JP2008171888A - プラズマcvd装置、薄膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サセプタ12上に成膜対象物20を配置し、成膜対象物20を構成する導電性マスク17の開口底面に露出する絶縁性基板19の表面に薄膜を形成する際に、単極型の吸着電極15を有するサセプタ12を用い、導電性マスク17を静電吸着する。単極型なので、導電性マスク17の表面に誘起される電荷は単一極性であり、導電性マスク17表面に形成されるプラズマの密度分布が不均一にならない。
【選択図】図1
Description
この静電吸着装置112は、双極型であり、板状の絶縁物139内に正電極1151と負電極1152が配置されている。
プラズマCVD装置を記載した文献は多数有り、例えば下記文献が挙げられる。
また、本発明は、絶縁物の基板表面にパターニングされた薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記プラズマCVD装置の前記サセプタ上に、前記基板と、前記基板上に開口を有する導電性マスクとを配置した状態で、前記吸着電極に電圧を印加し、前記導電性マスクを静電吸着しながら前記真空槽内に前記原料ガスを導入し、前記プラズマ生成電極に電圧を印加して前記原料ガスのプラズマを発生させ、前記導電性マスクの開口底面に露出する前記基板表面に薄膜を成長させる薄膜形成方法である。
また、本発明は、前記基板よりも大きな前記吸着電極と前記導電性マスクを用い、前記基板が前記吸着電極と前記導電性マスクからはみ出さないようにして前記導電性マスクを静電吸着する薄膜形成方法である。
このプラズマCVD装置3は真空槽11を有しており、真空槽11の内部には、サセプタ12が配置されている。
真空槽11の外部には、真空排気系32と、ガス導入系33と、吸着電源31と、プラズマ電源34とが配置されている。
真空槽11には真空排気系32が接続されており、真空槽11内部を真空排気し、真空雰囲気にした状態で成膜対象物20を真空槽11内に搬入し、サセプタ12上に配置する。
吸着電極15は吸着電源31に接続され、真空槽11は接地電位に接続されており、吸着電源31により、真空槽11と吸着電極15の間に電圧を印加できるように構成されている。
吸着電極15と導電性マスク17は、絶縁性基板19と相似形であり、絶縁性基板19が四角形の場合、吸着電極15と導電性マスク17も四角形になる。
吸着電極15は絶縁性基板19よりも大きく、孔や溝は形成されていないから、絶縁性基板19のどの部分でも、絶縁性基板19の裏面に吸着電極15が位置している。
導電性マスク17には、所定のパターンで開口21が形成されており、開口21の底面には絶縁性基板19の表面が露出されている。
ヒータ24は、不図示の加熱電源に接続されており、加熱電源によってヒータに通電し、発熱させるとサセプタ12が加熱される。
プラズマ生成電極13は内部が中空であり、ガス導入系33はプラズマ生成電極13に接続され、内部の中空部分に原料ガスを導入できるように構成されている。
開口21底面に所定膜厚の薄膜が形成されると、原料ガスの導入と、プラズマ電源34の出力を停止し、真空槽11の外部に成膜対象物20を搬出する。
なお、図1では、サセプタ12の底面に、放電防止用の接地電極38が設けられている。
11……真空槽
12……サセプタ
13……プラズマ生成電極
15……吸着電極
17……導電性マスク
19……絶縁性基板
31……吸着電源
32……真空排気系
33……ガス導入系
34……プラズマ電源
Claims (3)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置されたサセプタと、
前記サセプタ内に配置された平板状の吸着電極と、
前記真空槽内の前記サセプタの上方に配置されたプラズマ生成電極と、
前記真空槽内に原料ガスを導入するガス導入系と、
前記真空槽内を真空排気する真空排気系と、
前記吸着電極と前記真空槽との間に直流電圧を印加する吸着電源と、
前記プラズマ生成電極に交流電圧を印加するプラズマ電源とを有するプラズマCVD装置。 - 絶縁物の基板表面にパターニングされた薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
請求項1記載のプラズマCVD装置の前記サセプタ上に前記基板と、前記基板上に開口を有する導電性マスクとを配置した状態で、前記吸着電極に電圧を印加し、前記導電性マスクを静電吸着しながら前記真空槽内に前記原料ガスを導入し、前記プラズマ生成電極に電圧を印加して前記原料ガスのプラズマを発生させ、前記導電性マスクの開口底面に露出する前記基板表面に薄膜を成長させる薄膜形成方法。 - 前記基板よりも大きな前記吸着電極と前記導電性マスクを用い、前記基板が前記吸着電極と前記導電性マスクからはみ出さないようにして前記導電性マスクを静電吸着する請求項2記載の薄膜形成方法。
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