JP2010031383A - プラズマ支援スパッタ成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、上部電極2、下部電極3、ガス導入口、真空排気口を有する反応容器1と、ターゲット2aと、複数のマグネット4と、マグネット支持金属シート9と、金属シートを上部電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構(13,14,22)と、rf電源(15)と、移動機構の移動条件を決める電気回路(25)とを備える。電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。
【選択図】図1
Description
第1の電極、第1の電極と離間して配置されると共に基板が配置されるようにされた第2の電極、ガス導入口、および真空排気口を有する反応容器と、
第1の電極の組込み部であるターゲット部材と、
ターゲット部材の表面の上方であって、ターゲット部材から見た平面視で、任意の隣り合う2つの間で等距離を有しかつ交互の極性を有するように、ターゲット部材の前面に対応する位置に配置された複数のマグネットと、
複数のマグネットを固定する板状の支持部材と、
支持部材とターゲット部材の距離を変化させるように支持部材を第1の電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構と、
第1の電極に接続された、10MHzから300MHzの範囲の周波数で動作するrf電源と、
移動機構の移動条件を決める電気回路部と、を備え、
電気回路部は、第1の電極の自己バイアス電圧をモニタし、当該自己バイアス電圧を予めの設定値に維持するように移動機構に供給電流を与え、この供給電流に基づき移動機構によって支持部材を移動させることにより、複数のマグネットは、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するためターゲット平面に垂直に移動するようにされることを特徴とする。
また本発明によれば、スパッタリングを受けるターゲット部材の下側の磁界をほとんど一定に維持しかつターゲット部材上の電圧VDCを一定に維持することを容易にする。一定の磁界または一定の電圧VDCのため、ターゲットのスパッタ速度および基板上の成膜速度は時間が変化しても変化しない。それはSi(シリコン)基板の上に電子的デバイスを作ることにおいて重要な条件である。
2 上部電極
2a ターゲット
2b 金属部材
3 下部電極
4 マグネット
5 円筒形側壁
7 出口
8 基板
9 金属シート
10 ギヤ装置
11 モータ
13 ギヤ装置
15 rf発生器
17 誘電体部材
18 誘電体部材
19 rf発生器
22 モータ
24 DC電源
25 電気回路
119 磁界の線
Claims (1)
- 第1の電極、前記第1の電極と離間して配置されると共に基板が配置されるようにされた第2の電極、ガス導入口、および真空排気口を有する反応容器と、
前記第1の電極の組込み部であるターゲット部材と、
前記ターゲット部材の表面の上方であって、前記ターゲット部材から見た平面視で、任意の隣り合う2つの間で等距離を有しかつ交互の極性を有するように、前記ターゲット部材の前面に対応する位置に配置された複数のマグネットと、
前記複数のマグネットを固定する板状の支持部材と、
前記支持部材と前記ターゲット部材の距離を変化させるように前記支持部材を前記第1の電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構と、
前記第1の電極に接続された、10MHzから300MHzの範囲の周波数で動作するrf電源と、
前記移動機構の移動条件を決める電気回路部と、を備え、
前記電気回路部は、前記第1の電極の自己バイアス電圧をモニタし、当該自己バイアス電圧を予めの設定値に維持するように前記移動機構に供給電流を与え、この供給電流に基づき前記移動機構によって前記支持部材を移動させることにより、前記複数のマグネットは、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受ける前記ターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するためターゲット平面に垂直に移動するようにされることを特徴とするプラズマ支援スパッタ成膜装置。
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JP2009255893A JP2010031383A (ja) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
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2009
- 2009-11-09 JP JP2009255893A patent/JP2010031383A/ja active Pending
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