JP2011179120A - 多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】物理蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバと、真空チャンバの内側にあって、スパッタリングターゲットを含むように構成されたカソードと、カソードに電力を供給するように構成された高周波電力源と、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁と電気的に接続されたアノードと、真空チャンバの側壁の内側にあって、側壁から電気的に絶縁されていて、基板を支持するように構成されたチャックと、基板をチャックに保持するように構成されていて、導電性であるクランプと、クランプに取り付けられていて、それぞれが基板と接触したときに縮まるように構成された、複数の導電性電極と、を含む。
【選択図】図1A
Description
Claims (27)
- 側壁を有する真空チャンバと、
前記真空チャンバの内側にあって、スパッタリングターゲットを含むように構成されたカソードと、
前記カソードに電力を供給するように構成された高周波電力源と、
前記真空チャンバの前記側壁の内側にあって、前記側壁と電気的に接続されたアノードと、
前記真空チャンバの前記側壁の内側にあって、前記側壁から電気的に絶縁されていて、基板を支持するように構成されたチャックと、
前記基板を前記チャックに保持するように構成されていて、導電性であるクランプと、
前記クランプに取り付けられていて、それぞれが前記基板と接触したときに縮まるように構成された、複数の導電性電極と、
を備える物理蒸着装置。 - 前記複数の導電性電極のそれぞれは、前記クランプと前記基板との間の電気的接点をもたらす、請求項1に記載の物理蒸着装置。
- 前記複数の導電性電極を前記基板に押し付ける複数のばねを更に備える、請求項1又は2に記載の物理蒸着装置。
- 前記複数のばねは前記複数の導電性電極を含む、請求項3に記載の物理蒸着装置。
- 前記複数のばねのそれぞれは板ばねである、請求項3又は4に記載の物理蒸着装置。
- 前記複数のばねのそれぞれは、前記クランプに取り付けられた第一の端部と、第二の端部とを有し、
前記複数のばねの少なくとも一つの前記第二の端部が、そのばねが縮められたときに前記クランプと接触するように構成された、
請求項3乃至5のいずれかに記載の物理蒸着装置。 - 前記複数のばねのそれぞれは、300℃〜600℃の温度範囲でばね定数がほぼ一定である金属合金を含む、請求項3乃至6のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 前記複数のばねのそれぞれはinconel X750を含む、請求項3乃至7のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 前記複数の導電性電極は、前記クランプの周囲に均等な角度間隔をおいて配置されている、請求項1乃至8のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 前記複数の導電性電極の数は10個〜100個である、請求項1乃至9のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 前記複数の導電性電極の数は64個である、請求項10に記載の物理蒸着装置。
- 前記スパッタリングターゲットは誘電材料を含む、請求項1乃至11のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 前記誘電材料はジルコン酸チタン酸鉛(PZT)を含む、請求項12に記載の物理蒸着装置。
- 前記チャックと電気的に接続されたインピーダンス整合回路を更に備える、請求項1乃至13のいずれかに記載の物理蒸着装置。
- 物理蒸着装置内のチャック上に基板を配置する工程であって、前記物理蒸着装置は、
側壁を有する真空チャンバと、
前記真空チャンバの内側にあって、スパッタリングターゲットを含むカソードと、
前記真空チャンバの前記側壁の内側にあって、前記側壁と電気的に接続されたアノードと、
前記真空チャンバの前記側壁の内側にあって、前記側壁から電気的に絶縁されていて、基板を支持するチャックと、
前記基板を前記チャックに保持する、導電性であるクランプと、
前記クランプに取り付けられた複数の導電性電極と、を含み、
前記基板は、前記チャック上に配置され、前記複数の電極のそれぞれと接触し、前記接触により前記複数の電極のそれぞれが縮まる、工程と、
前記カソードに高周波信号を印加する工程と、
前記スパッタリングターゲットから前記基板上に材料を堆積させて、ほぼ純粋な(100)結晶構造を有する膜を形成する工程と、
を含む物理蒸着方法。 - 複数のばねによって前記複数の導電性電極を前記基板に押し付ける工程を更に含む、請求項15に記載の方法。
- 前記複数のばねは前記複数の導電性電極を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記複数のばねのそれぞれは、前記クランプに取り付けられた第一の端部と、第二の端部とを有し、
前記複数のばねの少なくとも一つの前記第二の端部が、そのばねが縮められたときに前記クランプと接触する、
請求項16又は17に記載の方法。 - 前記複数のばねのそれぞれは板ばねである、請求項16乃至18のいずれかに記載の方法。
- 前記複数のばねのそれぞれは0.5mm未満だけ縮む、請求項16乃至19のいずれかに記載の方法。
- 前記チャックを約670℃〜約690℃に加熱する工程を更に含む、請求項15乃至20のいずれかに記載の方法。
- 前記高周波信号の高周波電力の大きさは約1000W〜約5000Wである、請求項15乃至21のいずれかに記載の方法。
- 前記高周波電力の大きさは約3000Wである、請求項22に記載の方法。
- 前記スパッタリングターゲットは誘電材料を含む、請求項15乃至23のいずれかに記載の方法。
- 前記誘電材料はジルコン酸チタン酸鉛(PZT)を含む、請求項24に記載の方法。
- 前記膜の厚さは約0.2μm〜約10μmである、請求項15乃至25のいずれかに記載の方法。
- 前記厚さは約2μm〜約4μmである、請求項26に記載の方法。
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