KR102629497B1 - 기판 지지 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 기판 지지 장치 및 그 동작 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치는 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함한다.
Description
본 발명은 섀도우 마스크와 이을 이용한 기판 지지 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로, 상기 섀도우 마스크와 기판지지부 사이에 전압을 인가하여 정전 흡입력을 제공하는 기판 지지 장치에 관한 것이다.
유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device; OLED)는 하부 전극과 상부 전극 사이에 유기물층이 마련되고, 두 전극을 통해 전류가 흐르면 두 전극으로부터 공급된 전자와 홀이 유기물층에서 결합하여 빛을 발생하는 능동형 발광 소자이다. 이러한 OLED는 얇고 가벼우며, 고휘도, 저전력 소비 등의 특성을 가져 다양한 분야로 적용되고 있다.
한국 공개 특허 10-2014-0075033은 섀도우 마스크 및 서셉터를 동시에 접지시키는 방법을 개시한다. 그러나, 한국 공개 특허 10-2014-0075033은 서셉터와 섀도우 마스크 사이에 흡입력을 제공하는 기능을 제공하지 못한다.
한국 등록특허 10-1289345는 섀도우 마스크와 이를 이용한 정렬장치를 개시한다. 그러나, 한국 등록특허 10-1289345의 정전척은 기판과 섀도우 마스크를 동시에 대전한다고 주장하고 있으나, 섀도우 마스크는 전지적으로 정전척의 전극과 연결되어 있지 않는다. 따라서, 상기 섀도우 마스크는 상기 정전척에 의하여 동시에 대전되지 않는다. 또한, 상기 섀도우 마스크는 전기적으로 플로팅되어 있어 진공 증착 박막 균일성 또는 플라즈마 도움 증착 박막 균일성, 그리고 공정 안정성이 감소한다.
이에 따라, 공정 안정성이 향상되고 안정된 흡입력을 제공하는 새우도 마스크 및 지지 장치가 요구된다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 기판을 개재한 섀도우 마스크와 기판지지부에 사이에 전압을 인가하거나 전하를 축전시키어 기판을 밀착시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치는 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함한다. 상기 기판지지부는 접지되고, 상기 섀도우 마스크는 양의 전압 또는 음의 전압으로 유지된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함하고, 상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하고, 상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 상기 유전체층으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 접속 패드 영역에 전기적으로 접촉하는 전극 연결봉을 더 포함할 수 있다. 상기 전극 연결봉은 상기 절연 스페이서를 관통하고 상기 기판지지부를 관통하여 상기 전원에 연결되고, 상기 전극 연결봉은 상기 기판지지부와 전기적으로 절연될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 전극 연결봉은 상기 전원과 상기 섀도우 마스크를 연속적으로 일정한 전압을 인가할 수 있다. 또는, 상기 전극 연결봉은 상기 전원과 상기 섀도우 마스크를 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부를 대전시키기 위하여 일시적으로 상기 전원을 연결시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치는 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함한다. 이 기판 지지 장치의 동작 방법은 상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크에 양의 전압 또는 음의 전압을 인가한 상태에서 상기 기판에 증착 공정을 수행하는 단계; 및 상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크을 접지시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함할 수 있다. 상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 포함할 수 있다. 상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하고, 상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 상기 유전체층으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치는 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함한다. 이 기판 지지 장치의 동작 방법은 상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크에 양의 전압 또는 음의 전압을 일시적으로 인가한 후 상기 기판에 증착 공정을 수행하는 단계; 및 상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크을 접지시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함하고, 상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 포함할 수 있다. 상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하고, 상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 상기 유전체층으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판지지부를 접지하고, 섀도우 마스크에 전압을 인가하는 경우, 공정 안정성을 유지하면서 기판을 안정적으로 기판지지부에 밀착시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판지지부를 접지하고, 섀도우 마스크에 전하를 대전시키는 경우, 공정 안정성을 유지하면서 기판을 안정적으로 기판지지부에 밀착시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지 장치의 섀도우 마스크의 평면도이다.
도 3a 내지 도 3c은 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
도 2는 도 1의 기판 지지 장치의 섀도우 마스크의 평면도이다.
도 3a 내지 도 3c은 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
통상적인 정전척은 전극의 개수에 따라, 단극(monopolar), 쌍극(bipolar), 다극(muitlpolar) 형태로 분류된다. 단극 정전척은 서섭터에 하나의 전극만을 구비하고, 기판을 다른 전극으로 취급하고, 상기 기판을 대전시키기 위하여 플라즈마가 요구된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판지지부는 하나의 전극을 구비하고, 섀도우 마스크를 평행판 축전기의 다른 전극으로 사용된다. 이에 따라, 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 유전체인 기판이 배치된다. 이에 따라, 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크는 평행판 축전기로 모델링될 수 있다. 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하면, 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 흡입력이 발생한다. 또는, 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크에 서로 반대 부호의 전하를 대전시키는 경우, 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 흡입력이 발생된다.
한편, 상기 섀도우 마스크는 증착 물질에 노출되어 오염된다. 오염된 섀도우 마스크는 세정 공정을 통하여 세척된다. 상기 섀도우 마스크는 유전체층에 의하여 코팅될 수 있다. 상기 섀도우 마스크의 유전체층은 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이의 정전 용량을 증가시킬 수 있는 고유전체 물질일 수 있다. 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이의 인가 전압이 일정한 경우, 상기 정전 흡입력은 가상 변위의 원리에 의하여 인가 전압의 제곱에 비례할 수 있다.
한편, 상기 섀도우 마스크와 상기 서셉터 사이의 대전된 전하량이 일정한 경우, 상기 정전 흡입력은 대전된 전하량의 제곱에 비례할 수 있다.
따라서, 상기 유전체층은 고유전율 절연 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 유전체층은 Al2O3, HfO2, ZrO2 와 같은 금속 산화막, 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate))일 수 있다. 상기 유전체층은 고전압에서 절연 파괴를 유발하지 않는 물질일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 실시예에 기초하여 설명한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지 장치의 섀도우 마스크의 평면도이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 기판 지지 장치(100)는 기판(10)을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부(120); 상기 기판(10) 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크(130); 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원(150)을 포함한다.
챔버(110)는 진공 상태를 유지하고 진공 펌프에 의하여 배기될 수 있다. 상기 챔버(110)는 유리 기판 또는 플랙서블 기판을 처리할 수 있다. 상기 기판지지부(120) 및 상기 섀도우 마스크(130)는 상기 챔버(110)의 내부에서 서로 마주보도록 배치되고, 상기 전원(150)은 상기 챔버의 외부에 배치될 수 있다. 상기 챔버(110)는 원통형 금속 챔버 또는 직육면체 금속 챔버일 수 있다. 상기 챔버(110)는 접지될 수 있다.
기판(10)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 기판지지부(120)는 상기 챔버(110)의 내측 하부에 배치될 수 있다. 상기 기판지지부(120)는 금속 재질의 원판 또는 사각판 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판지지부(120)는 그 내부에 가열을 위한 가열 수단 또는 냉각 수단을 포함할 수 있다. 상기 기판지지부(120)는 도전체로 형성되고, 그 외피는 유전체층(122)으로 코팅될 수 있다. 상기 기판지지부(120)는 상기 섀도우 마스크(130)와 상대적으로 전기적으로 전위차를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 기판지지부(120)는 접지되고, 상기 섀도우 마스크(130)는 양의 전압 또는 음의 전압으로 유지될 수 있다. 또는 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부가 서로 마주보는 면은 양의 전하와 음의 전하로 각각 대전될 수 있다. 상기 기판지지부(120) 및 상기 섀도우 마스크(130)는 정전 흡입력을 제공하는 평행판 축전기의 한 쌍의 전극으로 각각 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 기판지지부(120)에서 상기 섀도우 마스크(130)를 마주보는 영역은 접지되고, 상기 섀도우 마스크(130)는 양의 전압 또는 음의 전압으로 유지될 수 있다. 이에 따라, 상기 전위차는 전기장을 생성하고, 상기 전기장은 상기 섀도우 마스크(130)의 일면에 제1 표면 전하를 유도하고, 상기 기판지지부(110)의 일면에 제2 표면 전하를 유도할 수 있다. 상기 제1 및 제2 표면 전하는 맥스웰의 응력을 제공하여 흡입력을 제공한다.
상기 기판지지부(120)에 양의 전압 또는 음의 전압이 인가되고, 상기 섀도우 마스크(130)가 접지된 경우, 상기 기판지지부와 상기 챔버는 서로 근접하게 배치되어 있어 기생 축전기를 생성하여 아크 방전 또는 에너지 손실을 제공할 수 있다. 따라서, 바람직하게는 상기 기판지지부가 접지되고, 상기 섀도우 마스크가 양의 전압 또는 음의 전압으로 유지될 수 있다.
상기 섀도우 마스크(130)는 복수의 개구 패턴(133)을 가지는 마스크 영역(132)과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임(134)을 포함할 수 있다. 상기 개구 패턴(133)을 통하여 증착 물질은 상기 기판(10) 상에 선택적으로 증착될 수 있다. 상기 섀도우 마스크(130)를 사용하는 패터닝 공정은 유기 박막 디스플레이의 유기 박막 증착 공정 또는 도전막 증착 공정일 수 있다.
상기 섀도우 마스크(130)는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역(132)과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임(134)을 포함할 수 있다. 상기 섀도우 마스크(130)의 외피는 유전체층(136)으로 코팅될 수 있다. 상기 유전체층은 Al2O3, HfO2, ZrO2 와 같은 금속 산화막, 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate))일 수 있다. 상기 유전체층은 고전압에서 절연 파괴를 유발하지 않는 물질일 수 있다.
상기 섀도우 마스크 프래임(134)의 하부면에는 상기 유전체층(136)으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역(138)을 포함할 수 있다. 상기 접속 패드 영역(138)은 절연 스페이서(142)와 정렬될 수 있다.
전극 연결봉(144)은 상기 접속 패드 영역(138)에 전기적으로 접촉할 수 있다. 상기 전극 연결봉(144)은 상기 기판의 배치 평면에 수직하게 선형 운동을 수행할 수 있다. 상기 전극 연결봉(144)은 상기 섀도우 마스크(130)를 일정한 전압으로 유지하거나 대전시키기 위하여 사용될 수 있다. 상기 전극 연결봉(144)은 상기 절연 스페이서(142)를 관통하고 상기 기판지지부(120)를 관통하여 상기 전원(150)에 연결될 수 있다. 상기 전극 연결봉(144)은 상기 기판지지부(120)와 전기적으로 절연되도록 절연 파이프로 둘러싸일 수 있다.
절연 스페이서(142)는 상기 섀도우 마스크 프래임(134)과 상기 기판지지부(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연 스페이서(142)는 상기 기판지지부의 상부면 가장 자리에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 절연 스페이서(142)는 상기 기판을 감싸도록 배치되어, 상기 기판을 정렬시킬 수 있다. 상기 절연 스페이서(142)는 상기 섀도우 마스크 프래임(138)에 고정될 수 있다. 상기 절연 스페이서는 높은 절연파괴 전계를 가지는 물질일 수 있다. 상기 절연 스페이서는 사각형 단면을 가진 원형 또는 사각 토로이드 형상일 수 있다. 상기 절연 스페이서(142)는 상기 기판(10)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 절연 스페이서는 상기 섀도우 마스크에 전압을 인가하기 위한 상기 전극 연결봉이 지나가는 수직 관통홀을 제공할 수 있다.
상기 섀도우 마스크(130)와 상기 기판지지부(120) 사이에 정전 흡입력을 제공하기 위하여, 상기 평행판 축전기는 두 가지 모드로 동작할 수 있다. 일 동작 방법은 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 일정한 전위차를 계속 유지하여 흡입력을 제공하고, 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 일정한 전위차를 제거하는 것이다.
다른 동작 모드는 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 일정한 전위차를 일시적으로 제공하여 전하를 대전시키어 정전 흡입력을 제공하고, 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 일정한 전위차를 제거하여 대전된 전하를 제거하는 것이다.
상기 전원(150)은 직류 전원일 수 있다. 상기 전원의 출력 전압은 수 백 볼트 내지 수 킬로볼트 수준일 수 있다. 상기 전원의 출력 전압은 가변될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 섀도우 마스크가 접지되고, 상기 기판지지부가 양의 전압 또는 음의 전압으로 인가될 수 있다.
본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 섀도우 마스크에 전압을 인가하거나 전하를 공급하기 위하여 상기 기판지지부를 관통하는 전극 연결봉이 사용되지 않고, 상기 섀도우 마스크를 고정하거나 수직 이동시키는 상기 섀도우 마스크 지지부를 통하여 상기 섀도우 마스크에 전압을 인가하거나 전하를 공급할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c은 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 기판 지지 장치(100)는 기판(10)을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부(120); 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크(130); 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원(150)을 포함한다.
상기 기판(10)은 챔버(110)의 기판 반입구를 통하여 상기 기판지지부(120)의 상부면에 전달되어 정렬된다. 상기 기판 상에 섀도우 마스크(130)가 정렬된다.
상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부(120)를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크(130)에 양의 전압 또는 음의 전압을 인가한다. 이에 따라, 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 정전 흡입력이 작용하여 상기 기판을 상기 기판지지부에 밀착시킨다. 흡입력이 인가된 상태에서, 상기 기판에 증착 공정을 수행한다.
상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크(130)을 접지시키거나 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이의 전위차를 감소시킨다. 이에 따라, 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 흡입력이 제거되고, 상기 섀도우 마스크(130)는 상기 기판으로부터 이격되고, 증착된 기판은 제거될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 기판 지지 장치의 동작 방법을 설명하는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 기판 지지 장치(100)는 기판(10)을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부(120); 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크(130); 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원(1500을 포함한다.
상기 기판은 챔버의 기판 반입구를 통하여 상기 기판지지부의 상부면에 전달되어 정렬된다. 상기 기판 상에 섀도우 마스크가 정렬된다.
상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부(120)를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크(130)에 양의 전압 또는 음의 전압을 일시적으로 인가한 후 제거한다. 이에 따라, 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부의 서로 다른 마주보는 면은 표면 전하에 의하여 대전된다. 일시적으로 상기 섀도우 마스크(130)에 전압을 인가하기 위하여 스위치(152)가 사용될 수 있다. 이에 따라, 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부 사이에 흡입력이 작용하여 상기 기판을 상기 기판지지부에 밀착시킨다. 흡입력이 인가된 상태에서, 상기 기판에 증착 공정을 수행한다.
상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크(130)를 접지시키어, 상기 섀도우 마스크의 표면 전하를 제거한다. 이에 따라, 상기 섀도우 마스크(130)와 상기 기판지지부(120) 사이에 흡입력이 제거되고, 상기 섀도우 마스크는 상기 기판으로부터 이격되고, 증착된 기판은 제거될 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시 예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 기판
110: 챔버
120: 기판지지부
130: 섀도우 마스크
150: 전원
110: 챔버
120: 기판지지부
130: 섀도우 마스크
150: 전원
Claims (9)
- 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부;
상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및
상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함하고,
상기 기판지지부는 접지되고,
상기 섀도우 마스크는 양의 전압 또는 음의 전압으로 유지되고,
상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함하고,
상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 접속 패드 영역에 전기적으로 접촉하는 전극 연결봉을 더 포함하고,
상기 전극 연결봉은 상기 절연 스페이서를 관통하고 상기 기판지지부를 관통하여 상기 전원에 연결되고,
상기 전극 연결봉은 상기 기판지지부와 전기적으로 절연되는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 전극 연결봉은 상기 전원과 상기 섀도우 마스크를 연속적으로 일정한 전압을 인가하거나,
상기 전극 연결봉은 상기 전원과 상기 섀도우 마스크를 상기 섀도우 마스크와 상기 기판지지부를 대전시키기 위하여 일시적으로 상기 전원을 연결시키는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치. - 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크에 양의 전압 또는 음의 전압을 인가한 상태에서 상기 기판에 증착 공정을 수행하는 단계; 및
상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크을 접지시키는 단계를 포함하고,
상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함하고,
상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 포함하고,
상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하고,
상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 상기 유전체층으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치의 동작 방법. - 삭제
- 기판을 지지하고 도전성 재질의 기판지지부; 상기 기판 상에 배치되고 도전성 재질의 섀도우 마스크; 및 상기 기판지지부와 상기 섀도우 마스크 사이에 전압을 인가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 기판이 상기 기판지지부에 장착된 후 상기 섀도우 마스크가 상기 기판에 밀착된 상태에서, 상기 기판지지부를 접지시키고, 상기 섀도우 마스크에 양의 전압 또는 음의 전압을 일시적으로 인가한 후 상기 기판에 증착 공정을 수행하는 단계; 및
상기 증착 공정이 완료된 후 상기 섀도우 마스크을 접지시키는 단계를 포함하고,
상기 섀도우 마스크는 복수의 개구 패턴을 가지는 마스크 영역과 상기 마스크 영역을 감싸도록 배치된 섀도우 마스크 프래임을 포함하고,
상기 섀도우 마스크 프래임과 상기 기판지지부 사이에 배치된 절연 스페이서를 포함하고,
상기 섀도우 마스크는 상기 섀도우 마스크의 표면에 코팅된 유전체층을 포함하고,
상기 섀도우 마스크 프래임의 하부면에는 상기 유전체층으로 코팅되지 않고 외부에 전기적으로 연결될 수 있는 접속 패드 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치의 동작 방법. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160120444A KR102629497B1 (ko) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 기판 지지 장치 및 그 동작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160120444A KR102629497B1 (ko) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 기판 지지 장치 및 그 동작 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180031943A KR20180031943A (ko) | 2018-03-29 |
| KR102629497B1 true KR102629497B1 (ko) | 2024-01-25 |
Family
ID=61907294
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160120444A KR102629497B1 (ko) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 기판 지지 장치 및 그 동작 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102629497B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008171888A (ja) | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法 |
| JP2011181462A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Hitachi Displays Ltd | 表示パネルの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101218115B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2013-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 쉐도우 마스크 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
| KR101109408B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2012-02-29 | (주)위지트 | 전극봉, 정전척 및 기판처리장치 |
-
2016
- 2016-09-21 KR KR1020160120444A patent/KR102629497B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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| JP2011181462A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Hitachi Displays Ltd | 表示パネルの製造方法 |
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