JP2005191056A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サセプタ16の上面に設けられる静電チャック18は導電板または導電膜からなる電極部20を一対の誘電体または絶縁体シート22,24の間に挟み込んでおり、電極部20には給電ライン26を介して直流電源28からの静電吸着用の直流電圧が印加される。高周波電源58は、サセプタ16上の半導体ウエハWの温度を加熱方式で制御するために静電チャック18の電極部20を抵抗発熱させるもので、その一方の出力端子が給電ライン64を介してサセプタ16に電気的に接続され、他方の出力端子がグランド電位に接続されており、たとえば10kHzの高周波を好ましくは可変制御可能なパワーで出力する。
【選択図】 図1
Description
14 支持台
16 サセプタ(下部電極)
18 静電チャック
20 電極部
24 下部誘電体(シート)
26 給電ライン
28 直流電源
38 シャワーヘッド(上部電極)
46 処理ガス供給部
54 排気装置
58 加熱用高周波電源
60 RFバイアス用高周波電源
62 プラズマ生成用高周波電源
64,66,70 給電ライン
74 ローパス・フィルタ(LPF)
76 バンドパス・フィルタ(BPF)
84 ローパス・フィルタ
88 高周波バイパス回路
90 フィルタ
92 サセプタ下部電極
94 サセプタ
96 サセプタ上部電極
98 加熱用高周波電源
100,102 給電ライン
106 ハイパス・フィルタ(HPF)
112 加熱用高周波電源
114,116,118 給電ライン
120 フィルタ
Claims (15)
- 被処理基板に所定の処理を施すための処理空間を与える処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を載置する載置台と、
前記載置台の内部に基板載置面に近接して設けられる導体と、
第1の給電ラインを介して前記導体に静電吸着用の直流電圧を印加する直流電源と、
一方の出力端子が第2の給電ラインを介して前記導体に電気的に接続され、加熱用の高周波を出力する高周波電源と、
前記第1の給電ラインの途中に設定された所定のノードと前記高周波電源の他方の出力端子との間で直流を遮断し前記高周波を通す高周波バイパス回路と
を有し、前記高周波電源と前記第2の給電ラインと前記導体と前記第1の給電ラインと前記高周波バイパス回路とを含む閉回路内で前記高周波電源より出力される高周波の電流が流れ、前記導体のジュール熱によって前記載置台上の前記基板が加熱される処理装置。 - 前記載置台が、
前記第2の給電ラインを介して前記高周波電源の一方の出力端子に電気的に接続される導電性の本体と、
前記本体の上に設けられ、前記導体と前記導体を上下両側から挟む誘電体とを含む静電チャックと
を有する請求項1に記載の処理装置。 - 前記載置台が、前記導体を内蔵するセラミックからなる本体を有する請求項1に記載の処理装置。
- プラズマの生成または導入の可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられ、電極部と前記電極部を上下両側から挟む誘電体とを有する静電チャックと、
第1の給電ラインを介して前記静電チャックの電極部に静電吸着用の直流電圧を印加する直流電源と、
一方の出力端子が第2の給電ラインを介して前記第1の電極に電気的に接続され、加熱用の第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の給電ラインの途中に設定された第1のノードと前記第1の高周波電源の他方の出力端子との間で直流を遮断し前記第1の高周波を通す高周波バイパス回路と、
一方の出力端子が第3の給電ラインと前記第2の給電ラインとを介して前記第1の電極に電気的に接続され、高周波バイアス用の第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記第1のノードよりも前記静電チャックの電極部寄りで前記第1の給電ラインの途中に設けられ、前記直流電源からの前記直流電圧を通すとともに前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を通し、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を遮断する第1のフィルタ回路と
を有し、前記第1の高周波電源と前記第2の給電ラインと前記静電チャックの電極部と前記第1の給電ラインと前記第1のフィルタ回路と前記高周波バイパス回路とを含む閉回路内で前記第1の高周波電源より出力される前記第1の高周波の電流が流れ、前記静電チャックの電極部のジュール熱によって前記載置台上の前記基板が加熱される処理装置。 - 前記第1の高周波の周波数が前記第2の高周波の周波数よりも低い請求項4に記載の処理装置。
- 前記第3の給電ラインと前記第2の給電ラインとが接続される第2のノードよりも前記第1の高周波電源の一方の出力端子寄りで前記第2の給電ラインの途中に設けられ、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を通し、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を遮断する第2のフィルタ回路を有する請求項4または5に記載の処理装置。
- 前記第3の給電ラインの途中に設けられ、前記第2の高周波電源からの前記第2の高周波を通し、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を遮断する第3のフィルタ回路を有する請求項4〜6のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記処理容器内で前記第1の電極と対向して所望の間隔を空けて配置される第2の電極を有する請求項4〜6のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記第2の高周波電源より前記第1の電極に供給される前記第2の高周波が、前記第1の電極と前記第2の電極との間でプラズマを生成するための高周波を兼ねる請求項8に記載の処理装置。
- 前記第2の電極に第4の給電ラインを介してプラズマ生成用の第3の高周波を供給する第3の高周波電源を有する請求項8に記載の処理装置。
- 前記第1のフィルタ回路が前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を遮断する請求項9に記載の処理装置。
- プラズマの生成または導入の可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する第1の電極と、
前記第1の電極上に設けられ、電極部と前記電極部を上下両側から挟む誘電体とを有する静電チャックと、
第1の給電ラインを介して前記静電チャックの電極部に静電吸着用の直流電圧を印加する直流電源と、
一方の出力端子が第2の給電ラインを介して前記第1の電極に電気的に接続され、加熱用の第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の給電ラインの途中に設定された第1のノードと前記第1の高周波電源の他方の出力端子との間で直流を遮断し前記第1の高周波を通す高周波バイパス回路と、
前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、
前記第2の電極に第4の給電ラインを介してプラズマ生成用の第3の高周波を供給する第3の高周波電源と、
前記第1のノードよりも前記静電チャックの電極部寄りで前記第1の給電ラインの途中に設けられ、前記直流電源からの前記直流電圧を通すとともに前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を通し、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を遮断する第1のフィルタ回路と
を有し、前記第1の高周波電源と前記第2の給電ラインと前記静電チャックの電極部と前記第1の給電ラインと前記第1のフィルタ回路と前記高周波バイパス回路とを含む閉回路内で前記第1の高周波電源より出力される前記第1の高周波の電流が流れ、前記静電チャックの電極部のジュール熱によって前記載置台上の前記基板が加熱される処理装置。 - 前記第2の給電ラインの途中に設けられ、前記第1の高周波電源からの前記第1の高周波を通し、前記第3の高周波電源からの前記第3の高周波を遮断する第2のフィルタ回路を有する請求項12に記載の処理装置。
- 被処理基板に所定の処理を施すための処理空間を与える処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を載置する誘電体を含む載置台と、
前記載置台の内部に基板載置面に近接して設けられる第1の導体と、
前記誘電体の一部または全部を挟んで前記第1の導体と対向して下方に設けられる第2の導体と、
前記第1の導体と前記第2の導体との間に加熱用の高周波を印加する高周波電源と
を有し、前記高周波電源からの前記高周波の電界を印加される前記誘電体の誘電損失による発熱によって前記載置台上の前記基板が加熱される処理装置。 - 前記第1の導体に静電吸着用の直流電圧を印加する直流電源を有する請求項14に記載の処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003427020A JP4515755B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 処理装置 |
US11/017,737 US20050236111A1 (en) | 2003-12-24 | 2004-12-22 | Processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003427020A JP4515755B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191056A true JP2005191056A (ja) | 2005-07-14 |
JP4515755B2 JP4515755B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=34786403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003427020A Expired - Fee Related JP4515755B2 (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050236111A1 (ja) |
JP (1) | JP4515755B2 (ja) |
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JP4515755B2 (ja) | 2010-08-04 |
US20050236111A1 (en) | 2005-10-27 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081225 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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