JPS58206125A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS58206125A JPS58206125A JP8791482A JP8791482A JPS58206125A JP S58206125 A JPS58206125 A JP S58206125A JP 8791482 A JP8791482 A JP 8791482A JP 8791482 A JP8791482 A JP 8791482A JP S58206125 A JPS58206125 A JP S58206125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- treated
- treating chamber
- plasma
- feed pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空処理室内に処理用ガスを導入する手段と
、真空処理室を排気する手段と、相対する二つの電極の
間にプラズマを発生させる手段とを有するプラズマ処理
装置に関する。
、真空処理室を排気する手段と、相対する二つの電極の
間にプラズマを発生させる手段とを有するプラズマ処理
装置に関する。
処理室内に相対する電極を設け、その１に極に高周波′
ト工圧を印加し７て°７ラズマを発生させ、エツチング
を行なうドライ・エツチングでは、イオンと電子の負敞
差により生じるセルフバイアス効果により、電極上の絶
縁物表面や被処理物はそれが載置されている’［ｋ惨に
対し臣に＠電しこの帯電によりイオンが被処理物に回っ
て加速され、エツチングが進行する。
ト工圧を印加し７て°７ラズマを発生させ、エツチング
を行なうドライ・エツチングでは、イオンと電子の負敞
差により生じるセルフバイアス効果により、電極上の絶
縁物表面や被処理物はそれが載置されている’［ｋ惨に
対し臣に＠電しこの帯電によりイオンが被処理物に回っ
て加速され、エツチングが進行する。
プラズマ処理中、被処理物はプラズマ中の電子やイオン
の衝撃９反応熱、＠射熱により加熱され、処理雰囲気が
１〜１００１−’ａ程の真空であるため、熱の放散も十
分でなく、温度コントロールが難しい。例えばドライ・
エツチング装置で有機高分子感光性樹脂をマスクとして
微細）くターンの加工を行なう場合、被処理物の温度が
上昇すると、感光性樹脂のエツチングされる速さが高く
なり、その感光性樹脂がエツチング完了前に消滅したり
、パターンの幅が減少したりしまた温度−上昇により感
光性樹脂が軟化し、パターン幅が変化するなどの問題が
生じ、微細な加工ができなくなるという不都合があった
。
の衝撃９反応熱、＠射熱により加熱され、処理雰囲気が
１〜１００１−’ａ程の真空であるため、熱の放散も十
分でなく、温度コントロールが難しい。例えばドライ・
エツチング装置で有機高分子感光性樹脂をマスクとして
微細）くターンの加工を行なう場合、被処理物の温度が
上昇すると、感光性樹脂のエツチングされる速さが高く
なり、その感光性樹脂がエツチング完了前に消滅したり
、パターンの幅が減少したりしまた温度−上昇により感
光性樹脂が軟化し、パターン幅が変化するなどの問題が
生じ、微細な加工ができなくなるという不都合があった
。
またプラズマ化学蒸着装置やプラズマ重合装置において
も、被処理物の温度は形成される膜の性質を大きく左右
するため、これを正確にコントロールすることが課題で
あった。被処理物の温度−上昇は先に述べた加熱要因と
被処理物から電極への熱の放牧との関係により定寸る○
つさに従来装置の例を第１図に示し、そこにおける被処
理物隠匿コント［コールの問題点について説明するの処
理室１内には被処理物を載せる電極２とそれに対向する
電極７が設置されている。厄＄Ｊ２はＨｔ縁拐５により
処理室１と絶縁されており、冒周波市７諒９が接続され
ている１、また電極２にはパイ１ろ、４が設けられてお
り冷却水が内部を流れるようになっている。被処理物８
は電極２のＦに絶縁物６を置きその上に載せられる。こ
のような装置における被処理物冷却の問題点は、第１に
被処理物を電極上に載せただけであす、被処理物と電極
の反りなどにより、電極との密着がよくない、第２に処
理室内は１〜１００ｐＢの真空であるため対流などによ
る冷却が期待できない、第６に被処理物と市、極の間の
絶縁材の熱抵抗が大きい、などである、。
も、被処理物の温度は形成される膜の性質を大きく左右
するため、これを正確にコントロールすることが課題で
あった。被処理物の温度−上昇は先に述べた加熱要因と
被処理物から電極への熱の放牧との関係により定寸る○
つさに従来装置の例を第１図に示し、そこにおける被処
理物隠匿コント［コールの問題点について説明するの処
理室１内には被処理物を載せる電極２とそれに対向する
電極７が設置されている。厄＄Ｊ２はＨｔ縁拐５により
処理室１と絶縁されており、冒周波市７諒９が接続され
ている１、また電極２にはパイ１ろ、４が設けられてお
り冷却水が内部を流れるようになっている。被処理物８
は電極２のＦに絶縁物６を置きその上に載せられる。こ
のような装置における被処理物冷却の問題点は、第１に
被処理物を電極上に載せただけであす、被処理物と電極
の反りなどにより、電極との密着がよくない、第２に処
理室内は１〜１００ｐＢの真空であるため対流などによ
る冷却が期待できない、第６に被処理物と市、極の間の
絶縁材の熱抵抗が大きい、などである、。
そのため、従来装置では被処理物の温度上昇を避けるた
め、１氏い高周波゛成力でエツチングせねばならす、エ
ノーｆ−ング速１ｆ、が遅くなり実用−ト大きな障害と
２（つていた。
め、１氏い高周波゛成力でエツチングせねばならす、エ
ノーｆ−ング速１ｆ、が遅くなり実用−ト大きな障害と
２（つていた。
本発明の目的は、したかつて、フラズマ処丼中の被処理
物とそれが載百される電極の間の密層を改善］７、被処
理物の温度コントロールが容易なプラズマ処理装置を提
供することである。
物とそれが載百される電極の間の密層を改善］７、被処
理物の温度コントロールが容易なプラズマ処理装置を提
供することである。
上記目的を達成するために、本発明による冒νＩに述べ
た種類のプラズマ処理装置は、被処理物を載（ｄする電
極次面が絶縁性能を満足するホ１１縁１輌で櫟れており
、かつ被処理物と電極間の熱抵抗を小さくすることを要
旨とする。すなわち、木琴明け、先に述べたように、フ
ーラズマ処理中被処理物が負に＠電することに着目し、
この狛の帯電により被処理物を静電的に電極に密着させ
、被処理物と電極の間の熱抵抗を減少させ、温度コント
ロールし易くしようとするものである○ 第２図に本発明による実施例を示し、以下に説明する。
た種類のプラズマ処理装置は、被処理物を載（ｄする電
極次面が絶縁性能を満足するホ１１縁１輌で櫟れており
、かつ被処理物と電極間の熱抵抗を小さくすることを要
旨とする。すなわち、木琴明け、先に述べたように、フ
ーラズマ処理中被処理物が負に＠電することに着目し、
この狛の帯電により被処理物を静電的に電極に密着させ
、被処理物と電極の間の熱抵抗を減少させ、温度コント
ロールし易くしようとするものである○ 第２図に本発明による実施例を示し、以下に説明する。
処理室１０には、図示しない処理用カス供給装置に接続
されたガス供給管１２と、図示（７ない排気装置に接付
された排気管１５が設け１′□少れており、その処１！
ｌ ｙｌｌＪはイ＾１１．市極１４お・よび杷縁拐１７
により狸１閉きｉした構造となっている１、被処理物を
Ｍ１首する面体１４は絶稼物１７を介して処理室ｉｌ＋
に固＞ｔさｔｌでおり、品用波′畦計２［］が屋＠され
ている。＋ｌｉ悼１４には冷却水の供給管１５とり１水
肯１６が設けられており、内部を冷却できる構造となっ
ている。箪惨１４はアルミニウム でできており、扱処
」４１１物を載せる而Ａの部分はアルマイト処理がし−
Ｃ，１−，す、そのようにして形＋ＪＶされたアルマイ
ト処理のＩＩ’＋Ｓ ＋＊ｉ ２２以外の上面には石英
板１Ｂが設（鹸されている。電極１４に対向する位盾に
直棒１９が＠１１に固５とされており、厖気的にはγ−
ス電（Ｑに接ｆ介されて、いるｎｌｊス％給管１２より
一定袖の処理用カスｔ［Ｌ理学１（１内に供給し７なが
ら排気管１３より排気し、処理室１０内の圧力を一定に
保１′）、電極１４に高周彼電諒２０より商周波奄Ｙｔ
を印加すると、電極１４と′醒惨１９の間で欣′晰が花
生する。放電によるグフズマ内の電子は關周彼の電界に
したがい動くことができるが、イオンは１量が太きいた
めほとんど動くことができず、伝処」・Ｐ物２１および
絶縁物１８の立向に流入するのは′電子が多く、これら
は次第に負に帯電するｎ それらが’１３ＫＭｒ電するとイオンの流入も増え帯％
ｉ、’４位は一定の値でバランスする。電極１４には画
周波電位が印加されているが、直流成分からみるとアー
ス電位であるため、電極１４の表面ＡＫはアルマイト処
理の膜面２２をはさみ電位差を生じ、これにより被処理
物２１は静電的に′電極に吸着される。
されたガス供給管１２と、図示（７ない排気装置に接付
された排気管１５が設け１′□少れており、その処１！
ｌ ｙｌｌＪはイ＾１１．市極１４お・よび杷縁拐１７
により狸１閉きｉした構造となっている１、被処理物を
Ｍ１首する面体１４は絶稼物１７を介して処理室ｉｌ＋
に固＞ｔさｔｌでおり、品用波′畦計２［］が屋＠され
ている。＋ｌｉ悼１４には冷却水の供給管１５とり１水
肯１６が設けられており、内部を冷却できる構造となっ
ている。箪惨１４はアルミニウム でできており、扱処
」４１１物を載せる而Ａの部分はアルマイト処理がし−
Ｃ，１−，す、そのようにして形＋ＪＶされたアルマイ
ト処理のＩＩ’＋Ｓ ＋＊ｉ ２２以外の上面には石英
板１Ｂが設（鹸されている。電極１４に対向する位盾に
直棒１９が＠１１に固５とされており、厖気的にはγ−
ス電（Ｑに接ｆ介されて、いるｎｌｊス％給管１２より
一定袖の処理用カスｔ［Ｌ理学１（１内に供給し７なが
ら排気管１３より排気し、処理室１０内の圧力を一定に
保１′）、電極１４に高周彼電諒２０より商周波奄Ｙｔ
を印加すると、電極１４と′醒惨１９の間で欣′晰が花
生する。放電によるグフズマ内の電子は關周彼の電界に
したがい動くことができるが、イオンは１量が太きいた
めほとんど動くことができず、伝処」・Ｐ物２１および
絶縁物１８の立向に流入するのは′電子が多く、これら
は次第に負に帯電するｎ それらが’１３ＫＭｒ電するとイオンの流入も増え帯％
ｉ、’４位は一定の値でバランスする。電極１４には画
周波電位が印加されているが、直流成分からみるとアー
ス電位であるため、電極１４の表面ＡＫはアルマイト処
理の膜面２２をはさみ電位差を生じ、これにより被処理
物２１は静電的に′電極に吸着される。
′市怜１４は冷却水により冷却され、かつ被処理％７Ｂ
２１はこの゛眼＠ｔ １４と薄いアルマイト処理の膜
面２２を通してＩＭ看するため、被処理物２１の冷却効
率は大幅に向上する。
２１はこの゛眼＠ｔ １４と薄いアルマイト処理の膜
面２２を通してＩＭ看するため、被処理物２１の冷却効
率は大幅に向上する。
上記アルマイト処理の膜面２２は？縁性能を満足する節
回で熱抵抗を小さくするため薄いことが望ましい。
回で熱抵抗を小さくするため薄いことが望ましい。
本発明により被処理物の冷却効率を大幅に向−ヒできる
ので、有機高分子感尤性側脂をマスクとしてＲ泊ＩＩ
ＵＩ＋ ］を１１丁う”輸ば、ｆｌ丘米１丈トのｊ−Ｉ
司彼′市ツノをｉ４１１１１１１１．、 ｌノづ／グを
行ろ゛うことかできエツチング速度の回−ヒを凶ること
かできるとともに、感光性σ（脂の９久化やエツチング
が減り、より高梢度のエッチ７′グが可能となる 首だ
温度コノ） ＵＪ−ル祠度が向上するため、プラズマ化
学蒸着や、プラズマ重合における膜質のコ／トｒｌ−ル
稍度が向−ヒし、より均一なハ０１することかできる等
の利点が母られるっ
ので、有機高分子感尤性側脂をマスクとしてＲ泊ＩＩ
ＵＩ＋ ］を１１丁う”輸ば、ｆｌ丘米１丈トのｊ−Ｉ
司彼′市ツノをｉ４１１１１１１１．、 ｌノづ／グを
行ろ゛うことかできエツチング速度の回−ヒを凶ること
かできるとともに、感光性σ（脂の９久化やエツチング
が減り、より高梢度のエッチ７′グが可能となる 首だ
温度コノ） ＵＪ−ル祠度が向上するため、プラズマ化
学蒸着や、プラズマ重合における膜質のコ／トｒｌ−ル
稍度が向−ヒし、より均一なハ０１することかできる等
の利点が母られるっ
第１図は従来のフーラズマ処理装置の断面図、第２図は
本発明によるプラズマ処理装置の断面図である。 １ｆＪ・・・処理室 １１・・器１２・ガス供給菅 １
ろ排気管 １４．１９・電極 １５・冷却水の１（（給
宥１６・冷却水の排水管１７・・・絶縁材 １８・・石
英板２＋１・・・高周ｍ屯源 ２１・被処理物 ２２・
・アテＬマイト処理の嗅（川 代」す′人弁工ψ士 博 １）オリ 辛イ１図
本発明によるプラズマ処理装置の断面図である。 １ｆＪ・・・処理室 １１・・器１２・ガス供給菅 １
ろ排気管 １４．１９・電極 １５・冷却水の１（（給
宥１６・冷却水の排水管１７・・・絶縁材 １８・・石
英板２＋１・・・高周ｍ屯源 ２１・被処理物 ２２・
・アテＬマイト処理の嗅（川 代」す′人弁工ψ士 博 １）オリ 辛イ１図
Claims (1)
- 真空処理室内に処理用カスを導入する手段と＾空処理室
を排気する手段と、相対する二つの電極の間にプラズマ
を発生させる手段とを有するプラズマ処理装置において
、被処理物を載置する電極表面が絶縁性曲を満足し、被
処理物との熱抵抗を小さくする栴成であることを特徴と
するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8791482A JPS58206125A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8791482A JPS58206125A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206125A true JPS58206125A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13928184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8791482A Pending JPS58206125A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206125A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214431A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6273632A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS62229947A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63177520A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH01189126A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
| JPH02127029U (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-19 | ||
| JPH04211125A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP8791482A patent/JPS58206125A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214431A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH051976B2 (ja) * | 1985-07-11 | 1993-01-11 | Shibaura Eng Works Ltd | |
| JPS6273632A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS62229947A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63177520A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH01189126A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
| JPH02127029U (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-19 | ||
| JPH04211125A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
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