KR870007643A - 플라즈마 처리방법 및 장치 - Google Patents

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KR870007643A
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유다까 오오모도
다께시 하라다
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미다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 일 실시예인 플라즈마 처리장치를 나타낸 종단면도.
제 2 도는 제 1 도를 1-1에서 본 자석 요소의 평면도.
제 3 도는 제 2 도를 2-2에서 본 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:처리실 2:애노우드 3:캐소우드
4:결합 캐패시터 5:메칭 박스 6:고주파전원
7:확산판 8:가스 도입구 9:배기구
10,30:자석요소 11:모터 12:기판
13:지지판 21,22,31,32:영구자석 23,33:요오크 판
41,52:플라즈마부 53:사이드 부

Claims (8)

  1. 처리실내에 처리가스를 공급하여 소정 압력으로 감압배기 하는 공정과, 상기 처리 실내의 대향하는 평행 평판형 전극의 캐소우드에 전력을 인가하고 그 전극 사이에 그로우 방전을 발생시키는 공정과, 상기 평행 평판형 전극인 에노우드의 표면으로 부터 상기 캐소우드측을 향하여 나오고 원호 형상으로 만곡되고, 다시 상기 에노우드 측으로 복귀하는 자계를 발생시키는 공정과, 그 자계의 상기 캐소우드 근방에서 상기 평행 평판형 전극사이의 전계에 직교하는 부분의 자장 강도를 약하게 하고, 전자의 사이클로이드 운동을 억제하여 상기 애노우드로 향하는 전자의 사이클로트론 운동을 많이 발생시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자계를 링 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 링 형상으로 형성한 자계와 상기 평행 평판형 전극 사이에 배치되는 시료를 상대적으로 편심회전시키는 플라즈마 처리방법.
  4. 처리실내에 처리가스를 공급하고 소정 압력으로 감압 배기하는 공정과, 상기 처리실내의 대향하는 평행 평판형 전극의 캐소우드에 전력을 인가하고, 그 전극사이에 글로우 방전을 발생시키는 공정과, 상기 평행 평판형 전극의 애노우드 표면으로 부터 상기 캐소우드측을 향하여 나오고 원호 형상으로 만곡되고 다시 상기 애노우드 측으로 복귀하는 자계를 발생시키는 공정과, 그 자계의 상기 캐소우드 근방에서 상기 평판형 전극사이의 전계에 직교하는 부분의 가장 강도를 약하게하는 공정과, 그 부분의 자계의 길이를 짧게 하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  5. 처리실내에 처리 가스를 공급하는 가스공급 수단과, 상기 처리실내를 소정 압력으로 감압배기하는 배기수단과, 상기 처리실내에 대향하여 설치된 평행 평판형 전극의 한쪽인 캐소우드와, 상기 전극의 다른쪽인 애노우드와 상기 캐소우드에 접속한 전원장치와, 상기 에노우드의 표면으로 부터 상기 캐소우드측을 향하여 나와 원형형상으로 만곡되어 다시 상기애노우드 측으로 복귀하는 자계를 발생하는 자계 발생 수단을 구비하고, 그 자계 발생수단의 자장강도를 상기 자계의 상기 캐소우드 근방에서 상기 평행 평판형 전극사이에 발생하는 전계에 직교하는 부분에서 약하게 하고, 전자의 사이클로이드 운동을 억제하여 상기 에노우드로 향하는 전자의 사이클로트론 운동을 다수 발생 가능하게 상기 자계 발생수단을 배치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 자계발생 수단을 대략 원판형상의 자극과, 그 자극과 반대의 자성을 가지고 그 자극의 외주를 둘러싼 링 형상의 자극으로 구성한 플라즈마 처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 자계발생 수단과 상기 평행 평판형 전극사이에 배치되는 시료를 상대적으로 편심 회전시키는 플라즈마 처리장치.
  8. 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급 수단과, 상기 처리실내를 소정 압력으로 감압 배기하는 배기 수단과, 상기 처리실내에 대향시켜 설치된 평행 평판형 전극의 한쪽인 캐소우드와 상기 전극의 다른쪽인 애노우드와, 상기 캐소우드에 접속한 전원장치와, 상기 애노우드의 표면으로 부터 상기 캐소우드측을 향하여 나와 원호형상으로 만곡되고, 다시 상기에 노우드 측으로 복귀하는 자계를 발생하는 자계발생수단을 구비하고, 그 자계 발생 수단의 자장강도를 상기 자계의 상기 캐소우드 상기 평행 평판형 전극사이에 발생하는 전계에 직교하는 부분에 계약하게 하고, 그 부분의 자계의 길이를 짧게한 것을 특징으로하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870000234A 1986-01-17 1987-01-14 플라즈마 처리방법 및 장치 KR910005733B1 (ko)

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