JP7264576B2 - 製造プロセスにおける超局所化及びプラズマ均一性制御 - Google Patents
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Description
Claims (20)
- プラズマ処理システム内でプラズマを生成するための装置であって、
内側上部電極及び前記内側上部電極の周囲を取り囲む外側上部電極を含む上部電極であって、前記内側上部電極は処理ガス吸気口及び電極板を含む、上部電極と、
前記電極板の周辺内に配置された3つ以上の局所化された構造体のアレイであって、前記内側上部電極は前記3つ以上の局所化された構造体のアレイを備える、アレイと、
上部誘導ループ及び伝送ラインのうちの少なくとも1つを介して前記局所化された構造体のアレイに結合された電源であって、前記局所化された構造体のそれぞれは、空間的に制御可能なプラズマを生成する共振周波数を有する、電源と
を備え、
前記局所化された構造体のそれぞれは、第1容量要素及び第2容量要素と、それぞれ2つの下部誘導ループとを備え、前記第1容量要素及び前記第2容量要素は、前記伝送ラインに結合された2つの上板と、2つの下板とを有し、前記第1容量要素及び第2容量要素の前記下板はそれぞれ、前記2つの下部誘導ループのそれぞれの端部に接続されており、前記2つの下部誘導ループは電気的に結合されており、
前記2つの下部誘導ループと前記第1容量要素及び前記第2容量要素とは共振回路を形成しており、蓄積されたエネルギーが前記共振周波数において前記第1容量要素及び前記第2容量要素と、前記2つの下部誘導ループとの間で交換されるように閉回路として構成されており、
前記2つの下部誘導ループは2つの半円板であり、
前記電源は、前記共振回路に給電し前記プラズマを生成するように構成されている、装置。 - 前記電源は、前記局所化された構造体のアレイに容量結合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記第1容量要素の前記上板及び前記下板は内側方向に折り畳まれており、前記第2容量要素の前記上板及び前記下板は内側方向に折り畳まれており、
前記内側方向は、前記第1容量要素の前記上板の折り畳み方向が前記第2容量要素の前記上板の折り畳み方向に向かう方向である、請求項1に記載の装置。 - 前記局所化された構造体のアレイのそれぞれの前記下部誘導ループ及び前記第1容量要素及び前記第2容量要素は同一の寸法を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイの1つ以上の前記下部誘導ループ及び前記第1容量要素及び前記第2容量要素は異なる寸法を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイはセラミック内に封止されている、請求項1に記載の装置。
- 前記セラミックはアルミナである、請求項6に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイに対向して又は隣接して配置された基板チャックを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記装置内に配置された基板チャックを更に備え、前記局所化された構造体のアレイは、前記基板チャックの周辺に配置される、請求項1に記載の装置。
- 前記共振周波数は、2~8GHzである、請求項1に記載の装置。
- 前記共振周波数は、100MHz~15GHzである、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイの前記第1容量要素及び前記第2容量要素及び前記下部誘導ループは、4mm~8mmの幅である、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイのそれぞれが10mmで互いに離間されている、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイのそれぞれに含まれる局所ガス源を更に備え、ガスは、前記局所ガス源のそれぞれにおいて導入され、前記局所化された構造体のアレイのそれぞれによって励起される、請求項1に記載の装置。
- 前記局所ガス源のそれぞれは、前記構造体内での不意の点火を防止するガードを含む、請求項14に記載の装置。
- 前記電源と前記局所化された構造体のアレイとの間に配置された電力分配要素を更に備え、前記電力分配要素は、前記局所化された構造体のアレイ内の1つ以上の前記構造体に印加される電力又は周波数を変化させるように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記電力分配要素は、前記局所化された構造体のアレイのうちの少なくとも1つに電気的に結合された少なくとも1つのトランジスタを含む、請求項16に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイは、前記局所化された構造体のアレイのそれぞれについて同程度の機械的寸法を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記局所化された構造体のアレイは、前記局所化された構造体のアレイ内の他の構造体とは異なる機械的寸法を有する少なくとも1つの構造体を含む、請求項1に記載の装置。
- プラズマ処理システム内でプラズマを生成するための装置であって、
内側上部電極及び前記内側上部電極の周囲を取り囲む外側上部電極を含む上部電極であって、前記内側上部電極は処理ガス吸気口及び電極板を含む、上部電極と、
前記電極板の外周領域内において、前記外側上部電極の内側エッジに隣り合って配置された3つ以上の局所化された構造体のアレイであって、前記3つ以上の局所化された構造体のアレイは、前記プラズマ処理システムのウェーハダイプラットフォームの端の上方に位置する、アレイと、
を備え、
前記局所化された構造体のそれぞれは、第1容量要素及び第2容量要素と、それぞれの容量要素に隣接して配置された対応する誘導ループと、を備え、前記第1容量要素及び前記第2容量要素はそれぞれ、伝送ラインに結合された2つの上板及び2つの下板を備え、前記第1容量要素及び前記第2容量要素の前記下板はそれぞれ、半円形の2つの下部誘導ループのそれぞれの端部に接続されており、前記半円形の2つの下部誘導ループは電気的に結合しており、
前記2つの下部誘導ループと前記第1容量要素及び前記第2容量要素は共振回路を形成しており、蓄積されたエネルギーが共振周波数において前記第1容量要素及び前記第2容量要素と、前記2つの下部誘導ループとの間で交換されるように閉回路として構成されている、
装置。
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---|---|---|---|---|
US10991591B2 (en) * | 2018-01-29 | 2021-04-27 | Ulvac, Inc. | Reactive ion etching apparatus |
US11037765B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-06-15 | Tokyo Electron Limited | Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization |
WO2023023289A1 (en) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
KR102399398B1 (ko) * | 2021-09-27 | 2022-05-18 | 아리온주식회사 | 알에프 스플리트 조정 시스템 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234338A (ja) | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP2007258570A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2009093459A1 (ja) | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | 原子層成長装置および薄膜形成方法 |
JP2014112672A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-19 | Lam Research Corporation | 温度制御素子アレイを備えるesc用の電力切替システム |
JP2017004602A (ja) | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナおよびそれを備えるプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2997294A (en) * | 1955-09-15 | 1961-08-22 | Gen Electric | Apparatus for feeding, cutting and stacking material for capacitors |
US4864464A (en) * | 1989-01-09 | 1989-09-05 | Micron Technology, Inc. | Low-profile, folded-plate dram-cell capacitor fabricated with two mask steps |
US6353206B1 (en) * | 1996-05-30 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma system with a balanced source |
US6178920B1 (en) * | 1997-06-05 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with internal inductive antenna capable of generating helicon wave |
US6388226B1 (en) * | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US7100532B2 (en) | 2001-10-09 | 2006-09-05 | Plasma Control Systems, Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle |
EP1480250A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-24 | HELYSSEN S.à.r.l. | A high density plasma reactor and RF-antenna therefor |
US20170213734A9 (en) | 2007-03-30 | 2017-07-27 | Alexei Marakhtanov | Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber |
US7976674B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Embedded multi-inductive large area plasma source |
JP5165993B2 (ja) | 2007-10-18 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9017533B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling radial distribution of plasma ion density and ion energy at a workpiece surface by multi-frequency RF impedance tuning |
JP5391659B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5916044B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2016-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2012133899A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP5781349B2 (ja) | 2011-03-30 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5712874B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US9881772B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning |
JP6084784B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2017-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ生成装置、アンテナ構造体、及びプラズマ生成方法 |
CN104641448B (zh) | 2012-07-27 | 2017-04-05 | 通快许廷格有限公司 | 用于为等离子体处理产生并维持等离子体的装置 |
US9293926B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Plasma processing systems having multi-layer segmented electrodes and methods therefor |
US20140175055A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustable coil for inductively coupled plasma |
US10249511B2 (en) * | 2014-06-27 | 2019-04-02 | Lam Research Corporation | Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus |
-
2017
- 2017-10-02 US US15/723,005 patent/US11551909B2/en active Active
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003234338A (ja) | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP2007258570A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2009093459A1 (ja) | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | 原子層成長装置および薄膜形成方法 |
JP2014112672A (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-19 | Lam Research Corporation | 温度制御素子アレイを備えるesc用の電力切替システム |
JP2017004602A (ja) | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナおよびそれを備えるプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111183504A (zh) | 2020-05-19 |
JP2021503686A (ja) | 2021-02-12 |
US20190103254A1 (en) | 2019-04-04 |
KR20200051663A (ko) | 2020-05-13 |
CN111183504B (zh) | 2023-07-21 |
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US11551909B2 (en) | 2023-01-10 |
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