JPS59104476A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS59104476A JPS59104476A JP21109482A JP21109482A JPS59104476A JP S59104476 A JPS59104476 A JP S59104476A JP 21109482 A JP21109482 A JP 21109482A JP 21109482 A JP21109482 A JP 21109482A JP S59104476 A JPS59104476 A JP S59104476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- voltage
- magnet
- discharge voltage
- variable resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はスパッタリング装置に係り、特に放電電圧の低
下を防ぐことケ可能としたスパッタリング装置に関する
。
下を防ぐことケ可能としたスパッタリング装置に関する
。
第１図は従来のスパッタリング装置を示したもので、真
空槽ｌの一側面に孔部２を設け、この孔部、２を塞ぐよ
うにターゲット支持板３か絶縁部材ｐｙ介して固着さｎ
ている。このターゲット支持板３の上記真空槽／の内部
側面には、ターゲットよが固着さｎ、またその外部側面
には、円板状のマグネット乙が上記ターゲット支持＆３
と平行に〃・つ所要間隙乞有するように配置さｎている
。さらに、このマグネット乙の後面側には、他端がモー
タ７に接続さｔたシャフトどが接続さ！し、上記モータ
７の１ｌｉ２１転により、上記マグネットが偏心回転す
るようになさ扛ている。
空槽ｌの一側面に孔部２を設け、この孔部、２を塞ぐよ
うにターゲット支持板３か絶縁部材ｐｙ介して固着さｎ
ている。このターゲット支持板３の上記真空槽／の内部
側面には、ターゲットよが固着さｎ、またその外部側面
には、円板状のマグネット乙が上記ターゲット支持＆３
と平行に〃・つ所要間隙乞有するように配置さｎている
。さらに、このマグネット乙の後面側には、他端がモー
タ７に接続さｔたシャフトどが接続さ！し、上記モータ
７の１ｌｉ２１転により、上記マグネットが偏心回転す
るようになさ扛ている。
上記スパッタリング装置においては、マグネット乙によ
り図中矢印で示ずように、閉じらｎた形の磁界が形成さ
ｎ、この磁界の先端部分ではマグネトロン運動による放
電プラズマが発生し、ターゲットｊの材料乞真空槽ｌの
内部に配置さｆＬ７ｍ被処理物（図示せず）に効率よく
スパッタリングを行なうものである。この場合において
、スパッタリング７行なうと磁界の内側部分のターゲラ
）ｊが、図中破線で示すように消耗するため、マグネッ
ト６を上記モータ７により偏心回転させて、ターゲット
！の集中的な消耗を防ぐようにな芒ｎている。
り図中矢印で示ずように、閉じらｎた形の磁界が形成さ
ｎ、この磁界の先端部分ではマグネトロン運動による放
電プラズマが発生し、ターゲットｊの材料乞真空槽ｌの
内部に配置さｆＬ７ｍ被処理物（図示せず）に効率よく
スパッタリングを行なうものである。この場合において
、スパッタリング７行なうと磁界の内側部分のターゲラ
）ｊが、図中破線で示すように消耗するため、マグネッ
ト６を上記モータ７により偏心回転させて、ターゲット
！の集中的な消耗を防ぐようにな芒ｎている。
し刀ユじ、上記のようにターゲットｊか消耗すると、磁
場が強くなり、放電電圧の低下が生じてしまうという欠
点７有しており、その結果として、スパッタレートが変
化してしまうという欠点を有している。
場が強くなり、放電電圧の低下が生じてしまうという欠
点７有しており、その結果として、スパッタレートが変
化してしまうという欠点を有している。
本発明は、上記欠点を解消するためになさ７したもので
、放電電圧乞一定に保つことかでさ、スパッタレートを
一定に保つことができるスパッタリング装置を提供する
ことを目的とするものである。
、放電電圧乞一定に保つことかでさ、スパッタレートを
一定に保つことができるスパッタリング装置を提供する
ことを目的とするものである。
上記目的を達成するため本発明に係るスパッタリング装
置は、真空、槽の側面に絶縁部材Ｚ介し℃設けられたタ
ーゲット支持板の一面側にターゲットが一着烙′ｎ−る
とともに４、他面側には円板状のマグネット乞７ｖＴ要
間隙をもって配置してなるスパッタリング装置において
、上記マグネットヲターゲット支持板の垂＠刀同に移動
目在となるように移動機構を設けてなり、放電電圧の低
下に比・じ又上記マグネット乞上記ターゲットから離隔
移動式せるようにして構成さｎており、マグネットの移
動で磁場を弱めるようになさ１し又いる。
置は、真空、槽の側面に絶縁部材Ｚ介し℃設けられたタ
ーゲット支持板の一面側にターゲットが一着烙′ｎ−る
とともに４、他面側には円板状のマグネット乞７ｖＴ要
間隙をもって配置してなるスパッタリング装置において
、上記マグネットヲターゲット支持板の垂＠刀同に移動
目在となるように移動機構を設けてなり、放電電圧の低
下に比・じ又上記マグネット乞上記ターゲットから離隔
移動式せるようにして構成さｎており、マグネットの移
動で磁場を弱めるようになさ１し又いる。
以下、本発明の実施例Ｚ第２図および第３図Ｚ参照し・
て説明し、第１図と同一部分には同一符号を付し壬その
説明を省略−１−る。
て説明し、第１図と同一部分には同一符号を付し壬その
説明を省略−１−る。
第２図は本発明に係るスパッタリング装置を示したもの
で、モータ７を載置するとともに、シャフトｇビ軸支１
−る軸受タン有する移動台１０が設けら扛、この移動台
１０の下面には、ラック部／／が形成ぢγしている。Ｃ
のラック部／ｌには、移動子−タ／２に接続さ７したビ
ニオン／３がか与合わさ７１、移動モータ／ユの駆動に
より移動台／／がモータ７、シャツ）４・マグネット２
とともに、ターゲット支持板１０の垂直力向（図におい
て横方向）に移動可能とさｎている。
で、モータ７を載置するとともに、シャフトｇビ軸支１
−る軸受タン有する移動台１０が設けら扛、この移動台
１０の下面には、ラック部／／が形成ぢγしている。Ｃ
のラック部／ｌには、移動子−タ／２に接続さ７したビ
ニオン／３がか与合わさ７１、移動モータ／ユの駆動に
より移動台／／がモータ７、シャツ）４・マグネット２
とともに、ターゲット支持板１０の垂直力向（図におい
て横方向）に移動可能とさｎている。
この移動台／ｌ乞移動させる場合の制御手段としては、
ターゲット支持板１０と真空槽／［接続嘔γした電源／
Ｉ／−の＋側に、基準電圧用電源／ｊおよび調整用可変
抵抗／６を並列に接続し、この調整用、可変抵抗／６の
出力側は抵抗７７を介してコンパレータ／ｇの非反転入
力端子＋側に接続さｆしている。また、上記電源／ｌＩ
と並列に接続された検出用可変抵抗／９の出力狽１１か
コンパレータ／ざの反転入力端子−側に接続さｎ、ａ＝
つコンパレータ／ｇの出力側端子力・ら途中帰還抵抗２
０を介してコンパレータ／ざの反転入力端子に接続され
るヒステリシス回路力ζ形成さｔている。さらに、コン
パレータ／ｇの出力側：端子には、例えはリレー宿の駆
動回路２／が接続芒ｎており、この駆動回路２／の駆動
により、上記移動モータ／２が駆動するようになさｔし
ている。
ターゲット支持板１０と真空槽／［接続嘔γした電源／
Ｉ／−の＋側に、基準電圧用電源／ｊおよび調整用可変
抵抗／６を並列に接続し、この調整用、可変抵抗／６の
出力側は抵抗７７を介してコンパレータ／ｇの非反転入
力端子＋側に接続さｆしている。また、上記電源／ｌＩ
と並列に接続された検出用可変抵抗／９の出力狽１１か
コンパレータ／ざの反転入力端子−側に接続さｎ、ａ＝
つコンパレータ／ｇの出力側端子力・ら途中帰還抵抗２
０を介してコンパレータ／ざの反転入力端子に接続され
るヒステリシス回路力ζ形成さｔている。さらに、コン
パレータ／ｇの出力側：端子には、例えはリレー宿の駆
動回路２／が接続芒ｎており、この駆動回路２／の駆動
により、上記移動モータ／２が駆動するようになさｔし
ている。
本実施例においては、調整用可変抵抗／６により所定の
電圧をあら刀・しめ設定しておき、検出用可変抵抗ｔ９
に−より放電電圧に測定づ−る。上記検出用可亥抵抗／
ｑ乞調整することにより放電電圧の測定感度乞変化させ
ることができる。
電圧をあら刀・しめ設定しておき、検出用可変抵抗ｔ９
に−より放電電圧に測定づ−る。上記検出用可亥抵抗／
ｑ乞調整することにより放電電圧の測定感度乞変化させ
ることができる。
そして、コンパレータ／ｇにより上記放電電圧と設定電
圧との比較波′算を竹ない、放電電圧が設定電圧以下と
なったときに、駆動回路２／に信号か送ら九る。そして
、駆動回路コ／が駆動して、移動モータノコが駆動さｒ
し、移動台／／が図において右方向に移動してマグネッ
ト６がターゲット支持板３から離隔する。そのため、磁
場か弱くなり再ひ放電電圧が筒くなり、設定電圧より高
くなると、駆動回路２／が解除さγし移動モータ応は停
止する。このとき、本実施例においてはヒステリシス回
路が設けら７しているので、移動モータフッの駆動はス
ムーズに行なわｎる。
圧との比較波′算を竹ない、放電電圧が設定電圧以下と
なったときに、駆動回路２／に信号か送ら九る。そして
、駆動回路コ／が駆動して、移動モータノコが駆動さｒ
し、移動台／／が図において右方向に移動してマグネッ
ト６がターゲット支持板３から離隔する。そのため、磁
場か弱くなり再ひ放電電圧が筒くなり、設定電圧より高
くなると、駆動回路２／が解除さγし移動モータ応は停
止する。このとき、本実施例においてはヒステリシス回
路が設けら７しているので、移動モータフッの駆動はス
ムーズに行なわｎる。
したかって、本実施例においては７７電電圧を一定に貨
つことができるため、スパッタレート’＆一定に保つ０
とができる。
つことができるため、スパッタレート’＆一定に保つ０
とができる。
でた、ターゲットの寿命Ｚ検出１′−る場合、従来はと
きどき肉眼によりターゲットの消耗具合を検査する手段
を用いていたが、手間が力）刀・ろとともに、連続的に
スパッタリングを行なう装置にめってはスパッタリング
の効率が非常に悪くなっ又しまりという欠点７有してい
た。さらに、新しいターゲットに交換して力・らの電力
消費量により、ターゲットの寿命を検出する手段もある
が、非常に不正確であるという欠点７有している。
きどき肉眼によりターゲットの消耗具合を検査する手段
を用いていたが、手間が力）刀・ろとともに、連続的に
スパッタリングを行なう装置にめってはスパッタリング
の効率が非常に悪くなっ又しまりという欠点７有してい
た。さらに、新しいターゲットに交換して力・らの電力
消費量により、ターゲットの寿命を検出する手段もある
が、非常に不正確であるという欠点７有している。
そのため、不実施例においては、マグネットの移動に￥
なわち移動モータの回転動により、ターゲットの消耗量
および寿命？正確に検出し寿命がきたらスパッタリング
乞停止１−るようになづ九ている。
なわち移動モータの回転動により、ターゲットの消耗量
および寿命？正確に検出し寿命がきたらスパッタリング
乞停止１−るようになづ九ている。
氾３図は、上記のようなターゲットの消耗量および寿命
乞挽出′１′る手段〉示したもので、変位倶１の電１１
ネコ。２には可変抵抗Ｊが接続さｎｙｖ”つこの可変抵
抗２３の出力側：は寿命検出用のコンパレータ２ｔの反
転入力端子に接続で才しるとともに、マグイ・ット６の
缶Ｗを表示づ−るメータＪ乞介して、上記電源〃の一側
１に括続さｒし又いる。゛さらに、上記可変抵抗、２３
は、不実施例においては移動モータ／２に連動し、移動
モータ７．２の１頁）転により抵抗価が変化するよう（
ｌ′ｌｃなされ又いろ。このような抵抗値の変化は、移
動台１０と連動するようにしてもよい。！！だ、上記電
源Ｕの一側には、基準電源易と調整用可変抵抗、２７が
苫列に接＠づｎ、この調整用可変抵抗２７の出力■帽１
エコツバレータＪの弗反転入力端子に接続さ７しており
、さらにコンパレータＪの出力端子には、スパッタリン
グの電源をＯＦＦにしたり、あるい（・エターゲットの
寿命であること７示ず信号を発する。賭勤回路２ｇが接
続づ力、ている。
乞挽出′１′る手段〉示したもので、変位倶１の電１１
ネコ。２には可変抵抗Ｊが接続さｎｙｖ”つこの可変抵
抗２３の出力側：は寿命検出用のコンパレータ２ｔの反
転入力端子に接続で才しるとともに、マグイ・ット６の
缶Ｗを表示づ−るメータＪ乞介して、上記電源〃の一側
１に括続さｒし又いる。゛さらに、上記可変抵抗、２３
は、不実施例においては移動モータ／２に連動し、移動
モータ７．２の１頁）転により抵抗価が変化するよう（
ｌ′ｌｃなされ又いろ。このような抵抗値の変化は、移
動台１０と連動するようにしてもよい。！！だ、上記電
源Ｕの一側には、基準電源易と調整用可変抵抗、２７が
苫列に接＠づｎ、この調整用可変抵抗２７の出力■帽１
エコツバレータＪの弗反転入力端子に接続さ７しており
、さらにコンパレータＪの出力端子には、スパッタリン
グの電源をＯＦＦにしたり、あるい（・エターゲットの
寿命であること７示ず信号を発する。賭勤回路２ｇが接
続づ力、ている。
本実施例においては、ターケラト寿命時のマグネット６
の位置における可変抵抗Ｊの抵抗値に対する電圧乞、調
整用可変抵抗、２７乞調ルして設定電圧としておく。そ
して、マグネット６乞所定位置にしてスパッタリングが
開始場７シる。すると、第、！図に示づ一実施例と同様
に、放電を圧Ｑ−イ代下に伴ない後動モータ／２がｊ枢
動して、移動台１０、マグネット乙が移動づ−る。この
とき、移動モータ／２の回転により可変抵抗２３の抵抗
価が変化ゼしめら庇、この抵抗値変化に伴ない変化する
電圧乞測定してメータ５に表示することにより、マグイ
・ソト乙の位置ビ検出することができる。また、この変
化する電圧と上記設定電圧と乞コンパレータＪで比較演
紮し、設定電圧を超えると駆動回路２ｇに信号が送らｒ
し、スパッタリング用の電源が０ＦＦＪ７Ｌ、あるいに
ターゲットの寿命Ｚ７ｉ：′丁信号か発せらｎる。
の位置における可変抵抗Ｊの抵抗値に対する電圧乞、調
整用可変抵抗、２７乞調ルして設定電圧としておく。そ
して、マグネット６乞所定位置にしてスパッタリングが
開始場７シる。すると、第、！図に示づ一実施例と同様
に、放電を圧Ｑ−イ代下に伴ない後動モータ／２がｊ枢
動して、移動台１０、マグネット乙が移動づ−る。この
とき、移動モータ／２の回転により可変抵抗２３の抵抗
価が変化ゼしめら庇、この抵抗値変化に伴ない変化する
電圧乞測定してメータ５に表示することにより、マグイ
・ソト乙の位置ビ検出することができる。また、この変
化する電圧と上記設定電圧と乞コンパレータＪで比較演
紮し、設定電圧を超えると駆動回路２ｇに信号が送らｒ
し、スパッタリング用の電源が０ＦＦＪ７Ｌ、あるいに
ターゲットの寿命Ｚ７ｉ：′丁信号か発せらｎる。
したがって本実施例におい又は、ターゲットの寿命乞自
動的に刀・つ正確に検知して、スパッタリングの停止等
がなさγしるので、手間を省くことができ、スパッタリ
ングの効率を向上することができる。し刀・も、ターゲ
ットの寿命Ｚ超えるスパッタリングが完全に防止できる
ので、安全性娑−局高めることかできる。
動的に刀・つ正確に検知して、スパッタリングの停止等
がなさγしるので、手間を省くことができ、スパッタリ
ングの効率を向上することができる。し刀・も、ターゲ
ットの寿命Ｚ超えるスパッタリングが完全に防止できる
ので、安全性娑−局高めることかできる。
ナオ、上記マグネットの位置検出をロータリーエンコー
ダで行ない、位置表示乞デジタルにて行なうこともでき
るし、移動モータ馨パルスモータとして位置表示を行な
うこともできる。ぼた、ターゲットの寿命も、デジタル
のコンパレータに用いて検知してもよく、さらに、駆動
回路を用いずテシタルコンパレータで電源のＯＦＦ等の
駆動を朽γようようにし′Ｃもよい。
ダで行ない、位置表示乞デジタルにて行なうこともでき
るし、移動モータ馨パルスモータとして位置表示を行な
うこともできる。ぼた、ターゲットの寿命も、デジタル
のコンパレータに用いて検知してもよく、さらに、駆動
回路を用いずテシタルコンパレータで電源のＯＦＦ等の
駆動を朽γようようにし′Ｃもよい。
さらに、マグネットの移動を上記実施例においては、ラ
ックとビニオン７用いたが、支持台にめねじ欠固定し、
移動モータに接続さ１したおねじの回転により、移動す
るようにし又もよいし、その他エアシリンダ等乞使用し
てもよいことはもちろんである。
ックとビニオン７用いたが、支持台にめねじ欠固定し、
移動モータに接続さ１したおねじの回転により、移動す
るようにし又もよいし、その他エアシリンダ等乞使用し
てもよいことはもちろんである。
以上述べたように本発明に係るスパッタリング装置は、
マグネットを真空槽の一面側に絶縁部材を介して設けら
γしたターゲット支持板に垂直な方向に移動自在となる
ように移動機構が設けらｒし、スパッタリングの際の放
電電圧の低下に応じて、上記マグネッ）Ｙターゲット′
力・ら離隔移動させるようにして栴成芒ｎてふり、マグ
ネットの移動で磁場７弱めるようになされ℃いるので、
放電電圧の低下を防ぐことができ、放電電圧を一定に保
つことができる。その結果、スパッタレート馨一定に保
つことができ、スパッタリング効率乞向上させることが
できる等の効果乞有する。
マグネットを真空槽の一面側に絶縁部材を介して設けら
γしたターゲット支持板に垂直な方向に移動自在となる
ように移動機構が設けらｒし、スパッタリングの際の放
電電圧の低下に応じて、上記マグネッ）Ｙターゲット′
力・ら離隔移動させるようにして栴成芒ｎてふり、マグ
ネットの移動で磁場７弱めるようになされ℃いるので、
放電電圧の低下を防ぐことができ、放電電圧を一定に保
つことができる。その結果、スパッタレート馨一定に保
つことができ、スパッタリング効率乞向上させることが
できる等の効果乞有する。
第１図は従来のスパッタリング装置を示づ一断面図、第
２図および第３図は七ｒしそｎ本発明の一実施例を示し
たもので、第２図はマグネットの移動制御手段７示す構
成図、第３図はターゲットの前部の検仰手段乞示′１−
構成図である。 ハ・・真空槽、２・・・孔部、３・・・タニゲット支持
板、弘・・・絶縁部材、ｊ・・・ターゲット、６・・・
マグネット、７・・・モータ、ど・・・シャフト、り・
・・軸受、１０・・・ｓｈ台、／か・・ラック部、／、
２・・・移動モータ、／３・・・ビニオン、／４１．、
１５ 、 、ｕ 、 ２Ａ・・・電源、／Ａ 、 ／９
、 ｎ 、 ２”ｈ−・可変抵抗、／７．Ｊ・・・抵
抗、１ｇ 、 、２４’・・・コンパレータ１．２／
、 、！ざ・・・駆動回路、Ｊ・・・メータ。 出願人代理人 猪 股 清図面の浄書（
内容に変更なし） 身ジ１１ｍ ８２図 乙 豹３目 手続補正書 昭和閏年１月ＩＱ日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年躬゛許願第２１１０９４号 ２、発明の名称 スパッタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社徳田製作所 ７、補正の対象 明細書および図面。 ８、補正の内容 （１）明細書および図面を別紙の通り浄書する。 （内容に変更なし）
２図および第３図は七ｒしそｎ本発明の一実施例を示し
たもので、第２図はマグネットの移動制御手段７示す構
成図、第３図はターゲットの前部の検仰手段乞示′１−
構成図である。 ハ・・真空槽、２・・・孔部、３・・・タニゲット支持
板、弘・・・絶縁部材、ｊ・・・ターゲット、６・・・
マグネット、７・・・モータ、ど・・・シャフト、り・
・・軸受、１０・・・ｓｈ台、／か・・ラック部、／、
２・・・移動モータ、／３・・・ビニオン、／４１．、
１５ 、 、ｕ 、 ２Ａ・・・電源、／Ａ 、 ／９
、 ｎ 、 ２”ｈ−・可変抵抗、／７．Ｊ・・・抵
抗、１ｇ 、 、２４’・・・コンパレータ１．２／
、 、！ざ・・・駆動回路、Ｊ・・・メータ。 出願人代理人 猪 股 清図面の浄書（
内容に変更なし） 身ジ１１ｍ ８２図 乙 豹３目 手続補正書 昭和閏年１月ＩＱ日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年躬゛許願第２１１０９４号 ２、発明の名称 スパッタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社徳田製作所 ７、補正の対象 明細書および図面。 ８、補正の内容 （１）明細書および図面を別紙の通り浄書する。 （内容に変更なし）
Claims (1)
- 真空槽の側面に絶縁部材ン介して設けらｎｉターゲット
支支板板一面１１１１にターゲットが固着さ１しるとと
もに、他面侮には円板状のマグネットを所要間隙ンもっ
て配置してなるスパッタリング装置において、上記マグ
ネノｌ−’＆ターゲット支持板の垂直方向に移動自在と
なるように移動機構を設けてなり、放電電圧の底下に応
じて上記マグネットを上記ターゲットから離隔移動させ
ることＺ％徴トｉ−ルスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21109482A JPS59104476A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21109482A JPS59104476A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104476A true JPS59104476A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16600309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21109482A Pending JPS59104476A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104476A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482610A (en) * | 1991-11-14 | 1996-01-09 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode for coating a substrate |
| US6030511A (en) * | 1995-02-03 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Collimated sputtering method and system used therefor |
| JP2008514810A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト | マグネトロンで成膜された基板を製造する方法、およびマグネトロンスパッタ源 |
| JP2010031383A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Canon Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| WO2010076862A1 (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 均一膜厚分布のためのスパッタ装置の磁界制御 |
| CN106702335A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-05-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 下电极及半导体加工设备 |
Citations (1)
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| JPS55100981A (en) * | 1979-01-24 | 1980-08-01 | Murata Mfg Co Ltd | Magnetron sputtering apparatus |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP21109482A patent/JPS59104476A/ja active Pending
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