plasma doping apparatus
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
US7354815B2 (en) * 2003-11-18 2008-04-08 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US8330126B2 (en) * 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8329557B2 (en) * 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
JP6113647B2 (ja) * 2013-12-19 2017-04-12 三菱重工業株式会社 真空処理装置及び膜厚分布調整方法
US10974220B2 (en) 2018-02-09 2021-04-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Fine particle producing apparatus and fine particle producing method
CN113365402B (zh) * 2020-03-06 2023-04-07 上海宏澎能源科技有限公司 限制等离子束的装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
JP2643457B2 (ja) * 1989-06-28 1997-08-20 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
US5273609A (en) * 1990-09-12 1993-12-28 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100383256B1 (ko) * 2000-08-04 2003-05-09 주식회사 래디언테크 고밀도 플라즈마 에칭 설비

Also Published As

Publication number Publication date
KR970000419B1 (ko) 1997-01-09
US5404079A (en) 1995-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004734A (ko) 플라즈마 발생장치
KR940010866A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR950025904A (ko) 플라스마 처리장치
KR950025895A (ko) 진공플라즈마처리장치
KR940022771A (ko) 플라즈마 처리장치
US20010037861A1 (en) Plasma processing apparatus and method
KR970003557A (ko) 재료 처리용 이중 주파수의 용량성 결합 플라즈마 리액터
KR970064327A (ko) 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
TW328138B (en) Chamber etching method of plasma processing apparatus and plasma apparatus using such method
KR890013966A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 장치
KR970021369A (ko) 플라즈마 cvd 장치, 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 cvd 방법
KR930021036A (ko) 플라즈마 발생방법 및 그 장치
KR930021034A (ko) 플라즈마발생방법 및 그 발생장치
KR940010220A (ko) 2개의 평행판 전극 형태의 건식 에칭 장치
US6204510B1 (en) Device and method for ion acceleration
KR970077336A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법
KR900014639A (ko) 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치
WO2001033625A8 (en) Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
KR950015623A (ko) 플라즈마 처리장치
KR100290158B1 (ko) 대면적 평면 안테나를 이용한 플라즈마 가공장치
KR100250547B1 (ko) 기판 코팅 또는 에칭 장치
JPH0774115A (ja) プラズマ処理装置
JPH11282340A (ja) オーロラ発生装置
JPH06111996A (ja) プラズマ発生装置
JPS57210631A (en) Reactive type ion etching method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021220

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee