KR960026343A - 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 - Google Patents

플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리장피는 피처리체가 수납되는 챔버와, 챔버내에 처리가스를 공급하는 가스공급부와, 피처리체를 처리하기 위한 챔버내에 공급되는 처리가스를 생기하기 위해서 챔버내외 중 적어도 한 쪽에 피처리체에 대행하는 고주파전원과, 피처리체상에서의 전계를 균일하게 하기 위해서 피처리체에 대행하고, 또한 고주파 안테나와는 절연하여 설치되고, 기준전위에 설정되는 전극에 의해서 구성된다.

Description

플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 관한 플라즈마 에칭장치의 개략 단면도.

Claims (19)

  1. 피처리체가 수납되는 챔버와, 상기 챔버내로 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 피처리체를 처리하기 위한 상기 챔버내에 공급되는 처리가스를 여기하기 위해서 상기 챔버내외 중 적어도 한쪽에 상기 피처리체에 대향하는 위치에 설정되는 고주파 안테나와, 상기 고주파 안테나에 고주파전력을 공급하는 고주파전원과, 상기 피처리체상에서의 전계를 균일하게 하기 위해서 상기 피처리체에 대향하고, 또한 상기 고주파 안테나와는 절연하여 설치되고, 기준전위로 설정되는 전극에 의해서 구성되는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 상기 전극을 상기 처리체에 대향하는 위치에 부착한 유전성 천정판을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전극은 접지극에 접속되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3ㅏ항에 있어서, 상기 전극과 상기 접지극과의 사이에 접속되고, 상기 전극의 전위를 제어하는 기준전위 조정회로를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 전극은 상기 유전성 천정판과 면이 일치하게 되도록 상기 천정판에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 안테나와 상기 천정판과의 사이에 개재되는 정전시일드판을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 피처리체의 중앙부에 상기 처리가스를 도입하기 위해서 상기 전극에 설치된 공급구를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 피처리체의 중앙부에 상기 처리가스를 도입하기 위해서 상기 전극에 기체밀폐적으로 설치된 여러개의 공급구를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 재1항에 있어서, 상기 안테나는 단일의 소용돌이형상 안테나, 코일형상 안테나 및 루프형상 안테나 중 적어도 한개에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 동축에 배치되는 여러개의 링형상 안테나소자에 의해서 구성되고, 상기 고주파전원은 상기 안테나소자와 동일주파수이며, 또한 동일위상의 고주파전력을 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 안테나소자는 내측 안테나소자와 외측 안테나소자를 가지며, 상기 고주파전원은 상기 외측안테나에 상기 내측 안테나보다 큰 고주파전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 피처리체가 수납되는 챕버와, 상기 챔버내의 상기 피처리체상에서 처리가스의 흐름이 균일하게 되도록 상기 피처리체의 중앙부에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 피처리체를 처리하기 위하여 상기 챔버내에 공급되는 처리가스를 여기하기 위해서 상기 챔버안팎의 적어도 한쪽에 상기 피처리체에 대향하는 위치에 설치되는 고주파 안테나와, 상기 고주파 안테나에 고주파전력을 공급하는 고주파전원에 의해서 구성되는 플라즈마 처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 피처리체상에서의 전계를 균일하게 하기 위해서 상기 피처리체에 대향하고, 또한 상기 고주파 안테나와는 절연하여 설치되고, 기준전위로 설정되는 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 피처리체의 중앙부에 상기 처리가스를 도입하기 위해서 상기 전극에 설치된 공급구를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 피처리체의 중앙부에 상기 처리가스를 도입하기 위해서 상기 전극에 기체밀폐적으로 설치된 공급구를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 가스공급수단은 상기 피처리체의 측방향으로부터 처리가스를 도입하는 측방향공급구를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  17. 피처리체가 수납되는 챔버내에 처리가스를 공급하는 단계와, 상기 피처리체를 처리하기 위하여 상기 챔버내에 공급되는 처리가스를 여기하도록 상기 챔버안팎 중 적어도 한쪽에 상기 피처리체에 대향하는 위치에 설치되는 고주파 안테나에 고주파전력을 공급하는 단계와, 상기 피처리체상에서의 전계를 균일하게 하기 위해서 상기 피처리체의 중앙부상에 설치하는 전극에 접지전위를 인가하는 단계에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  18. 챔버내에 수납된 피처리체상에서의 처리가스의 흐름이 균일하게 되도록 상기 피처리체의 중앙부에 처리 가스를 공급하는 단계와, 상기 피처리를 처리하기 위하여 상기 챔버내에 공급되는 처리가스를 여기하도록 상기 챔버안팎 중 적어도 한쪽에 상기 피처리체에 대향하는 위치에 설치되는 고주파 안테나에 고주파전력을 공급하는 단계에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 처리가스 공급스텝은 상기 피처리체의 측방향으로부터 처리가스를 공급하는 단계들을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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