JP2000328269A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型の基板を一度に大量に処理しうるドライ
エッチング装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 チャンバ内に周回用のラインを設け、ラ
イン上を周回する基板の保持台に、プラズマ発生電極
と、プラズマ化されるガスを供給するガス供給手段と、
ガスをあらかじめプラズマ化するマイクロ波導入手段
と、プラズマ発生電極に高周波電力を供給する供給手段
と、保持台に電力を供給する手段とによりドランエッチ
ングを行うことである。
エッチング装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 チャンバ内に周回用のラインを設け、ラ
イン上を周回する基板の保持台に、プラズマ発生電極
と、プラズマ化されるガスを供給するガス供給手段と、
ガスをあらかじめプラズマ化するマイクロ波導入手段
と、プラズマ発生電極に高周波電力を供給する供給手段
と、保持台に電力を供給する手段とによりドランエッチ
ングを行うことである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置、特に真空チャンバ内で発生させたガスプラズマに
よりエッチングを行うドライエッチング装置に関する。
装置、特に真空チャンバ内で発生させたガスプラズマに
よりエッチングを行うドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板や液晶ディスプレイ用ガラス
基板の表面を所定のパターンに従ってエッチングする方
法として、溶液（アルカリ、酸溶剤）を用いてエッチン
グを行うウェットエッチング法が従来より知られている
が、近年においては、溶液の洗浄工程やその後の乾燥工
程を省略でき、しかも微細化されたパターンを高精度に
仕上げることのできるガスプラズマを用いたドライエッ
チング法が広く利用されている。このドライエッチング
法として、エッチング機構を化学的に行うケミカルドラ
イエッチングや、エッチング機構を化学的および物理的
に行う反応性イオンエッチング、あるいは物理的に行う
スパッタエッチングなどが一般に知られている。
基板の表面を所定のパターンに従ってエッチングする方
法として、溶液（アルカリ、酸溶剤）を用いてエッチン
グを行うウェットエッチング法が従来より知られている
が、近年においては、溶液の洗浄工程やその後の乾燥工
程を省略でき、しかも微細化されたパターンを高精度に
仕上げることのできるガスプラズマを用いたドライエッ
チング法が広く利用されている。このドライエッチング
法として、エッチング機構を化学的に行うケミカルドラ
イエッチングや、エッチング機構を化学的および物理的
に行う反応性イオンエッチング、あるいは物理的に行う
スパッタエッチングなどが一般に知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年要求の
高まっている大型の液晶基板の大型化については、上記
いずれのドライエッチング法においても、現状において
は、用いられるドライエッチング装置の処理能力に限界
があり、生産性の向上という点で課題が残されていた。
即ち、ドライエッチング装置にあっては、エッチングを
施そうとする対象物が大型化すればするほど処理能力が
低下し、逆に大型基板を処理すべくエッチング装置その
ものを大型化すると、装置内のプラズマ密度が低下して
効率良くエッチングを行えないこととなる。
高まっている大型の液晶基板の大型化については、上記
いずれのドライエッチング法においても、現状において
は、用いられるドライエッチング装置の処理能力に限界
があり、生産性の向上という点で課題が残されていた。
即ち、ドライエッチング装置にあっては、エッチングを
施そうとする対象物が大型化すればするほど処理能力が
低下し、逆に大型基板を処理すべくエッチング装置その
ものを大型化すると、装置内のプラズマ密度が低下して
効率良くエッチングを行えないこととなる。
【０００４】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
てなされたもので、大型の基板を一度に大量に処理しう
るドライエッチング装置を提供する。
てなされたもので、大型の基板を一度に大量に処理しう
るドライエッチング装置を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、チャンバ内で基板の設けられた保持台を
周回すべく、保持台をそれぞれ逆方向に移送する直線状
の２つのライン及び該ラインの両端側で保持台を他方の
ラインに移送する移送ラインと、ライン上を周回する保
持台に設けられた基板に対して平行に取り付けられたプ
ラズマ発生電極と、プラズマ発生電極によりプラズマ化
されるガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に
よりチャンバ内に供給されるガスをプラズマ化するマイ
クロ波導入手段と、プラズマ発生電極に高周波電力を供
給する高周波供給電力供給手段と、保持台に電力を供給
する保持台印加手段とを具備することを特徴とする。
め、本発明は、チャンバ内で基板の設けられた保持台を
周回すべく、保持台をそれぞれ逆方向に移送する直線状
の２つのライン及び該ラインの両端側で保持台を他方の
ラインに移送する移送ラインと、ライン上を周回する保
持台に設けられた基板に対して平行に取り付けられたプ
ラズマ発生電極と、プラズマ発生電極によりプラズマ化
されるガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に
よりチャンバ内に供給されるガスをプラズマ化するマイ
クロ波導入手段と、プラズマ発生電極に高周波電力を供
給する高周波供給電力供給手段と、保持台に電力を供給
する保持台印加手段とを具備することを特徴とする。
【０００６】また、エッチング用のチャンバに、アッシ
ング用のチャンバが連設されている構成である。
ング用のチャンバが連設されている構成である。
【０００７】さらに具体的には、プラズマ発生電極が永
久磁石を相互に反発状態となるように磁石の磁化方向に
磁性体を介して一定の間隔を隔てて複数個配設してなる
構成とされ、且つ磁石の並び方向に往復動することであ
る。
久磁石を相互に反発状態となるように磁石の磁化方向に
磁性体を介して一定の間隔を隔てて複数個配設してなる
構成とされ、且つ磁石の並び方向に往復動することであ
る。
【０００８】
【作用】即ち、本発明は、先ず、真空状態のチャンバ内
に搬入された基板の設けられた保持台をラインに沿って
周回移送させながら、ＲＦ電源もしくはＤＣ電源または
これらを重畳した形で供給して負の電界を印加するとと
もに、各プラズマ発生電極にその対応するＲＦ電源から
マッチングボックスを介して所定のＲＦ電力を供給す
る。また、これと同時に、チャンバ外からその内部にガ
ス導入管を通じてエッチングガスとキャリアガスを供給
する。この際、各ガスはマイクロ波により、予めプラズ
マ化ないしイオン化（ラジカル化）されているために、
プラズマ発生電極の近傍にプラズマ化されたガスが供給
されるだけでなく、プラズマ発生電極と基板との間に生
じる放電により多量のプラズマが発生することとなる。
そして、正電荷を帯びた粒子は、基板に衝突して基板表
面を物理的にエッチングし、プラズマ化等したガスは、
基板表面に存在する分子ないし原子と化学反応を起こす
から、エッチングが促進されることとなる。
に搬入された基板の設けられた保持台をラインに沿って
周回移送させながら、ＲＦ電源もしくはＤＣ電源または
これらを重畳した形で供給して負の電界を印加するとと
もに、各プラズマ発生電極にその対応するＲＦ電源から
マッチングボックスを介して所定のＲＦ電力を供給す
る。また、これと同時に、チャンバ外からその内部にガ
ス導入管を通じてエッチングガスとキャリアガスを供給
する。この際、各ガスはマイクロ波により、予めプラズ
マ化ないしイオン化（ラジカル化）されているために、
プラズマ発生電極の近傍にプラズマ化されたガスが供給
されるだけでなく、プラズマ発生電極と基板との間に生
じる放電により多量のプラズマが発生することとなる。
そして、正電荷を帯びた粒子は、基板に衝突して基板表
面を物理的にエッチングし、プラズマ化等したガスは、
基板表面に存在する分子ないし原子と化学反応を起こす
から、エッチングが促進されることとなる。
【０００９】エッチングされた基板の設けられた保持台
は、連設されたアッシング用チャンバに搬送されて、Ｒ
Ｆ電源もしくはＤＣ電源またはこれらを重畳した形で供
給して負の電界を印加するとともに、各プラズマ発生電
極にその対応するＲＦ電源からマッチングボックスを介
して所定のＲＦ電力を供給する。また、これと同時に、
チャンバ外からその内部にガス導入管を通じて酸素等の
ガスを供給する。この際、酸素ガスはマイクロ波によ
り、予めプラズマ化ないしイオン化（ラジカル化）され
ているために、プラズマ発生電極の近傍にプラズマ化さ
れたガスが供給されるだけでなく、プラズマ発生電極と
基板との間に生じる放電により多量のプラズマが発生す
ることとなる。このようにして、エッチングに連続して
アッシング処理が行われることとなる。
は、連設されたアッシング用チャンバに搬送されて、Ｒ
Ｆ電源もしくはＤＣ電源またはこれらを重畳した形で供
給して負の電界を印加するとともに、各プラズマ発生電
極にその対応するＲＦ電源からマッチングボックスを介
して所定のＲＦ電力を供給する。また、これと同時に、
チャンバ外からその内部にガス導入管を通じて酸素等の
ガスを供給する。この際、酸素ガスはマイクロ波によ
り、予めプラズマ化ないしイオン化（ラジカル化）され
ているために、プラズマ発生電極の近傍にプラズマ化さ
れたガスが供給されるだけでなく、プラズマ発生電極と
基板との間に生じる放電により多量のプラズマが発生す
ることとなる。このようにして、エッチングに連続して
アッシング処理が行われることとなる。
【００１０】この際、プラズマ発生電極は永久磁石を相
互に反発状態となるように磁石の磁化方向に磁性体を介
して一定の間隔を隔てて複数個配設し、磁石の並び方向
に往復動する構成として、通電時に基板との間で放電を
起こしやすく、さらにプラズマ発生電極の近傍に高密度
のプラズマないしラジカルイオンを多量に発生させるこ
ととなる。
互に反発状態となるように磁石の磁化方向に磁性体を介
して一定の間隔を隔てて複数個配設し、磁石の並び方向
に往復動する構成として、通電時に基板との間で放電を
起こしやすく、さらにプラズマ発生電極の近傍に高密度
のプラズマないしラジカルイオンを多量に発生させるこ
ととなる。
【００１１】
【実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面に沿
って説明する。図１又は２は本装置を示す概略平面図で
ある。この図において、略長方形状のチャンバ１がバル
ブ２を解して２台（Ａ、Ｂ）連結されている。各（Ａ、
Ｂ）チャンバ１には、複数の基板の設けられた保持台
（図示せず）を立設した状態で搬送すべく、ローラー３
で形成された並列する直線状の横のライン４ａ，４ｂが
設けられ、各ライン４ａ，４ｂはそれぞれ保持台を逆方
向に移送すべく駆動している。前記ライン４ａ，４ｂの
両端側には、移送された保持台４を一方のライン４ａよ
り、他方のライン４ｂに移送すべく、縦の移送ライン５
ａ、５ｂに沿って移動する移送機５が設けられ、これに
より、保持台はチャンバ１内をラインに沿って周回移送
されることとなる。
って説明する。図１又は２は本装置を示す概略平面図で
ある。この図において、略長方形状のチャンバ１がバル
ブ２を解して２台（Ａ、Ｂ）連結されている。各（Ａ、
Ｂ）チャンバ１には、複数の基板の設けられた保持台
（図示せず）を立設した状態で搬送すべく、ローラー３
で形成された並列する直線状の横のライン４ａ，４ｂが
設けられ、各ライン４ａ，４ｂはそれぞれ保持台を逆方
向に移送すべく駆動している。前記ライン４ａ，４ｂの
両端側には、移送された保持台４を一方のライン４ａよ
り、他方のライン４ｂに移送すべく、縦の移送ライン５
ａ、５ｂに沿って移動する移送機５が設けられ、これに
より、保持台はチャンバ１内をラインに沿って周回移送
されることとなる。
【００１２】チャンバ１（Ａ、Ｂ）内はポンプ（図示せ
ず）を介して真空と大気に自在に調整することが可能で
ある。チャンバ１（Ａ、Ｂ）の横側側壁１ａには、ライ
ン４ａ，４ｂに沿ってそれぞれ複数のプラズマ発生電極
６…が、基板に対して平行に設けられ、さらに、プラズ
マ発生電極６の間にはガス導入管（ガス供給手段）７が
設けられている。尚、プラズマ発生電極６及びガス導入
管７は、いずれもチャンバ１（Ａ、Ｂ）の天井部を介し
てチャンバ１（Ａ、Ｂ）外から内部に挿入され、各保持
台と平行に取り付けられている。ここで、ライン４ａ，
４ｂには、電線（図示せず）を介して各保持台に電気的
に接続された端子（図示せず）が設けられ、端子は、外
部のＲＦ電源（図示せず）ないしＤＣ電源（図示せず）
からマッチングボックス（図示せず）を介して連結され
ている。これにより、各保持台に所定の高周波電力ない
し直流電力あるいはその両者が重畳された状態で印加さ
れ、各保持台は負の電界、つまり周囲の空間に各保持台
に向かう電界を生じさせるようになっている。
ず）を介して真空と大気に自在に調整することが可能で
ある。チャンバ１（Ａ、Ｂ）の横側側壁１ａには、ライ
ン４ａ，４ｂに沿ってそれぞれ複数のプラズマ発生電極
６…が、基板に対して平行に設けられ、さらに、プラズ
マ発生電極６の間にはガス導入管（ガス供給手段）７が
設けられている。尚、プラズマ発生電極６及びガス導入
管７は、いずれもチャンバ１（Ａ、Ｂ）の天井部を介し
てチャンバ１（Ａ、Ｂ）外から内部に挿入され、各保持
台と平行に取り付けられている。ここで、ライン４ａ，
４ｂには、電線（図示せず）を介して各保持台に電気的
に接続された端子（図示せず）が設けられ、端子は、外
部のＲＦ電源（図示せず）ないしＤＣ電源（図示せず）
からマッチングボックス（図示せず）を介して連結され
ている。これにより、各保持台に所定の高周波電力ない
し直流電力あるいはその両者が重畳された状態で印加さ
れ、各保持台は負の電界、つまり周囲の空間に各保持台
に向かう電界を生じさせるようになっている。
【００１３】プラズマ発生電極６は図３（ロ）に示すよ
うに、金属棒１４の外周に、非磁性体１５によって被覆
された円形または多角形リング状の複数の永久磁石１６
を嵌合させるとともに、その隣り合う永久磁石１６、１
６どうしが相互に反発状態で一定の間隔を開けて保持さ
れるように、各永久磁石１６、１６間に金属スペーサ
（もしくは磁性体スペーサ）１７を配設した構成であ
る。そして同図（イ）に示したように、各プラズマ発生
電極６がマッチングボックス１８を介してＲＦ電源１９
に接続されていることにより、その通電時に保持台との
間で放電を起こし、これらのプラズマないしラジカルイ
オンによって基板の表面をエッチングするようになって
いる。
うに、金属棒１４の外周に、非磁性体１５によって被覆
された円形または多角形リング状の複数の永久磁石１６
を嵌合させるとともに、その隣り合う永久磁石１６、１
６どうしが相互に反発状態で一定の間隔を開けて保持さ
れるように、各永久磁石１６、１６間に金属スペーサ
（もしくは磁性体スペーサ）１７を配設した構成であ
る。そして同図（イ）に示したように、各プラズマ発生
電極６がマッチングボックス１８を介してＲＦ電源１９
に接続されていることにより、その通電時に保持台との
間で放電を起こし、これらのプラズマないしラジカルイ
オンによって基板の表面をエッチングするようになって
いる。
【００１４】また、各プラズマ発生電極６の上部にモー
タ等からなる駆動機構（図示せず）を連結し、それらの
駆動機構によって各プラズマ発生電極６は、必要に応じ
てチャンバ１（Ａ、Ｂ）内で上下方向に所定のストロー
クで往復し、同図（ロ）に示すような磁場を形成するこ
ととなる。従って、各基板に対するエッチング／アッシ
ングが均一に行えることとなる。
タ等からなる駆動機構（図示せず）を連結し、それらの
駆動機構によって各プラズマ発生電極６は、必要に応じ
てチャンバ１（Ａ、Ｂ）内で上下方向に所定のストロー
クで往復し、同図（ロ）に示すような磁場を形成するこ
ととなる。従って、各基板に対するエッチング／アッシ
ングが均一に行えることとなる。
【００１５】ここで、各プラズマ発生電極６において、
永久磁石１６を上述のように配置したのは、プラズマ発
生電極６の近傍に密度の高いプラズマを発生させるよう
にするためであり、言い換えると低インピーダンスで放
電を起こさせることにより、ＲＦ電源１８から供給され
る電力を効率よく放電エネルギーに変換してプラズマ発
生電極６の近傍に多量のプラズマを発生させるようにす
るためである。
永久磁石１６を上述のように配置したのは、プラズマ発
生電極６の近傍に密度の高いプラズマを発生させるよう
にするためであり、言い換えると低インピーダンスで放
電を起こさせることにより、ＲＦ電源１８から供給され
る電力を効率よく放電エネルギーに変換してプラズマ発
生電極６の近傍に多量のプラズマを発生させるようにす
るためである。
【００１６】なお、各ＲＦ電源１９は、その対応するプ
ラズマ発生電極６に、周波数が数ＨZ 〜１００ＭＨZ の
ＲＦ電圧を印加するようになっているが、その場合、自
己バイアス電圧が高くなると当該電極からのスパッタが
おこるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する直流
自己バイアスが高くならないようにローパスフィルター
と抵抗器でバイアス電圧を制御する必要がある。
ラズマ発生電極６に、周波数が数ＨZ 〜１００ＭＨZ の
ＲＦ電圧を印加するようになっているが、その場合、自
己バイアス電圧が高くなると当該電極からのスパッタが
おこるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する直流
自己バイアスが高くならないようにローパスフィルター
と抵抗器でバイアス電圧を制御する必要がある。
【００１７】各ガス導入管７は、その真空チャンバ１
（Ａ、Ｂ）内に位置する管壁部分に多数の吐出口を設け
た構成で、その一端側が真空チャンバ１（Ａ、Ｂ）外の
ガス供給源（図示せず）に接続されているとともに、そ
の途中部分にマイクロ波をガス導入管７内に導入するマ
グネトロンおよび導波管等からなるマイクロ波導入装置
２３が接続されている。そのため、エッチング用チャン
バ１（Ａ）ではキャリアガス（Ｃｌ2 等）およびエッチ
ングガス（Ａｒ等）が、アッシング用チャンバ１（Ｂ）
では、酸素ガスがチャンバ１外で予めマイクロ波導入装
置２３からのマイクロ波によりプラズマ化ないし活性化
（ラジカル）された上でガス導入管７を通じてチャンバ
１（Ａ、Ｂ）内に供給され、ガス導入管７の吐出口から
周辺のプラズマ発生電極６の近傍に吐出される。
（Ａ、Ｂ）内に位置する管壁部分に多数の吐出口を設け
た構成で、その一端側が真空チャンバ１（Ａ、Ｂ）外の
ガス供給源（図示せず）に接続されているとともに、そ
の途中部分にマイクロ波をガス導入管７内に導入するマ
グネトロンおよび導波管等からなるマイクロ波導入装置
２３が接続されている。そのため、エッチング用チャン
バ１（Ａ）ではキャリアガス（Ｃｌ2 等）およびエッチ
ングガス（Ａｒ等）が、アッシング用チャンバ１（Ｂ）
では、酸素ガスがチャンバ１外で予めマイクロ波導入装
置２３からのマイクロ波によりプラズマ化ないし活性化
（ラジカル）された上でガス導入管７を通じてチャンバ
１（Ａ、Ｂ）内に供給され、ガス導入管７の吐出口から
周辺のプラズマ発生電極６の近傍に吐出される。
【００１８】次に、このドライエッチング装置によって
基板の表面をエッチングする場合について説明する。先
ず、チャンバ１（Ｂ）内を大気と同じ状態にすべくバル
ブ２（Ｂ）を開放し、チャンバ１（Ｂ）に処理されてい
ない基板の設けられた保持台を横のライン４ａ、縦の移
送ライン５ａ、横のライン４ｂ、縦の移送ライン５ｂを
介して周回状に搬入する。保持台が搬入された後、バル
ブ２（Ｂ）を閉塞しチャンバ１（Ｂ）を真空にして、各
ラインに沿って保持台をチャンバ１（Ｂ）内で周回移送
させるとともに、チャンバ１（Ｂ）の真空度がチャンバ
１（Ａ）と同じになると、バルブ２（Ａ）のみを開放し
て、基板の設けられた保持台をチャンバ１（Ａ）に移送
する。
基板の表面をエッチングする場合について説明する。先
ず、チャンバ１（Ｂ）内を大気と同じ状態にすべくバル
ブ２（Ｂ）を開放し、チャンバ１（Ｂ）に処理されてい
ない基板の設けられた保持台を横のライン４ａ、縦の移
送ライン５ａ、横のライン４ｂ、縦の移送ライン５ｂを
介して周回状に搬入する。保持台が搬入された後、バル
ブ２（Ｂ）を閉塞しチャンバ１（Ｂ）を真空にして、各
ラインに沿って保持台をチャンバ１（Ｂ）内で周回移送
させるとともに、チャンバ１（Ｂ）の真空度がチャンバ
１（Ａ）と同じになると、バルブ２（Ａ）のみを開放し
て、基板の設けられた保持台をチャンバ１（Ａ）に移送
する。
【００１９】チャンバ１（Ａ）に順次移送された保持台
は、チャンバ１（Ｂ）の場合と同様に横のライン４ａ、
縦の移送ライン５ａ、横のライン４ｂ、縦の移送ライン
５ｂを介してチャンバ１（Ａ）内に周回状に搬入される
こととなる。保持台が搬入された後、バルブ２（Ａ）を
閉塞して、各ラインに沿って保持台をチャンバ１（Ｂ）
内で周回移送させる。そして、ＲＦ電源もしくはＤＣ電
源またはこれらを重畳した形で供給して負の電界を印加
するとともに、プラズマ発生電極６を上下方向に所定の
ストローグで往復動させつつ、各プラズマ発生電極６に
その対応するＲＦ電源１９からマッチングボックス１８
を介して所定のＲＦ電力を供給する。また、これと同時
に、チャンバ１（Ａ）外からその内部にガス導入管７を
通じてＡｒ等のエッチングガス及びＣｌ2 等のキャリア
ガス（処理ガス）を供給する。このガスはマイクロ波に
より、予めプラズマ化ないしイオン化（ラジカル化）さ
れている。
は、チャンバ１（Ｂ）の場合と同様に横のライン４ａ、
縦の移送ライン５ａ、横のライン４ｂ、縦の移送ライン
５ｂを介してチャンバ１（Ａ）内に周回状に搬入される
こととなる。保持台が搬入された後、バルブ２（Ａ）を
閉塞して、各ラインに沿って保持台をチャンバ１（Ｂ）
内で周回移送させる。そして、ＲＦ電源もしくはＤＣ電
源またはこれらを重畳した形で供給して負の電界を印加
するとともに、プラズマ発生電極６を上下方向に所定の
ストローグで往復動させつつ、各プラズマ発生電極６に
その対応するＲＦ電源１９からマッチングボックス１８
を介して所定のＲＦ電力を供給する。また、これと同時
に、チャンバ１（Ａ）外からその内部にガス導入管７を
通じてＡｒ等のエッチングガス及びＣｌ2 等のキャリア
ガス（処理ガス）を供給する。このガスはマイクロ波に
より、予めプラズマ化ないしイオン化（ラジカル化）さ
れている。
【００２０】このようにすることで、プラズマ発生電極
６の近傍にガス導入管７を通じてプラズマ化ないしイオ
ン化されたガスが供給されるだけでなく、プラズマ発生
電極６と保持台との間に生じる放電により更に多量のプ
ラズマがプラズマ発生電極６の近傍に発生する。そし
て、そのうち、正電荷を帯びた粒子が、保持台に印加さ
れている負の電界により保持台側に加速されて、基板の
表面に衝突することとなり、基板表面が物理的にエッチ
ングされる。この際、プラズマ化またはイオン化により
ラジカル状態となった処理ガスは、基板表面に存在する
分子ないし原子と化学反応を起こすから、これによって
エッチングが促進される。しかも、上下方向に所定のス
トロークで往復動することにより、各基板に対して密度
の高いプラズマが均一な状態で供給されるから、基板に
対する物理的及び化学的エッチング処理が効率良く、し
かも均一に行われることとなる。その結果、装置全体を
大型化しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くこ
となく、大型の基板を一度に多量にエッチング処理する
ことが可能となるとともに、エッチンググレートを高め
ることが可能となって処理能力が向上することとなる。
６の近傍にガス導入管７を通じてプラズマ化ないしイオ
ン化されたガスが供給されるだけでなく、プラズマ発生
電極６と保持台との間に生じる放電により更に多量のプ
ラズマがプラズマ発生電極６の近傍に発生する。そし
て、そのうち、正電荷を帯びた粒子が、保持台に印加さ
れている負の電界により保持台側に加速されて、基板の
表面に衝突することとなり、基板表面が物理的にエッチ
ングされる。この際、プラズマ化またはイオン化により
ラジカル状態となった処理ガスは、基板表面に存在する
分子ないし原子と化学反応を起こすから、これによって
エッチングが促進される。しかも、上下方向に所定のス
トロークで往復動することにより、各基板に対して密度
の高いプラズマが均一な状態で供給されるから、基板に
対する物理的及び化学的エッチング処理が効率良く、し
かも均一に行われることとなる。その結果、装置全体を
大型化しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くこ
となく、大型の基板を一度に多量にエッチング処理する
ことが可能となるとともに、エッチンググレートを高め
ることが可能となって処理能力が向上することとなる。
【００２１】その後、バルブ２（Ａ）を開放して、チャ
ンバ１（Ａ）でエッチングされた基板の設けられた保持
台を、チャンバ１（Ｂ）に移送するとともに、チャンバ
１（Ａ）でエッチング中に、チャンバ１（Ｂ）に搬入さ
れた処理してない基板の設けられた保持台をチャンバ１
（Ａ）に搬入する。そして、チャンバ１（Ａ）で上記と
同様にエッチング処理が行われるとともに、チャンバ１
（Ｂ）においては、ラインに沿って周回移動しながら処
理ガスとして酸素を導入しながら上記と同様の作用でア
ッシング（灰化処理）が行われる。その後、バルブ２
（Ｂ）を開放してチャンバ１（Ｂ）内を大気と同じ状態
にしてアッシングが行われた基板の設けられた保持台を
搬出するともに、再度処理してない基板の設けられた保
持台を搬入し、バルブ２（Ｂ）を閉塞してチャンバ１
（Ｂ）内を真空にする。
ンバ１（Ａ）でエッチングされた基板の設けられた保持
台を、チャンバ１（Ｂ）に移送するとともに、チャンバ
１（Ａ）でエッチング中に、チャンバ１（Ｂ）に搬入さ
れた処理してない基板の設けられた保持台をチャンバ１
（Ａ）に搬入する。そして、チャンバ１（Ａ）で上記と
同様にエッチング処理が行われるとともに、チャンバ１
（Ｂ）においては、ラインに沿って周回移動しながら処
理ガスとして酸素を導入しながら上記と同様の作用でア
ッシング（灰化処理）が行われる。その後、バルブ２
（Ｂ）を開放してチャンバ１（Ｂ）内を大気と同じ状態
にしてアッシングが行われた基板の設けられた保持台を
搬出するともに、再度処理してない基板の設けられた保
持台を搬入し、バルブ２（Ｂ）を閉塞してチャンバ１
（Ｂ）内を真空にする。
【００２２】以上の工程を繰り返すことで、基板に対す
る物理的及び化学的エッチング処理が効率良く、しかも
均一に行われることとなる。その結果、装置全体を大型
化しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くことな
く、大型の基板を一度に多量にエッチング処理すること
が可能となるとともに、エッチンググレートを高めるこ
とが可能となる。
る物理的及び化学的エッチング処理が効率良く、しかも
均一に行われることとなる。その結果、装置全体を大型
化しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くことな
く、大型の基板を一度に多量にエッチング処理すること
が可能となるとともに、エッチンググレートを高めるこ
とが可能となる。
【００２３】さらに、エッチング処理とアッシングとを
連続して行うことで、さらに処理能力を高めることがで
きる。
連続して行うことで、さらに処理能力を高めることがで
きる。
【００２４】尚、上記実施例では、プラズマ発生電極６
を、金属棒１４の外周に、円形または多角形リング状の
複数の永久磁石１６を嵌合させ、各永久磁石１６、１６
間に金属スペーサ１７を配設した構成としたが、プラズ
マ発生電極６の構成はこれに限定されるものでなく、チ
ャンバ１の壁面に固定した電極でもよく特にその形状は
等は問うものでない。
を、金属棒１４の外周に、円形または多角形リング状の
複数の永久磁石１６を嵌合させ、各永久磁石１６、１６
間に金属スペーサ１７を配設した構成としたが、プラズ
マ発生電極６の構成はこれに限定されるものでなく、チ
ャンバ１の壁面に固定した電極でもよく特にその形状は
等は問うものでない。
【００２５】また、上記実施例のように、アッシング用
のチャンバ１（Ｂ）をエッチング用のチャンバ１（Ａ）
に連結することは必須の条件ではない。即ち、エッチン
グ用のチャンバ１（Ａ）のみで使用することも可能であ
る。
のチャンバ１（Ｂ）をエッチング用のチャンバ１（Ａ）
に連結することは必須の条件ではない。即ち、エッチン
グ用のチャンバ１（Ａ）のみで使用することも可能であ
る。
【００２６】
【発明の効果】このように、本発明によるドライエッチ
ング装置は装置全体を大型化しても、プラズマ密度の低
下を招くことなく、大型の基板等を一度に多量にエッチ
ング処理することが可能となるとともに、エッチンググ
レートも高めたられるから、処理能力が向上することと
なり、現状の大型化に容易に対応することができるとい
う利点がある。
ング装置は装置全体を大型化しても、プラズマ密度の低
下を招くことなく、大型の基板等を一度に多量にエッチ
ング処理することが可能となるとともに、エッチンググ
レートも高めたられるから、処理能力が向上することと
なり、現状の大型化に容易に対応することができるとい
う利点がある。
【００２７】また、プラズマ発生装置を所定のストロー
クで往復動さはる構成とした場合には、同電極の近傍に
発生したプラズマ密度が均一化されるので、基板表面を
均一にエッチングすることができ、エッチング精度が向
上するという顕著な効果を得た。
クで往復動さはる構成とした場合には、同電極の近傍に
発生したプラズマ密度が均一化されるので、基板表面を
均一にエッチングすることができ、エッチング精度が向
上するという顕著な効果を得た。
【図１】は本発明のドライエッチング装置の一例を示す
概略平面図。
概略平面図。
【図２】はアッシング室の一実施例を示す概略平面図。
【図３】（イ）は、プラズマ発生電極に連結されたマッ
チングボックスの回路を示し、（ロ）はプラズマ発生電
極の一部拡大図を示す。
チングボックスの回路を示し、（ロ）はプラズマ発生電
極の一部拡大図を示す。
【符号の説明】 １…チャンバ ６…プラズマ発生電極
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバ内で基板の設けられた保持台を
周回すべく、保持台をそれぞれ逆方向に移送する直線状
の２つのライン及び該ラインの両端側で保持台を他方の
ラインに移送する移送ラインと、ライン上を周回する保
持台に設けられた基板に対して平行に取り付けられたプ
ラズマ発生電極と、プラズマ発生電極によりプラズマ化
されるガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に
よりチャンバ内に供給されるガスをプラズマ化するマイ
クロ波導入手段と、プラズマ発生電極に高周波電力を供
給する高周波供給電力供給手段と、保持台に電力を供給
する保持台印加手段とを具備することを特徴とするドラ
イエッチング装置。 - 【請求項２】 エッチング用のチャンバに、アッシング
用のチャンバが連設されている請求項１記載のドライエ
ッチング装置。 - 【請求項３】 プラズマ発生電極が永久磁石を相互に反
発状態となるように磁石の磁化方向に磁性体を介して一
定の間隔を隔てて複数個配設してなる構成とされ、且つ
磁石の並び方向に往復動する請求項１又は２記載のドラ
イエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142934A JP2000328269A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142934A JP2000328269A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328269A true JP2000328269A (ja) | 2000-11-28 |
Family
ID=15327052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142934A Pending JP2000328269A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000328269A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100392827C (zh) * | 2003-02-05 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
| US7625493B2 (en) | 2003-02-06 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US7736955B2 (en) | 2003-02-05 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture method of display device by using droplet discharge method |
| US7858453B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device utilizing solution ejector |
| US7922819B2 (en) | 2003-02-06 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing device |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11142934A patent/JP2000328269A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100392827C (zh) * | 2003-02-05 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
| US7736955B2 (en) | 2003-02-05 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture method of display device by using droplet discharge method |
| US7625493B2 (en) | 2003-02-06 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US7858453B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device utilizing solution ejector |
| US7922819B2 (en) | 2003-02-06 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing device |
| US8569119B2 (en) | 2003-02-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device and display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |