KR960032626A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 넓은 표면에 걸쳐서 플라즈마를 균일하게 형성하여 큰 표면을 가진 샘플이 균일하게 처리될 수 있도록 하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 상기 플라즈마 처리장치는 가공물(2)이 위치된 제1전극(3)과, 상기 제1전극(3)에 대면되게 위치된 제2전극(4) 및, 원주 방향에서 동일한 극성을 각각 구비하는 다수의 링 형상 영구자석(11)을 구비하고, 상기 자석이 제2전극(4)에 대하여 표면측에 동심으로 배치되므로 인접된 자석(11)의 반경 방향에 대향된 극성은 서로 대향된다.

Description

플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
재1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치의 단면을 도시하는 개략도.

Claims (17)

  1. 가공물이 위치된 제1전극과, 상기 제1전극에 대향될 수 있도록 위치된 제2전극과, 상기 제1전극에 대향된 제2전극의 후방면 측에 배치된 자석을 포함하고, 상기 자석은 원주방향에서 동일한 극성을 각각 구비한 다수의 링 형상 자석으로 구성되고, 상기 링 형상 자석은 인접한 링 형상 자석의 반경 방향으로 대향된 극성이 서로 대향되도록 동심으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전극 근처에서 자석에 의해 형성된 자기장 세기는 최대값이 100 Gausses 이상이고, 상기 제1전극 근처에서 자석에 의해 형성된 자기장의 세기는 회대값이 20 Gausses 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에서, 제2자석은 링 형상 자석의 중앙부에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 링 형상 자석의 중앙부에 배치된 제2자석의 전방면에서의 자기장 세기는 링 형상 자석의 자기장 세기보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생 챔버와, 플라즈마 발생 챔버로부터 다수의 개구를 가진 구획판에 의해 구획되고 가공물이 위치된 처리 챔버를 포함하고, 상기 플라즈마는 고주파 전력을 공급하고 자석을 사용하여 자기장을 형성함으로써 발생되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 고주파 전력이 전극에 적용될 수 있도록 전극이 구획판에 대향되게 플라즈마 발생챔버에 배치되고; 상기 자석은 원주 방향에서 동일한 극성을 각각 구비하는 다수의 링 형상 자석으로 구성되고, 상기 링 형상 자석은 전극의 후방측에 동심으로 배치되므로 인접된 링 형상 자석의 반경방향에 대향된 극성이 서로 대향되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 구획판에 대면되게 배치된 상기 전극에는 제1고주파 전력이 적용되고, 상기 구획판에는 제2고주파 전력이 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 구획판에는 고주파 전력이 적용되고; 상기 자석은 원주 방향에서 동일한 극성을 각각 구비하는 다수의 링 형상 자석으로 구성되며, 상기 링 형상 자석이 구획판에 대향된 위치에서 플라즈마 발생 챔버에 동심으로 배치되므로 인접된 링 형상 자석의 반경 방향으로 대향된 극성은 서로 대향되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제5항에 있어서, 일련의 펄스(a series of pulses) 방식으로 플라즈마 발생 챔버에 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제6항에 있어서, 펄스 시리즈(a series of pulses) 방식으로 플라즈마 발생챔버에 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서, 일련의 펄스 방식으로 플라즈마 발생 챔버로 가스가 공급되는 것을 특징으로 화는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제6항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제9항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 제10항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제11항에 있어서, 상기 고주파 전력은 가공물이 위치된 스테이지에 적용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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