JP3037597B2

JP3037597B2 - ドライエッチング装置

Info

Publication number: JP3037597B2
Application number: JP07287412A
Authority: JP
Inventors: 顕弘北畠; 敬治山田
Original assignee: Sanyo Vacuum Industries Co Ltd
Current assignee: Sanyo Vacuum Industries Co Ltd
Priority date: 1995-11-06
Filing date: 1995-11-06
Publication date: 2000-04-24
Anticipated expiration: 2015-11-06
Also published as: US5958141A; JPH09129609A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング装
置、特に真空チャンバ内で発生させたガスプラズマによ
りエッチングを行うエッチング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板や液晶ディスプレイ用ガラス
基板等の表面を所定のパターンに従ってエッチングする
方法として、溶液（アルカリ、酸溶剤）を用いてエッチ
ングを行うウェットエッチング法が従来より知られてい
るが、近年においては、溶液の洗浄工程やその後の乾燥
工程を省略でき、しかも微細化されたパターンを高精度
に仕上げることのできるガスプラズマを用いたドライエ
ッチング法が広く利用されている。このドライエッチン
グ法として、エッチング機構を化学的に行うケミカルド
ライエッチング（ＣＤＥ）や、エッチング機構を化学的
および物理的に行う反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）、あるいは物理的に行うスパッタエッチングなどが
一般に知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記いずれ
のドライエッチング法においても、現状においては、用
いられているドライエッチング装置の処理能力に限界が
あり、生産性の向上という点で課題が残されていた。特
に、最近は液晶基板の大型化の要求が高まっているが、
従来のドライエッチング装置にあっては、エッチングを
施そうとする対象物が大型化すればするほど処理能力が
低下し、逆に大型の基板等を処理すべくエッチング装置
そのものを大型化すると、装置内のプラズマ密度が低下
して効率良くエッチングを行えないことから、いずれの
場合でも大型の液晶基板等を一度に多量に処理すること
は困難とされていた。

【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、大型の基板等を一度に多量に処理しうるドラ
イエッチング装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、真空源に接続される真空チャンバと、ガ
ス供給源およびそのガス供給源からのガスを上記真空チ
ャンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニット
と、上記真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ
内に導かれたガスをプラズマ化および／または活性イオ
ン化する放電電極を有するドライエッチング装置におい
て、次のように構成したことによって特徴付けられる。

【０００６】すなわち、請求項１に対応する発明では、
放電電極は、円形または多角形のリング状の複数の永久
磁石が、これらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介して
一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込まれているととも
に、相互に隣合うの永久磁石の磁極を同極性とするよう
配列されているものである。また、請求項２に対応する
発明では、放電電極に、永久磁石をその永久磁石の並び
方向に所定のストロークで往復動させるための駆動手段
を設けたものである。さらに、請求項３に対応する発明
では、ガス供給ユニットに、真空チャンバ内に供給され
るガスを予めプラズマ化および／または活性イオン化さ
せるためのマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段を
設けたものである。

【０００７】また、請求項４に対応する発明では、放電
電極に供給される高周波電力の位相を制御する位相シフ
タと、放電電極の直流自己バイアスをコントロールする
バイアスコントローラが組み込まれたマッチングボック
スを備え、高周波電源からの電力をこのマッチングボッ
クスを介して放電電極に供給するよう構成されたもので
ある。さらに、請求項５に対応する発明では、真空チャ
ンバ内に、回転テーブルと、その回転テーブル上の周縁
部に同心円状に複数個配置され、かつ個々の表面側およ
び裏面側にそれぞれエッチングされる基板を保持する基
板ホルダとを設けるとともに、放電電極およびガス供給
管を、基板ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ、基
板の移動軌跡に沿って同心円状に対向配置したものであ
る。

【０００８】また、請求項６に対応する発明では、真空
チャンバ内に、直線状に移動する搬送コンベアと、その
搬送コンベアに複数個配置し、かつ個々の表面側および
裏面側にそれぞれエッチングされる基板を保持する基板
ホルダとを設けるとともに、放電電極およびガス供給管
を、基板ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ、基板
の移動軌跡に沿って直線状に対向配置したものである。

【０００９】＜作用＞本発明のドライエッチング装置において、放電電極は、
円形または多角形のリング状の複数の永久磁石を相互に
反発状態となるように、絶縁体を介して一定の間隔で配
列することにより、電極の近傍に密度の高いプラズマを
発生させることができる。また、これらの永久磁石を軸
棒に着脱自在としたので、放電電極を所望の大きさに形
成可能となり、大面積を有する基板のエッチングを容易
に行うことができる。

【００１０】また、上記永久磁石をその永久磁石の並び
方向に所定のストロークで往復動することにより、放電
電極近傍に発生したプラズマ等の密度を均一化すること
ができるので、基板の表面を均一にエッチングすること
ができ、エッチング精度が向上する。

【００１１】また、マイクロ波導入手段からマイクロ波
を導入して予めプラズマ化および／または活性イオン化
させた状態のガスを真空チャンバに供給した場合、この
ガス供給後の放電によるプラズマ化および／または活性
イオン化により、放電電極の周囲には多量のプラズマな
いしラジカルイオンが発生する。これにより、エッチン
グ速度が大きくなる。

【００１２】なお、一個の真空チャンバ内に設けられた
複数個の放電電極に対し、同時に高周波電力を供給する
と、それらの放電電極間の相互干渉によりプラズマ発生
が不安定となり、チャージアップや異常放電等が多発す
るおそれがある。そこで、位相シフタとバイアスコント
ローラが組み込まれたマッチングボックスを設け、高周
波電源からの電力をこのマッチングボックスを介して上
記放電電極に供給することで、高周波電力の位相制御と
放電電極の直流自己バイアスが最適状態となるようにコ
ントロールされるので、これら放電電極間の相互干渉が
起こらず、プラズマ等の発生が安定化される。また、印
加する高周波電圧を連続もしくはパルスで印加すること
により、異常放電の防止やエッチング形状のコントロー
ルも可能となる。

【００１３】さらに、両面に基板を保持する基板ホルダ
を回転テーブル上の周縁部に同心円状に複数個配置し、
放電電極およびガス供給管を、これらの両面側にそれぞ
れ、基板の移動軌跡に沿って同心円状に対向配置されて
いるので、放電電極により、密度の高いプラズマが常に
供給され、大型の基板を一度に多量にエッチング処理す
ることが可能になる。

【００１４】また、両面に基板を保持する複数の基板ホ
ルダを直線状に移動する搬送コンベアに設け、放電電極
およびガス供給管を、これらの両面側にそれぞれ、基板
の移動軌跡に沿って直線状に対向配置されたインライン
型のドライエッチング装置の場合も同様に、密度の高い
プラズマが常に供給され、大型の基板を一度に多量にエ
ッチング処理することが可能になる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１および図２は本発明のドライエッチン
グ装置の一例を示す縦断面図および平断面図である。こ
れらの図に示すように、ドライエッチング装置１は、プ
レート２上に容器３を設けてなる円筒形の真空チャンバ
４を有する。この真空チャンバ４は、プレート２に形成
された排気口（図示せず）を介して外部の図示しない真
空ポンプ（真空源）と接続されており、同ポンプによっ
てチャンバ４内が所定の真空状態にされるようになって
いる。

【００１６】真空チャンバ４内には、周面に歯５ａ・・
・５ａが形成されてなる回転テーブル５が備えられてい
る。この回転テーブル５は、その周縁部下面側がローラ
６・・・６によって受けられてプレート２上に支持され
ているとともに、その周面に形成されている歯５ａ・・
・５ａがプレート２に取り付けられた回転テーブル駆動
用モータ（回転駆動手段）７の軸部先端の歯車７ａと噛
み合わされており、同モータ７によって駆動されること
により、プレート２上の中心軸８の回りに所望の速度で
回転されるようになっている。

【００１７】回転テーブル５上には、その周縁部とそこ
から中心部の方向に所定量だけ寄った部位とに、それぞ
れ同心円状に複数の基板ホルダ９・・・９および９’・
・９’が配置されている。これらの各基板ホルダ９、
９’は、それぞれ、絶縁体（図示せず）を介して回転テ
ーブル５上に立設されており、その各ホルダ両面にエッ
チング対象物としての複数のガラス基板ａ・・・ａが図
示のように着脱自在に取り付けられるようになってい
る。また、これらの基板ホルダ９、９’には、真空チャ
ンバ４外に備えられたマッチングボックス１０を介して
ＲＦ電源１１およびＤＣ電源１２が接続されている。

【００１８】ここで、回転テーブル５の下面側には、電
線１３を介して各基板ホルダ９、９’に電気的に接続さ
れたテーブル端子１４が設けられている。また、プレー
ト２の上面には、電線１５を介してマッチングボックス
１０に接続されたプレート端子１６が設けられている。
そして、テーブル５の回転時においては、テーブル端子
１４がプレート端子１６に摺接しながら中心軸８の回り
を回転し、その状態で外部のＲＦ電源１１ないしＤＣ電
源１２からマッチングボックス１０を介して各基板ホル
ダ９、９’に所定の高周波電力ないし直流電力あるいは
その両者が重畳された状態で印加されることにより、各
基板ホルダ９、９’に負の電界、つまり周囲の空間に各
基板ホルダ９、９’に向かう電界を生じさせうるように
なっている。なお、各基板ホルダ９、９’に印加される
電圧は、この例では、−２００Ｖ〜−１００Ｖである。

【００１９】また、真空チャンバ４には、その内部の相
対的に内側（中心側）に位置する各基板ホルダ９’と外
周側に位置する各基板ホルダ９の各回転軌跡に沿って、
それぞれ、その内側および外側に同心円状に複数のプラ
ズマ発生電極２０およびガス導入管（ガス供給手段）３
０が交互にほぼ等間隔で配置されている。これらのプラ
ズマ発生電極２０およびガス導入管３０は、いずれも容
器３の天井部を介して真空チャンバ４外から内部に挿入
され、各基板ホルダ９、９’の両面に取り付けられた基
板ａに対向するように設けられている。ただし、基板ａ
の出し入れ作業を行う必要上、真空チャンバ４の周壁
（容器３の周面）に設けられた出入口４ａに対応する部
分には、プラズマ発生電極２０およびガス供給管３０が
配置されていない。

【００２０】各プラズマ発生電極２０は、図３に示すよ
うに、金属棒２１の外周に、非磁性体２２によって被覆
された円形または多角形リング状の複数の永久磁石２３
を嵌合させるとともに、その隣合う永久磁石２３、２３
どうしが相互に反発状態で一定の間隔を開けて保持され
るように、各永久磁石２３、２３間に金属スペーサ（も
しくは磁性体スペーサ）２４を配設した構成である。そ
して、図１に示したように、各プラズマ発生電極２０が
マッチングボックス２５を介してＲＦ電源２６に接続さ
れていることにより、その通電時に基板ホルダ９、９’
との間で放電を起こし、これに伴って各プラズマ発生電
極２０の近傍に高密度のプラズマないしラジカルイオン
を多量に発生させ、これらのプラズマないしラジカルイ
オンによって基板ａの表面をエッチングするようになっ
ている。

【００２１】また、図例では、各プラズマ発生電極２０
の上部にモータ等からなる駆動機構２７がそれぞれ連結
されており、それらの駆動機構２７によって各プラズマ
発生電極２０を必要に応じて図１の上下方向に所定のス
トロークで往復動させることで、各基板ａに対するエッ
チングを均一に行えるように構成されている。

【００２２】ここで、各プラズマ発生電極２０におい
て、永久磁石２４を上述のように配置したのは、当該電
極２０の近傍に密度の高いプラズマを発生させるように
するためであり、言い換えると低インピーダンスで放電
を起こさせることにより、ＲＦ電源２６から供給される
電力を効率良く放電エネルギに変換して電極２０の近傍
に多量のプラズマを発生させるようにするためである。

【００２３】なお、各ＲＦ電源２６は、その対応するプ
ラズマ発生電極２０に、周波数が数Ｈｚ〜１００ＭＨｚ
のＲＦ電圧を印加するようになっているが、その場合、
自己バイアス電圧が高くなると当該電極からのスパッタ
が起こるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する自
己バイアスが高くならない程度（１００Ｖ以下）が望ま
しい。できるだけ高エネルギのプラズマを発生させるに
は投入電力を大きくすればよいが、投入電力を大きくす
ると自己バイアス電圧が高くなり、プラズマ発生電極で
スパッタが生じたり異常放電が発生したりする可能性が
ある。このため、特にスパッタされる周波数（１３．５
６ＭＨｚ）のＲＦ電力を用いる場合には、自己バイアス
電圧が数ボルトの負電圧となるようにローパスフィルタ
により直流分を数オームの抵抗を介してアースして調整
するのが望ましい。

【００２４】一方、各ガス供給管３０は、その真空チャ
ンバ４内に位置する管壁部分に多数の吐出口を設けた構
成で、その一端側が真空チャンバ４外のガス供給源（図
示せず）に接続されているとともに、その途中部分に、
マイクロ波を当該ガス導入管３０内に導入するマグネト
ロンおよび導波管等からなるマイクロ波導入装置（マイ
クロ波導入手段）３１が接続されている。そして、上記
ガス供給源から供給される例えばＣｌ₂、Ｏ₂およびＡ
ｒ等の処理ガスが真空チャンバ４外で予めマイクロ波導
入装置３１からのマイクロ波（周波数は２．４５ＧＨ
ｚ）によりプラズマ化ないしは活性化（ラジカル化）さ
れた上でガス供給管３０を通じて真空チャンバ４内に供
給され、そのガス供給管３０の吐出口から周辺のプラズ
マ発生電極９、９’の近傍に吐出されるようになってい
る。

【００２５】次に、このドライエッチング装置によって
液晶基板等の基板の表面をエッチングする場合について
説明する。まず、図２に示すように、真空チャンバ４内
の回転テーブル５上にそれぞれ同心円状に配置されてい
る内側および外側の基板ホルダ９’、９の表裏両面に基
板ａ・・・ａを所定の状態にセットする。次に、真空チ
ャンバ４の出入口４ａの扉４ａ’を閉鎖して同チャンバ
４を密閉した後、同チャンバ４内を所定の真空状態に
し、その状態で、モータ７により回転テーブル６を回転
駆動して、同テーブル６上の各基板ホルダ９、９’およ
びそれらにセットされた各基板ａを中心軸８の回りに一
体的に回転させる。

【００２６】次に、この状態で、ＲＦ電源１１またはＤ
Ｃ電源１２からマッチングボックス１０等を介して各基
板ホルダ９、９’にＲＦ電力もしくはＤＣ電力１２また
はこれらを重畳した形で供給して負の電界を印加すると
ともに、各プラズマ発生電極２０をモータ２７により図
１の上下方向に所定のストロークで往復動させつつ、各
プラズマ発生電極２０にその対応するＲＦ電源２６から
マッチングボックス２５を介して所定のＲＦ電力を供給
する。また、これと同時に、真空チャンバ４外からその
内部にガス供給管３０を通じて例えばＣｌ₂、Ｏ₂およ
びＡｒ等の処理ガスを供給するが、その際、ガス供給管
３０の途中にマイクロ波導入装置３１からマイクロ波を
導入して、処理ガスの一部を予めプラズマ化ないしイオ
ン化（ラジカル化）しておく。

【００２７】このようにすると、各プラズマ発生電極２
０の近傍にガス供給管３を通じて予め一部がプラズマ化
ないしイオン化された処理ガスが供給されるだけでな
く、各プラズマ発生電極２０と基板ホルダ９、９’との
間に生じる放電により更に多量のプラズマが同電極２０
の近傍に発生する。そして、そのうち、正電荷を帯びた
粒子が、基板ホルダ９、９’に印加されている負の電界
により同ホルダ９、９’側に加速されて、同ホルダ９、
９’に保持されている基板ａに衝突することにより、そ
れらの基板ａの表面が物理的にエッチングされる。ま
た、この時、プラズマ化ないしイオン化によりラジカル
状態となった処理ガス（塩素ラジカルＣｌ^*や酸素ラジ
カルＯ^*）は、基板の表面に存在する分子ないし原子と
化学反応を起こすから、これによって化学的エッチング
も促進される。しかも、この場合、各プラズマ発生電極
２０が基板ａの回転軌跡に沿ってその両側に配置された
状態で、図１の上下方向に所定のストロークで往復動さ
れることにより、各基板ａに対して密度の高いプラズマ
が均一な状態で供給されるから、各基板ａに対する物理
的および化学的なエッチング処理が効率良く、しかも均
一に行われることとなる。その結果、装置全体を大型化
しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くことがな
く、大型の基板等を一度に多量にエッチング処理するこ
とが可能になるとともに、エッチングレートを高めるこ
とが可能となって処理能力が向上することになる。

【００２８】以上は円筒形の真空チャンバ内でエッチン
グを行うためのドライエッチング装置（いわゆるカルー
セル型ドライエッチング装置）について説明したもので
あるが、本発明における基本的な思想、すなわち基板ホ
ルダの移動経路に沿って多数のポスト型プラズマ発生電
極とガス供給手段とを配設するという思想は、直線型
（いわゆるインライン型）のドライエッチング装置にも
適用することが可能である。

【００２９】図４に、そのようなインライン型ドライエ
ッチング装置の一例を示す。このドライエッチング装置
５１は、基板ホルダ５２に対する基板ｂのセット作業が
行われる搬入室５３と、基板ｂの表面をエッチング処理
するエッチング室５４と、エッチング後のアッシング
（灰化処理）を行うアッシング室５５と、基板ホルダ５
２から処理後の基板ｂを取り外す作業が行われる搬出室
５６とを一列に配置した構成で、これらの各室５３〜５
６内を搬送コンベア（図示せず）が図中の左側から右側
に向けて同図矢印で示すように順次通過しうるようにな
っている。ここで、各室５３〜５６の間には、各室５３
〜５６をそれぞれ密閉状態に保って独立排気を可能とす
る開閉可能なシャッター手段（またはバルブ）５７・・
・５７が設けられている。

【００３０】上記エッチング室５４には、基板ホルダ５
２の搬送経路に沿ってその両側（図中の上側および下
側）に、複数のプラズマ発生電極５８・・・５８と、二
種類のガス（図例では、ガスＡおよびガスＢ）を混合し
て同室内に供給するガス供給管５９とが一定の間隔をあ
けて交互に配置されている。また、エッチング室５４の
外側にはＲＦ電源６０およびＤＣ電源６１が備えられて
おり、これらの電源からエッチング室５４内の基板ホル
ダ５２に所定のＲＦ電力もしくはＤＣ電力あるいはその
両方を印加させうるようになっている。この場合のプラ
ズマ発生電極５８、ガス供給管５９、ＲＦ電源６０およ
びＤＣ電源６１は、基本的には、図１のドライエッチン
グ装置で用いたものと同様の構成とされている。

【００３１】なお、図４のドライエッチング装置５１に
おいては、アッシング室５５にも複数のプラズマ発生電
極６２・・・６２とガス供給管６３・・・６３が備えら
れている。そして、ガス供給管６３から同室５５内にＯ
₂ガスを供給し、このガスをプラズマ発生電極６２によ
ってプラズマ化してＯ₂プラズマとし、このＯ₂プラズ
マによって例えばレジスト現像残り等の灰化処理を行う
ようになっている。

【００３２】このようなインライン型のドライエッチン
グ装置５１によると、搬入室５３で基板ホルダ５２に基
板ｂをセットした後、これを搬送コンベアによってエッ
チング室５４に送って両側のプラズマ発生電極５８・・
・５８の間を通過させつつエッチングし、更にアッシン
グ室５５に送って同室５５でアッシングを行うことがで
きるから、エッチングからアッシングまでの工程を連続
的に行うことができる。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライエ
ッチング装置によれば、放電電極は、円形または多角形
のリング状の複数の永久磁石を、これらの磁石の磁化方
向に絶縁体を介して一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め
込み、相互に隣合うの永久磁石の磁極を同極性とする構
成としたから、従来のように、プラズマ密度の低下を招
くことがなく、電極の近傍に密度の高いプラズマを発生
させることができ、さらに、放電電極を所望の大きさに
形成できるので、大型の基板等を一度に多量にエッチン
グ処理することが可能になるとともに、エッチングレー
トも高められ、処理能力が向上する。また、放電電極に
駆動手段を設け、永久磁石をその永久磁石の並び方向に
所定のストロークで往復動させる構成とした場合、基板
の表面を均一にエッチングすることができ、エッチング
精度が向上する。

【００３４】さらに、マイクロ波導入手段を設けた構成
とすれば、エッチング速度が大きくなる。さらにまた、
位相シフタと、バイアスコントローラが組み込まれたマ
ッチングボックスを備え、高周波電源からの電力をこの
マッチングボックスを介して放電電極に供給する構成と
した場合には、放電電極間の相互干渉が起こらず、プラ
ズマ等の発生が安定化される。また、異常放電の防止や
エッチング形状のコントロールも可能となる。さらに、
両面に基板を保持する基板ホルダを回転テーブル上の周
縁部に同心円状に複数個配置し、放電電極およびガス供
給管を、これらの両面側にそれぞれ、基板の移動軌跡に
沿って同心円状に対向配置されたカルーセル型（円筒タ
イプ）のドライエッチング装置の構成の場合も、また両
面に基板を保持する複数の基板ホルダを直線状に移動す
る搬送コンベアに設け、放電電極およびガス供給管を、
これらの両面側にそれぞれ、基板の移動軌跡に沿って直
線状に対向配置されてインライン型のドライエッチング
装置の場合も、密度の高いプラズマが常に供給され、大
型の基板を一度に多量に効率良くエッチング処理するこ
とが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライエッチング装置の一例を示す縦
断面図

【図２】図１のII−II線で切断した平断面図

【図３】図１のドライエッチング装置に備えられたプラ
ズマ発生電極の一部を拡大して示す拡大断面図

【図４】本発明で採用した構成の一部をインライン型の
ドライエッチング装置に応用した例を示すもので、その
インライン型ドライエッチング装置の全体構成を示す平
面図

【符号の説明】

１・・・ドライエッチング装置４・・・真空チャンバ５・・・回転テーブル７・・・回転駆動手段（回転テーブル駆動用モータ）９、９’・・・基板ホルダ１１、１２・・・基板ホルダ印加手段（１１・・・ＲＦ
電源、１２・・・直流電源）２０・・・プラズマ発生電極２３・・・永久磁石２６・・・高周波電力供給手段（ＲＦ電源）２７・・・駆動手段（モータ）３０・・・ガス供給手段（ガス供給管）３１・・・マイクロ波導入手段（マイクロ波導入装置）ａ・・・エッチング対象物としての基板

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00 H05H 1/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】真空源に接続される真空チャンバと、ガス
供給源およびそのガス供給源からのガスを上記真空チャ
ンバ内に導くガス供給管を備えたガス供給ユニットと、
上記真空チャンバ内に設けられ、その真空チャンバ内に
導かれたガスをプラズマ化および／または活性イオン化
する放電電極を有するドライエッチング装置において、
上記放電電極は、円形または多角形のリング状の複数の
永久磁石が、これらの永久磁石の磁化方向に絶縁体を介
して一定の間隔で軸棒に着脱自在に嵌め込まれていると
ともに、相互に隣合うの永久磁石の磁極を同極性とする
よう配列されていることを特徴とするドライエッチング
装置。
【請求項２】上記放電電極に、上記永久磁石をその永久
磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させるため
の駆動手段が設けられたことを特徴とする請求項１に記
載のドライエッチング装置。
【請求項３】上記ガス供給ユニットには、真空チャンバ
内に供給されるガスを予めプラズマ化および／または活
性イオン化させるためのマイクロ波を導入するマイクロ
波導入手段が設けられたことを特徴とする請求項１また
は２に記載のドライエッチング装置。
【請求項４】上記放電電極に供給される高周波電力の位
相を制御する位相シフタと、放電電極の直流自己バイア
スをコントロールするバイアスコントローラが組み込ま
れたマッチングボックスを備え、高周波電源からの電力
をこのマッチングボックスを介して上記放電電極に供給
するよう構成されたことを特徴とする請求項１、２また
は３に記載のドライエッチング装置。
【請求項５】上記真空チャンバ内には、回転テーブル
と、その回転テーブル上の周縁部に同心円状に複数個配
置され、かつ個々の表面側および裏面側にそれぞれエッ
チングされる基板を保持する基板ホルダとが設けられる
とともに、上記放電電極およびガス供給管が、上記基板
ホルダの表面側および裏面側にそれぞれ、上記基板の移
動軌跡に沿って同心円状に対向配置されていることを特
徴とする請求項１、２、３または４に記載のドライエッ
チング装置。
【請求項６】上記真空チャンバ内には、直線状に移動す
る搬送コンベアと、その搬送コンベアに複数個配置さ
れ、かつ個々の表面側および裏面側にそれぞれエッチン
グされる基板を保持する基板ホルダとが設けられるとと
もに、上記放電電極およびガス供給管が、上記基板ホル
ダの表面側および裏面側にそれぞれ、上記基板の移動軌
跡に沿って直線状に対向配置されていることを特徴とす
る請求項１、２、３または４に記載のドライエッチング
装置。