JPH0267726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0267726A JPH0267726A JP22012088A JP22012088A JPH0267726A JP H0267726 A JPH0267726 A JP H0267726A JP 22012088 A JP22012088 A JP 22012088A JP 22012088 A JP22012088 A JP 22012088A JP H0267726 A JPH0267726 A JP H0267726A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に平行平板反応性イオ
ンエツチング（ＲＩ Ｅ）装置を用いたエツチング方法
に関する。
ンエツチング（ＲＩ Ｅ）装置を用いたエツチング方法
に関する。
従来、この種のドライエツチングは、第３図に示すよう
に、対向する２枚の平行電極５，６間にＲＦ （ｔ、ば
しば１３．５６ＭＨｚ）電界を高周波電源７から印加し
てプラズマを励起し、通常陰極５側にテフロン板４を介
して静置された試料１２の表面（ウェハー）とプラズマ
との相互作用を利用するものである。
に、対向する２枚の平行電極５，６間にＲＦ （ｔ、ば
しば１３．５６ＭＨｚ）電界を高周波電源７から印加し
てプラズマを励起し、通常陰極５側にテフロン板４を介
して静置された試料１２の表面（ウェハー）とプラズマ
との相互作用を利用するものである。
上述した従来のドライエツチング方法では、試料１２で
あるウェハーを静置する陰極５側は、第３図に示すよう
にタングステン電極板５上にテフロンシート４（又はテ
フロン板）を貼り付けたものから成っている。このテフ
ロンシート４の役目は、エツチング時に、ＣＦ ２ 、
ＣＦ ｓ等の化学活性種の雰囲気を作り出すことで、
エツチング状態をより安定化させようとするためである
。
あるウェハーを静置する陰極５側は、第３図に示すよう
にタングステン電極板５上にテフロンシート４（又はテ
フロン板）を貼り付けたものから成っている。このテフ
ロンシート４の役目は、エツチング時に、ＣＦ ２ 、
ＣＦ ｓ等の化学活性種の雰囲気を作り出すことで、
エツチング状態をより安定化させようとするためである
。
しかしながら、このような従来のドライエツチング方法
で、例えばＧ ａ Ａ ｓのような絶縁性の高いウェハ
ーの表面（特に酸化膜や窒化膜等）をエツチングすると
Ｓｉウェハーと比べてウェハー１２近傍のチャージアッ
プの状態が異なるため、均一なエツチングができないと
いう欠点があった。
で、例えばＧ ａ Ａ ｓのような絶縁性の高いウェハ
ーの表面（特に酸化膜や窒化膜等）をエツチングすると
Ｓｉウェハーと比べてウェハー１２近傍のチャージアッ
プの状態が異なるため、均一なエツチングができないと
いう欠点があった。
本発明によれば、ＧａＡｓウェハーを静置させることか
できる形状で、アルマイト処理したアルミトレーの表面
に、Ｐｔ又はＡｕ等の耐エツチング性、および導電性が
高いメタルを形成させたトレーを用いてエツチングを行
う赤去藝ドライエツチング方法を得る。
できる形状で、アルマイト処理したアルミトレーの表面
に、Ｐｔ又はＡｕ等の耐エツチング性、および導電性が
高いメタルを形成させたトレーを用いてエツチングを行
う赤去藝ドライエツチング方法を得る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すドライエツチング装置
およびトレーの構造図である。アルマイト処理したアル
ミトレー３の表面は、スパッタ又は蒸着によりＰｔ膜２
が約５００人程度形成されている。このトレー上にＧ
ａ Ａ ｓウェハー１を乗せた状態で、テフロンシート
４を貼り付けたタングステン電極５上に静置させた後、
所定の反応性ガスの放電プラズマによりドライエツチン
グを行なう。このようにするとＧａ、Ａｓウェハー１の
周辺のチャージアップ状態は均一になり、ウェハー面内
のエツチングバラツキは改善される。表−１は実際に２
″’ Ｇ ａ Ａ ｓウェハー上にＣＶＤ法により形成
した酸化膜をＣＦ、ガスの放電プラズマによってリアク
ティブイオンエツチングを行なった時、導電性トレーを
用いた場合と用いない場合のウェハー面内のエツチング
レートバラツキ量を示したものである。ここでＲはウェ
ハー内９カ所について測定した時、エッチレートの最大
値と最小値の差であり、Ｘはウェハー内９点のエッチレ
ートの平均値である。
およびトレーの構造図である。アルマイト処理したアル
ミトレー３の表面は、スパッタ又は蒸着によりＰｔ膜２
が約５００人程度形成されている。このトレー上にＧ
ａ Ａ ｓウェハー１を乗せた状態で、テフロンシート
４を貼り付けたタングステン電極５上に静置させた後、
所定の反応性ガスの放電プラズマによりドライエツチン
グを行なう。このようにするとＧａ、Ａｓウェハー１の
周辺のチャージアップ状態は均一になり、ウェハー面内
のエツチングバラツキは改善される。表−１は実際に２
″’ Ｇ ａ Ａ ｓウェハー上にＣＶＤ法により形成
した酸化膜をＣＦ、ガスの放電プラズマによってリアク
ティブイオンエツチングを行なった時、導電性トレーを
用いた場合と用いない場合のウェハー面内のエツチング
レートバラツキ量を示したものである。ここでＲはウェ
ハー内９カ所について測定した時、エッチレートの最大
値と最小値の差であり、Ｘはウェハー内９点のエッチレ
ートの平均値である。
この表−１から導電性トレーを用いることにより面内バ
ラツキが大巾に低減されることがわかる。
ラツキが大巾に低減されることがわかる。
第２図は本発明の他の実施例のトレーの断面図である。
本実施例のトレーは２枚の円板からできている。まず表
面をＰｔ膜２で覆ったトレー３にＧａＡｓウェハー１１
を載せた後、表面をＰ、膜で覆ったドーナツ状のトレー
２３を設置する。この時、ドーナツ状のトレー２３はＧ
ａ Ａ ｓウェハーの側面と表面の一部を押さえつけ
るように設置される。
面をＰｔ膜２で覆ったトレー３にＧａＡｓウェハー１１
を載せた後、表面をＰ、膜で覆ったドーナツ状のトレー
２３を設置する。この時、ドーナツ状のトレー２３はＧ
ａ Ａ ｓウェハーの側面と表面の一部を押さえつけ
るように設置される。
この実施例では、ウェハーの表面以外を完全に嘴ってい
るのでＧａＡｓウェハーの厚さが特に厚い場合や（例え
ば１ ｍｍ以上）−度に多くのウェハーをエツチング処
理する場合でも均一性が低下しないという利点がある。
るのでＧａＡｓウェハーの厚さが特に厚い場合や（例え
ば１ ｍｍ以上）−度に多くのウェハーをエツチング処
理する場合でも均一性が低下しないという利点がある。
以上説明したように、本発明は導電性および耐プラズマ
性を有するトレーを用いてドライエツチングすることに
より、絶縁性の高い試料（Ｇ ａ Ａ ｓウェハー）に
おいても均一性の高いエツチングがで診るという効果が
ある。
性を有するトレーを用いてドライエツチングすることに
より、絶縁性の高い試料（Ｇ ａ Ａ ｓウェハー）に
おいても均一性の高いエツチングがで診るという効果が
ある。
１．１１．１２・・・・・・ウェハー ２・・・・・・
メタル、３．１３．２３・・・・・・トレー ４・・・
・・・テフロン板、５．６・・・・・・電極、７・・・
・・・高周波電源。
メタル、３．１３．２３・・・・・・トレー ４・・・
・・・テフロン板、５．６・・・・・・電極、７・・・
・・・高周波電源。
Claims (1)
- 平行平板反応性イオンエッチング装置を用い、試料を導
電性トレーに設置してエッチングすることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22012088A JPH0267726A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22012088A JPH0267726A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267726A true JPH0267726A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16746232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22012088A Pending JPH0267726A (ja) | 1988-09-01 | 1988-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267726A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868948A (en) * | 1995-10-06 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Method for fabricating dielectric device |
| JP2000058514A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| KR100865546B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-10-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 식각장치 |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP22012088A patent/JPH0267726A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868948A (en) * | 1995-10-06 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Method for fabricating dielectric device |
| JP2000058514A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| KR100865546B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-10-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 식각장치 |
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