JPS62241327A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造装置、特に急速熱処理装置に関
するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の急速熱処理装置の一例を示す。

第２図中、＋１１は半導体ウエハー、（２）は処理容器
、（６１は半導体ウエハー支持ビン、（７）はタングス
テンランプ列である。

次に動作について説明する。

半導体ウエハー１１１は、半導体ウエハー支持ビン（６
）の上に乗せられ、タングステンランプ列（７）により
加部熱される。この加熱により、半導体ウエハーＩｌｌ
上の半導体装置のイオン注入した領域がアニールされる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の急速熱処理装置は、半導体ウエハーの表面及び表
面付近のみが加熱されるため、表面は膨張するが、裏面
は膨張しないため、半導体ウエハーにそりが生じる。こ
れ−が後のプロセスにおいて、半導体装置の不良を発生
させたりする問題につながる。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体ウエハー全体を加熱できるとともに、
半導体装置のイオン注入した領域を急速にアニールでき
る急速熱処理装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体製造装置は、高周波３直電加熱法
全用いて、半導体ウエハー全体を加熱し、半導体ウエハ
ー中の半導体装置のイオン注入した領域等τアニールす
るとともに処理容器内を加圧して放電が起きにくしたも
のである。

〔作用〕

この発明における昇圧ポンプは、処理容器内の気圧ｒ上
げ、電極間及び電極と半導体ウェハー間の放電を起こし
にくくする。高周波電源とこれに接続された電極は、半
導体ウエハーを誘電加熱して、半導体装置のイオン注入
した領域を急速にアニールする。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図において、ｉｌ＋は半導体ウエハー、（２）は８
０１程度の圧力に耐えられる処理チャンバー、（３１は
、高周波電源＋４１に接続された平行平板状の電極であ
る。また１Ｆ＋は、８０￥Ｊ程度にｍ圧できる昇圧ポン
プである。

第１図ＶＣおいて、昇圧ポンプ１５）は、処理容器（２
）内？１０１程度の気圧にｍ圧し、電極＋３１間及び電
極＋３１と半導体ウエハー１１１間の放電を起こしにく
くする。昼周波電源（４１と′電極ｔ３１は、半導体ウ
エハー＋ｌ＋を誘電加熱し、半導体ウエハー山全体？急
速に加熱するとともに、半導体ウェハー１１１中の半導
体装置におけるイオン注入した領域を急速にアニールす
る。

なお、上記実施例では、イオン注入した領域のアニ、−
ルを例にあげて説明したが、ＰＳＧやＢＰＩ９Ｇのりフ
ロー１１．ポリシリコンのアニール等に用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、処理装置内を加圧し
たので、半導体ウエハーと電極間及び両電極間に生じる
放電が起こりにくくなり、また、誘電加熱によシ半導体
りエハー全体を加熱するため、半導体ウエハーのそりを
発生させずに、半導体装置のイオン注入した領域等を急
速に活性化したり、他の熱処理を行える効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例による急速熱処理装置を
示す断面図、第２図は、従来の急速熱処理装置２示す断
面図である。 ＋１１は半導体ウエハー、（２）は処理容器、（３Ｉは
電極、（４）は高周波電源、１６）は昇圧ポンプである
。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）耐圧性の処理容器と、この処理容器内を加圧する
   昇圧ポンプと、高周波電源と、これに接続された少なく
   とも一対の電極とを備えた半導体製造装置。
2. （２）半導体製造のイオン注入した領域を、半導体ウエ
   ハーのそりを生じさせないでアニールすることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。