JPS63145787A - プラズマ剥離装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板上に塗布されているレジストの除去
などに用いられるプラズマ剥離装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置製造等に用いるプラズマ！！Ｉ　ａ装
置は、チャンバー内を真空に保ち、このチャンバー外に
対向配置された電極に高周波の電圧を印加し、導入され
たガスの励起又はイオン化により半導体基板に塗布され
ているレジストを剥離していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のプラズマ剥離装置では、熱を伝える媒体
がないため、半導体基板の温度上昇は輻射によるものと
化学反応によるものであった。そのため半導体基板の温
度が高くなって剥離が活発になるのに時間がかかり、ま
た半導体基板の位置や傾き等により剥離の均一性が悪く
なるという欠点がある。

本発明の目的は、このような問題を解決し、半導体基板
を加熱する予備室を設けることにより、バッチ処理のＭ
離の均一性、処理能力の向上及び枚葉型の処理能力を向
上させるプラズマ１’：’Ｉ　ｍ装置と提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の構成は、処理すべき半導体基板を挿入した処理
室内を真空に保ち、この処理室に対して対向配置された
電極間に高周波の電圧を印加し、導入されたガスの励起
又はイオン化によって前記半導体基板に塗布されている
レジストを剥離するプラズマ剥離装置において、前記処
理室と接してゲートバルブを介して設けられ前記半導体
基板をあらかじめ加熱する予備加熱室を設けたことを特
徴とする。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図は本発明の一実施例の構成を示す模式的側面図で
ある９本実施例のプラズマ剥離装置は、処理すべき半導
体基板を格納する予備加熱室１と、真空ポンプ５、ガス
導入口６が接続され高周波電源４を接続された陰極３ｂ
と接地された陽極３ａを備えた半導体基板処理室２とか
らなり、これら予備加熱室１と半導体基板処理室２とは
ゲートバルブ７により遮断されて構成される。

本実施例において、処理すべき半導体基板は予備加熱室
１であらかじめ加熱された後に、半導体基板が半導体基
板処理室２へ運ばれ処理されるので、剥離状層になりや
すくなっており、短時間に剥離処理ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、バッチ処理や半導体基
板の大口径化に対しても、半導体基板を予備加熱するこ
とにより、バッチ内及び半導体基板内の剥離の均一性を
向上させ、さらに処理能力を向上することができる効果
がある。

なお、本実施例において、高周波電源の極性を変えるこ
ともできると共に、加熱方法としても、電気ヒーター、
ランプ加熱、高温ガスの導入等による方法がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の模式的側面図である。 １・・・予備加熱室、２・・・半導体処理室、３ａ・・
・陽極、３ｂ・・・陰極、４・・・高周波電源、５・・
・真空ポンプ、６・・・ガス導入口、７・・・ゲートバ
ルブ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理すべき半導体基板を挿入した処理室内を真空に保ち
   、この処理室に対して対向配置された電極間に高周波の
   電圧を印加し、導入されたガスの励起又はイオン化によ
   って前記半導体基板に塗布されているレジストを剥離す
   るプラズマ剥離装置において、前記処理室と接してゲー
   トバルブを介して設けられ前記半導体基板をあらかじめ
   加熱する予備加熱室を設けたことを特徴とするプラズマ
   剥離装置。