KR20020081156A - 마그네트론 플라즈마 에칭장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 프로세스 등에 사용되는 플라즈마 에칭장치에 관한 것으로, 고감압 분위기로 설정가능하고, 상기 프로세스 챔버의 적어도 일부가 도전성부재로 구성한 프로세스 챔버와; 에칭가스를 프로세스 챔버 안으로 도입하는 도입수단과; 상기 프로세스 챔버를 배기하는 배기수단과; 상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 에칭될 기판이 재치되는 재치면을 구비한 제1전극과, 상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 상기 제1전극의 재치면에 대향하고 도전성을 갖는 제2전극으로 이루어진 전극수단과; 상기 제1전극과 제2전극간에 전계를 발생하기 위해 양전극에 RF전압을 인가하는 전원공급수단과; 상기 프로세스 챔버를 둘러싸도록 하여 설치되며 프로세스 챔버내에 순차로 회전가능한 자계를 형성하되, 상기 자계는 가변가능한 전압과 전류로써 상기 전계와 실질적으로 직교하도록 제1 및 제2전극간에 발생하는 자계발생수단을 포함한다. 이로써 본 발명의 마그네틱 코일 블록을 이용하여 플라즈마 이온의 드리프팅을 방지하여 웨이퍼면내 균일성이 향상된다.
Description
본 발명은 반도체 제조 프로세스 등에 사용되는 플라즈마 에칭장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마 이온의 드리프팅을 방지하기 위해 마그네틱 코일 블록을 이용하여 웨이퍼의 면이 균일하게 처리가 가능하도록 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 관한 것이다.
종래, 마그네트론 플라즈마 에칭장치로서는, 예를 들면 반도체 소자의 제조에 사용되는 자성이 향상된 반응성 이온 에칭장치(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etch reactor, 이하 MERIE 장치라 한다)타입의 드라이 에칭장치나 박막형성장치 등이 알려져 있다. 이 종류의 플라즈마 에칭장치에 있어서는 장치의 프로세스 챔버내에 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마내의 이온, 라디칼, 전자 등의 작용을 사용하여 원하는 에칭 혹은 박막 형성 등의 처리가 실시된다.
그러나, 종래의 MERIE 장치를 사용하여 에칭한 경우, 다음과 같은 원인 때문에 에칭처리의 웨이퍼면내 불균일이 발생한다.
첫째, MERIE 장치의 프로세스 챔버내에서 처리될 웨이퍼의 중앙부근에서는 4개의 영구자석에 의해 얻어지는 자계(Magnetic Field)가 웨이퍼의 표면과 거의 수평이며, 전계(Electric Field)와 직교하는 성분이 크다. 이에 대하여 웨이퍼의 주변부(Edge) 부근에서는 형성되는 자계가 웨이퍼의 표면과 수평이 아니므로 전계와직교하는 성분이 작고, 전자의 사이클로이드 운동이 일어나기 어렵다.
둘째, 상기 사이클로이드 운동에 의해 자계와 직교 또는 수직하는 방향으로 전자가 이동함에 따라 웨이퍼의 에지부의 일부분에서 전자밀도가 매우 높아지고, 이러한 높은 전자밀도로부터 상부 전극과 하부의 재치 전극과의 사이에서 이온 대전영역이 생성한다. 이때 이온영역의 일부는 웨이퍼내의 각 디바이스에 손상을 입힌다. 다시말해 플라즈마내의 전자밀도가 높은 경우는 웨이퍼내의 각 디바이스에 주입되는 이온의 수도 많아지고 디바이스손상(device demage)은 커진다. 더욱이 마그네트론 에칭장치에서는 자계를 회전시키고 있으므로 손상을 입는 부분은 웨이퍼내의 에지부 전역이 된다.
즉, 상기 MERIE 장치의 구성에서는, 자계가 웨이퍼 위에 평행으로 인가되어 있기 때문에, 드리프팅(dripting)한 하전입자에 의해서 플라즈마밀도가 크게 바이어스되어 하전입자가 이동한다. 이 때문에 웨이퍼의 양단부에, 각각 정, 부로 분극한 대전영역이 발생한다. 이와 같은 대전영역은 웨이퍼내의 각 디바이스를 파괴하거나 열화시켜 웨이퍼내의 각 디바이스의 손상을 부여한다고 하는 되는 문제점을 가지고 있었다.
상기한 바와 같이 웨이퍼내의 각 디바이스의 손상을 방지하기 위하여, 일본국 도쿄 일렉트론사의 기술은 32개의 마그네트를 회전시켜서 플라즈마의 밀도를 균일하게 하는 구성을 채용하는 방법을 개시한다. 그러나 이 방법에서도 고정된 크기의 자석의 순간정지상태에서 로렌쯔 힘에 의한 이온의 드리프팅이 작용한다. 이 결과 드리프팅 방향으로 하전입자가 이동하여 플라즈마의 밀도가 불균일하게 하고,불균일한 밀도는 웨이퍼 표면에서 전위분포를 불균일하게 한다.
또 다른 수단으로서, 마그네틱 또는 마그네트를 사용하는 대신 플라즈마 컨파인 링(Plasma Confinement Ring)을 사용하는 타입도 미합중국 LAM Corp.에 의해 제안되고 있다. 그러나 이 방법에서도 역시 상기한 바와 같이 균일한 플라즈마 밀도를 제공하는 데에는 미치지 못한다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 문제점에 비추어 마그네틱 코일 블록을 이용하여 전계와 교차하는 방향으로 자계를 형성하고, 이 자계에 자속밀도가 약해지는 그라디언트의 공간을 형성하여 플라즈마내 하전입자의 드리프팅 방향을 발산하도록 함으로써 웨이퍼의 면이 균일하게 처리가 가능하도록 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치를 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예 장치의 고전자밀도영역을 설명하는 에칭장치의 평면도.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 에칭장치에 있어서 1차측 및 2차측 마그네틱 코일 블록에 대한 확대단면도.
도 4는 도 3a 및 도 3b에 있어서 마그네틱 코일 블록을 사용한 경우에 웨이퍼의 에칭 속도와의 관계를 도시하는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
40 : MERIE 장치 42 : 프로세스 챔버
44 : 피처리물 48 : 재치대
52 : 고주파 전원 46 : 가스 도입관
54, 56 : 코일블록 542 : 1차 코일
544 : 페라이트 562 : 2차 코일
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 있어서,
고감압 분위기로 설정가능하고, 상기 프로세스 챔버의 적어도 일부가 도전성부재로 구성한 프로세스 챔버와;
에칭가스를 프로세스 챔버 안으로 도입하는 도입수단과;
상기 프로세스 챔버를 배기하는 배기수단과;
상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 에칭될 기판이 재치되는 재치면을 구비한 제1전극과, 상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 상기 제1전극의 재치면에 대향하고 도전성을 갖는 제2전극으로 이루어진 전극수단과;
상기 제1전극과 제2전극간에 전계를 발생하기 위해 양전극에 RF전압을 인가하는 전원공급수단과;
상기 프로세스 챔버를 둘러싸도록 하여 설치되며 프로세스 챔버내에 순차로 회전가능한 자계를 형성하되, 상기 자계는 가변가능한 전압과 전류로써 상기 전계와 실질적으로 직교하도록 제1 및 제2전극간에 발생하는 자계발생수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예로서, 본 발명을 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 적용한 경우를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치를 도시하는 단면도이다.
도 1에서 도시한 바와 같이 MERIE 장치(40)는 처리영역의 에칭실로서 진공상태의 프로세스 챔버(42)를 갖고, 이 프로세스 챔버(42) 내에는 반도체 웨이퍼 등의 피처리물(44)과, 이 피처리물(44)이 삽입되는 개구(46)와, 상기 프로세스 챔버(42) 내 피처리물(44)을 클램핑하여 정전기적으로 척(chucking)하는 척(50)을 배치한 재치대(48)를 포함한다. 또, MERIE 장치(40)는 재치대(48)에 대향하여 설치되며 다수의 애퍼춰를 갖는 분배 플레이트(88)를 구비하고 있다.
도 1에 있어서 프로세스 챔버(40)는 진공이 가능하게 구성되고, 또 에칭 가스가 도입관의 분배 플레이트(88)을 통해 도입이 가능하게 구성되어 있다. 이 프로세스 챔버(40)의 내부에는 피처리체로서의 웨이퍼 A 가 재치되는 평판상의 음극 전극(20)과 평판상 상부의 양극전극(22)이 평행으로 설치되어 있다. 이 재치 전극인 음극(20)과 상부의 양극(24)은 모두 도전성 재료로 형성되어 있다. 또, 상부의 양극 전극(24)은 예를 들면 접지되고, 음극 전극(24)에는 재치대(48)에 예를 들면 고주파전력(예를들면 13.56 MHz 또는 27.12 MHz)을 출력하는 RF전원(52)이 연결되어 플라즈마를 발생하는 한편 DC 바이어스를 제어한다. 이러한 구성에 의해 상부 전극(24)과 재치 전극(20)의 평행평판 전극간에 음극결합방식에 의해 점선으로 도시된 화살표 방향으로 전계 E 가 평행하게 발생하고 있으며, 마그네트 장치(54)로부터 도 2에 도시된 바와같이 점선으로 도시된 화살표 방향으로 자계 또는 자계의 그라디언트 M 이 인가되고 있다.
또, MERIE 장치(40)는 고주파RF 전원(52)과, 에칭 가스를 배출하기 위한 가스 배출관(58)과, 드로틀 밸브(60)를 통하여 펌핑하는 진공펌프(62)와, 전류 또는 전원에 의해 제어되고 프로세스 챔버(86)을 둘러싸도록 쌍을 이루어 설치되며 프로세스 챔버(86) 내에 자계를 형성하는 자계인가수단으로서 제1 및 제2 마그네틱 코일블록(54,56)을 갖고 있는 마그네틱 코일블록(50)을 포함한다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 마그네트론 플라즈마 에칭장치의 개략적 평면을 도시하는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 자계의 그라디언트 M를 형성하기 위한 마그네틱 코일블록(50)을 설치한 평면과, 자계의 곡선 화살표로 도시된 그라디언트 M의 분포가 도시되어 있다. 이 실시예에서 마그네틱 코일블록(50)은 1차측의 구조와 2차측의 구조로서, 1차측의 코일블록(54)의 구조는 마그네틱 코일(542) 및 페라이트(544)를 사용하여 자계의 그라디언트(M)를 형성하고, 2차측의 코일블록(56)의 구조는 최소한 하나의 코일만를 포함한 구성이다. 구체적으로는, 웨이퍼 A 의 바깥쪽 5주 방향으로 1차측의 구조인 5개의 마그네틱 코일블록(54)를 배치하고, 각 마그네틱 코일 블록(54)의 에지 부분 또는 그 아래쪽에 각각 2차측의 구조인 2차 코일 블록(56)을 1차측 마그네틱 코일블록(54)과 한조를 이루어 배치한다. 코일블록(50)에 인가되는 자계의 그라디언트 M 는 1차측 마그네틱 코일블록(54)의 크기가 2차측 마그네틱 코일블록(56)의 그것보다 크게 구성하여, 2차측 마그네틱 코일블록(56)으로 자계가 바이어스 되도록 한다.
도 3a 및 도 3b는 각각 본 발명에 따른 도 2의 에칭장치에 있어서 1차측 및 2차측 마그네틱 코일 블록에 대한 확대단면도로서, 이 1차측 및 2차측의 마그네틱 코일블록(54,56)은 플라즈마의 밀도를 증가시키기 위하여 느리게 회전 (거의 10 msec 이상의 속도)하고, 이 때 수평으로 작용하는 AC 또는 DC 자계를 발생하도록 AC 전원 또는 DC전원을 인가한다.
여기서 AC전원을 1 및 2차측 마그네틱 코일블록(54,56)에 인가한 경우, 1차측 및 2차측의 마그네틱 코일블록(54,56)에는 1내지 수백 Hz 의 주파수를 갖는 AC 전원을 각각 인가하여, 도 2의 에칭장치 주변에서 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록(54,56)이 상기 프로세서 챔버(42)를 중심으로 하여 각각 순차적 방향(파단선으로 예시된 화살표 c) 또는 그 반대 방향(일점쇄선으로 예시된 화살표 c')으로 회전하도록 한다. 바람직한 AC 전원은 1내지 100 Hz 의 주파수를 인가하는 것이다.
선택적으로, DC전원을 1차측 및 2차측의 마그네틱 코일블록(54,56)에 인가한 경우, 도시 안된 제어장치를 통하여 제어할 수 있는 DC 전원을 인가할 수도 있다.
이와 같이 DC전원의 인가에 따라서 상기 1차측 마그네틱 코일블록(54)에는 프로세스 챔버(42)내에서 플라즈마 밀도를 증가, 즉, 하전입자의 충돌빈도를 증가시키기 위하여 후술되는 바와 같이 코일 및 페라이트(542, 544)를 사용하여 필요한 DC 자계를 발생시킨다. 또한, 상기 2차측 마그네틱 코일블록(56)은 플라즈마 밀도를 증가시키기 위하여 2차측 마그네틱 코일(562)을 가지고 필요한 DC 자계를 발생시킨다.
또한, 코일블록(50)에는 외부로부터 또다른 2개 3개의 코일블록(50)을 순차적으로, 또는 조합하여 동시에 DC전원 또는 AC 전원을 인가할 수 있다. 구체적으로 말하자면, 제 1,2,3,4 및 제 5코일블록에 순차적으로 방향으로 전원을 인가할 수 있으며, 제 1 및 제 2코일블록에 동시에 전원을 인가하고, 이어서 제 3 및 제 4코일블록에 동시에 전원을 인가할 수 있으며, 또한, 제 1,2,3 코일블록에 동시에 전원을 인가하고, 이어서 제 2,3, 및 제 4코일블록에 동시에 전원을 인가할 수도 있다. 이 경우, 1차측 마그네틱 코일블록(54)는 고정하여도 좋으나, 이들을 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 회전시킴으로써 보다 균일한 플라즈마 분포를 얻을 수 있다.
이와 같이 구성함으로써 2차측 코일 블록의 마그네트(56)를 강하게 하여 자계의 그라디언트(M)가 한쪽방향으로 드리프팅되지 않고 균일하게 분포하게 함으로써 도 3에서 상세히 기술되는 바와 같이 플라즈마의 이론 밀도치에 비하여 1.5 내지 2배 이상으로 증가시켜 에칭속도를 높게 할 수 있다.
코일블록(50)은 1차측의 구조의 경우, 1차측 마그네틱 코일블록(54)에서 최소한 하나의 코일(542) 및 페라이트(544)을 포함한다. 1차측 마그네틱 코일블록(54)구조는 5개 이상의 코일 및 페라이트(542, 544)를 갖는 코일블록이다. 이 코일 블록에는 각각 AC 또는 DC 전원이 공급되며, 전압과 전류로써 B 필드를 0 - 250 Gauss 정도로 가변하여 챔버(86)내의 플라즈마 분포를 제어할 수 있다. 바람직하게는 1차측 구조는 5개 이상의 코일(562) 및 페라이트(564)를 갖는 코일블록이다. 이 코일 블록에는 각각 AC 또는 DC 전원이 공급되며, 전압과 전류로써 B 필드를 0 - 250 Gauss 정도로 가변하여 제어할 수 있다.
또한, 2차측의 구조에서 2차측 마그네틱 코일블록(56)은 최소한 하나의 마그네틱 코일블록(562)을 포함한다. 즉, 1차측 코일 구조와는 달리 페라이트(54)를 구성하지 않고 최소한 하나의 코일만를 포함한다. 이 2차측 코일 블록에는 각각 AC 또는 DC 전원이 공급되며, 전압과 전류로써 B 필드를 0 - 200 Gauss 정도로 가변하여 제어할 수 있다.
여기서, 1차측 코일은 마그네틱 코일 및 페라이트(562,564)를 동시에 사용하여 자계 M를 제어한다면 챔버(86)내에 균일하게 필드를 전달할 수 있다. 2차측 코일(562)은 플라즈마 이온의 드리프팅을 컨파인(Confinement) 또는 감금하는 역할을하여 챔버(86)내에 형성되는 이온들이 펌핑 아웃(pumping out) 또는 드리프팅되는 것을 방해하여 웨이퍼 에지 부분의 에칭 레이트(E/R ㎚/min)를 증가시킨다. 다시 말해, 1차측 코일 블록에서 형성된 강력한 자계에 의해 웨이퍼 디바이스의 손상을 보상한다.
도 1 및 도 2에서는 양극 전극(22)이 음극 전극(20)에 대향하고, 양 전극(20,22)에 대하여 직각으로 교차하여 위치하는 마그네틱 블록 코일(54,56)을 구비한다. 따라서, 웨이퍼 A의 주변부에서는 수평 성분의 전계 E가 형성된다. 또, 마그네틱 코일 블록(54,56)의 회전에 의해 챔버부(30)사이에 회전자계가 형성된다. 이 회전 자계는 1차측 마그네틱 코일 블록(54)의 자계의 크기가 2차측 마그네틱 코일 블록(56)의 그것 보다 더 크게 설정되어 있다. 이는 마그네틱 코일 블록(54,56)에 의한 자계는 1차측의 높은 자계로부터 2차측의 낮은 자계로 흐르기 때문이다.
다른 한편, 웨이퍼 A의 주변부에서 도 2에 파선으로 도시하는 바와 같이 수평성분 및 그라디언트 성분의 자계 M가 형성된다. 이 자계 E를 형성하는 이유는 상부 챔버부(30) 사이에 발생하는 전계와, 이 전계에 직교하는 자계성분과의 작용에 의해 플레밍의 왼손법칙에 의해 각각에 직교하는 방향으로 전자의 사이클로이드 운동을 실시시키고, 이에 의해 전자와 가스분자와의 충돌빈도를 증대시키기 때문이다.
마그네트(54)에 의해 성형되는 자계는 도 2에 파선으로 도시하는 바와 같이 웨이퍼 A 중앙부 상방에서는 거의 수평으로 되어 있고, 주변부에 가까워질수록 원호상으로 경사가 커진다(즉, 수직성분이 커진다). 이에 대하여 양 전극에 의해 형성되는 보완적 전계는 상술한 바와 같이 양극 전극이 음극 전극에 대하여 평행한 전극부와 직각인 전극부를 구비하기 때문에 웨이퍼 A의 중앙부에서는 거의 수직인 성분뿐이지만 웨이퍼 A의 주변부에서는 수평성분이 많아진다.
이 때문에 자계M 에 대하여 수직으로 교차되는 전계 E에 의해 초래되는 전자의 사이클로이드 운동은 웨이퍼 A의 중앙부와 주변부에서 균일화된다. 즉, 이러한 구성에 의해 본 실시예 장치에서는 플라즈마 생성량이 웨이퍼 A의 중앙부와 주변부에서 균일화되고, 웨이퍼의 면내균일 처리가 가능하게 된다.
도 4는 측정결과를 도시하는 그래프이다. 도면에 있어서 횡축은 웨이퍼(100의 중심으로부터의 거리d (단위 ㎜)이며, 종축은 에칭 속도E/R(단위 ㎚/min)이다.
도 4에 있어서 에칭속도의 변화는 1개의 마그네트코일을 사용하는 종래의 에칭속도 성분(파선으로 표시 a)에 비하여, 제 1 및 제2 마그네트 코일블록(54,56)을 사용한 경우 에칭속도성분(실선으로 표시 b)이 균일함을 나타내고 있다. 여기서 균일한 에칭속도(b)는 그 마그네트 코일과 페라이트 효과에 의하여 플라즈마 밀도가 2배 이상 증가하므로 전체적으로 웨이퍼 A의 중앙부에서 지연되고, 주변 에지부에서 빨라졌다. 이는 챔버(86) 외벽에서 이온의 크기가 급격히 줄어드는 것을 2차코일 블록이 보상하기 때문이다. 이처럼 2차 코일에 의한 플라즈마 컨파인에 따른 이온이 증가하는 에칭 속도의 불균형을 비약적으로 감소시킬 수 있었다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 의하면, 고주파 전계와 자계에 의한 마그네트론 방전에 의해서 처리가스를 플라즈마화하고, 웨이퍼 A의 에칭을 행할 때, 고주파전계와 교차하는 방향으로 인가되는 코일블럭(54,56)의 자계에 대해서 로오렌쯔힘에 의한 드리프트 방향 D의 자속밀도가 약해지는 그라디언트를 부여한다. 이에 의해 플라즈마밀도가 균일하게 되므로, 에칭레이트를 저하시키는 일없이 에칭처리의 균일화를 도모할 수가 있다.
또한, 상기 실시예에서는 본 발명을 플라즈마에칭에 적용한 경우에 대해서 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 마그네트론 플라즈마를 발생하는 모든 경우에 적용가능하다. 예를 들면 스퍼터링 장치, 플라즈마 CVD장치, 이온원, 전자비임원 등 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지의 범위내에서 각종 변형실시가 가능하다.
Claims (11)
- 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 있어서,고감압 분위기로 설정가능하고, 상기 프로세스 챔버의 적어도 일부가 도전성부재로 구성한 프로세스 챔버와;에칭가스를 프로세스 챔버 안으로 도입하는 도입수단과;상기 프로세스 챔버를 배기하는 배기수단과;상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 에칭될 기판이 재치되는 재치면을 구비한 제1전극과, 상기 프로세스 챔버내에서 노출되고, 상기 제1전극의 재치면에 대향하고 도전성을 갖는 제2전극으로 이루어진 전극수단과;상기 제1전극과 제2전극간에 전계를 발생하기 위해 양전극에 RF전압을 인가하는 전원공급수단과;상기 프로세스 챔버를 둘러싸도록 하여 설치되며 프로세스 챔버내에 순차로 회전가능한 자계를 형성하되, 상기 자계는 가변가능한 전압과 전류로써 상기 전계와 실질적으로 직교하도록 제1 및 제2전극간에 발생하는 자계발생수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항에 있어서,상기 자계발생수단은 상기 도전성부재의 이면에 배치된 적어도 하나의 코일 블록을 포함한 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 코일 블록은 다수의 코일과 다수의 페라이트로 구성된 1차측 코일블록과 다수의 코일로 구성된 2차측 코일블록을 포함한 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록은 각각 10 msec 이상의 속도로 상호 반대 방향으로 회전하면서 AC 또는 DC 자계를 발생하도록 AC 전원 또는 DC전원을 인가한 것을 추가적으로 포함한 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 4항에 있어서,상기 AC전원을 상기 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록에 인가한 경우, 상기 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록에는 1내지 100 Hz 의 주파수를 갖는 AC 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 5항에 있어서,상기 DC전원을 상기 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록에 인가한 경우, 제어장치를 통하여 제어할 수 있는 DC 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 코일블록에는 2개 이상의 또다른 코일블록을 외부로부터 조합하여 동시에 DC 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 7항에 있어서,상기 코일블록이 제 1,2 및 제3 코일블록에 동시에 DC 전원을 인가하는 경우, 1차측 및 2차측 마그네틱 코일블록은 동시에 동일한 방향으로 회전하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 7항에 있어서,상기 1차측 및 2차측 마그네틱 코일 블록의 회전자계는 1차측 마그네틱 코일 블록의 자계의 크기가 2차측 마그네틱 코일 블록의 자계의 크기보다 더 큰 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 1차측 코일 블록은 기판의 0 가우스 내지 250가우스 범위의 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 2차측 코일 블록은 플라즈마의 이온 드리프팅을 감금하는 기판의 0가우스 내지 200가우스 범위의 자계를 인가하는 코일로 구성되고, 플라즈마의 이온 드리프팅을 감금하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 플라즈마 에칭장치.
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