KR920020614A - 플라즈마를 이용하는 처리장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마를 이용하는 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 처리장치의 제1실시예인 플라즈마 에칭장치의 개략 단면도,
제2도는, 제1도의 요부의 확대개략도.

Claims (15)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판의 처리를 하는 처리장치로서, 고감압상태로 조정가능한 처리실(3)과 상기 처리실(3)내에서 상기 기판을 지지하는 지지수단과, 상기 처리실(3)내에 고주파 전계를 형성하는 전계형성수단과, 플라즈마화 되는 처리가스를 상기처리실(3)내로 도입하는 가스도입수단과, 통로를 통하여 상기 처리실(3)에 연이어 통하는 전자 공급실(10)과, 상기 전자 공급실(10)내에 배설된 전자발생수단과, 상기 통로내에 유도자계를 형성하는 자계형성수단과, 상기 유도자계는 상기 전자 공급실(10)으로부터 상기 처리실(3)로 전자를 유도하는 것과,를 구비하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자발생수단이, 필라멘트(11)와, 상기 필라멘트(11)에 전압을 인가하여 이것을 가열하는 전원으로 이루어지는 열전자방전수단을 구비하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열전자 방전수단이, 가스방전부재(18)로 이루어지는 글로 방전수단을 구비하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자계형성수단이, 상기 통로에 배설된 코일자석(13)을 구비하는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 통로에 상기 처리실(3)과 상기 전자 공급실(10)과의 연이어 통함을 개폐하는 게이트밸브(9)가 배설되는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자계형성수단이 상기 전자발생수단에 대하여 고전위로 설정되는 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 처리실(3)이 도전체 케이싱체를 구비하고, 상기 케이싱체가 상기 전자발생수단에 대하여 고전위로 설정되는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전자 공급실(10)이 복수의 전자 공급실(10)을 구비하는 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전계형성수단이, 상기 처리실(3)내에 배설된 1쌍의 전극과, 상기 1쌍의 전극 사이에 고주파 전압을 인기하는 고주파 전원(7)을 구비하는 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 지지수단이 반도체 웨이퍼(4)의 지지수단을 구비하는 장치.
  11. 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼의 에칭처리를 하는 처리장치로서, 고감압상태로 조정가능한 처리실(3)과, 상기 처리실(3)내에서 상기 웨이퍼를 지지하는 지지수단과, 상기 처리실(3)내에 배설된 1쌍의 평행전극과,상기 평행전극의 한편의 전극의 대향면상에 상기 지지수단이 형성되는 것과, 상기 1쌍의 평행전극간에 고주파전압을 인가하고, 상기 처리실(3)내에 상기 웨이퍼의 처리면과 직교하는 고주파전계를 형성하는 고주파 전원(7)과, 플라즈마화되는 에칭가스를 상기 처리실(3)내로 도입하는 가스도입수단과, 통로를 통하여 상기 처리실(3)에 연이어 통하는 전자 공급식(10)과, 상기 전자 공급실(10)내에 배설된 전자발생수단과, 상기 통로내에 유도자계를 형성하는 자계 형성수단과, 상기 유도자계는 상기 전자 공급실(10)로부터 상기 처리실(3)로 전자를 유도하는 것과,를 구비하는 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상기 처리면과 평행인 자계(A)를 형성하는 자계형성수단을 포함하는 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 통로에 상기 처리실(3)과 상기 전자 공급실(10)과의 연이어 통함을 개폐하는 게이트밸브(9)가 배설되는 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 자계형성수단이 상기 전자발생수단에 대하여 고전위로 설정되는 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 처리실(3)이 도전체 케이싱체를 구비하고, 상기 케이싱체가 상기 전자발생수단에 대하여 고전위로 설정되는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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