JPS63184333A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ処理方法および装置に係り、特に半
導体素子基板（以下、１基板」という。）等の試料をプ
ラズマにより処理するのに好適なプラズマ処理方法およ
び装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、プラズマ処理装置で磁場を導入してプラズマ発生
効率を高め処理速度を向上させるようにしたものとして
は、特にマグネトロン放電を発生させて処理を行うもの
が良曵知られている。

直流あるいは高周波電力によって発生されたグロー放電
の’ａｍに形成されるシース中の電圧の大部分は、電極
に垂直な電界となる。マグネトロン放電はこのシース中
の電界に、電界に直又する磁界を加えることによって発
生する。電磁界が直焚するシース中では、電子はサイク
ロイド運動を行い、電界方向への電子の運動は狭い範囲
に制約される。

なお、この種のものとして関連するものには、例えば、
特開昭５９−１７５１２５号、特開昭６１−３７９８２
号および特公昭６１−９３９４号等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、マグネトロン放電における電子のもつ
エネルギーの大きさの点について配慮されておらず、二
のマグネトロン放電を発生させて処理を行うプラズマ処
理装置では、次のような問題がある。

第１の問題は、基板上全面にわたる処理速度の分布の均
一化にある３、マグネトロン放電の強さは電界ベクトル
Ｅと磁界ベクトルＢとのベクトル積ｌ　ＢＸＢ　Ｉに依
存し、磁界ベクトルＢの大きさは電子がサイクロイド運
動するときに電界方向の振幅がシースの厚さ程度になる
ように設定すれば良・　３　・ い。しかし実際には、シース中での電子と分子との衝突
により電子の散乱があり、プラズマ化するめ うえで十分な効果が得られないた牟、このときの磁界の
強さよりもかなり強い磁界強度が必要となる。このよう
な磁界を基板上のシース中全範囲にわたって均一に得る
ことはできないので、基板上ではプラズマ状態が異なり
、このため、第１０図に示すように、マグネトロン放電
６１の生じている部分のみ局部的にエツチング速度が高
（なって、基板上全面にわたる処理速度の分布が均一に
ならないという問題がある。

これを解決しようとしたものに、例えば、特開昭５９−
１７５１２５号に記載のように、複数のマグネットを無
限軌道状に配列して無限軌道に沿って一方向に移動させ
たり、特開昭６１−３７９８２号に記載のように、放射
状に配置された永久磁石でなる磁気源を偏心回転させた
りして、均一処理を行うようにしたものがある。

しかし、第２の問題として、荷電粒子、特にイオンが半
導体素子へ与える損傷の問題がある。マ・４　　・ グネトロン放電は印加電力の利用効率が高く、低電圧を
維持することができるのでシース電圧が低曵、したがっ
て、基板に入射するイオンの入射エネルギも低いので、
損傷は少いとされている。しかし、特公昭６１−９３９
４号に記載されているように、アルミニウム材をエツチ
ングした場合には、レジストマスクで覆われた通常エツ
チングされない部分のアルミニウムのパターンがレジス
トマスクと共に一部破壊されてしまうという問題がある
。

通常、アルミニウムは８ｉ基板上に絶縁膜である５Ｉｏ
２を介して膜付けされている。マグネトロン放電の場合
でも、シース中の電位差は数１００Ｖ程度あり、シース
中でサイクロイド運動を行う電子の運動エネルギは１０
０　ｅＶ窓以上も達し、１次電離のエネルギｌＯ〜２０
　ｅＶに比較して高いレベルのエネルギを有している。

このため、マグネトロン放電ではこのような高いレベル
のエネルギを有する電子と処理ガス分子とが頻繁に衝突
するので、分子の結合が解離し、例えば処理ガスにＢＣ
Ｉ！３を用いた場合、通常のリアフチイブ・イオン・エ
ツチング（以下、ｌ’−ＲＩ　ＥＪという。）ではＢＣ
ｌ２＋のような分子状のイオン電離するが、マグネトロ
ン放電ではＢ”＋３ＣＩ！”のように原子状に解離して
多数のイオンが発生する。このため、マグネトロン放電
の場合、基板に入射するイオンの量が多くなり、ホトレ
ジスト上にチャージアップして、アルミニウムのパター
ンをレジストと共に一部破壊するものと考えられる。こ
のように、マグネトロン放電では原子状に解離したイオ
ンが多量に発生し、基板に入射されるので、反応に必要
な分子量に比べて、多くの入射エネルギおよび電荷量を
もった原子状のイオンが基板に与えられ、基板に対し電
気的、物理的に損傷を与えてしまうという問題がある。

このように、マグネトロン放電においては、上記均一化
手段を実施しても損傷という問題があり、基板に損傷を
与えずに均一に処理をすることは難しかった。

本発明の目的は、試料に損傷を与えることなく、高速で
かつ均一処理をし易くすることのできるプラズマ処理方
法および装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、処理室内へ処理ガスを供給するガス供給手
段と、処理室内を所定圧力に減圧排気する排気手段と、
処理室内に対向して設けられた対向する平行平板型電極
の一方であるカソードと、電極の他方であるアノードと
、カソードに接続した電源装置と、アノードの表面から
カソード側に向かって出て円弧状にわん曲し再びアノー
ド側に戻る磁界を発生する磁界発生手段とを具備し、磁
界発生手段の磁場強度を磁界のカソード近傍で平行平板
型電極に生じる電界に直交する部分で弱くし、電子サイ
クロイド運動を抑制して、アノードに向かう電子のサイ
クロトロン運動を多数発生可能に磁界発生手段を配置し
たプラズマ処理装置とし、その方法が、処理室内に処理
ガスを供給し所定圧力に減圧排気する工程と、処理室内
の対向する平行平板型電極のカソードに電力を印加し電
極間にグロー放電を生じさせる工程と、平行平板型、　
　ｌ　　。

電極のアノードの表面からカソード側に向かって出て円
弧状にわん曲し再びアノード側に戻る磁界を生じさせる
工程と、磁界のカソード近傍で平行平板型電極の電界に
直交する部分の磁場強度を弱くし、電子のサイクロイド
運動を抑制してアノードに向かう電子のサイクロトロン
運動を多く生じさせる工程とを有することにより、達成
される。

〔作　　用〕

処理室内に供給された処理ガスは所定の圧力に減圧され
、カソードに電力を印加するとともに、アノード側から
カソード側に向かって突き出したわん曲状の磁界を作用
させることによって、カソード側から飛び出した２次電
子が磁界によるローレンツ力を受けて、カソード近傍で
磁場強度の弱いわん曲状の磁界に巻きついてサイクロト
ロン運動をしながら、アノード側にドリフトし、２次電
子がカソードからアノードに達する間に処理ガス分子と
衝突して、わん曲状の磁界に沿った広い範囲で処理ガス
分子を反応種に変え、強いプラズマを発生するので、マ
グネトロン放電のように強い、８　。

エネルギを有する２次電子が１か所に集中せず、試料に
与える損傷がなく、高速でかつ均一処理をし易くできる
。

〔実　施　例〕

以下、本発明の一実施例を第１図〜第１３図により説明
する。

第１図はプラズマを用いて試料である基板を処理する代
表的な装置のＲＩＥ装置に、本発明による磁界発生手段
を付加したものである。処理室１はガス導入口８と排気
口９とを持ち、拡散板７を介して処理ガスを導入し、同
時に排気を行うことによって定常の低圧雰囲気に保持さ
れている。基板１２（この場合、６インチを使用）を載
置する側の電極であるカソード３は、カップリングキャ
パシタ４．マツチングボックス５を介して高周波型＃６
に接続されている。カソード３は絶縁物からなる支持材
１４によって処理室ｌに取り付けられている。アノード
２．拡散板７．処理室１は電気的に接地されている。磁
石要素１０は、支持板１３を介してモータ１１に取り付
けられてアノード２の反カソード３側に設けられている
。

磁石要素１０は第２図および第３図に示すように永久磁
石２１．２２とヨーク板おとからなっている。

この場合、永久磁石２１．Ｚ！はサマリウム−コバルト
（ＳｍＣｏ）製で磁極面での磁束密度が８５００ガウス
に着磁された小片の磁石を接着材で接合して成形したも
のであり、直径８０■の円板状の永久磁石２１の回りに
、内径８０Ｗｎｌ外径１８０■のリング状の永久磁石ｎ
を磁極を変えて配し、軟鋼でなる直径１９０１１１ｍの
ヨーク板ｎ上に配置して取り付けている。磁石要素１０
とモータ１１とは軸対称中心から偏った位置で取り付け
てあり、磁石要素１０は偏心回転可能となっている。

上記構成の装置において、作用、効果を説明する前に、
本発明が達成しようとする基本的技術を先に説明する。

上記構成の装置における磁石要素１０の代わりに第４図
および第５図に示すような、この場合、幅１０ＩＩＩｆ
ｆｌノ永久磁石３１，３２ヲ中心間距ｆａ２０帥で隣接
して、直径１９０ｍ［Ｉｌのヨーク根羽に取付けた磁石
要素（資）をアノード２側に設置し、この場合、表面に
ｓ、　ｏ２膜が形成された６インチの基板１２をカソー
ド３上に載置して、処理室１に処理ガスとしてＣＦ４ガ
スを３０　ｓｅｃＭ供給し、処理室ｌ内の圧力を７０ｍ
Ｔｏｒｒに保って、高周波電源６によって１３、５６　
ＭＨｚの高周波電力を４００Ｗ印加し、処理室ｌ内にプ
ラズマを生じさせて５ｉ０２膜のエツチングを行う。こ
のとき、電極間隔は３５ｍｍ、カソード３と磁石要素（
９）の磁極面との距離は４９　ｍ１ｌｌ。

永久磁石３１．３２の磁極面での磁束密度は８５００ガ
ウスである。

高周波電力を印加することによりアノード２とカソード
３との間の電極間にはグロー放電が生じ、これに磁石要
素（９）による磁界を作用させることにより、第６図に
示すような、アノード２からカソード３に向かって広が
るシャワー状の磁界の部分で、カソード３から引き出さ
れた２次電子にローレンツ力が作用してサイクロトロン
運転がさかんに起こり、強いプラズマ部４１が発生する
。

この強いプラズマ部４１を電子のサイクロトロン、　１
１゜ 運動で生じさせることが、本発明の基本的技術である。

このときの電極間の直流成分の電位分布は、第８図に示
すように、アノード２近傍に生じ電位勾配を有し電位差
の小さいアノードシース部５１と、カソード３近傍に生
じ電位勾配を有し電位差の大きいカソードシース部Ｓと
、アノードシース部５１とカソードシース部閏との間に
生じ、電位の小さいプラズマ部５２とに分かれている。

また、第６図に示すように、アノード２側に磁石要素蜀
を配置することにより、アノード２近傍では強い磁界が
発生し、カソード３に近づくに従い磁界強度は段々と弱
（なっていく。プラズマ部５２にエネルギを供給し高密
度のプラズマを発生させるのは高いエネルギを得た２次
電子であり、この磁界が２次電子の運動を以下に示すよ
うに変えて、２次電子の持つ高いエネルギを効率的に処
理ガス分子に与えるようにしている。

この磁界の作用により第９図に示すように、カソード３
に生じた２次電子はカソードシース部Ｓ、１２　。

のセルフバイアス電圧によって加速され、高圧の電子と
なってカソード３に対して垂直にアノード２側に飛び出
し、その際に、カソード３に対してわずかな平行成分を
有する磁界部分に接近する。

この磁界により２次電子はローレンツ力を受け、カソー
ド３に対して垂直であった電子の運動は磁界に沿りてサ
イクロトロン運動をしながらアノード２側にドリフトす
る運動にかわる。

このとき、２次電子は第８図に示すプラズマ部５２の間
を通過する際に、第９図に示すように、処理ガス分子、
この場合は％ＣＦ、に衝突し、運動エネルギの一部をＣ
Ｆ４に与え、ＣＦ４を電離あるいは励起させてＣＦ３＋
または、ＣＦ３”等の反応種を発生させる。その後、２
次電子は任意の方向に飛び去ろ、２とするが、磁界によ
るローレンツ力を受けて新たなサイクロトロン運動を始
め、磁界に沿ってアノード２方向にドリフトする。

なお、通常のＲＩＥ装置では、カソード３から引き出さ
れカソードシース中で加速されて高い運動エネルギを持
った２次電子は、アノード２に向ので１ かって直進しようとする処理ガス分子との衝突す八 る頻度が低く、処理ガス分子にエネルギを与える効率が
低いので強いプラズマが生じない。しかし、本技術によ
れば、アノード２に向かって直進する２次電子を磁界の
作用によるローレンツ力によって、基板１２上方の空間
でサイクロトロン運動させながら、磁界に沿ってアノー
ド２側にドリフト運動させることにより、処理ガス分子
との衡突する頻度が高くなり、基板１２上方で処理ガス
分子に効率よくエネルギを伝達させて高密度のプラズマ
を発生させることができる。

この高密度のプラズマ、すなわち、磁界によって２次電
子をサイクロトロン運動させ磁場に沿ってアノード２方
向にドリフトさせて生じさせたプラズマ（本発明者によ
って′″Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒ−ｏｎ　Ｄ
ｒｉｆｔｉｎｇ放電“と命名。以下、「ＥＣＤ放電」と
いう。）が、マグネトロン放電と比較して基板処理に適
していることを以下に説明する。

磁界と電子との間には、磁界が強くなるに従い電子のサ
イクロトロン運動の半径が小さくなって、電子の拡散速
度が低下するという関係があり、磁界が強い場合、電子
をその空間に長い間滞在させるので、空間中の分子と電
子との衝突の頻度は高くなる。

マグネトロン放電の場合、カソードから飛び出した高い
運動エネルギを有する２次電子はカソード近傍の強い磁
界によってサイクロイド運動させられるので、原子状に
解離したイオンが多く発生する。しかし、ＥＣＤ放電の
場合、磁界はカソード３近傍からアノード２に向かって
段々強（なるように構成されているので、カソード３か
ら出た２次電子と処理ガス分子との衝突頻度はカソード
３から７ノード２に向かうに従い増加し、一方、２次電
子の持つエネルギは、カソード３近傍ではマグネトロン
放電のときと同程度で処理ガス分子を解離できる位の高
いエネルギを有しているが、カソード３近傍では２次電
子と処理ガス分子との衝突頻度が低いので、衝突により
解離される原子状のイオン量はマグネトロン放電のとき
と比べて極めて少ない。また、その後カソード３近傍か
ら４１５゜ アノード２方向にドリフトするに従って、磁界が段々強
くなり、２次電子のサイクロトロン運動の半径が段々小
さくなって、２次電子と処理ガス分子との衝突頻度は段
々増加するので、２次電子のもつエネルギはカソード３
からアノード２に至るまでの基板長上方の広い空間内で
処理ガス分子ｌこ徐々に伝達され、分子状のイオンの発
生は多く、原子状のイオンの発生は少い。

このような、カソード３からアノード２に至る間で磁界
に沿って発生するＢＣＤ放電においては、原子状イオン
に比べて分子状イオンの発生が多く、その発生は第６図
に示すように磁界に沿った広い範囲に発生する。

上記ＥＣＤ放電によれば、マグネトロン放電のように局
部的にエツチング速度が高くなることはなく、第７図に
示すようにかなり高いエツチング速度、例えば、５００
　ｎｍ／ｍｉｎ　　を有する範囲が広がることが分かる
。第６図のプラズマ部４１と第７図のエツチング速度分
布とは対応させて記載してあり、このように、ＥＣＤ放
電はマグネトロン族・１６　・ 電とは異なり、電磁界が直交する部分のプラズマの発生
はあまりなく、エツチング速度も最大部分よりは低くな
っている。ＥＣＤ放電によるエツチング速度の最大部分
は、プラズマの発生部が多い位置、すなわち、電界に対
して略平行に磁界が集中する位置、この場合は、磁石３
１．３２を取り付けた位置になっている。

また、ＥＣＤ放電を発生させるときの磁界は、マグネト
ロン放電を発生させるときの磁界のように電磁界が直交
する一部分の磁界が利用されるのでなく、磁界の大部分
が利用されているので、磁界の利用効率が高い。

なお、このＢＣＤ放電によるエツチング速度の向上が従
来のマグネトロン放電によるものではないことを以下に
説明する。

従来のマグネトロン放電は、ＥＣＤ放電を生じさせたと
きと同じエツチング条件で、例えば第４図の磁石要素蜀
なカソード３側の反アノード２側に設置すると発生させ
ることができる。第１０図は、そのときの放電の様子と
エツチング速度の分布とを示したもので、カソード３表
面でカソード３に平行な磁界が最も強いところで集中的
な放電６１が発生し、その部分でエツチング速度は著し
く高くなる傾向を示す。更に、カソード３とカソード３
側に設置される磁石要素間との間隔を太き（（４５ｍｍ
）し、カソード３上面の磁界を弱くして１よ 実験を行ったところ、マグネトロン放電は恭とんど発生
せず、第１１図に示すようにエツチング速度の上昇もほ
とんどない。つまり、第１０図、第１１図よりカソード
３側に磁石要素（９）を設置した場合は、カソード３と
磁石要素蜀との間隔を変化させてもＢＣＤ放電は全く生
じない二とが分かる。

また、ＥＣＤ放電とマグネトロン放電とでは、第７図、
第１０図に示すように基板１２の被処理面内号術寮番に
示されたような、アノード側に磁石要素を設置して、基
板表面（カソード側表面）に平行な磁界を形成する式の
ものにおいては、電子は主としてサイクロイド運動を行
うので、本発明のようなりＣＤ放電は発生しない。

本発明者らが見出したこのＢＣＤ放電を環状に形成して
強いプラズマの発生領域を基板全体に広げるようにした
のが、前記した第２図および第３図の磁石要素１０を組
み込んで構成した第１図の装置である。

この装置により、例えば、前記したエツチング条件（基
板託は表面にＳｉ　ｏ２膜を形成した６インチ基板、処
理ガス供給量はＣＦ４ガスを３０８ＣＣＭ、処理室ｌ内
の圧力は７０　ｍＴｏｒｒ、高周波電力は１３．５５Ｍ
Ｈｚで４００Ｗ）のもとで、コノ場合、電極間隔を３５
１１１ｍ、カソード３と磁石要素１０の磁極面との距離
を４０１１１ｍに設定してエツチングを行っ板１２との
中心を合わせてエツチングを行うと、第１２図に示すよ
うに基板中心から外側に向けて。

基板中心のエツチング速度が低い波状のエツチング速度
分布を示した。二のエツチング速度分布は基板の円周上
のどの断面をとっても同様のエッチ・１９　・ ング速度分布となっており、マグネトロン放電によるエ
ツチング速度分布に比べれば平滑化されてはいるが、こ
のエツチング速度分布ではまだ充分な均一性を得ている
とは言えない。

そこで、この場合は、基板中心に対して１６．５卸の偏
心量を与えて、磁石要素１０を基板１２中心上で偏心回
転させて、エツチングを行った。これによれば、第１３
図に示すように基板中心から外側に向かってほぼ均一な
エツチング速度分布を得ることができた。また、この偏
心量は静止時のエツチング速度分布を写像変換する二と
によって最適値を決める二とができる。

なお、この場合、磁石要素１０の磁極面とカソード３と
の間隔を２０−以下にして、磁石要素１０と基板辻との
距離を近づけ、カソードシース中で電極に平行な磁界の
強度を強（すると、マグネトロン放電が発生し局部的に
エツチング速度の高いところができて、磁石要素１０を
偏心回転させてもエツチング速度分布は著し鳴不均−に
なってしまった。

・　２０・ 以上、本実施例では、ＢＣＤ放電により処理ガスをプラ
ズマ化し、該プラズマによって基板をエツチング処理す
るようにしているので５次のような効果を得ることがで
きる。

（１）高いエネルギを持った２次電子を磁界の作用によ
ってサイクロトロン運動させながらアノード側にドリフ
トさせることにより、高い密度のプラズマを得ることが
できるので、エツチング速度を高くすることができると
いう効果がある。

（２）　　高いエネルギを持った２次電子を磁界の作用
によってサイクロトロン運動させながらアノード側にド
リフトさせることにより、マグネトロン放電と同程度の
低電力においても高い密度のプラズマを得ることができ
る。しかし、カソード近傍の磁界を弱くしているので、
高いエネルギを有する２次電子がその空間に滞在する時
間は短く、したがって、原子状イオンの発生は少な曵な
り、マグネトロン放電に比べて生成される原子状イオン
の量は極めて少なく、基板に与える電気的損傷および物
理的損傷を与えることが極めて少ないという効果がある
。

（３）　　高いエネルギを持った２次電子を、アノード
からカソードに向かってシャワー状に広がる磁界の作用
によって、サイクロトロン運動させながらシャワー状に
広がる磁界に沿ってアノード側にドリフトさせることに
より、広い範囲内に高い密度のプラズマを発生させるこ
とができるので、マグネトロン放電のように極部的なプ
ラズマの発生はなく、均一処理をし易（することができ
るという効果がある。

（４）磁石要素を環状にすることによって、基板全面に
わたってＥＣＤ放電を発生させ高いエツチング速度を得
ることができ、磁石要素を偏心回転させることによって
、基板全面にわたってエツチング速度をさらに均一にで
きる。

（５）電極間に発生させる磁界を電極に平行な平行成分
を有する磁界としているので、平行成分のない磁界に比
べて２次電子をつかまえ易く、かつ、アノード側に誘導
する距離が長くなるので、２次電子と処理ガス分子との
衝突頻度を高くでき、プラズマの発生効率を上げること
ができる。

なお、本実施例に記載した磁石要素の大きさおよび取り
付は位置等の数値は一例であり、エツチング条件を変え
れば最適な磁石要素の大きさおよび取り付は位置等が変
わるのは当然であり、数値の変更は本発明の範囲内に含
まれる。

また、磁石要素の形状を第４図のように平行磁極とし、
磁石の長さを基板径よりも長くしてこれを回転させれば
、基板全面にわたってＥＣＤ放電が発生され、さらにこ
れを偏心回転させることにより、一実施例のようにさら
に均一な処理ができる。なお、この場合は、基板上の一
点を見てみるとＥＣＤ放電が断続的に発生するので、処
理速度は一実施例に比べて低下する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、以上説明したように、アノード側に設
けた磁石要素からの磁場強度を、カソード近傍の電界に
直交する磁界の部分で弱くし、電子のサイクロイド運動
を抑制して電子のサイクロトロン運動を多く発生させる
ことにより、試料に、２３　。

損傷を与えることなく、高圧でかつ均一処理をし易（す
ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す縦断面図、第２図は第１図をＡ−Ａから見た磁石要素
の平面図、第３図は第２図をＢ−Ｂから見た縦断面図、
第４図は実験に用いた磁石要素の平面図、第５図は第４
図をｃ−ｃから見た縦断面図、第６図は第４図の磁石要
素を用いて実験した際のプラズマ発生状態を示す図、第
７図は第６図のプラズマ状態におけるエツチング速度分
布図、第８図は第６図の放電状態における電極間の直流
成分の電位分布を示す図、第９［１８！ｌｌは第６図の
放電状態におけるプラズマの発生過程を示す図、第１０
図は第４図の磁石要素をカソード側に設けてマグネトロ
ン放電を生じさせたときの放電発生状態とエツチング速
度分布を示す図、第１１図は第１０図における磁石要素
の磁極面とカソードとの間隔を広げた場合のエツチング
速度分布および磁束密度分布を示す図、第１２図は第２
図の磁石要素を用いた場合のエツチング速度分布図、第
１３図は第１２図の状態で磁石要素を偏心回転させた場
合のエツチング速度分布図である。 １・・・・・・処理室、２・・曲アノード、３・・・・
・・カソード、６・・・・・・高周波電源、８・・聞ガ
ス導入口、９・・・才　／［ 第２図 ′）Ｉｔ　１図 ノｌ　＝ｆ’、υｐ・りのｆ杉しバ弓珂≧扁１イ８図 オフ図 ４７０図 イｌ／図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、処理室内に処理ガスを供給し所定圧力に減圧排気す
   る工程と、前記処理室内の対向する平行平板型電極のカ
   ソードに電力を印加し該電極間にグロー放電を生じさせ
   る工程と、前記平行平板型電極のアノードの表面から前
   記カソード側に向って出て円弧状にわん曲し再び前記ア
   ノード側に戻る磁界を生じさせる工程と、該磁界の前記
   カソード近傍で前記平行平板型電極間の電界に直交する
   部分の磁場強度を弱くし、電子のサイクロイド運動を抑
   制して前記アノードに向かう電子のサイクロトロン運動
   を多く生じさせる工程とを有することを特徴とするプラ
   ズマ処理方法。 ２、前記磁界を環状に形成する特許請求の範囲第１項記
   載のプラズマ処理方法。 ３、前記環状に形成した磁界と前記平行平板型電極間に
   配置される試料とを相対的に偏心回転させる特許請求の
   範囲第２項記載のプラズマ処理方法。 ４、処理室内へ処理ガスを供給するガス供給手段と、前
   記処理室内を所定圧力に減圧排気する排気手段と、前記
   処理室内に対向して設けられた平行平板型電極の一方で
   あるカソードと、前記電極の他方であるアノードと、前
   記カソードに接続した電源装置と、前記アノードの表面
   からカソード側に向かって出て円弧状にわん曲し再び前
   記アノード側に戻る磁界を発生する磁界発生手段とを具
   備し、該磁界発生手段の磁場強度を前記磁界の前記カソ
   ード近傍で前記平行平板型電極間に生じる電界に直交す
   る部分で弱くし、電子のサイクロイド運動を抑制して前
   記アノードに向かう電子のサイクロトロン運動を多数発
   生可能に前記磁界発生手段を配置したことを特徴とする
   プラズマ処理装置。 ５、前記磁界発生手段を略円板状の磁極と、該磁極と反
   対の磁性を有し該磁極の外周を囲むリング状の磁極とで
   構成した特許請求の範囲第４項記載のプラズマ処理装置
   。 ６、前記磁界発生手段と前記平行平板型電極間に配置さ
   れる試料とを相対的に偏心回転させる特許請求の範囲第
   ５項記載のプラズマ処理装置。