KR930021036A - 플라즈마 발생방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 고진공하에서 고밀도이고 또한 균일성에 뛰어난 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마발생방법과 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한것으로서, 그 구성에 있어서, 진공상태의 플라즈마발생부의 측방에 이 플라즈마발생부를 둘러싸도록 제1~제4의 측방전극이 배치되어 있다. 제1의 측방전극에는 제1의 고주파전원으로부터 고주파전력이 공급되고, 제2의 측방전극에는 제1의 고주파 전원으로부터 제1의 지연회로를 개재해서 고주파전력이 공급되고, 제3의 측방전극에는 제1의 고주파전원으로부터 제1 및 제2의 지연회로를 개재해서 고주파전력이 공급되고, 제4의 측방전극에는 제1의 고주파 전원으로부터 제1~제3의 지연회로를 개재해서 고주파전력이 공급된다. 이에 의해, 제1~제4의 측방전극에는 주파수가 동일하고 위상이 순차적으로 다른 고주파전력이 각각 인가되고, 플라즈마발생부에는 이 플라즈마발생부내의 전자에 회전운동을 시키는 회전전장이 여기되도록 한것을 특징으로 한 것이다.

Description

플라즈마 발생방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 플라즈마 발생방법이 적용된 드라이에칭장치의 구조를 표시한 모식도.
제2도는 상기 드라이에칭장치의 지연회로를 표시한 회로도.
제3도는 상기 드라이에칭장치의 챔버내의 전자의 운동궤적을 표시한 모식도.

Claims (14)

  1. 진공실내의 플라즈마발생부를 개재해서 대향하는 위치에 1쌍의 측방전극을 배치하는 공정과, 상기 1쌍의 측방전극중의 한쪽의 측방전극에 고주파전원으로부터 고주파전력을 공급하는 공정과, 상기 1쌍의 측방전극중의 다른쪽의 측방전극에, 상기 고주파전원으로부터 지연회로를 개재해서 공급되고 상기 고주파전력과 주파수가 동일하고 위상이 다른 고주파전력을 공급하는 공정을 포함하고, 이것들에 의해, 상기 플라즈마발생부에 이 플라즈마발생부내의 전자에 진폭운동을 시키는 고주파전장을 여기하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생방법.
  2. 진공실내의 플라즈마발생부의 측방에 이 플라즈마발생부를 둘러싸도록 3이상의 측방전극을 배치하는 공정과, 상기 3이상의 측방전극중의 1의 측방전극에 고주파전원으로 부터 고주파전력을 공급하는 공정과, 상기 3이상의 측방전극중의 다른 측방전극에, 상기 고주파전원으로부터 지연회로를 개재해서 공급되고 상기 고주파전력에 주파수가 동일하고 위상이 순차적으로 다른 고주파전력을 각각 공급하는 공정을 포함하고, 이것들에 이해, 상기 플라즈마발생부에 이 플라즈마발생부내의 전자에 회전운동을 시키는 회전전장을 여기하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생방법.
  3. 진공실내의 플라즈마발생부에 이 플라즈마발생부내의 전자에 진폭운동을 시키는 고주파전장을 여기하는 전장여기수단을 구비하고 있으며, 상기 전장 여기수단을, 상기 플라즈마발생부를 개재해서 대향하는 위치에 배설된 1쌍의 측방전극과, 상기 1쌍의 측방전극중의 한쪽의 측방전극에 고주파전력을 공급하는 고주파전원과, 상기 1쌍의 측방전극중의 다른 쪽의 측방전극에, 상기 고주파전원으로부터 받은 고주파전력을 지연시켜 상기 고주파전력과 주파수가 동일하고 위상이 다른 고주파전력을 공급하는 지연회로를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 진공실의 측벽은 유전체에 의해 형성되어 있으며, 상기 1쌍의 측방전극은 상기 진공실의 외부에 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 지연회로는 저역필터인 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  6. 진공실내의 플라즈마발생부에 이 플라즈마발생부내의 전자에 회전운동을 시키는 회전전장을 여기하는 전장 여기수단을 구비하고 있으며, 상기 전장여기 수단은, 상기 플라즈마발생부를 둘러싸는 위치에 배설된 3이상의 측방전극과, 상기 3이상의 측방전극중의 1의 측방전극에 고주파전력을 공급하는 고주파전원과, 상기 3이상의 측방전극중의 다른 측방전극에, 상기 고주파전원으로 부터 받은 고주파전력을 지연시켜서 상기 고주파전력에 대해서 주파수가 동일하고 위상이 순차적으로 다른 고주파전력을 각각 공급하는 복수의 지연회로로 이루어진 지연회로군을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 진공실의 측벽은 유전체에 의해 형성되어 있으며, 상기 3이상의 측방전극은 상기 진공실의 외부에 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 복수의 지연회로는 각각 저역필터인 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 지연회로군이 상기 고주파전원으로부터 받은 고주파전력을 순차적으로 지연시키는 지연시간은 서로 거의 동등하게 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마발생부내의 전자에, 상기 전장여기수단에 의해 여기되는 회전전장에 의해서 초래되는 전자의 회전운동의 방향과 동일방향 또는 반대방향의 선회운동을 부여하는 자장을 상기 플라즈마발생부에 인가하는 자장인가수단을 또 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  11. 진공실내의 플라즈마발생부의 하부에 배치된 시료대와, 상기 플라즈마발생부에 이 플라즈마발생부내의 전자에 회전운동을 시키는 회전전장을 여기하는 전장여기수단을 구비하고 있으며, 상기 전장여기수단은, 상기 플라즈마발생부를 둘러싸는 위치에 배설된 3이상의 측방전극과, 이 3이상의 측방전극에 주파수가 동일하고 위상이 순차적으로 다른 고주파전극을 각각 공급하는 제1의 고주파전력공급수단을 가지고 있으며, 상기 플라즈마발생 장치는, 상기 시료대에 상기 제1의 고주파전력공급수단으로부터 공급되는 고주파전력의 주파수와 다른 주파수의 고주파전력을, 상기 제1의 고주파전력공급수단으로부터 공급되는 고주파전력의 주파수에 대해서 고임피던스 특성을 가진 필터회로를 개재해서 공급하는 제2의 고주파전력공급수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  12. 11항에 있어서, 상기 제1의 고주파전력공급수단은, 상기 3이상의 측방전극에 상기 고주파전력을, 상기 제2의 고주파전력공급수단으로부터 공급되는 고주파전력의 주파수에 대해서 고임피던스특성을 가진 필터회로를 개재해서 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1의 고주파전력공급수단으로부터 공급되는 고주파전력의 주파수는, 상기 제2의 고주파전력공급수단으로부터 공급되는 고주파전력의 주파수보다도 높게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마발생부의 전자에, 상기 전장여기수단에 의해 여기되는 회전전장에 의해서 초래되는 전자의 회전운동의 방향과 동일방향 또는 반대방향의 선회운동을 부여하는 자장을 상기 플라즈마발생부에 인가하는 자장인가수단을 또 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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