JP2548164B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JP2548164B2 JP2548164B2 JP62009330A JP933087A JP2548164B2 JP 2548164 B2 JP2548164 B2 JP 2548164B2 JP 62009330 A JP62009330 A JP 62009330A JP 933087 A JP933087 A JP 933087A JP 2548164 B2 JP2548164 B2 JP 2548164B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- dry etching
- etched
- etching method
- gas
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体デバイス等の電子部品構造に使用され
るドライエッチング方法に関するものである。
るドライエッチング方法に関するものである。
従来の技術 近年、ドライエッチング装置は被エッチング物の大口
径化，大型化とエッチング速度の均一性向上のため、多
数個同時処理のバッチ処理方式から一個づつ処理する枚
葉処理方式へと移行しつつある。しかし枚葉処理方式で
は処理能力を向上させるため、エッチング速度を増大さ
せる必要があり、必然的に電極に供給する高周波電力密
度（高周波電力／電極面積）を増加させなければならな
い。
径化，大型化とエッチング速度の均一性向上のため、多
数個同時処理のバッチ処理方式から一個づつ処理する枚
葉処理方式へと移行しつつある。しかし枚葉処理方式で
は処理能力を向上させるため、エッチング速度を増大さ
せる必要があり、必然的に電極に供給する高周波電力密
度（高周波電力／電極面積）を増加させなければならな
い。
以下図面を参照しながら、上述した従来のドラソエッ
チング装置の電極構造の一例について説明する。
チング装置の電極構造の一例について説明する。
第３図は従来のドライエッチング装置の電極構造を示
すものである。第３図において、１は真空容器、２は絶
縁物、３は被エッチング物載置用電極、４は被エッチン
グ物、５はグロー放電させる手段としての高周波電源で
ある。６はガスを導入する手段（図示せず）と接続され
るガス供給孔、７は排気手段（図示せず）と接続される
排気孔、９はアースされた極状電極である。
すものである。第３図において、１は真空容器、２は絶
縁物、３は被エッチング物載置用電極、４は被エッチン
グ物、５はグロー放電させる手段としての高周波電源で
ある。６はガスを導入する手段（図示せず）と接続され
るガス供給孔、７は排気手段（図示せず）と接続される
排気孔、９はアースされた極状電極である。
以上のように構成されたドライエッチング装置につい
て、以下その動作について説明する。まず、真空容器１
内を排気手段により1mTorr以下に排気した後、ガス供給
手段より被エッチング物に応じたガスを一定流量導入し
ながら一定圧力に保つ。その後、高周波電源５より電力
を供給し、グロー放電させプラズマを発生させる。その
プラズマ中のイオンやラジカルにより被エッチング物を
除去加工する。
て、以下その動作について説明する。まず、真空容器１
内を排気手段により1mTorr以下に排気した後、ガス供給
手段より被エッチング物に応じたガスを一定流量導入し
ながら一定圧力に保つ。その後、高周波電源５より電力
を供給し、グロー放電させプラズマを発生させる。その
プラズマ中のイオンやラジカルにより被エッチング物を
除去加工する。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、グロー放電させ
たプラズマ発生中に被エッチング物載置用電極３のエッ
ジ部に放電が集中するのでプラズマ密度に不均一性を生
じたり、時にはグロー放電が局部的に発生する。又、被
エッチング物載置用電極３の表面を金属酸化物等でおお
った場合にも前記理由と被エッチング物載置用電極３の
エッジ部の金属酸化物等が薄くなったり、ピンホールが
発生しやすいので、金属酸化物等がはがれたり、グロー
放電がピンホール部分で局部的に発生する。その結果、
ドライエッチング速度の均一性が悪くなったり、マスク
材料であるレジスト材料が変質するという問題点を有し
ていた。
たプラズマ発生中に被エッチング物載置用電極３のエッ
ジ部に放電が集中するのでプラズマ密度に不均一性を生
じたり、時にはグロー放電が局部的に発生する。又、被
エッチング物載置用電極３の表面を金属酸化物等でおお
った場合にも前記理由と被エッチング物載置用電極３の
エッジ部の金属酸化物等が薄くなったり、ピンホールが
発生しやすいので、金属酸化物等がはがれたり、グロー
放電がピンホール部分で局部的に発生する。その結果、
ドライエッチング速度の均一性が悪くなったり、マスク
材料であるレジスト材料が変質するという問題点を有し
ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、被エッチング物載置用電
極３のエッジ部における局部的グロー放電を防止し、エ
ッチング速度の均一性が良く、レジスト材料の変質を起
さないドライエッチング方法を提供するものである。
極３のエッジ部における局部的グロー放電を防止し、エ
ッチング速度の均一性が良く、レジスト材料の変質を起
さないドライエッチング方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の第１の発明のド
ライエッチング方法は被エッチング物載置用電極のエッ
ジ部がバルクの絶縁物でおおわれているという構成を備
えたものである。また、本発明の第２の発明は、被エッ
チング物載置用電極が被エッチング物より小さく、被エ
ッチング物載置用電極が直接プラズマにさらされないと
いう構成を備えたものである。
ライエッチング方法は被エッチング物載置用電極のエッ
ジ部がバルクの絶縁物でおおわれているという構成を備
えたものである。また、本発明の第２の発明は、被エッ
チング物載置用電極が被エッチング物より小さく、被エ
ッチング物載置用電極が直接プラズマにさらされないと
いう構成を備えたものである。
作用 本発明は上記した構成によって、被エッチング物載置
用電極をバルクの絶縁物でおおうことにより、従来の絶
縁膜では発生していたピンホールによる局部的グロー放
電を防止することができる。あるいは、被エッチング物
載置用電極を被エッチング物より小さくすることによ
り、被エッチング物載置用電極が直接プラズマにさらさ
れることがなくなり、局部的グロー放電を防止すること
ができる。以上の結果により、エッチング速度の均一性
を向上すると共にレジスト変質を防止することができ
る。
用電極をバルクの絶縁物でおおうことにより、従来の絶
縁膜では発生していたピンホールによる局部的グロー放
電を防止することができる。あるいは、被エッチング物
載置用電極を被エッチング物より小さくすることによ
り、被エッチング物載置用電極が直接プラズマにさらさ
れることがなくなり、局部的グロー放電を防止すること
ができる。以上の結果により、エッチング速度の均一性
を向上すると共にレジスト変質を防止することができ
る。
実 施 例 以下本発明の一実施例のドライエッチング方法につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエッチ
ング装置の電極構造を示すものである。第１図におい
て、1a〜7aは第３図の１〜７と同一名称である。9aはア
ースされた板状電極、8aはバルクの絶縁物であり、ポリ
四弗化エチレンを用いた。以上のように構成されたドラ
イエッチング装置の基本的な動作は上記の従来例の説明
で述べた通りであるが、被エッチング物載置用電極3aの
エッジ部をバルクの絶縁物でおおうことによって同エッ
ジ部における局部的グロー放電を防止することができる
ようにした点に本実施例の特徴がある。
ング装置の電極構造を示すものである。第１図におい
て、1a〜7aは第３図の１〜７と同一名称である。9aはア
ースされた板状電極、8aはバルクの絶縁物であり、ポリ
四弗化エチレンを用いた。以上のように構成されたドラ
イエッチング装置の基本的な動作は上記の従来例の説明
で述べた通りであるが、被エッチング物載置用電極3aの
エッジ部をバルクの絶縁物でおおうことによって同エッ
ジ部における局部的グロー放電を防止することができる
ようにした点に本実施例の特徴がある。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第２図は本発明の第２の実施例を示すドラ
イエッチング装置の電極構造を示すものである。第２図
において1b〜7bは第１図の１〜７と同一名称である。9b
はアースされた板状電極、8bは被エッチング物載置用電
極3bの側面をプラズマから保護するためのバルクの絶縁
物であり、ポリ四弗化エチレンを用いた。以上のように
構成されたドライエッチング装置の基本的な動作は上記
の従来例の説明で述べた通りである。本実施例の特徴
は、被エッチング物載置用電極を被エッチング物より小
さくし、被エッチング物載置用電極が直接プラズマにさ
らされないような構成にすることにより、被エッチング
物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電を防
止することができるようにした点にある。
ら説明する。第２図は本発明の第２の実施例を示すドラ
イエッチング装置の電極構造を示すものである。第２図
において1b〜7bは第１図の１〜７と同一名称である。9b
はアースされた板状電極、8bは被エッチング物載置用電
極3bの側面をプラズマから保護するためのバルクの絶縁
物であり、ポリ四弗化エチレンを用いた。以上のように
構成されたドライエッチング装置の基本的な動作は上記
の従来例の説明で述べた通りである。本実施例の特徴
は、被エッチング物載置用電極を被エッチング物より小
さくし、被エッチング物載置用電極が直接プラズマにさ
らされないような構成にすることにより、被エッチング
物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電を防
止することができるようにした点にある。
上記第1,第２の実施例については、いずれも被エッチ
ング物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電
が完全に防止されることが、実験的に確認されている。
ング物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電
が完全に防止されることが、実験的に確認されている。
なお、第1,第２の実施例において、バルクの絶縁物8
a,8bは四弗化エチレンの有機物としたが、バルクの絶縁
物8a,8bはAl2O3,SiO2などの金属酸化物としても同様の
結果が得られた。
a,8bは四弗化エチレンの有機物としたが、バルクの絶縁
物8a,8bはAl2O3,SiO2などの金属酸化物としても同様の
結果が得られた。
発明の効果 以上のように本発明はドライエッチング装置の被エッ
チング物載置用電極のエッジ部をバルクの絶縁物でおお
うかあるいは、被エッチング物載置用電極を被エッチン
グ物より小さくし、被エッチング物載置用電極が直接プ
ラズマにさらされないようにすることにより、被エッチ
ング物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電
を防止し、エッチング速度の均一性向上を図ると共に、
レジストの変質を防止することができる。
チング物載置用電極のエッジ部をバルクの絶縁物でおお
うかあるいは、被エッチング物載置用電極を被エッチン
グ物より小さくし、被エッチング物載置用電極が直接プ
ラズマにさらされないようにすることにより、被エッチ
ング物載置用電極のエッジ部における局部的グロー放電
を防止し、エッチング速度の均一性向上を図ると共に、
レジストの変質を防止することができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエッチン
グ装置の電極構造を示す外略図、第２図は本発明の第２
の実施例におけるドライエッチング装置の電極構造を示
す外略図、第３図は従来のドライエッチング装置の電極
構造を示す外略図である。 1a,1b……真空容器、3a,3b……被エッチング物載置用電
極、4a,4b……被エッチング物、5a,5b……高周波電源、
8a,8b……バルクの絶縁物、9a,9b……板状電極。
グ装置の電極構造を示す外略図、第２図は本発明の第２
の実施例におけるドライエッチング装置の電極構造を示
す外略図、第３図は従来のドライエッチング装置の電極
構造を示す外略図である。 1a,1b……真空容器、3a,3b……被エッチング物載置用電
極、4a,4b……被エッチング物、5a,5b……高周波電源、
8a,8b……バルクの絶縁物、9a,9b……板状電極。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−206125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−55530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−163272（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】真空容器内にガスを供給し、真空容器内を
排気手段を用いて一定圧力に保ち、板状電極と被エッチ
ング物載置用電極の間に高周波電力を印加し、ガスをグ
ロー放電させる手段により、ガスプラズマを発生させ、
被エッチング物を除去加工するドライエッチング方法に
おいて、前記被エッチング物載置用電極の全エッジ部が
バルクの絶縁物でおおわれていることを特徴とするドラ
イエッチング方法。 - 【請求項２】バルクの絶縁物が金属酸化物であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチン
グ方法。 - 【請求項３】バルクの絶縁物が有機物であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング方
法。 - 【請求項４】真空容器内にガスを供給し、真空容器内を
排気手段にて一定圧力に保ち板状電極と被エッチング物
載置用電極の間に高周波電力を印加し、ガスをグロー放
電させる手段により、ガスプラズマを発生させ、被エッ
チング物を除去加工するドライエッチング方法におい
て、前記被エッチング物載置用電極が被エッチング物よ
り小さく、かつ被エッチング物載置用電極の周囲にバル
クの絶縁物が配置されたことを特徴とするドライエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62009330A JP2548164B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62009330A JP2548164B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177520A JPS63177520A (ja) | 1988-07-21 |
| JP2548164B2 true JP2548164B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=11717459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62009330A Expired - Lifetime JP2548164B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548164B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741154Y2 (ja) * | 1989-03-30 | 1995-09-20 | 東京応化工業株式会社 | プラズマエッチング用ウェハーテーブル |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123173A (en) * | 1976-04-08 | 1977-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Sputter etching method |
| JPS5555530A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-23 | Takuo Sugano | Electrode device for plasma processor |
| JPS56163272A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Toshiba Corp | Plasma etching device |
| JPS58206125A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS5974630A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS59132623A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | Ulvac Corp | ドライエツチング用電極 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62009330A patent/JP2548164B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63177520A (ja) | 1988-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |