JPS5974630A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS5974630A JPS5974630A JP18457082A JP18457082A JPS5974630A JP S5974630 A JPS5974630 A JP S5974630A JP 18457082 A JP18457082 A JP 18457082A JP 18457082 A JP18457082 A JP 18457082A JP S5974630 A JPS5974630 A JP S5974630A
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- etching
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造過程等で使用されるドライ
エツチング装置に関する。
エツチング装置に関する。
高密度に集積化された半導体装置の製造プロセスにおい
て、微細パターン形成のため、従来のウェットエツチン
グ技術−代って高い精度を持つドライエツチング技術が
開発され、特に、エツチング機構が気体電気化学反応を
利用する反応性ドライエツチング技術は、エツチング速
度１選抗性が共に優れているため、広く用いられてきた
。
て、微細パターン形成のため、従来のウェットエツチン
グ技術−代って高い精度を持つドライエツチング技術が
開発され、特に、エツチング機構が気体電気化学反応を
利用する反応性ドライエツチング技術は、エツチング速
度１選抗性が共に優れているため、広く用いられてきた
。
従来のこの種のドライエツチング装置として、例えば第
１図に示すようなものがある。
１図に示すようなものがある。
第１図において、エツチング反応室１内には一対の平行
平板電極２．３が設けられ、上部電極２には高周波発生
器４が接続されている。下部電極３はその上面にエツチ
ング対象物としてのウエノ・５を支持し得るように構成
されてサセプタとしての役目を兼用するようになってい
る。反応室１にはエツチング反応ガス（例えば、ＣＦ４
、 Ｃｃ−１３４゜Ｂｃ、６３＋０２等）を導入する
だめの導入口６と、室内排気のための排気ロアとが設け
られている。
平板電極２．３が設けられ、上部電極２には高周波発生
器４が接続されている。下部電極３はその上面にエツチ
ング対象物としてのウエノ・５を支持し得るように構成
されてサセプタとしての役目を兼用するようになってい
る。反応室１にはエツチング反応ガス（例えば、ＣＦ４
、 Ｃｃ−１３４゜Ｂｃ、６３＋０２等）を導入する
だめの導入口６と、室内排気のための排気ロアとが設け
られている。
前記構成にかかるドライエツチング装置によりウェハ５
についてのエツチング処理を実施する場合、サセプタと
しての電極３上に電極保護用マスク８を被着した後、マ
スク８の中央孔内にウエノ・５を入れて電極３に載置す
る。その後、平行平板電極２．３間に高周波電流をかけ
ながら、反応ガスの導入と排気とを行なうと、ドライエ
ツチング加工が実施される。
についてのエツチング処理を実施する場合、サセプタと
しての電極３上に電極保護用マスク８を被着した後、マ
スク８の中央孔内にウエノ・５を入れて電極３に載置す
る。その後、平行平板電極２．３間に高周波電流をかけ
ながら、反応ガスの導入と排気とを行なうと、ドライエ
ツチング加工が実施される。
しかしながら、従来のドライエツチング装置にあっては
、電界による物理的エツチング反応がウェハの周縁（エ
ツジ）に集中する傾向があるため、第２図に示すように
、ウエノ・の周辺部において工ソチング速度が速くなシ
、ウエノ・全面におけるエツチング量の不均一の原因に
なるという欠点があった。
、電界による物理的エツチング反応がウェハの周縁（エ
ツジ）に集中する傾向があるため、第２図に示すように
、ウエノ・の周辺部において工ソチング速度が速くなシ
、ウエノ・全面におけるエツチング量の不均一の原因に
なるという欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、エツチ
ング速度を均一化できるドライエツチング装置を提供す
るにある。
ング速度を均一化できるドライエツチング装置を提供す
るにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしだがって説明する
。
。
第３図は本発明の一実施例を示′す縦断面図であシ、第
１図に示す構成要素と同一のものには同一符号が付しで
ある。
１図に示す構成要素と同一のものには同一符号が付しで
ある。
本実施例において、電極保護用マスク８の中央孔上には
エツチング抑制用マスク９が載置固定されており、この
マスク９はサセプタ電極３上に載置されたウェハ５の周
辺部の一定幅をウェハ上面から若干離間して被覆するよ
うにウェハ５の外形とほぼ相似形をなすリング形状に形
成されている。
エツチング抑制用マスク９が載置固定されており、この
マスク９はサセプタ電極３上に載置されたウェハ５の周
辺部の一定幅をウェハ上面から若干離間して被覆するよ
うにウェハ５の外形とほぼ相似形をなすリング形状に形
成されている。
次に作用を説明する。
平行平板電極２，３に高周波電流をかけながら、反応ガ
スの導入と排気とを行なうと、エツチング反応が起こる
。この場合、プラズマ反応による気体電気化学的エツチ
ングと、電極２，３間の電界によるイオンの加速を利用
した物理的な異方性エツチングの両方の反応が並行して
起こる。
スの導入と排気とを行なうと、エツチング反応が起こる
。この場合、プラズマ反応による気体電気化学的エツチ
ングと、電極２，３間の電界によるイオンの加速を利用
した物理的な異方性エツチングの両方の反応が並行して
起こる。
ところが、電界はエツジ（尖端）に集中する傾向がある
ため、ウェハの周縁においてイオンの加速による物理的
な異方性エツチング反応が集中的に起シ、従来は第２図
に示すように、ウェハの周辺部においてエツチング速度
が極めて早くなってしまう現象が発生していた。
ため、ウェハの周縁においてイオンの加速による物理的
な異方性エツチング反応が集中的に起シ、従来は第２図
に示すように、ウェハの周辺部においてエツチング速度
が極めて早くなってしまう現象が発生していた。
しかし、本実施例では、ウェハ５の周辺部はエツチング
抑制用マスク９によって被覆されているため、ウェハ５
の周縁（エツジ）に電界が集中する傾向が緩和され、イ
オンの加速による物理的な異方性エツチング反応はウェ
ハ５の中央部とほぼ等しい速度で進行することになる。
抑制用マスク９によって被覆されているため、ウェハ５
の周縁（エツジ）に電界が集中する傾向が緩和され、イ
オンの加速による物理的な異方性エツチング反応はウェ
ハ５の中央部とほぼ等しい速度で進行することになる。
また、ウェハ５の周辺部はエツチング抑制用マスク９に
密着されて被覆されているのではなく、若干の空間をと
って被覆されているので、気体電気化学的反応を起した
反応成分はウェハ周辺部にも流れ込み、よって、気体電
気化学的エツチングも周辺部と中央部とでほぼ等しい速
度で進行する。
密着されて被覆されているのではなく、若干の空間をと
って被覆されているので、気体電気化学的反応を起した
反応成分はウェハ周辺部にも流れ込み、よって、気体電
気化学的エツチングも周辺部と中央部とでほぼ等しい速
度で進行する。
このように、本実施例によれば、物理的エツチングと化
学的エツチングとの両反応がウエノ・の周辺部と中央部
とに渡ってほぼ等しく進行するため、第４図に示すよう
に、ウエノｈ全面におけるエツチング速度がほぼ等しく
なる。したがって、ウエノ・全面におけるエツチング量
が均一になり、エツチング精度が向上し、ひいては半導
体装置の製造についての歩留シが向上する。
学的エツチングとの両反応がウエノ・の周辺部と中央部
とに渡ってほぼ等しく進行するため、第４図に示すよう
に、ウエノｈ全面におけるエツチング速度がほぼ等しく
なる。したがって、ウエノ・全面におけるエツチング量
が均一になり、エツチング精度が向上し、ひいては半導
体装置の製造についての歩留シが向上する。
なお、被覆すべきウエノ・周辺部の幅やウエノ・とマス
クとの離間寸法等は、例えば、電界の強さ、反応ガスの
種類、濃度、流速、排気量等々の種々の条件によって異
なるから、条件に応じて適宜選定すればよい。また、エ
ツチング抑制用マスクの材質は、例えばフッ素樹脂（テ
フロン）、石英等の非電導材、アルミニウム等の電導材
、電導材と非電導材とのコーテイング材を使用すること
ができる。エツチング抑制用マスクは電極保護用マスク
と一体的に形成してもよいが、サセプタが電極と別物で
ある場合には電極保護用マスクは省略できる。
クとの離間寸法等は、例えば、電界の強さ、反応ガスの
種類、濃度、流速、排気量等々の種々の条件によって異
なるから、条件に応じて適宜選定すればよい。また、エ
ツチング抑制用マスクの材質は、例えばフッ素樹脂（テ
フロン）、石英等の非電導材、アルミニウム等の電導材
、電導材と非電導材とのコーテイング材を使用すること
ができる。エツチング抑制用マスクは電極保護用マスク
と一体的に形成してもよいが、サセプタが電極と別物で
ある場合には電極保護用マスクは省略できる。
また、平行平板電・種型のドライエツチング装置につき
説明したが、本発明は、他の化学的ドライエツチング装
置および物理的ドライエツチング装置（スパッタエツチ
ング装置、イオンビームエツチング装置等）に適用する
ことができ、さらに、エツチング対象物もウェハに限定
されるものではない。
説明したが、本発明は、他の化学的ドライエツチング装
置および物理的ドライエツチング装置（スパッタエツチ
ング装置、イオンビームエツチング装置等）に適用する
ことができ、さらに、エツチング対象物もウェハに限定
されるものではない。
以上説明したように、本発明によれば、エツチング対象
物全面に渡ってエツチング速度を均一化することができ
る。
物全面に渡ってエツチング速度を均一化することができ
る。
第１図は従来例を示す縦断面図、
第２図は従来例によるウェハ全面におけるエツチング速
度の分布図、 第３図は本発明の一実施例を示す縦断面図。 第４図は同実施例によるウエノ・全面におけるエツチン
グ速度の分布図である。 １・・・反応室、２・・・電極、３・・・サセプタ電極
、５・・・ウェハ、９・・エノチンク抑制用マスク。 第 ３ 第 １ 図 第 ２ 図 ウェハｔのイ宜１ ［′２１
度の分布図、 第３図は本発明の一実施例を示す縦断面図。 第４図は同実施例によるウエノ・全面におけるエツチン
グ速度の分布図である。 １・・・反応室、２・・・電極、３・・・サセプタ電極
、５・・・ウェハ、９・・エノチンク抑制用マスク。 第 ３ 第 １ 図 第 ２ 図 ウェハｔのイ宜１ ［′２１
Claims (1)
- １、エツチング対象物を支持するサセプタ上にエツチン
グ対象物の周辺部を近接して被覆するエツチング抑制用
マスクを設けてなるドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18457082A JPS5974630A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18457082A JPS5974630A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974630A true JPS5974630A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16155513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18457082A Pending JPS5974630A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177520A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18457082A patent/JPS5974630A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177520A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
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