KR960002631A - 플라즈마 처리 챔버에 유도 결합 플라즈마 소스를 결합한 장치 및 그 방법 - Google Patents

Abstract

유도 결합 플라즈마 소스(ICP;12)가 장착된 플라즈마 처리 챔버(10)를 개시하였다. ICP 소스(12)는 에폭시(16)로 캡슐화된 안테나(14)를 에워싸는 하우징(18)을 포함한다. 안테나(14)와 에폭시(16)은 플라즈마 형성영역(30)으로부터 밀폐되어 있다. 안테나(14)는 최소한 하나의 RF 정합 회로(42)를 통해 최소한 하나의 RF 전원 공급기(40)으로부터 전원을 공급 받는다. 유전체 덮개판(28)은 ICP 소스(12)와 플라즈마 형성 영역(30)을 분리시키며, 처리 가스를 균일하게 분사하기 위한 샤워 장치로서 다수의 구멍을 갖는다.

Description

플라즈마 처리 챔버에 유도 결합 플라즈마 소스를 결합한 장치 및 그 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 플라즈마 소스를 사용하는 플라즈마 처리 챔버의 개념적 부분 단면도,

제2도는 플라즈마 소스에 인접하여 원뿔형 유전체 덮개판을 포함하는 다른 구성도.

Claims (23)

1. 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 챔버; 및 상기 처리 챔버에 장착된 유도 결합 플라즈마 소스를 포함하며 상기 유도 결합 플라즈마 소스는 밀폐봉입되어 캡슐화된(hermetically sealed encapsulated) 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 캡슐화된 안테나를 에워싸는 구조적으로 단단한 하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 편평한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 캡슐화된 안테나의 제1면상에 유전체 덮개판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 캡슐화된 안테나에 접속되는 하나 또는 그 이상의 정합 회로 및 상기 캡슐화된 안테나에 RF 전원을 공급하기 위하여 상기 정합 회로에 접속되는 하나 또는 그 이상의 RF 전원 공급기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼를 지지하기 위한 척(chuck); 정합 회로를 통해 상기 척에 접속되는 제1RF 전원 공급기; 및 상기 척용 상기 제1RF 전원 공급기와 상기 안테나에 접속된 제2RF전원 공급기 사이에 접속되는 위상 전이기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
7. 제2항에 있어서, 상기 하우징의 후면과 인접 측면에 플라즈마가 형성되는 것을 방지하기 위하여 상기 하우징의 제1측면 이외의 부분을 에워싸는 전도성 차폐막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 처리 챔버의 측벽상에 위치한 다수의 다극 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
9. 플라즈마 처리 챔버에 있어서, 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽에 부착되는 유도 결합 플라즈마 소스를 포함하며; 상기 유도 결합 플라즈마 소스가, 에폭시에 캡슐화된 나선형(spiral) 안테나; 상기 에폭시를 에워싸는 구조적으로 단단한 하우징; 및 다수의 구멍을 갖는 유전체 덮개판을 포함하며, 상기 에폭시와 안테나는 밀폐봉입되며, 상기 유전체 덮개판은 상기 하우징의 제1면에 인접하는 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
10. 제9항에 있어서 상기 나선형 안테나가 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 내벽을 관통하여 연장된 다수의 리드선(leads)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
11. 제10항에 있어서; 상기 다수의 리드선에 접속되는 최소한 하나의 정합 회로; 및 상기 나선형 안테나에 RF 전원을 공급하기 위하여 상기 최소한 하나의 정합 회로에 접속되는 최소한 하나의 RF 전원 공급기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
12. 제5항 또는 제11항에 있어서, 상기 최소한 하나의 RF 전원 공급기가 주-종 구성으로 접속된 주 전원 공급기와 하나 또는 그 이상의 종 전원 공급기를 포함하며, 상기 주-종 구성에는 상기 주 전원 공급기와 상기 하나 또는 그 이상의 종전원 공급기와의 사이에 위치한 위상 전이기가 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
13. 제4항 또는 제9항에 있어서, 상기 유전체 덮개판의 외형이 등고선형(contoured)을 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
14. 제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 안테나의 외형이 등고선형을 이루는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
15. 제2항 또는 제9항에 있어서, 상기 하우징의 상기 제1면에 위치하는 최소한 하나의 전기적 전도성 링(ring)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
16. 제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 안테나 캐패시터 및 절연체에 의하여 서로 분리되는 다수의 코일 분절(segments)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
17. 플라즈마 처리 챔버내에 유도 결합 플라즈마 소스를 결합시키는 방법에 있어서, 웨이퍼를 지지하기 위한 척(chuck)을 포함하는 플라즈마 처리 챔버를 제공하는 단계; 에폭시로 나선형 안테나를 캡슐화시키는 단계; 구조적으로 단단한 하우징으로 상기 안테나와 에폭시를 에워싸는 단계; 상기 에폭시를 밀폐봉입시키는 단계; 상기 플라즈마 처리 챔버의 내벽에 상기 하우징을 부착하는 단계; 및 상기 하우징의 제1면에 유전체 덮개판을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 나선형 안테나에 RF 전원을 공급하는 단계; 및 플라즈마를 형성시키기 위하여 상기 플라즈마 처리 챔버에 최소한 하나의 처리 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 나선형 안테나에 공급되는 RF 전원을 시변조(time modulating)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.
20. 제17항에 있어서, 상기 하우징과 상기 척 사이의 간격을 조정하기 위하여 상기 하우징과 상기 내벽 사이에 스페이서(spacer)를 배치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합방법.
21. 제17항에 있어서, 상기 유전체 덮개판의 외형이 등고선형을 이루게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.
22. 제17항에 있어서, 상기 나선형 안테나의 외형이 원뿔형을 이루도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.
23. 제17항에 있어서, 상기 하우징의 상기 제1면에 전기적 전도성 판을 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 소스 결합 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.