JP5916044B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
この場合、一次コイルと各二次コイルとの間の相互インダクタンスが一定なので、高周波給電部より一次コイルに一次電流が流れたときに二次コイル内にそれぞれ発生する誘導起電力は一義的に決まる。また、両二次回路内の自己インダクタンスおよび抵抗も一定とみなせる。したがって、各可変コンデンサの静電容量を可変することにより、各アンテナを流れる二次電流の電流値を各々独立かつ任意に制御することができる。高周波給電部においては、二次コイルとの間の相互インダクタンスよりも一次コイルの自己インダクタンスの方が格段に大きいので、一次側から見た負荷リアクタンスの変化は小さく、二次電流の影響をそれほど受けない。このため、整合器の出力端子から見ると、負荷インピーダンスは基本的には一次コイルのインピーダンスとしてしか見えない。
[装置全体の構成及び作用]
[アンテナおよびトランス部の基本構成]
I2A=E2A/ZA ・・・・(1)
I2B=E2B/ZB ・・・・(2)
ZA=R96+i(ωL96−1/ωC64) ・・・・(3)
ZB=R98+i(ωL98−1/ωC66) ・・・・(4)
ただし、ωは角周波数であり、プラズマ生成用の高周波RFHの周波数をfとすると、ω=2πfである。
I2A=E2A/{R96+i(ωL96−1/ωC64)} ・・・・(5)
I2B=E2B/{R98+i(ωL98−1/ωC66)} ・・・・(6)
[アンテナおよびトランス部に関する実施例]
[オートマッチング機構に関する実施例]
[他の実施形態または変形例]
12 サセプタ
24 排気装置
52 誘電体窓
54 同軸アンテナ群
58 内側アンテナ
59 中間アンテナ
60 外側アンテナ
60L,60R アンテナセグメント
62 高周波給電部
64,66 可変コンデンサ
68 トランス部
70,72 容量可変部
74 (プラズマ生成用)高周波電源
76 整合器
86 一次コイル
88,90 二次コイル
96,97,98 二次回路
100,102 固定コンデンサ
104,106,110 コア
120,122 可変コンデンサ
124 反射波センサ
126 コントローラ
128,130 固定コンデンサ
Claims (16)
- 誘電体窓を有する処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記被処理基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために前記誘電体窓の外に設けられる複数のアンテナと、
前記処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記複数のアンテナに供給する高周波電源および整合器を有する高周波給電部と、
前記高周波給電部の終端に設けられる一次コイルと、
各々が個別に前記一次コイルと電磁誘導により一定の相互インダクタンスで結合可能であり、各々が対応する前記アンテナに電気的に接続され独立した閉ループの二次回路を形成する複数の二次コイルと、
全ての前記二次回路に設けられ、当該二次回路内で直列共振を起こす静電容量よりも小さな領域と大きな領域とを可変範囲にもつ可変の静電容量を有する可変コンデンサと、
各々の前記可変コンデンサの静電容量を可変し、前記二次回路を流れる電流の向きを制御する容量可変部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記複数のアンテナが、異なる径を有し、同軸に配置される、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数のアンテナが、同一の平面上に配置される、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数のアンテナが、径方向に間隔を空けてそれぞれ内側および外側にそれぞれ配置される内側アンテナおよび外側アンテナを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外側アンテナが、空間的には周回方向で1つの円を形成するように直列に配置され、電気的には個別の閉ループを形成するように複数の前記二次コイルにそれぞれ接続される複数のアンテナセグメントを有する、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外側アンテナが、空間的には周回方向で1つの円を形成するように直列に配置され、電気的には共通の閉ループを形成するように複数の前記二次コイルにそれぞれ接続される複数のアンテナセグメントを有する、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の二次コイルが、コイル軸方向において前記一次コイルの片側に並んで配置される、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の二次コイルが、コイル軸方向において前記一次コイルを挟んでその両側に配置される、請求項1〜6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記一次コイルが、電気的に直列に接続され、空間的にはコイル軸方向に間隔を空けて配置された第1および第2の一次コイルセグメントを有し、
前記複数の二次コイルが、コイル軸方向において前記第1および第2の一次コイルセグメントの間に配置される、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 比透磁率が1より大きな材質で形成され、前記一次コイルおよび少なくとも1つの前記二次コイルと鎖交するコアを有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 比透磁率が1より大きな材質で形成され、前記一次コイルおよび前記複数の二次コイルの全部と鎖交する無端状のコアを有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の二次コイルをそれぞれ流れる電流および前記一次コイルを流れる電流の全てが周回方向で同じ向きである、請求項1〜11のいずれか一項記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波給電部が、
前記整合器内に設けられる少なくとも1つの可変コンデンサと、
前記高周波電源側のインピーダンスと負荷側のインピーダンスとの間で整合がとれるように、前記整合器内の可変コンデンサの静電容量を可変する整合制御部と
を有する、
請求項1〜12のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記整合制御部が、前記高周波電源側のインピーダンスと負荷側のインピーダンスとの間で整合がとれるように、前記整合器内の可変コンデンサおよび前記二次回路内の可変コンデンサのそれぞれの静電容量を可変する、請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体窓を有する処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記被処理基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために前記誘電体窓の外に設けられる複数のアンテナと、
前記処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記複数のアンテナに供給する高周波電源および整合器を有する高周波給電部と、
前記高周波給電部の終端に設けられる一次コイルと、
各々が個別に前記一次コイルと電磁誘導により一定の相互インダクタンスで結合可能であり、各々が対応する前記アンテナに電気的に接続され独立した閉ループの二次回路を形成する複数の二次コイルと、
少なくとも1つの前記二次回路に設けられ、当該二次回路内で直列共振を起こす静電容量よりも小さな領域と大きな領域とを可変範囲にもつ可変の静電容量を有する可変コンデンサと、
各々の前記可変コンデンサの静電容量を可変し、当該二次回路を流れる電流の向きを制御する容量可変部と
を有するプラズマ処理装置。 - 誘電体窓を有する処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記被処理基板に所望のプラズマ処理を施すために、前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内で誘導結合により処理ガスのプラズマを生成するために前記誘電体窓の外に設けられる複数のアンテナと、前記処理ガスの高周波放電に適した周波数の高周波電力を前記複数のアンテナに供給する高周波電源および整合器を有する高周波給電部とを有するプラズマ処理装置において前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記高周波給電部の終端に一次コイルを設けるとともに、各々が個別に前記一次コイルと電磁誘導により一定の相互インダクタンスで結合可能であり、各々が対応する前記アンテナに電気的に接続され独立した閉ループの二次回路を形成する複数の二次コイルを設け、さらには全ての前記二次回路に当該二次回路内で直列共振を起こす静電容量よりも小さな領域と大きな領域とを可変範囲にもつ可変の静電容量を有する可変コンデンサを設けるとともに、各々の前記可変コンデンサの静電容量を可変し、当該二次回路を流れる電流の向きを制御する容量可変部を備え、
前記容量可変部により前記可変コンデンサの静電容量を選定または可変制御して、前記基板上のプラズマ密度分布を制御するプラズマ処理方法。
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JP2014089876A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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CN107333378B (zh) * | 2016-04-29 | 2019-05-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合等离子处理装置及其控制方法 |
KR102630343B1 (ko) * | 2017-08-03 | 2024-01-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US10971333B2 (en) | 2016-10-24 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Antennas, circuits for generating plasma, plasma processing apparatus, and methods of manufacturing semiconductor devices using the same |
JP6782360B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2020-11-11 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
US11551909B2 (en) * | 2017-10-02 | 2023-01-10 | Tokyo Electron Limited | Ultra-localized and plasma uniformity control in a plasma processing system |
JP6999368B2 (ja) * | 2017-11-01 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10892142B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System for fabricating a semiconductor device |
JP7061264B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-04-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ制御システム及びプラズマ制御システム用プログラム |
US20220199365A1 (en) * | 2019-04-30 | 2022-06-23 | Lam Research Corporation | Dual-frequency, direct-drive inductively coupled plasma source |
JP7352068B2 (ja) * | 2019-07-12 | 2023-09-28 | 日新電機株式会社 | プラズマ制御システム |
US10910196B1 (en) * | 2019-07-24 | 2021-02-02 | Tokyo Electron Limited | Mode-switching plasma systems and methods of operating thereof |
US20230139675A1 (en) * | 2020-02-19 | 2023-05-04 | En2core Technology Inc. | Antenna structure and plasma generating device using same |
JP7446190B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2024-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ生成方法 |
KR20220061617A (ko) * | 2020-11-06 | 2022-05-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US11665809B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-05-30 | Ulvac, Inc. | High-frequency power circuit, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
WO2022107407A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 株式会社アルバック | 高周波電力回路、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
CN113301702B (zh) * | 2021-05-20 | 2022-07-15 | 中国科学技术大学 | 一种行波天线等离子体源 |
CN113612006A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-11-05 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种分布式t型行波离子回旋天线结构 |
CN113921367B (zh) * | 2021-11-08 | 2023-07-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 腔体设备 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3172759B2 (ja) * | 1993-12-02 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US5521351A (en) * | 1994-08-30 | 1996-05-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms |
US5683539A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor with floating coil antenna for reduced capacitive coupling |
US6252354B1 (en) * | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
US5846883A (en) * | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
JPH1064697A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10172792A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
GB9714142D0 (en) * | 1997-07-05 | 1997-09-10 | Surface Tech Sys Ltd | An arrangement for the feeding of RF power to one or more antennae |
US6273022B1 (en) * | 1998-03-14 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Distributed inductively-coupled plasma source |
US6164241A (en) | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
KR100338057B1 (ko) | 1999-08-26 | 2002-05-24 | 황 철 주 | 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치 |
US6744213B2 (en) | 1999-11-15 | 2004-06-01 | Lam Research Corporation | Antenna for producing uniform process rates |
US7096819B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density |
JP4080793B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2008-04-23 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6842147B2 (en) * | 2002-07-22 | 2005-01-11 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform processing rates |
US6876155B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-04-05 | Lam Research Corporation | Plasma processor apparatus and method, and antenna |
US7190119B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-03-13 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system |
CN1998272A (zh) * | 2004-06-25 | 2007-07-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
JP4701691B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP2006318725A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 誘導結合型プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法 |
US20080317974A1 (en) | 2005-08-26 | 2008-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and Arrangement for Generating and Controlling a Discharge Plasma |
US20080156264A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Generator Apparatus |
JP5008509B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP5399151B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
US8319436B2 (en) * | 2009-02-02 | 2012-11-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source |
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