JPH0741154Y2 - プラズマエッチング用ウェハーテーブル - Google Patents
プラズマエッチング用ウェハーテーブルInfo
- Publication number
- JPH0741154Y2 JPH0741154Y2 JP1989037070U JP3707089U JPH0741154Y2 JP H0741154 Y2 JPH0741154 Y2 JP H0741154Y2 JP 1989037070 U JP1989037070 U JP 1989037070U JP 3707089 U JP3707089 U JP 3707089U JP H0741154 Y2 JPH0741154 Y2 JP H0741154Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer table
- chamber
- plasma etching
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はプラズマエッチング装置のチャンバー内に設け
られるウェハーテーブルに関する。
られるウェハーテーブルに関する。
（従来の技術） プラズマによって反応ガスを活性化し、この活性化した
粒子によってウェハー表面をエッチングする装置は従来
から知られており、特に最近では高密度のプラズマを発
生させて微細加工を行うべく、マイクロ波（2.45GHz）
によってプラズマを発生させるエッチング装置が特公昭
59−39508号公報等において知られている。
粒子によってウェハー表面をエッチングする装置は従来
から知られており、特に最近では高密度のプラズマを発
生させて微細加工を行うべく、マイクロ波（2.45GHz）
によってプラズマを発生させるエッチング装置が特公昭
59−39508号公報等において知られている。
そして、マイクロ波によって発生させたプラズマ内にウ
ェハーを晒してエッチングする場合には、ウェハーを載
置するテーブルを交流電源、例えば13.56MHzの高周波電
源に接続し、プラズマに方向性を与えて異方性エッチン
グを行うようにしている。
ェハーを晒してエッチングする場合には、ウェハーを載
置するテーブルを交流電源、例えば13.56MHzの高周波電
源に接続し、プラズマに方向性を与えて異方性エッチン
グを行うようにしている。
（考案が解決しようとする課題） 上述したプラズマエッチング装置は、装置本体がアース
され、この装置本体に近接する位置にウェハーテーブル
が設けられているため、ウェハーテーブルと装置本体と
の間で放電が起り、電界が不安定となり、パターンの右
側と左側とで非対称にエッチングされる異常エッチング
が発生する。
され、この装置本体に近接する位置にウェハーテーブル
が設けられているため、ウェハーテーブルと装置本体と
の間で放電が起り、電界が不安定となり、パターンの右
側と左側とで非対称にエッチングされる異常エッチング
が発生する。
特にこの傾向はウェハー全体が大径化しウェハーテーブ
ルの径にウェハーの径が近くなるにしたがって顕著とな
り、ウェハーの中央部でも発生することがある。
ルの径にウェハーの径が近くなるにしたがって顕著とな
り、ウェハーの中央部でも発生することがある。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決すべく本考案は高周波電源に接続される
プラズマエッチング用ウェハーテーブルにおいて、前記
ウェハーテーブル外周縁にはテーブル上面と面一となる
絶縁リングを嵌着し、この絶縁リング上面とウェハー下
面の少なくとも一部を密着させ、前記テーブルをチャン
バーで囲むとともにこのチャンバーを導波管で囲み、こ
の導波管をマイクロ波発振器に連結するとともに前記導
波管の周囲に磁場発生用のコイルを配置したことを特徴
とする。
プラズマエッチング用ウェハーテーブルにおいて、前記
ウェハーテーブル外周縁にはテーブル上面と面一となる
絶縁リングを嵌着し、この絶縁リング上面とウェハー下
面の少なくとも一部を密着させ、前記テーブルをチャン
バーで囲むとともにこのチャンバーを導波管で囲み、こ
の導波管をマイクロ波発振器に連結するとともに前記導
波管の周囲に磁場発生用のコイルを配置したことを特徴
とする。
（作用） 装置本体はアースされており、この装置本体とウェハー
テーブル外周縁とは近接しているため、この部分で放電
が発生しやすいが、ウェハーテーブル外周縁にテーブル
と面一となるように絶縁リングを嵌着したので放電が生
じにくくなる。
テーブル外周縁とは近接しているため、この部分で放電
が発生しやすいが、ウェハーテーブル外周縁にテーブル
と面一となるように絶縁リングを嵌着したので放電が生
じにくくなる。
（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本考案に係るウェハーテーブルを適用したプラ
ズマエッチング装置の概略全体図であり、プラズマエッ
チング装置は、アースされた装置本体１の開口２上に合
成石英からなるチャンバー３を固定し、このチャンバー
３内に試料としての半導体ウェハー４をセットするウェ
ハーテーブル５を設け、このウェハーテーブル５を13.5
6MHzの高周波電源６に接続するとともに、テーブル５の
外周縁にAl2O3等からなる絶縁リング７を嵌着してい
る。
ズマエッチング装置の概略全体図であり、プラズマエッ
チング装置は、アースされた装置本体１の開口２上に合
成石英からなるチャンバー３を固定し、このチャンバー
３内に試料としての半導体ウェハー４をセットするウェ
ハーテーブル５を設け、このウェハーテーブル５を13.5
6MHzの高周波電源６に接続するとともに、テーブル５の
外周縁にAl2O3等からなる絶縁リング７を嵌着してい
る。
この絶縁リング７は第２図に示すようにその厚みをテー
ブル５上面の段差と等しくされ、嵌着した場合にテーブ
ル５上面と絶縁リング７とが面一となるようにしてい
る。また、チャンバー３内はバルブ８を介して真空ポン
プ９につながっており、チャンバー３内は高真空状態に
維持される。更に、チャンバー３内には反応ガス供給源
10からエッチング用反応ガスを導入するようにしてい
る。
ブル５上面の段差と等しくされ、嵌着した場合にテーブ
ル５上面と絶縁リング７とが面一となるようにしてい
る。また、チャンバー３内はバルブ８を介して真空ポン
プ９につながっており、チャンバー３内は高真空状態に
維持される。更に、チャンバー３内には反応ガス供給源
10からエッチング用反応ガスを導入するようにしてい
る。
また、チャンバー３は導波管11にて囲まれ、2.45GHzの
マイクロ波発振器12からのマイクロ波によってチャンバ
ー３内を放電空間つまりプラズマ発生空間とし、更に導
波管11の外側にはマイクロ波電界に直交する方向の磁場
を発生させるコイル13を配置し低ガス圧で発生した高密
度のプラズマに方向性をもたせ異方性エッチングが行わ
れるようにしている。
マイクロ波発振器12からのマイクロ波によってチャンバ
ー３内を放電空間つまりプラズマ発生空間とし、更に導
波管11の外側にはマイクロ波電界に直交する方向の磁場
を発生させるコイル13を配置し低ガス圧で発生した高密
度のプラズマに方向性をもたせ異方性エッチングが行わ
れるようにしている。
（考案の効果） 以上に説明した如く本考案によれば、高周波電源に接続
されるプラズマエッチング装置のウェハーテーブルの外
周縁に、Al2O3等からなる絶縁リングを嵌着せしめたた
め、ウェハーテーブルと装置本体との間での放電を防止
でき、特に反応チャンバーをマイクロ波の導電管内に設
けた装置にあっては、マイクロ波の広がりを抑制して集
中させることができ、高密度のプラズマ発生にも寄与し
得る。
されるプラズマエッチング装置のウェハーテーブルの外
周縁に、Al2O3等からなる絶縁リングを嵌着せしめたた
め、ウェハーテーブルと装置本体との間での放電を防止
でき、特に反応チャンバーをマイクロ波の導電管内に設
けた装置にあっては、マイクロ波の広がりを抑制して集
中させることができ、高密度のプラズマ発生にも寄与し
得る。
又、チャンバーを導波管で囲み、この導波管の周囲に磁
場発生用のコイルを配置したので、ウェハーの異方性エ
ッチングを行なうのに好適な装置を構成することができ
る。更に絶縁リング上面とウェハー下面の少なくとも一
部を密着させているので、異常放電が起きるのを防止す
ることができる。
場発生用のコイルを配置したので、ウェハーの異方性エ
ッチングを行なうのに好適な装置を構成することができ
る。更に絶縁リング上面とウェハー下面の少なくとも一
部を密着させているので、異常放電が起きるのを防止す
ることができる。
第１図は本考案に係るウェハーテーブルを適用したプラ
ズマエッチング装置の概略全体図、第２図は絶縁リング
の斜視図である。 尚、図面中１は装置本体、３はチャンバー、４は半導体
ウェハー、５はウェハーテーブル、６は高周波電源、７
は絶縁リング。12はマイクロ波発振器である。
ズマエッチング装置の概略全体図、第２図は絶縁リング
の斜視図である。 尚、図面中１は装置本体、３はチャンバー、４は半導体
ウェハー、５はウェハーテーブル、６は高周波電源、７
は絶縁リング。12はマイクロ波発振器である。
Claims (1)
- 【請求項１】高周波電源に接続されるプラズマエッチン
グ用ウェハーテーブルにおいて、このウェハーテーブル
外周縁にはテーブル上面と面一となる絶縁リングを嵌着
し、この絶縁リング上面とウェハー下面の少なくとも一
部を密着させ、前記テーブルをチャンバーで囲むととも
にこのチャンバーを導波管で囲み、この導波管をマイク
ロ波発振器に連結するとともに前記導波管の周囲に磁場
発生用のコイルを配置したことを特徴とするプラズマエ
ッチング用ウェハーテーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989037070U JPH0741154Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング用ウェハーテーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989037070U JPH0741154Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング用ウェハーテーブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02127029U JPH02127029U (ja) | 1990-10-19 |
| JPH0741154Y2 true JPH0741154Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=31543852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989037070U Expired - Lifetime JPH0741154Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング用ウェハーテーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741154Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206125A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2548164B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-10-30 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1989037070U patent/JPH0741154Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02127029U (ja) | 1990-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |