JPH09129609A

JPH09129609A - ドライエッチング装置

Info

Publication number: JPH09129609A
Application number: JP7287412A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Kitahata; 顕弘北畠; Takaharu Yamada; 敬治山田
Original assignee: Sanyo Shinku Kogyo KK
Current assignee: Sanyo Shinku Kogyo KK
Priority date: 1995-11-06
Filing date: 1995-11-06
Publication date: 1997-05-16
Anticipated expiration: 2015-11-06
Also published as: US5958141A; JP3037597B2

Abstract

(57)【要約】【課題】大型の基板等を一度に多量に処理しうるド
ライエッチング装置を提供する。【解決手段】円筒形の真空チャンバ４内に円形の回
転テーブル５を備え、この回転テーブル５上に、その回
転中心を中心とする同心円状に複数の基板ホルダ９、
９’を設ける。また、これらの基板ホルダ９、９’の回
転軌跡に沿ってその内側および外側に位置するように、
真空チャンバ４に複数のプラズマ発生電極２０とガス供
給管３０とを垂下状態に設け、このうちのプラズマ発生
電極２０を、それぞれ、円形または多角形のリング状の
永久磁石を相互に吸引状態となるように磁石の磁化方向
に絶縁体を介して一定の間隔を隔てて複数個配設してな
る構成とする。そして、基板ホルダ９、９’に直流電流
もしくは高周波電流あるいはその両者を重畳して供給す
ることで負の電界を印加した状態で、ガス供給管３０を
通じて予め一部をプラズマ化した処理ガスをプラズマ発
生電極３０の近傍に供給するとともに、同電極３０に対
して高周波電力を供給してプラズマを発生させる構成と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はドライエッチング装
置、特に真空チャンバ内で発生させたガスプラズマによ
りエッチングを行うエッチング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板や液晶ディスプレイ用ガラス
基板等の表面を所定のパターンに従ってエッチングする
方法として、溶液（アルカリ、酸溶剤）を用いてエッチ
ングを行うウェットエッチング法が従来より知られてい
るが、近年においては、溶液の洗浄工程やその後の乾燥
工程を省略でき、しかも微細化されたパターンを高精度
に仕上げることのできるガスプラズマを用いたドライエ
ッチング法が広く利用されている。このドライエッチン
グ法として、エッチング機構を化学的に行うケミカルド
ライエッチング（ＣＤＥ）や、エッチング機構を化学的
および物理的に行う反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）、あるいは物理的に行うスパッタエッチングなどが
一般に知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記いずれ
のドライエッチング法においても、現状においては、用
いられているドライエッチング装置の処理能力に限界が
あり、生産性の向上という点で課題が残されていた。特
に、最近は液晶基板の大型化の要求が高まっているが、
従来のドライエッチング装置にあっては、エッチングを
施そうとする対象物が大型化すればするほど処理能力が
低下し、逆に大型の基板等を処理すべくエッチング装置
そのものを大型化すると、装置内のプラズマ密度が低下
して効率良くエッチングを行えないことから、いずれの
場合でも大型の液晶基板等を一度に多量に処理すること
は困難とされていた。

【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、大型の基板等を一度に多量に処理しうるドラ
イエッチング装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、真空源に接続される円筒形の真空チャン
バを有し、この真空チャンバ内で発生させたガスプラズ
マによりエッチングを行うドライエッチング装置におい
て、次のように構成したことを特徴とする。

【０００６】すなわち、上記真空チャンバ内に設けられ
て回転駆動手段により回転される回転テーブルと、この
回転テーブルの周縁部に沿って複数個配置され且つ個々
の表面側および裏面側にそれぞれエッチングされる基板
を保持する基板ホルダと、これらの基板ホルダの表裏面
に保持された各基板に対向するようにそれらの基板の回
転軌跡に沿ってその内側および外側に配置された複数の
プラズマ発生電極と、これらのプラズマ発生電極と同様
に上記基板の回転軌跡に沿ってその内側および外側に複
数個配置され且つプラズマ発生電極によりプラズマ化さ
れるガスを供給するガス供給手段と、これらのガス供給
手段により真空チャンバ内に供給されるガスを予めプラ
ズマ化させるべく同ガス供給手段にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入手段と、上記プラズマ発生電極により
ガスプラズマを発生させるために同プラズマ発生電極に
対して高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、上
記基板ホルダに直流電流もしくは高周波電流あるいはそ
の両者を重畳して供給することで負の電界を印加する基
板ホルダ印加手段とを備える。そして、上記プラズマ発
生電極のそれぞれが、円形または多角形のリング状の永
久磁石を相互に吸引状態となるように磁石の磁化方向に
絶縁体を介して一定の間隔を隔てて複数個配設してなる
構成とする。

【０００７】ここで、基板に対してエッチングが均一に
行われるようにするため、真空チャンバ外に駆動手段を
設け、この駆動手段によってプラズマ発生電極をその各
永久磁石の並び方向に所定のストロークで往復動させる
構成とするのが望ましい。（請求項２に記載の発明）。

【０００８】また、回転テーブル上に各基板ホルダを同
心円状に配置して、これらの基板ホルダの表面側および
裏面側に対向するように、プラズマ発生電極およびガス
供給手段を基板ホルダの回転軌跡に沿って同心円状に配
置するのが望ましい（請求項３に記載の発明）。

【０００９】なお、一個の真空チャンバ内に複数個のプ
ラズマ発生電極を備えてこれらの各電極に高周波電力を
供給すると、それら電極間の相互干渉によりプラズマの
発生が不安定となって異常放電等が多発するおそれがあ
る。そこで、これを防止するために各プラズマ発生電極
に供給する高周波電力の位相を制御するとともに、それ
らの電極の直流自己バイアスを最適化する必要がある。
そのための手段として、各プラズマ発生電極に供給され
る高周波電力の位相を制御しうる位相シフターと、各プ
ラズマ発生電極の直流自己バイアスをコントロールする
バイアスコントローラとが組み込まれたマッチングボッ
クスを備え、このマッチングボックスを介して高周波電
力供給手段が各プラズマ発生電極に高周波電力を供給す
る構成とするのが好ましい（請求項４の発明）。＜作用＞本発明のドライエッチング装置において、基板
ホルダ印加手段により基板ホルダに負の電界を印加した
状態で、ガス供給手段を通じて真空チャンバ内にガスを
供給する一方、高周波電極供給手段からプラズマ発生電
極に高周波電力を供給すると、同電極と基板ホルダとの
間に放電が起こって同電極周囲のガスがプラズマ化され
るが、このときのガスは、マイクロ波導入手段からガス
供給手段に導入されたマイクロ波により一部が予めプラ
ズマ化された状態となっている。したがって、真空チャ
ンバ内に導入される前のマイクロ波によるプラズマ化
と、その導入後の放電によるプラズマ化とにより、プラ
ズマ発生電極の周囲には多量のプラズマないしラジカル
イオンが発生する。なお、上記の場合において、マイク
ロ波がなくても後述のエッチングは進行するが、より速
くエッチングさせるためにガス導入手段にマイクロ波を
導入する。

【００１０】こうして発生されたプラズマないしラジカ
ルイオンのうち正の電荷を有する粒子は、負の電界が印
加された基板ホルダに保持された基板に衝突するから、
これによって基板の表面が物理的にエッチングされる。
また、プラズマ化ないしイオン化によりラジカル状態と
なったガスは、基板の表面に存在する分子ないし原子と
化学反応を起こすから、これによって化学的エッチング
が促進される。

【００１１】このように本発明装置においては、プラズ
マ化ないしイオン化されたガスによって基板が物理的お
よび化学的にエッチングされることとなるが、その場
合、特にマイクロ波により予めプラズマ化されたガスが
ガス供給手段を通じて各プラズマ発生電極の近傍に導入
され、しかも、それらのプラズマ発生電極が基板の回転
軌跡に沿ってその両側に配置されていることにより、各
基板の周囲には密度の高いプラズマが供給されることと
なる。これにより、装置全体を大型化しても従来のよう
にプラズマ密度の低下を招くことがないから、大型の基
板等を一度に多量にエッチング処理することが可能にな
るとともに、エッチングレートを高めることが可能とな
って処理能力が向上することになる。

【００１２】また、請求項２の構成によれば、プラズマ
発生電極が駆動手段を介して所定のストロークで往復動
されることにより、同電極の近傍に発生したプラズマの
密度が均一化されるので、基板の表面を均一にエッチン
グすることができ、エッチング精度が向上することにな
る。

【００１３】また、請求項３の構成によれば、基板ホル
ダ、プラズマ発生電極およびガス供給手段がそれぞれ交
互に同心円状に配置されているので、一度に多量の基板
等を効率よくエッチング処理することができる。

【００１４】さらに、請求項４の構成によれば、真空チ
ャンバ内における各プラズマ発生電極に高周波電力を同
時に供給した場合に、それらの高周波電力の位相が位相
シフタによって適切に制御されるとともに、各プラズマ
発生電極の直流自己バイアスが最適状態となるようにバ
イアスコントローラによってコントロールされるので、
それら電極間の相互干渉が起こらず、プラズマの発生が
安定化する。これにより、異常放電等の発生を未然に防
止することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１および図２は本発明のドライエッチン
グ装置の一例を示す縦断面図および平断面図である。こ
れらの図に示すように、ドライエッチング装置１は、プ
レート２上に容器３を設けてなる円筒形の真空チャンバ
４を有する。この真空チャンバ４は、プレート２に形成
された排気口（図示せず）を介して外部の図示しない真
空ポンプ（真空源）と接続されており、同ポンプによっ
てチャンバ４内が所定の真空状態にされるようになって
いる。

【００１６】真空チャンバ４内には、周面に歯５ａ・・
・５ａが形成されてなる回転テーブル５が備えられてい
る。この回転テーブル５は、その周縁部下面側がローラ
６・・・６によって受けられてプレート２上に支持され
ているとともに、その周面に形成されている歯５ａ・・
・５ａがプレート２に取り付けられた回転テーブル駆動
用モータ（回転駆動手段）７の軸部先端の歯車７ａと噛
み合わされており、同モータ７によって駆動されること
により、プレート２上の中心軸８の回りに所望の速度で
回転されるようになっている。

【００１７】回転テーブル５上には、その周縁部とそこ
から中心部の方向に所定量だけ寄った部位とに、それぞ
れ同心円状に複数の基板ホルダ９・・・９および９’・
・９’が配置されている。これらの各基板ホルダ９、
９’は、それぞれ、絶縁体（図示せず）を介して回転テ
ーブル５上に立設されており、その各ホルダ両面にエッ
チング対象物としての複数のガラス基板ａ・・・ａが図
示のように着脱自在に取り付けられるようになってい
る。また、これらの基板ホルダ９、９’には、真空チャ
ンバ４外に備えられたマッチングボックス１０を介して
ＲＦ電源１１およびＤＣ電源１２が接続されている。

【００１８】ここで、回転テーブル５の下面側には、電
線１３を介して各基板ホルダ９、９’に電気的に接続さ
れたテーブル端子１４が設けられている。また、プレー
ト２の上面には、電線１５を介してマッチングボックス
１０に接続されたプレート端子１６が設けられている。
そして、テーブル５の回転時においては、テーブル端子
１４がプレート端子１６に摺接しながら中心軸８の回り
を回転し、その状態で外部のＲＦ電源１１ないしＤＣ電
源１２からマッチングボックス１０を介して各基板ホル
ダ９、９’に所定の高周波電力ないし直流電力あるいは
その両者が重畳された状態で印加されることにより、各
基板ホルダ９、９’に負の電界、つまり周囲の空間に各
基板ホルダ９、９’に向かう電界を生じさせうるように
なっている。なお、各基板ホルダ９、９’に印加される
電圧は、この例では、−２００Ｖ〜−１００Ｖである。

【００１９】また、真空チャンバ４には、その内部の相
対的に内側（中心側）に位置する各基板ホルダ９’と外
周側に位置する各基板ホルダ９の各回転軌跡に沿って、
それぞれ、その内側および外側に同心円状に複数のプラ
ズマ発生電極２０およびガス導入管（ガス供給手段）３
０が交互にほぼ等間隔で配置されている。これらのプラ
ズマ発生電極２０およびガス導入管３０は、いずれも容
器３の天井部を介して真空チャンバ４外から内部に挿入
され、各基板ホルダ９、９’の両面に取り付けられた基
板ａに対向するように設けられている。ただし、基板ａ
の出し入れ作業を行う必要上、真空チャンバ４の周壁
（容器３の周面）に設けられた出入口４ａに対応する部
分には、プラズマ発生電極２０およびガス供給管３０が
配置されていない。

【００２０】各プラズマ発生電極２０は、図３に示すよ
うに、金属棒２１の外周に、非磁性体２２によって被覆
された円形または多角形リング状の複数の永久磁石２３
を嵌合させるとともに、その隣合う永久磁石２３、２３
どうしが相互に反発状態で一定の間隔を開けて保持され
るように、各永久磁石２３、２３間に金属スペーサ（も
しくは磁性体スペーサ）２４を配設した構成である。そ
して、図１に示したように、各プラズマ発生電極２０が
マッチングボックス２５を介してＲＦ電源２６に接続さ
れていることにより、その通電時に基板ホルダ９、９’
との間で放電を起こし、これに伴って各プラズマ発生電
極２０の近傍に高密度のプラズマないしラジカルイオン
を多量に発生させ、これらのプラズマないしラジカルイ
オンによって基板ａの表面をエッチングするようになっ
ている。

【００２１】また、図例では、各プラズマ発生電極２０
の上部にモータ等からなる駆動機構２７がそれぞれ連結
されており、それらの駆動機構２７によって各プラズマ
発生電極２０を必要に応じて図１の上下方向に所定のス
トロークで往復動させることで、各基板ａに対するエッ
チングを均一に行えるように構成されている。

【００２２】ここで、各プラズマ発生電極２０におい
て、永久磁石２４を上述のように配置したのは、当該電
極２０の近傍に密度の高いプラズマを発生させるように
するためであり、言い換えると低インピーダンスで放電
を起こさせることにより、ＲＦ電源２６から供給される
電力を効率良く放電エネルギに変換して電極２０の近傍
に多量のプラズマを発生させるようにするためである。

【００２３】なお、各ＲＦ電源２６は、その対応するプ
ラズマ発生電極２０に、周波数が数Ｈｚ〜１００ＭＨｚ
のＲＦ電圧を印加するようになっているが、その場合、
自己バイアス電圧が高くなると当該電極からのスパッタ
が起こるので、印加するＲＦ電圧は、放電で発生する自
己バイアスが高くならない程度（１００Ｖ以下）が望ま
しい。できるだけ高エネルギのプラズマを発生させるに
は投入電力を大きくすればよいが、投入電力を大きくす
ると自己バイアス電圧が高くなり、プラズマ発生電極で
スパッタが生じたり異常放電が発生したりする可能性が
ある。このため、特にスパッタされる周波数（１３．５
６ＭＨｚ）のＲＦ電力を用いる場合には、自己バイアス
電圧が数ボルトの負電圧となるようにローパスフィルタ
により直流分を数オームの抵抗を介してアースして調整
するのが望ましい。

【００２４】一方、各ガス供給管３０は、その真空チャ
ンバ４内に位置する管壁部分に多数の吐出口を設けた構
成で、その一端側が真空チャンバ４外のガス供給源（図
示せず）に接続されているとともに、その途中部分に、
マイクロ波を当該ガス導入管３０内に導入するマグネト
ロンおよび導波管等からなるマイクロ波導入装置（マイ
クロ波導入手段）３１が接続されている。そして、上記
ガス供給源から供給される例えばＣｌ₂、Ｏ₂およびＡ
ｒ等の処理ガスが真空チャンバ４外で予めマイクロ波導
入装置３１からのマイクロ波（周波数は２．４５ＧＨ
ｚ）によりプラズマ化ないしは活性化（ラジカル化）さ
れた上でガス供給管３０を通じて真空チャンバ４内に供
給され、そのガス供給管３０の吐出口から周辺のプラズ
マ発生電極９、９’の近傍に吐出されるようになってい
る。

【００２５】次に、このドライエッチング装置によって
液晶基板等の基板の表面をエッチングする場合について
説明する。まず、図２に示すように、真空チャンバ４内
の回転テーブル５上にそれぞれ同心円状に配置されてい
る内側および外側の基板ホルダ９’、９の表裏両面に基
板ａ・・・ａを所定の状態にセットする。次に、真空チ
ャンバ４の出入口４ａの扉４ａ’を閉鎖して同チャンバ
４を密閉した後、同チャンバ４内を所定の真空状態に
し、その状態で、モータ７により回転テーブル６を回転
駆動して、同テーブル６上の各基板ホルダ９、９’およ
びそれらにセットされた各基板ａを中心軸８の回りに一
体的に回転させる。

【００２６】次に、この状態で、ＲＦ電源１１またはＤ
Ｃ電源１２からマッチングボックス１０等を介して各基
板ホルダ９、９’にＲＦ電力もしくはＤＣ電力１２また
はこれらを重畳した形で供給して負の電界を印加すると
ともに、各プラズマ発生電極２０をモータ２７により図
１の上下方向に所定のストロークで往復動させつつ、各
プラズマ発生電極２０にその対応するＲＦ電源２６から
マッチングボックス２５を介して所定のＲＦ電力を供給
する。また、これと同時に、真空チャンバ４外からその
内部にガス供給管３０を通じて例えばＣｌ₂、Ｏ₂およ
びＡｒ等の処理ガスを供給するが、その際、ガス供給管
３０の途中にマイクロ波導入装置３１からマイクロ波を
導入して、処理ガスの一部を予めプラズマ化ないしイオ
ン化（ラジカル化）しておく。

【００２７】このようにすると、各プラズマ発生電極２
０の近傍にガス供給管３を通じて予め一部がプラズマ化
ないしイオン化された処理ガスが供給されるだけでな
く、各プラズマ発生電極２０と基板ホルダ９、９’との
間に生じる放電により更に多量のプラズマが同電極２０
の近傍に発生する。そして、そのうち、正電荷を帯びた
粒子が、基板ホルダ９、９’に印加されている負の電界
により同ホルダ９、９’側に加速されて、同ホルダ９、
９’に保持されている基板ａに衝突することにより、そ
れらの基板ａの表面が物理的にエッチングされる。ま
た、この時、プラズマ化ないしイオン化によりラジカル
状態となった処理ガス（塩素ラジカルＣｌ^*や酸素ラジ
カルＯ^*）は、基板の表面に存在する分子ないし原子と
化学反応を起こすから、これによって化学的エッチング
も促進される。しかも、この場合、各プラズマ発生電極
２０が基板ａの回転軌跡に沿ってその両側に配置された
状態で、図１の上下方向に所定のストロークで往復動さ
れることにより、各基板ａに対して密度の高いプラズマ
が均一な状態で供給されるから、各基板ａに対する物理
的および化学的なエッチング処理が効率良く、しかも均
一に行われることとなる。その結果、装置全体を大型化
しても従来のようにプラズマ密度の低下を招くことがな
く、大型の基板等を一度に多量にエッチング処理するこ
とが可能になるとともに、エッチングレートを高めるこ
とが可能となって処理能力が向上することになる。

【００２８】以上は円筒形の真空チャンバ内でエッチン
グを行うためのドライエッチング装置（いわゆるカルー
セル型ドライエッチング装置）について説明したもので
あるが、本発明における基本的な思想、すなわち基板ホ
ルダの移動経路に沿って多数のポスト型プラズマ発生電
極とガス供給手段とを配設するという思想は、直線型
（いわゆるインライン型）のドライエッチング装置にも
適用することが可能である。

【００２９】図４に、そのようなインライン型ドライエ
ッチング装置の一例を示す。このドライエッチング装置
５１は、基板ホルダ５２に対する基板ｂのセット作業が
行われる搬入室５３と、基板ｂの表面をエッチング処理
するエッチング室５４と、エッチング後のアッシング
（灰化処理）を行うアッシング室５５と、基板ホルダ５
２から処理後の基板ｂを取り外す作業が行われる搬出室
５６とを一列に配置した構成で、これらの各室５３〜５
６内を搬送コンベア（図示せず）が図中の左側から右側
に向けて同図矢印で示すように順次通過しうるようにな
っている。ここで、各室５３〜５６の間には、各室５３
〜５６をそれぞれ密閉状態に保って独立排気を可能とす
る開閉可能なシャッター手段（またはバルブ）５７・・
・５７が設けられている。

【００３０】上記エッチング室５４には、基板ホルダ５
２の搬送経路に沿ってその両側（図中の上側および下
側）に、複数のプラズマ発生電極５８・・・５８と、二
種類のガス（図例では、ガスＡおよびガスＢ）を混合し
て同室内に供給するガス供給管５９とが一定の間隔をあ
けて交互に配置されている。また、エッチング室５４の
外側にはＲＦ電源６０およびＤＣ電源６１が備えられて
おり、これらの電源からエッチング室５４内の基板ホル
ダ５２に所定のＲＦ電力もしくはＤＣ電力あるいはその
両方を印加させうるようになっている。この場合のプラ
ズマ発生電極５８、ガス供給管５９、ＲＦ電源６０およ
びＤＣ電源６１は、基本的には、図１のドライエッチン
グ装置で用いたものと同様の構成とされている。

【００３１】なお、図４のドライエッチング装置５１に
おいては、アッシング室５５にも複数のプラズマ発生電
極６２・・・６２とガス供給管６３・・・６３が備えら
れている。そして、ガス供給管６３から同室５５内にＯ
₂ガスを供給し、このガスをプラズマ発生電極６２によ
ってプラズマ化してＯ₂プラズマとし、このＯ₂プラズ
マによって例えばレジスト現像残り等の灰化処理を行う
ようになっている。

【００３２】このようなインライン型のドライエッチン
グ装置５１によると、搬入室５３で基板ホルダ５２に基
板ｂをセットした後、これを搬送コンベアによってエッ
チング室５４に送って両側のプラズマ発生電極５８・・
・５８の間を通過させつつエッチングし、更にアッシン
グ室５５に送って同室５５でアッシングを行うことがで
きるから、エッチングからアッシングまでの工程を連続
的に行うことができる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、装置全
体を大型化しても従来のようにプラズマ密度の低下を招
くことがなく、大型の基板等を一度に多量にエッチング
処理することが可能になるとともに、エッチングレート
も高められるから処理能力が向上することになる。ま
た、特にプラズマ発生電極を所定のストロークで往復動
させる構成とした場合には、同電極の近傍に発生したプ
ラズマの密度が均一化されるので、基板の表面を均一に
エッチングすることができ、エッチング精度が向上す
る。さらに、基板ホルダ、プラズマ発生電極およびガス
供給手段をそれぞれ交互に同心円状に配置した場合に
は、一度に多量の基板等を効率よくエッチング処理する
ことができる。

【００３４】なお、本発明はカルーセル型（円筒タイ
プ）のドライエッチング装置に関するものであるが、そ
の基本的な思想は、インライン型のドライエッチング装
置にも適用できることは上述した通りである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のドライエッチング装置の一例を示す縦
断面図

【図２】図１のII−II線で切断した平断面図

【図３】図１のドライエッチング装置に備えられたプラ
ズマ発生電極の一部を拡大して示す拡大断面図

【図４】本発明で採用した構成の一部をインライン型の
ドライエッチング装置に応用した例を示すもので、その
インライン型ドライエッチング装置の全体構成を示す平
面図

【符号の説明】

１・・・ドライエッチング装置４・・・真空チャンバ５・・・回転テーブル７・・・回転駆動手段（回転テーブル駆動用モータ）９、９’・・・基板ホルダ１１、１２・・・基板ホルダ印加手段（１１・・・ＲＦ
電源、１２・・・直流電源）２０・・・プラズマ発生電極２３・・・永久磁石２６・・・高周波電力供給手段（ＲＦ電源）２７・・・駆動手段（モータ）３０・・・ガス供給手段（ガス供給管）３１・・・マイクロ波導入手段（マイクロ波導入装置）ａ・・・エッチング対象物としての基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空源に接続される円筒形の真空チャン
バを有し、この真空チャンバ内で発生させたガスプラズ
マによりエッチングを行うドライエッチング装置であっ
て、上記真空チャンバ内に設けられて回転駆動手段によ
り回転される回転テーブルと、この回転テーブルの周縁
部に沿って複数個配置され且つ個々の表面側および裏面
側にそれぞれエッチングされる基板を保持する基板ホル
ダと、これらの基板ホルダの表裏面に保持された各基板
に対向するようにそれらの基板の回転軌跡に沿ってその
内側および外側に配置された複数のプラズマ発生電極
と、これらのプラズマ発生電極と同様に上記基板の回転
軌跡に沿ってその内側および外側に複数個配置され且つ
プラズマ発生電極によりプラズマ化されるガスを供給す
るガス供給手段と、これらのガス供給手段により真空チ
ャンバ内に供給されるガスを予めプラズマ化させるべく
同ガス供給手段にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、上記プラズマ発生電極によりガスプラズマを発
生させるために同プラズマ発生電極に対して高周波電力
を供給する高周波電力供給手段と、上記基板ホルダに直
流電力もしくは高周波電力あるいはその両者を重畳して
供給することで負の電界を印加する基板ホルダ印加手段
とを具備するとともに、上記プラズマ発生電極のそれぞ
れが、円形または多角形のリング状の永久磁石を相互に
反発状態となるように同磁石の磁化方向に磁性体を介し
て一定の間隔を隔てて複数個配設してなる構成とされて
いることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】プラズマ発生電極がその各永久磁石の並
び方向に往復動可能とされているとともに、真空チャン
バ外には、同電極をその各永久磁石の並び方向に所定の
ストロークで往復動させる駆動手段が備えられているこ
とを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング装
置。
【請求項３】各基板ホルダが回転テーブル上に同心円
状に配置されているとともに、これらの基板ホルダの表
面側および裏面側に対向するように、プラズマ発生電極
およびガス供給手段が基板ホルダの回転軌跡に沿って同
心円状に配置されていることを特徴とする請求項１また
は２に記載のドライエッチング装置。
【請求項４】高周波電力供給手段は、各プラズマ発生
電極に供給する高周波電力の位相を制御しうる位相シフ
ターと、各プラズマ発生電極の直流自己バイアスをコン
トロールするバイアスコントローラとが組み込まれたマ
ッチングボックスを介して、プラズマ発生電極に高周波
電力を供給する構成とされていることを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載のドライエッチング装置。