JP2000058514A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極上にトレーを載置し、トレー上に基板を
載置して基板を処理するプラズマ処理装置において、基
板周縁部での歩留りを向上し、また基板冷却性能が高く
して高パワーを投入して反応速度を上げうるようにす
る。 【解決手段】 トレー３の基板１と接する表面に薄い絶
縁膜２を設け、電極１０とトレー３が互いに導通された
状態にする手段を設け、絶縁膜２を分極させて基板１を
トレー３に吸着させて基板１を処理するようにし、それ
によって基板１の周縁部でのクランプリング等の障害物
によるレート低下及び入射イオンの軌道歪曲を防止し、
基板１周縁部での歩留りを向上し、また基板１をより均
一に冷却してレジストの変質を防止しつつ高パワーを投
入して反応速度を上げる。
載置して基板を処理するプラズマ処理装置において、基
板周縁部での歩留りを向上し、また基板冷却性能が高く
して高パワーを投入して反応速度を上げうるようにす
る。 【解決手段】 トレー３の基板１と接する表面に薄い絶
縁膜２を設け、電極１０とトレー３が互いに導通された
状態にする手段を設け、絶縁膜２を分極させて基板１を
トレー３に吸着させて基板１を処理するようにし、それ
によって基板１の周縁部でのクランプリング等の障害物
によるレート低下及び入射イオンの軌道歪曲を防止し、
基板１周縁部での歩留りを向上し、また基板１をより均
一に冷却してレジストの変質を防止しつつ高パワーを投
入して反応速度を上げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ系半導体
素子やＳＡＷフィルタ素子などの製造に使用されるプラ
ズマ処理方法及び装置に関するものである。
素子やＳＡＷフィルタ素子などの製造に使用されるプラ
ズマ処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓ系半導体素子やＳＡＷフ
ィルタ素子（圧電材）などの強度の小さい基板をプラズ
マ処理する装置においては、図４に示すように、反応室
Ｊ内に、基板ＡとトレーＢ、ステージ電極Ｇと冷却水循
環部Ｃ、スペースリングＨと電極保護リングＩ、クラン
プリングＭとクランプ昇降ポールＫとクランプ押さえピ
ンＬが配設されている。ステージ電極Ｇには電源Ｅから
高周波電圧を印加するように構成され、また反応室Ｊの
ステージ電極Ｇと対向する面に石英板Ｎが配設され、そ
の外面にマルチスパイラルコイルＯが配設されて電源Ｐ
から高周波電圧を印加するように構成されている。Ｒは
反応室Ｊの排気口、Ｑは処理ガス導入口、Ｄは冷却水導
入口、Ｆは冷却水排出口である。
ィルタ素子（圧電材）などの強度の小さい基板をプラズ
マ処理する装置においては、図４に示すように、反応室
Ｊ内に、基板ＡとトレーＢ、ステージ電極Ｇと冷却水循
環部Ｃ、スペースリングＨと電極保護リングＩ、クラン
プリングＭとクランプ昇降ポールＫとクランプ押さえピ
ンＬが配設されている。ステージ電極Ｇには電源Ｅから
高周波電圧を印加するように構成され、また反応室Ｊの
ステージ電極Ｇと対向する面に石英板Ｎが配設され、そ
の外面にマルチスパイラルコイルＯが配設されて電源Ｐ
から高周波電圧を印加するように構成されている。Ｒは
反応室Ｊの排気口、Ｑは処理ガス導入口、Ｄは冷却水導
入口、Ｆは冷却水排出口である。
【０００３】以上の構成において、基板Ａを大気中でト
レーＢに載置し、ステージ電極Ｇ上に移送・載置して、
クランプリングＭで基板Ａを押さえ付け、ステージ電極
Ｇに電源Ｅにて高周波電圧を印加し、マルチスパイラル
コイルＯに電源Ｐから高周波電圧を印加することで、誘
導結合による高密度プラズマを生成させて基板Ａのプラ
ズマエッチング処理が行われる。
レーＢに載置し、ステージ電極Ｇ上に移送・載置して、
クランプリングＭで基板Ａを押さえ付け、ステージ電極
Ｇに電源Ｅにて高周波電圧を印加し、マルチスパイラル
コイルＯに電源Ｐから高周波電圧を印加することで、誘
導結合による高密度プラズマを生成させて基板Ａのプラ
ズマエッチング処理が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
構成で基板Ａのエッチング処理を行うと、基板Ａの周縁
部を押さえるクランプリングＭの近傍で基板Ａのエッチ
ング速度が低下したり、基板Ａに入射するイオンの軌道
がクランプリングＭによって曲げられたりして、基板Ａ
の周縁部の歩留りが低下するという問題があった。
構成で基板Ａのエッチング処理を行うと、基板Ａの周縁
部を押さえるクランプリングＭの近傍で基板Ａのエッチ
ング速度が低下したり、基板Ａに入射するイオンの軌道
がクランプリングＭによって曲げられたりして、基板Ａ
の周縁部の歩留りが低下するという問題があった。
【０００５】また、プラズマ照射によって基板Ａに発生
した熱は、トレーＢ及びステージ電極Ｇを介してステー
ジ電極Ｇ内部を流れる冷却水と熱交換して反応室Ｊの外
部に排出されるが、基板ＡとトレーＢの間、トレーＢと
ステージ電極Ｇの間はクランプリングＭによって押さえ
付けられているだけであるので熱伝達が不十分であり、
基板Ａの温度が上昇してレジストに熱による変質が生じ
易く、反応速度を上げるために高パワーの高周波電圧を
投入できないという問題があった。
した熱は、トレーＢ及びステージ電極Ｇを介してステー
ジ電極Ｇ内部を流れる冷却水と熱交換して反応室Ｊの外
部に排出されるが、基板ＡとトレーＢの間、トレーＢと
ステージ電極Ｇの間はクランプリングＭによって押さえ
付けられているだけであるので熱伝達が不十分であり、
基板Ａの温度が上昇してレジストに熱による変質が生じ
易く、反応速度を上げるために高パワーの高周波電圧を
投入できないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、基板
周縁部での歩留りを向上でき、また基板冷却性能が高
く、高パワーを投入して反応速度を上げることができる
プラズマ処理方法及び装置を提供することを目的として
いる。
周縁部での歩留りを向上でき、また基板冷却性能が高
く、高パワーを投入して反応速度を上げることができる
プラズマ処理方法及び装置を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、電極上にトレーを載置し、トレー上に基板を載置
して基板を処理するプラズマ処理方法であって、電極と
トレーを互いに導通のとれた状態とし、トレーの基板と
接する表面に設けた薄い絶縁膜を分極させることによ
り、基板をトレーに吸着させて基板を処理するものであ
り、それによって基板の周縁部にクランプリング等の障
害物によるレート低下及び入射イオンの軌道歪曲を防止
することができて基板周縁部での歩留りを向上でき、ま
たトレーと基板が吸着して密着するので全面で熱伝達性
能が向上し、基板をより均一に冷却できるため、レジス
トの変質を防止しつつ高パワーを投入して反応速度を上
げることができる。
法は、電極上にトレーを載置し、トレー上に基板を載置
して基板を処理するプラズマ処理方法であって、電極と
トレーを互いに導通のとれた状態とし、トレーの基板と
接する表面に設けた薄い絶縁膜を分極させることによ
り、基板をトレーに吸着させて基板を処理するものであ
り、それによって基板の周縁部にクランプリング等の障
害物によるレート低下及び入射イオンの軌道歪曲を防止
することができて基板周縁部での歩留りを向上でき、ま
たトレーと基板が吸着して密着するので全面で熱伝達性
能が向上し、基板をより均一に冷却できるため、レジス
トの変質を防止しつつ高パワーを投入して反応速度を上
げることができる。
【０００８】また、電極のトレーと接する表面及びトレ
ーの電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
することにより、電極とトレーの接する互いの表面がプ
ラズマ雰囲気によって腐食されるのを防止できる。
ーの電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
することにより、電極とトレーの接する互いの表面がプ
ラズマ雰囲気によって腐食されるのを防止できる。
【０００９】また、電極に印加する高周波電圧に重畳
し、高周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異な
る直流電圧を印加すると、プラズマによって発生するセ
ルフバイアス電圧に依存することなく、基板とトレーを
確実に吸着させることができる。
し、高周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異な
る直流電圧を印加すると、プラズマによって発生するセ
ルフバイアス電圧に依存することなく、基板とトレーを
確実に吸着させることができる。
【００１０】また、電極のトレーと接する表面及びトレ
ーの電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２
つ以上の表面に分離し、電極側の分離された表面に正ま
たは負の互いに異なる直流電圧を印加するようにする
と、プラズマの有無に関わりなく、基板をトレーに吸着
させることができる。
ーの電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２
つ以上の表面に分離し、電極側の分離された表面に正ま
たは負の互いに異なる直流電圧を印加するようにする
と、プラズマの有無に関わりなく、基板をトレーに吸着
させることができる。
【００１１】また、電極のトレーと接する表面に溝を有
し、網目状に編まれた金属紐が溝の中に固定され、電極
がトレーと電気的に接するようにすると、トレーと電極
間の導通を確実に行うことができる。
し、網目状に編まれた金属紐が溝の中に固定され、電極
がトレーと電気的に接するようにすると、トレーと電極
間の導通を確実に行うことができる。
【００１２】また、トレーをメカニカルクランプで電極
に押さえ付けるようにすると、トレーと電極間の導通お
よび熱伝達を確実に行うことができる。
に押さえ付けるようにすると、トレーと電極間の導通お
よび熱伝達を確実に行うことができる。
【００１３】また、トレーの基板と接する表面に溝を有
し、熱交換ガスをトレーと基板の間に導入するようにす
ると、基板に発生した熱を速やかに排出することがで
き、高パワーを印加して反応速度を向上できる。
し、熱交換ガスをトレーと基板の間に導入するようにす
ると、基板に発生した熱を速やかに排出することがで
き、高パワーを印加して反応速度を向上できる。
【００１４】また、基板がセラミックスまたは水晶ガラ
スまたはＧａＡｓの場合に、トレー上に載置することで
割れを防ぐことができて効果的である。また、薄い絶縁
膜がアルマイトまたはセラミックスまたはセラメッキま
たはサファイアまたは石英または水晶またはポリイミド
またはＳｉラバーゴムであると、トレーと基板の間で分
極を行う作用が確実に得られる。
スまたはＧａＡｓの場合に、トレー上に載置することで
割れを防ぐことができて効果的である。また、薄い絶縁
膜がアルマイトまたはセラミックスまたはセラメッキま
たはサファイアまたは石英または水晶またはポリイミド
またはＳｉラバーゴムであると、トレーと基板の間で分
極を行う作用が確実に得られる。
【００１５】また、本発明のプラズマ処理装置は、電極
上にトレーを載置し、トレー上に基板を載置して基板を
処理するプラズマ処理装置であって、トレーの基板と接
する表面に薄い絶縁膜を設け、電極とトレーが互いに導
通された状態にする手段を設けたものであり、上記と同
様の作用・効果を奏する。
上にトレーを載置し、トレー上に基板を載置して基板を
処理するプラズマ処理装置であって、トレーの基板と接
する表面に薄い絶縁膜を設け、電極とトレーが互いに導
通された状態にする手段を設けたものであり、上記と同
様の作用・効果を奏する。
【００１６】また電極のトレーと接する表面及びトレー
の電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
し、また電極に印加する高周波電圧に重畳して高周波電
圧により生じるセルフバイアス電圧と異なる直流電圧を
印加する手段を設け、また電極のトレーと接する表面及
びトレーの電極と接する表面を電気的に独立した少なく
とも２つ以上の表面に分離する手段と、電極側の分離さ
れた表面に正または負の互いに異なる直流電圧を印加す
る手段を設け、また電極のトレーと接する表面に溝を設
け、電極がトレーと電気的に接するように網目状に編ま
れた金属紐を溝の中に固定し、またトレーを電極に押さ
え付けるメカニカルクランプを設け、またトレーの基板
と接する表面に溝を設け、熱交換ガスをトレーと基板の
間に導入する手段を設け、また基板をセラミックスまた
は水晶ガラスまたはＧａＡｓにて構成し、また薄い絶縁
膜をアルマイトまたはセラミックスまたはセラメッキま
たはサファイアまたは石英または水晶またはポリイミド
またはＳｉラバーゴムにて構成することにより、それぞ
れ上記と同様の作用・効果を奏する。
の電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
し、また電極に印加する高周波電圧に重畳して高周波電
圧により生じるセルフバイアス電圧と異なる直流電圧を
印加する手段を設け、また電極のトレーと接する表面及
びトレーの電極と接する表面を電気的に独立した少なく
とも２つ以上の表面に分離する手段と、電極側の分離さ
れた表面に正または負の互いに異なる直流電圧を印加す
る手段を設け、また電極のトレーと接する表面に溝を設
け、電極がトレーと電気的に接するように網目状に編ま
れた金属紐を溝の中に固定し、またトレーを電極に押さ
え付けるメカニカルクランプを設け、またトレーの基板
と接する表面に溝を設け、熱交換ガスをトレーと基板の
間に導入する手段を設け、また基板をセラミックスまた
は水晶ガラスまたはＧａＡｓにて構成し、また薄い絶縁
膜をアルマイトまたはセラミックスまたはセラメッキま
たはサファイアまたは石英または水晶またはポリイミド
またはＳｉラバーゴムにて構成することにより、それぞ
れ上記と同様の作用・効果を奏する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理方法
及び装置を適用したプラズマエッチング装置の実施形態
について、図を参照して説明する。
及び装置を適用したプラズマエッチング装置の実施形態
について、図を参照して説明する。
【００１８】（第１の実施形態）図１に第１の実施形態
のプラズマエッチング装置の構成を示す。図１におい
て、プラズマエッチングチャンバー（以下、単にチャン
バーと称する）１３内に、スペーサリング１１を介して
ステージ電極１０が配設されるとともに、その周囲に電
極保護リング１２が配設されている。そして、トレー３
がステージ電極１０上に載置され、そのトレー３の上に
基板１が載置されている。ここで、ステージ電極１０と
トレー３の接する表面には、導通がとれやすく腐食し難
い金などの耐食性金属コーティング膜１６が形成されて
いる。また、トレー３の基板１と接する表面にはアルマ
イトなどの誘電膜２がコーティングされており、ステー
ジ電極１０に直流電源１７にて直流電圧を印加すること
によって、トレー３の基板１と接する表面の絶縁膜２を
分極させ、プラズマ生成下で基板１をトレー３に静電吸
着させるように構成されている。
のプラズマエッチング装置の構成を示す。図１におい
て、プラズマエッチングチャンバー（以下、単にチャン
バーと称する）１３内に、スペーサリング１１を介して
ステージ電極１０が配設されるとともに、その周囲に電
極保護リング１２が配設されている。そして、トレー３
がステージ電極１０上に載置され、そのトレー３の上に
基板１が載置されている。ここで、ステージ電極１０と
トレー３の接する表面には、導通がとれやすく腐食し難
い金などの耐食性金属コーティング膜１６が形成されて
いる。また、トレー３の基板１と接する表面にはアルマ
イトなどの誘電膜２がコーティングされており、ステー
ジ電極１０に直流電源１７にて直流電圧を印加すること
によって、トレー３の基板１と接する表面の絶縁膜２を
分極させ、プラズマ生成下で基板１をトレー３に静電吸
着させるように構成されている。
【００１９】４はチャンバー１３内にエッチングガスを
導入するガス導入口、５はチャンバー１３の排気口、６
はステージ電極１０を水冷する冷却水循環部、７は冷却
水導入口、９は冷却水排出口である。ステージ電極１０
には高周波電源８から高周波電圧を印加するように構成
されている。また、チャンバー１３のステージ電極１０
と対向する面に石英板１４が配設されてその外面にマル
チスパイラルコイルなどの誘導結合コイル１５が配設さ
れており、この誘導結合コイル１５に高周波電源８から
高周波電圧を印加するように構成されている。
導入するガス導入口、５はチャンバー１３の排気口、６
はステージ電極１０を水冷する冷却水循環部、７は冷却
水導入口、９は冷却水排出口である。ステージ電極１０
には高周波電源８から高周波電圧を印加するように構成
されている。また、チャンバー１３のステージ電極１０
と対向する面に石英板１４が配設されてその外面にマル
チスパイラルコイルなどの誘導結合コイル１５が配設さ
れており、この誘導結合コイル１５に高周波電源８から
高周波電圧を印加するように構成されている。
【００２０】以上の構成において、ガス導入口４からエ
ッチングガスを導入しつつ、排気口５から排気してチャ
ンバー１３を一定の圧力に制御しながら、誘導結合コイ
ル１５に高周波電源８から高周波電圧を印加することに
より、石英板１４下に誘導結合による高密度プラズマが
励起される。これと同時にステージ電極１０に高周波電
源８から高周波電圧を印加することによって基板１上に
イオンシースが形成され、プラズマ中で生成したイオン
が基板１に向かって引き込まれ、イオンアシストエッチ
ング反応が促進される。
ッチングガスを導入しつつ、排気口５から排気してチャ
ンバー１３を一定の圧力に制御しながら、誘導結合コイ
ル１５に高周波電源８から高周波電圧を印加することに
より、石英板１４下に誘導結合による高密度プラズマが
励起される。これと同時にステージ電極１０に高周波電
源８から高周波電圧を印加することによって基板１上に
イオンシースが形成され、プラズマ中で生成したイオン
が基板１に向かって引き込まれ、イオンアシストエッチ
ング反応が促進される。
【００２１】ここで、基板１はプラズマ照射によって温
度が上昇するが、トレー３と静電吸着されていること
で、基板１からトレー３へ均一に熱が伝わり、トレー３
からステージ電極１０へは耐食性金属コーティング膜１
６を介してステージ電極１０内部に循環する冷却水と熱
交換されて外部に排出されるので、効果的に冷却されて
基板１温度の上昇が抑制される。また、基板１の周辺部
に障害物が存在しないので、レート低下及び入射イオン
の軌道歪曲が防止される。
度が上昇するが、トレー３と静電吸着されていること
で、基板１からトレー３へ均一に熱が伝わり、トレー３
からステージ電極１０へは耐食性金属コーティング膜１
６を介してステージ電極１０内部に循環する冷却水と熱
交換されて外部に排出されるので、効果的に冷却されて
基板１温度の上昇が抑制される。また、基板１の周辺部
に障害物が存在しないので、レート低下及び入射イオン
の軌道歪曲が防止される。
【００２２】（第２の実施形態）図２に第２の実施形態
のプラズマエッチング装置の構成を示す。なお、第１の
実施形態と同一の構成要素については同一参照番号を付
して説明を省略し、相違点のみを説明する。
のプラズマエッチング装置の構成を示す。なお、第１の
実施形態と同一の構成要素については同一参照番号を付
して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００２３】図２において、１８は網目状に編まれた金
属紐であり、ステージ電極１０の表面の溝に埋め込まれ
ている。また、トレー３とステージ電極１０がそれぞれ
誘電体１９と２０によって電気的に分離されており、分
離されたステージ電極１０にそれぞれ互いに逆極性の直
流電源１７が接続されている。
属紐であり、ステージ電極１０の表面の溝に埋め込まれ
ている。また、トレー３とステージ電極１０がそれぞれ
誘電体１９と２０によって電気的に分離されており、分
離されたステージ電極１０にそれぞれ互いに逆極性の直
流電源１７が接続されている。
【００２４】以上の構成において、ステージ電極１０の
電気的に分離独立した部分に一方は正の直流電圧、他方
の部分に負の直流電圧を印加することによって、ステー
ジ電極１０上の溝に埋め込んだ金属紐１８、トレー３を
介してトレー３の基板１と接する表面の誘電膜２に正ま
たは負の電荷を誘起して、基板１をトレー３に静電吸着
することができる。これによってプラズマの有無に関わ
らず基板１をトレー３に吸着させることができる。
電気的に分離独立した部分に一方は正の直流電圧、他方
の部分に負の直流電圧を印加することによって、ステー
ジ電極１０上の溝に埋め込んだ金属紐１８、トレー３を
介してトレー３の基板１と接する表面の誘電膜２に正ま
たは負の電荷を誘起して、基板１をトレー３に静電吸着
することができる。これによってプラズマの有無に関わ
らず基板１をトレー３に吸着させることができる。
【００２５】（第３の実施形態）図３に第３の実施形態
のプラズマエッチング装置の構成を示す。なお、第２の
実施形態と同一の構成要素については同一参照番号を付
して説明を省略し、相違点のみを説明する。
のプラズマエッチング装置の構成を示す。なお、第２の
実施形態と同一の構成要素については同一参照番号を付
して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【００２６】図３において、トレー３の基板１と接する
表面に、熱交換を促進するＨｅなどの冷却ガスを導入す
るように冷却溝２１が形成されるとともに冷却溝２１に
冷却ガスを供給する冷却ガス導入口２２が設けられてい
る。またトレー３をクランプリング２３でステージ電極
１０に押さえ付けるように構成されている。クランプリ
ング２３は昇降リング２５にバネ付き止め具２４によっ
て保持されている。
表面に、熱交換を促進するＨｅなどの冷却ガスを導入す
るように冷却溝２１が形成されるとともに冷却溝２１に
冷却ガスを供給する冷却ガス導入口２２が設けられてい
る。またトレー３をクランプリング２３でステージ電極
１０に押さえ付けるように構成されている。クランプリ
ング２３は昇降リング２５にバネ付き止め具２４によっ
て保持されている。
【００２７】以上の構成において、基板１が直流電源１
７によってトレー３に静電吸着され、トレー３がクラン
プリング２３にてステージ電極１０に確実に固定保持さ
れている。この状態で、基板１の裏面にＨｅガスなどの
冷却ガスを導入することによって基板１の熱が効率的に
トレー３に伝達され、冷却水と熱交換されて外部に排出
され、さらに効果的に基板１温度の上昇が抑制される。
７によってトレー３に静電吸着され、トレー３がクラン
プリング２３にてステージ電極１０に確実に固定保持さ
れている。この状態で、基板１の裏面にＨｅガスなどの
冷却ガスを導入することによって基板１の熱が効率的に
トレー３に伝達され、冷却水と熱交換されて外部に排出
され、さらに効果的に基板１温度の上昇が抑制される。
【００２８】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法及び装置によ
れば、以上のように電極とトレーを互いに導通のとれた
状態とし、トレーの基板と接する表面に設けた薄い絶縁
膜を分極させることによって、基板をトレーに吸着させ
た状態で基板を処理するので、基板の周縁部にクランプ
リング等の障害物が存在せず、レート低下及び入射イオ
ンの軌道歪曲を防止することができて基板周縁部での歩
留りを向上でき、また基板をより均一に冷却できるた
め、レジストの変質を防止しつつ高パワーを投入して反
応速度を上げることができる。
れば、以上のように電極とトレーを互いに導通のとれた
状態とし、トレーの基板と接する表面に設けた薄い絶縁
膜を分極させることによって、基板をトレーに吸着させ
た状態で基板を処理するので、基板の周縁部にクランプ
リング等の障害物が存在せず、レート低下及び入射イオ
ンの軌道歪曲を防止することができて基板周縁部での歩
留りを向上でき、また基板をより均一に冷却できるた
め、レジストの変質を防止しつつ高パワーを投入して反
応速度を上げることができる。
【００２９】また、電極のトレーと接する表面及びトレ
ーの電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
することにより、電極とトレーの接する互いの表面がプ
ラズマ雰囲気によって腐食されるのを防止できる。
ーの電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティング
することにより、電極とトレーの接する互いの表面がプ
ラズマ雰囲気によって腐食されるのを防止できる。
【００３０】また、電極に印加する高周波電圧に重畳
し、高周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異な
る直流電圧を印加すると、プラズマによって発生するセ
ルフバイアス電圧に依存することなく、基板とトレーを
確実に吸着させることができる。
し、高周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異な
る直流電圧を印加すると、プラズマによって発生するセ
ルフバイアス電圧に依存することなく、基板とトレーを
確実に吸着させることができる。
【００３１】また、電極のトレーと接する表面及びトレ
ーの電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２
つ以上の表面に分離し、電極側の分離された表面に正ま
たは負の互いに異なる直流電圧を印加すると、プラズマ
の有無に関わりなく、基板をトレーに吸着させることが
できる。
ーの電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２
つ以上の表面に分離し、電極側の分離された表面に正ま
たは負の互いに異なる直流電圧を印加すると、プラズマ
の有無に関わりなく、基板をトレーに吸着させることが
できる。
【００３２】また、電極のトレーと接する表面に溝を有
し、網目状に編まれた金属紐が溝の中に固定され、電極
がトレーと電気的に接するようにすると、トレーと電極
間の導通を確実に行うことができる。
し、網目状に編まれた金属紐が溝の中に固定され、電極
がトレーと電気的に接するようにすると、トレーと電極
間の導通を確実に行うことができる。
【００３３】また、トレーをメカニカルクランプで電極
に押さえ付けるようにすると、トレーと電極間の導通お
よび熱伝達を確実に行うことができる。
に押さえ付けるようにすると、トレーと電極間の導通お
よび熱伝達を確実に行うことができる。
【００３４】また、トレーの基板と接する表面に溝を有
し、熱交換ガスをトレーと基板の間に導入するようにす
ると、基板に発生した熱を速やかに排出することがで
き、高パワーを印加して反応速度を向上できる。
し、熱交換ガスをトレーと基板の間に導入するようにす
ると、基板に発生した熱を速やかに排出することがで
き、高パワーを印加して反応速度を向上できる。
【００３５】また、基板がセラミックスまたは水晶ガラ
スまたはＧａＡｓの場合に、トレー上に載置することで
割れを防ぐことができ、効果的である。
スまたはＧａＡｓの場合に、トレー上に載置することで
割れを防ぐことができ、効果的である。
【００３６】また、薄い絶縁膜がアルマイトまたはセラ
ミックスまたはセラメッキまたはサファイアまたは石英
または水晶またはポリイミドまたはＳｉラバーゴムであ
ると、トレーと基板の間で分極を行う作用が確実に得ら
れる。
ミックスまたはセラメッキまたはサファイアまたは石英
または水晶またはポリイミドまたはＳｉラバーゴムであ
ると、トレーと基板の間で分極を行う作用が確実に得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置を適用したプラズマ
エッチング装置の第１の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
エッチング装置の第１の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置を適用したプラズマ
エッチング装置の第２の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
エッチング装置の第２の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置を適用したプラズマ
エッチング装置の第３の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
エッチング装置の第３の実施形態の概略構成を示す縦断
面図である。
【図４】従来例のプラズマエッチング装置の概略構成を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
１ 基板 ２ 誘電膜 ３ トレー ８ 高周波電源 １０ ステージ電極 １６ 耐食性金属コーティング膜 １７ 直流電源 １８ 金属紐 １９ 誘電体 ２０ 誘電体 ２１ 冷却溝 ２３ クランプリング
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 DA16 DA19 DA20 DB20 DD02 DD08 DM19 DM28 DM35 DM39 DN01 5F004 BA20 BB13 BB21 BB22 BB25 BB30
Claims (18)
- 【請求項１】 電極上にトレーを載置し、トレー上に基
板を載置して基板を処理するプラズマ処理方法であっ
て、電極とトレーを互いに導通のとれた状態とし、トレ
ーの基板と接する表面に設けた薄い絶縁膜を分極させる
ことにより、基板をトレーに吸着させて基板を処理する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 電極のトレーと接する表面及びトレーの
電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティングした
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 電極に印加する高周波電圧に重畳し、高
周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異なる直流
電圧を印加することを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項４】 電極のトレーと接する表面及びトレーの
電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２つ以
上の表面に分離し、電極側の分離された表面に正または
負の互いに異なる直流電圧を印加することを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 電極のトレーと接する表面に溝を有し、
網目状に編まれた金属紐が溝の中に固定され、電極がト
レーと電気的に接することを特徴とする請求項４記載の
プラズマ処理方法。 - 【請求項６】 トレーをメカニカルクランプで電極に押
さえ付けることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処
理方法。 - 【請求項７】 トレーの基板と接する表面に溝を有し、
熱交換ガスをトレーと基板の間に導入することを特徴と
する請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項８】 基板がセラミックスまたは水晶ガラスま
たはＧａＡｓであることを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ処理方法。 - 【請求項９】 薄い絶縁膜がアルマイトまたはセラミッ
クスまたはセラメッキまたはサファイアまたは石英また
は水晶またはポリイミドまたはＳｉラバーゴムであるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項１０】 電極上にトレーを載置し、トレー上に
基板を載置して基板を処理するプラズマ処理装置であっ
て、トレーの基板と接する表面に薄い絶縁膜を設け、電
極とトレーが互いに導通された状態にする手段を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項１１】 電極のトレーと接する表面及びトレー
の電極と接する表面を耐食性金属材料でコーティングし
たことを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項１２】 電極に印加する高周波電圧に重畳して
高周波電圧により生じるセルフバイアス電圧と異なる直
流電圧を印加する手段を設けたことを特徴とする請求項
１０記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１３】 電極のトレーと接する表面及びトレー
の電極と接する表面を電気的に独立した少なくとも２つ
以上の表面に分離する手段と、電極側の分離された表面
に正または負の互いに異なる直流電圧を印加する手段を
設けたことを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項１４】 電極のトレーと接する表面に溝を設
け、電極がトレーと電気的に接するように網目状に編ま
れた金属紐を溝の中に固定したことを特徴とする請求項
１３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１５】 トレーを電極に押さえ付けるメカニカ
ルクランプを設けたことを特徴とする請求項１０記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項１６】 トレーの基板と接する表面に溝を設
け、熱交換ガスをトレーと基板の間に導入する手段を設
けたことを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項１７】 基板をセラミックスまたは水晶ガラス
またはＧａＡｓにて構成したことを特徴とする請求項１
０記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１８】 薄い絶縁膜をアルマイトまたはセラミ
ックスまたはセラメッキまたはサファイアまたは石英ま
たは水晶またはポリイミドまたはＳｉラバーゴムにて構
成したことを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理
装置。
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|---|---|---|---|
| JP22177398A JP3977935B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | プラズマ処理方法及び装置 |
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| JP22177398A JP3977935B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | プラズマ処理方法及び装置 |
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|---|---|
| JP2000058514A true JP2000058514A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3977935B2 JP3977935B2 (ja) | 2007-09-19 |
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| JP22177398A Expired - Fee Related JP3977935B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | プラズマ処理方法及び装置 |
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-
1998
- 1998-08-05 JP JP22177398A patent/JP3977935B2/ja not_active Expired - Fee Related
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