JPH1145877A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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- JPH1145877A JPH1145877A JP9201271A JP20127197A JPH1145877A JP H1145877 A JPH1145877 A JP H1145877A JP 9201271 A JP9201271 A JP 9201271A JP 20127197 A JP20127197 A JP 20127197A JP H1145877 A JPH1145877 A JP H1145877A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一なプラズマを発生させることができるプ
ラズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給ユニット２か
ら適当なガスを導入しつつ、ポンプ３により排気を行
い、真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、コイル用
高周波電源４により１００MHzの高周波電力を、誘電体
９に沿って配置された大小２つの環状導体５ａ及び５ｂ
と多重の渦状導体５ｃから成るコイル５に供給するとと
もに、電極用高周波電源８により５００kHzの高周波電
力を電極６に供給し、真空容器１内にプラズマを発生さ
せ、電極６上に載置された基板７に対してエッチング、
堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。
ラズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給ユニット２か
ら適当なガスを導入しつつ、ポンプ３により排気を行
い、真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、コイル用
高周波電源４により１００MHzの高周波電力を、誘電体
９に沿って配置された大小２つの環状導体５ａ及び５ｂ
と多重の渦状導体５ｃから成るコイル５に供給するとと
もに、電極用高周波電源８により５００kHzの高周波電
力を電極６に供給し、真空容器１内にプラズマを発生さ
せ、電極６上に載置された基板７に対してエッチング、
堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ドライエッチン
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
方法及び装置に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処
理方法及び装置に関するものである。
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
方法及び装置に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処
理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に対応して、
ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工
等を実現するために、またプラズマＣＶＤ技術において
は高アスペクト比の埋め込み等を実現するために、より
高真空でプラズマ処理を行うことが求められている。
ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工
等を実現するために、またプラズマＣＶＤ技術において
は高アスペクト比の埋め込み等を実現するために、より
高真空でプラズマ処理を行うことが求められている。
【０００３】例えば、ドライエッチングの場合において
は、高真空において高密度プラズマを発生させると、基
板表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性ガス
粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオンの方
向性が基板に向かって揃い、また電離度が高いために基
板に到達するイオン対中性ラジカルの入射粒子束の比が
大きくなる。したがって、エッチング異方性が高めら
れ、高アスペクト比の加工が可能となる。
は、高真空において高密度プラズマを発生させると、基
板表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性ガス
粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオンの方
向性が基板に向かって揃い、また電離度が高いために基
板に到達するイオン対中性ラジカルの入射粒子束の比が
大きくなる。したがって、エッチング異方性が高めら
れ、高アスペクト比の加工が可能となる。
【０００４】また、プラズマＣＶＤの場合においては、
高真空において高密度プラズマを発生させると、イオン
によるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め
込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込み
が可能になる。
高真空において高密度プラズマを発生させると、イオン
によるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め
込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込み
が可能になる。
【０００５】高真空において高密度プラズマを発生させ
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、コイル
に高周波電圧を印加することによって真空容器内にプラ
ズマを発生させる高周波誘導方式のプラズマ処理装置が
ある。この方式のプラズマ処理装置は、真空容器内に高
周波磁界を発生させ、その高周波磁界によって真空容器
内に誘導電界を発生させて電子の加速を行い、プラズマ
を発生させるもので、コイル電流を大きくすれば高真空
においても高密度プラズマを発生することができ、十分
な処理速度を得ることができる。
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、コイル
に高周波電圧を印加することによって真空容器内にプラ
ズマを発生させる高周波誘導方式のプラズマ処理装置が
ある。この方式のプラズマ処理装置は、真空容器内に高
周波磁界を発生させ、その高周波磁界によって真空容器
内に誘導電界を発生させて電子の加速を行い、プラズマ
を発生させるもので、コイル電流を大きくすれば高真空
においても高密度プラズマを発生することができ、十分
な処理速度を得ることができる。
【０００６】従来の高周波誘導方式のプラズマ処理装置
の一例を図５に示す。図５において、真空容器１内にガ
ス供給ユニット２から適当なガスを導入しつつポンプ３
により排気を行い、真空容器１内を適当な圧力に保ちな
がら、コイル用高周波電源４により高周波電力をコイル
５に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電
極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、
表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このと
き、図５に示すように、電極６にも電極用高周波電源８
により高周波電力を供給することで、基板７に到達する
イオンエネルギーを制御することができる。なお、コイ
ル５は、誘電体９に沿って設けられている。
の一例を図５に示す。図５において、真空容器１内にガ
ス供給ユニット２から適当なガスを導入しつつポンプ３
により排気を行い、真空容器１内を適当な圧力に保ちな
がら、コイル用高周波電源４により高周波電力をコイル
５に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電
極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、
表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このと
き、図５に示すように、電極６にも電極用高周波電源８
により高周波電力を供給することで、基板７に到達する
イオンエネルギーを制御することができる。なお、コイ
ル５は、誘電体９に沿って設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示した従来の方式では、とくに高周波電力の周波数が３
０〜３００MHzである場合、コイルの実質的な中心に高
周波電力を印加すると、プラズマが真空容器の中心付近
にかたよってしまうという問題点があった。
示した従来の方式では、とくに高周波電力の周波数が３
０〜３００MHzである場合、コイルの実質的な中心に高
周波電力を印加すると、プラズマが真空容器の中心付近
にかたよってしまうという問題点があった。
【０００８】ガス種及びその流量、圧力を、Ａｒ＝３０
sccm、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHzの高周波
電力１０００Wを供給してプラズマを発生させ、ラング
ミュアプローブ法を用いてイオン飽和電流密度を測定す
ることにより、従来方式のプラズマの面内分布を評価し
た結果を図６に示す。図６から、プラズマが真空容器の
中心付近にかたよっていることがわかる。測定には１０
０MHzの高周波電源を使用したが、高周波電力の周波数
が概ね３０〜３００MHzである場合、同様の問題が生じ
る。
sccm、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHzの高周波
電力１０００Wを供給してプラズマを発生させ、ラング
ミュアプローブ法を用いてイオン飽和電流密度を測定す
ることにより、従来方式のプラズマの面内分布を評価し
た結果を図６に示す。図６から、プラズマが真空容器の
中心付近にかたよっていることがわかる。測定には１０
０MHzの高周波電源を使用したが、高周波電力の周波数
が概ね３０〜３００MHzである場合、同様の問題が生じ
る。
【０００９】実際に、８００ｎｍ厚のシリコン酸化膜付
きの８インチ径シリコン基板７を電極６上に載置し、ガ
ス種及びその流量、圧力を、Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２＝１
００／１００ｓｃｃｍ、１Ｐａに設定し、コイル５に１
００MHzの高周波電力２０００Wを供給するとともに、電
極に５００kHzの高周波電力５００Wを供給したところ、
シリコン酸化膜がエッチングされたが、エッチング速度
とその均一性は６００ｎｍ／ｍｉｎ±１２％という結果
であった。
きの８インチ径シリコン基板７を電極６上に載置し、ガ
ス種及びその流量、圧力を、Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２＝１
００／１００ｓｃｃｍ、１Ｐａに設定し、コイル５に１
００MHzの高周波電力２０００Wを供給するとともに、電
極に５００kHzの高周波電力５００Wを供給したところ、
シリコン酸化膜がエッチングされたが、エッチング速度
とその均一性は６００ｎｍ／ｍｉｎ±１２％という結果
であった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、均一
なプラズマを発生させることのできるプラズマ処理方法
及び装置を提供することを目的としている。
なプラズマを発生させることのできるプラズマ処理方法
及び装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願の第１発明のプラズ
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を適当な圧力に制御しながら、
誘電体窓に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給
することにより、真空容器内にプラズマを発生させて、
真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法において、コイルが、実質的に同心状に配置さ
れた大小２つの環状導体と、２つの環状導体を結ぶ渦状
導体により構成されており、高周波電力を大小２つの環
状導体のうちいずれか一方に印加し、他方の環状導体を
接地することを特徴とする。
マ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を適当な圧力に制御しながら、
誘電体窓に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給
することにより、真空容器内にプラズマを発生させて、
真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法において、コイルが、実質的に同心状に配置さ
れた大小２つの環状導体と、２つの環状導体を結ぶ渦状
導体により構成されており、高周波電力を大小２つの環
状導体のうちいずれか一方に印加し、他方の環状導体を
接地することを特徴とする。
【００１２】この方法は、高周波電力の周波数が３０〜
３００MHzである場合に、とくに有効な方法である。
３００MHzである場合に、とくに有効な方法である。
【００１３】また、この方法において、電極に高周波電
力を供給することにより、基板に到達するイオンエネル
ギーを制御することが望ましい。
力を供給することにより、基板に到達するイオンエネル
ギーを制御することが望ましい。
【００１４】また、この方法において、渦状導体が多重
の渦であってもよい。本願の第２発明のプラズマ処理装
置は、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内
を排気する手段と、コイルと、基板を載置するための電
極を備えたプラズマ処理装置において、コイルが、実質
的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２つの
環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、大小２
つの環状導体のうちいずれか一方に高周波電力を供給す
るための高周波電源を備え、他方の環状導体を接地する
ことを特徴とする。
の渦であってもよい。本願の第２発明のプラズマ処理装
置は、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器内
を排気する手段と、コイルと、基板を載置するための電
極を備えたプラズマ処理装置において、コイルが、実質
的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２つの
環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、大小２
つの環状導体のうちいずれか一方に高周波電力を供給す
るための高周波電源を備え、他方の環状導体を接地する
ことを特徴とする。
【００１５】この装置は、高周波電源の周波数が３０〜
３００MHzである場合に、とくに有効な装置である。
３００MHzである場合に、とくに有効な装置である。
【００１６】また、この装置は、電極に高周波電力を供
給する手段を備えることにより、基板に到達するイオン
エネルギーを制御できる構成とすることが望ましい。
給する手段を備えることにより、基板に到達するイオン
エネルギーを制御できる構成とすることが望ましい。
【００１７】また、この装置は、渦状導体が多重の渦で
あってもよい。
あってもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図１〜図２を参照して説明する。
て、図１〜図２を参照して説明する。
【００１９】図１に、本発明の実施形態において用いた
プラズマ処理装置の斜視図を示す。図１において、真空
容器１内に、ガス供給ユニット２から適当なガスを導入
しつつ、ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を適
当な圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４により１
００MHzの高周波電力をコイル５に供給することによ
り、真空容器１内にプラズマが発生し、電極６上に載置
された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等の
プラズマ処理を行うことができる。電極６に高周波電力
を供給するための電極用高周波電源８が設けられてお
り、基板７に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができるようになっている。コイルは、実質的に同心状
に配置された大小２つの環状導体５ａ及び５ｂと、２つ
の環状導体を結ぶ多重の渦状導体５ｃにより構成されて
おり、小さい方の環状導体５ｂに高周波電力を供給する
ように構成され、大きい方の環状導体５ａは接地されて
いる。なお、コイル５は、誘電体９に沿って設けられて
いる。
プラズマ処理装置の斜視図を示す。図１において、真空
容器１内に、ガス供給ユニット２から適当なガスを導入
しつつ、ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を適
当な圧力に保ちながら、コイル用高周波電源４により１
００MHzの高周波電力をコイル５に供給することによ
り、真空容器１内にプラズマが発生し、電極６上に載置
された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等の
プラズマ処理を行うことができる。電極６に高周波電力
を供給するための電極用高周波電源８が設けられてお
り、基板７に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができるようになっている。コイルは、実質的に同心状
に配置された大小２つの環状導体５ａ及び５ｂと、２つ
の環状導体を結ぶ多重の渦状導体５ｃにより構成されて
おり、小さい方の環状導体５ｂに高周波電力を供給する
ように構成され、大きい方の環状導体５ａは接地されて
いる。なお、コイル５は、誘電体９に沿って設けられて
いる。
【００２０】ガス種及びその流量、圧力を、Ａｒ＝３０
sccm、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHzの高周波
電力１０００Wを供給してプラズマを発生させ、ラング
ミュアプローブ法を用いてイオン飽和電流密度を測定す
ることにより、プラズマの面内分布を評価した結果を図
２に示す。図２から、極めて均一なプラズマが得られる
ことがわかる。
sccm、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHzの高周波
電力１０００Wを供給してプラズマを発生させ、ラング
ミュアプローブ法を用いてイオン飽和電流密度を測定す
ることにより、プラズマの面内分布を評価した結果を図
２に示す。図２から、極めて均一なプラズマが得られる
ことがわかる。
【００２１】８００ｎｍ厚のシリコン酸化膜付きの８イ
ンチ径シリコン基板７を電極６上に載置し、ガス種及び
その流量、圧力を、Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２＝１００／１
００ｓｃｃｍ、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHz
の高周波電力２０００Wを供給するとともに、電極に５
００kHzの高周波電力５００Wを供給したところ、シリコ
ン酸化膜がエッチングされ、エッチング速度とその均一
性が６００ｎｍ／ｍｉｎ±４％という良好な結果が得ら
れた。
ンチ径シリコン基板７を電極６上に載置し、ガス種及び
その流量、圧力を、Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２＝１００／１
００ｓｃｃｍ、１Ｐａに設定し、コイル５に１００MHz
の高周波電力２０００Wを供給するとともに、電極に５
００kHzの高周波電力５００Wを供給したところ、シリコ
ン酸化膜がエッチングされ、エッチング速度とその均一
性が６００ｎｍ／ｍｉｎ±４％という良好な結果が得ら
れた。
【００２２】以上述べた本発明の実施形態では、コイル
に供給する高周波電力の周波数が１００MHzである場合
について説明したが、周波数はこれに限定されるもので
はなく、３０MHz〜３００MHz程度の周波数において、本
発明のプラズマ処理方法及び装置は有効である。
に供給する高周波電力の周波数が１００MHzである場合
について説明したが、周波数はこれに限定されるもので
はなく、３０MHz〜３００MHz程度の周波数において、本
発明のプラズマ処理方法及び装置は有効である。
【００２３】また、以上述べた本発明の実施形態では、
シリコン酸化膜のエッチングについて説明したが、いう
までもなく、その他のエッチング、スパッタリング、CV
D等のプラズマ処理においても、本発明を適用すること
ができる。なお、これらの処理において、電極に高周波
電力を供給する必要のないものもあるが、本発明はその
ような処理についても有効であることはいうまでもな
い。
シリコン酸化膜のエッチングについて説明したが、いう
までもなく、その他のエッチング、スパッタリング、CV
D等のプラズマ処理においても、本発明を適用すること
ができる。なお、これらの処理において、電極に高周波
電力を供給する必要のないものもあるが、本発明はその
ような処理についても有効であることはいうまでもな
い。
【００２４】また、以上述べた本発明の実施形態では、
小さい方の環状導体に高周波電力を供給し、大きい方の
環状導体を接地する例について説明したが、大きい方の
環状導体に高周波電力を供給し、小さい方の環状導体を
接地してもよい。
小さい方の環状導体に高周波電力を供給し、大きい方の
環状導体を接地する例について説明したが、大きい方の
環状導体に高周波電力を供給し、小さい方の環状導体を
接地してもよい。
【００２５】また、以上述べた本発明の実施形態では、
平面状の多重の渦状コイルが平面状の誘電体に沿って載
置されている場合について説明したが、いうまでもな
く、コイルの形状及び真空容器とコイルとの位置関係は
これに限定されるものではない。例として、図３では、
平面状の多重化していないコイル５を用いる場合を、ま
た、図４では、ドーム状の誘電体９を用いる場合を示し
ている。その他、様々なバリエーションが考えられる
が、他の形態も含め、あらゆる形態の高周波誘導方式の
プラズマ処理方法及び装置についても、本発明を適用す
ることができる。
平面状の多重の渦状コイルが平面状の誘電体に沿って載
置されている場合について説明したが、いうまでもな
く、コイルの形状及び真空容器とコイルとの位置関係は
これに限定されるものではない。例として、図３では、
平面状の多重化していないコイル５を用いる場合を、ま
た、図４では、ドーム状の誘電体９を用いる場合を示し
ている。その他、様々なバリエーションが考えられる
が、他の形態も含め、あらゆる形態の高周波誘導方式の
プラズマ処理方法及び装置についても、本発明を適用す
ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本願の
第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガ
スを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を適当
な圧力に制御しながら、誘電体窓に沿って配置されたコ
イルに高周波電力を供給することにより、真空容器内に
プラズマを発生させて、真空容器内の電極に載置された
基板を処理するプラズマ処理方法において、コイルが、
実質的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２
つの環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、高
周波電力を大小２つの環状導体のうちいずれか一方に印
加し、他方の環状導体を接地するため、均一なプラズマ
を発生させることができ、均一なプラズマ処理を行うこ
とができる。
第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガ
スを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を適当
な圧力に制御しながら、誘電体窓に沿って配置されたコ
イルに高周波電力を供給することにより、真空容器内に
プラズマを発生させて、真空容器内の電極に載置された
基板を処理するプラズマ処理方法において、コイルが、
実質的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２
つの環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、高
周波電力を大小２つの環状導体のうちいずれか一方に印
加し、他方の環状導体を接地するため、均一なプラズマ
を発生させることができ、均一なプラズマ処理を行うこ
とができる。
【００２７】また、本願の第２発明のプラズマ処理装置
によれば、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容
器内を排気する手段と、コイルと、基板を載置するため
の電極を備えたプラズマ処理装置において、コイルが、
実質的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２
つの環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、大
小２つの環状導体のうちいずれか一方に高周波電力を供
給するための高周波電源を備え、他方の環状導体を接地
するため、均一なプラズマを発生させることができ、均
一なプラズマ処理を行うことができる。
によれば、真空容器内にガスを供給する手段と、真空容
器内を排気する手段と、コイルと、基板を載置するため
の電極を備えたプラズマ処理装置において、コイルが、
実質的に同心状に配置された大小２つの環状導体と、２
つの環状導体を結ぶ渦状導体により構成されており、大
小２つの環状導体のうちいずれか一方に高周波電力を供
給するための高周波電源を備え、他方の環状導体を接地
するため、均一なプラズマを発生させることができ、均
一なプラズマ処理を行うことができる。
【図１】本発明の実施形態で用いたプラズマ処理装置の
構成を示す斜視図
構成を示す斜視図
【図２】本発明の実施形態における、プラズマの面内分
布を評価した結果
布を評価した結果
【図３】本発明の他の実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す斜視図
置の構成を示す斜視図
【図４】本発明の他の実施形態で用いたプラズマ処理装
置の構成を示す断面図
置の構成を示す断面図
【図５】従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す
断面図
断面図
【図６】従来例における、プラズマの面内分布を評価し
た結果を示す図
た結果を示す図
１ 真空容器 ２ ガス供給ユニット ３ ポンプ ４ コイル用高周波電源 ５ コイル ６ 電極 ７ 基板 ８ 電極用高周波電源 ９ 誘電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｌ
Claims (8)
- 【請求項１】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を適当な圧力に制御しながら、
誘電体窓に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給
することにより、真空容器内にプラズマを発生させて、
真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ
処理方法において、コイルが、実質的に同心状に配置さ
れた大小２つの環状導体と、２つの環状導体を結ぶ渦状
導体により構成されており、高周波電力を大小２つの環
状導体のうちいずれか一方に印加し、他方の環状導体を
接地することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 高周波電力の周波数が３０〜３００MHz
であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマ処理
方法。 - 【請求項３】 電極に高周波電力を供給することを特徴
とする、請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】 渦状導体が多重の渦であることを特徴と
する、請求項１記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項５】 真空容器内にガスを供給する手段と、真
空容器内を排気する手段と、コイルと、基板を載置する
ための電極を備えたプラズマ処理装置において、コイル
が、実質的に同心状に配置された大小２つの環状導体
と、２つの環状導体を結ぶ渦状導体により構成されてお
り、大小２つの環状導体のうちいずれか一方に高周波電
力を供給するための高周波電源を備え、他方の環状導体
を接地することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 高周波電源の周波数が３０〜３００MHz
であることを特徴とする、請求項５に記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項７】 電極に高周波電力を供給する手段を備え
たことを特徴とする、請求項５記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項８】 渦状導体が多重の渦であることを特徴と
する、請求項５記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20127197A JP3368806B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20127197A JP3368806B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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1997
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