JP2009231417A - 圧電体膜の製造方法、成膜装置および圧電体膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板B上に、キュリー点以上の成膜温度でスパッタ法により圧電体膜53を成膜し、該成膜後、圧電体膜53の温度がキュリー点以下に低下する前に、該圧電体膜53に対して該圧電体膜53の表面側から基板B側に向かう電界E1を生じさせ、分極処理を開始し、電界E1を生じさせた状態で、圧電体膜53の温度をキュリー点以下に下げる。
【選択図】図3
Description
さらに、特許文献2には、エアロゾルデポジション法(以下、AD法という。)で圧電体膜を形成する方法において、成膜中に成膜室内に電界を形成することにより成膜と同時に分極処理を行う方法が提案されている。
(1)自発分極軸のベクトル成分と電界印加方向とが一致したときに、電界印加強度の増減によって電界印加方向に伸縮する通常の電界誘起圧電歪、
(2)電界印加強度の増減によって分極軸が可逆的に非180°回転することで生じる圧電歪、
(3)電界印加強度の増減によって結晶を相転移させ、相転移による体積変化を利用する圧電歪、
(4)電界印加により相転移する特性を有する材料を用い、自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有する強誘電体相を含む結晶配向構造とすることで、より大きな歪が得られるエンジニアードドメイン効果を利用する圧電歪(エンジニアードドメイン効果を利用する場合には、相転移が起こる条件で駆動してもよいし、相転移が起こらない範囲で駆動してもよい)が挙げられる。
本発明者らは、良好な圧電性を有する圧電体膜の研究を進め、スパッタ法等の気相成長法により、基板上に成膜形成することにより得られるPZT系圧電体膜において、組成や添加物の材料によっても異なるが、成膜直後の特段の分極処理を行わない状態で通常、自発分極が基板側から膜表面に向かう(上向き)、非常に配向性の高い膜を得ることに成功した。
該成膜後、前記圧電体膜の温度が前記キュリー点以下に低下する前に、該圧電体膜に対して該圧電体膜の表面側から前記基板側に向かう電界を生じさせ、分極処理を開始し、前記電界を生じさせた状態で、前記圧電体膜の温度を前記キュリー点以下に下げることを特徴とするものである。
なお、ここで、「成膜温度」とは成膜時の基板の温度(圧電体膜が形成される基板表面の温度)をいう。
前記基板の温度を制御する温度制御部と、
前記基板に成膜される膜の表面側から前記基板側に向かう電界を生じさせる電界生成部とを備えたことを特徴とするものである。
表面から前記基板側に向かう向きの自発分極を有し、圧電定数が200pm/V以上であることを特徴とするものである。
本発明の圧電体膜の製造方法では、基板上に、キュリー点以上の成膜温度でスパッタ法により圧電体膜を成膜し(成膜工程)、成膜後の、圧電体膜の温度が該圧電体膜のキュリー点以下に低下する前に、該圧電体膜に対して該圧電体膜の表面側から基板側に向かう電界を生じさせ、分極処理を開始し、電界を生じさせた状態で、圧電体膜の温度をキュリー点以下に下げる(分極工程)。これにより、結晶配向性が高く、かつ表面側から基板側に向かう向きの自発分極を有する圧電体膜を得ることができる。
図1から図3を参照して、第1の実施形態の成膜方法およびそれを実施するための成膜装置の構成例について説明する。図1は装置全体の概略断面図、図2は成膜中の様子を模式的に示す図、図3は分極処理中の様子を模式的に示す図である。
基板ホルダ11に保持される基板Bは、例えば、ヘッドの加圧液室が形成された基板51上に第1の電極層52が形成されたものである。この基板B上に圧電体膜53をスパッタ法により成膜する。
具体的には、成膜温度Tsと、Vs−Vf(Vsは成膜時のプラズマ中のプラズマ電位、Vfはフローティング電位)、Vs、及び基板−ターゲット間距離Dのいずれかとを好適化することにより、良質な膜を成膜できることを見出している。すなわち、成膜温度Tsを横軸にし、Vs−Vf,Vs,及び基板−ターゲット間距離Dのいずれか縦軸にして、膜の特性をプロットすると、ある範囲内(以下に示す条件)において良質な膜を成膜できることを見出した。なお、成膜温度Tsは、成膜する圧電体膜のキュリー点よりも高い温度である。
成膜温度Tsと、Vs−Vfとを好適化した成膜条件であり、成膜温度Ts(℃)と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)とフローティング電位Vf(V)との差であるVs−Vf(V)とが、下記式(1)及び(2)を充足する成膜条件で成膜を行う。なお、下記式(1)〜(3)を充足する成膜条件で成膜を行うことが特に好ましい◎
Ts(℃)≧400・・・(1)、
−0.2Ts+100<Vs−Vf(V)<−0.2Ts+130・・・(2)、
10≦Vs−Vf(V)≦35・・・(3)
(第2の成膜条件)
成膜温度Tsと基板BとターゲットTとの離間距離(基板―ターゲット間距離)D(mm)とを好適化した成膜条件であり、成膜温度Ts(℃)と基板―ターゲット間距離D(mm)とが下記式(4)及び(5)を充足する条件、又は(6)及び(7)を充足する成膜条件で成膜する。
400≦Ts(℃)≦500・・・(4)、
30≦D(mm)≦80・・・(5)、
500≦Ts(℃)≦600・・・(6)、
30≦D(mm)≦100・・・(7)
成膜温度Tsと成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)とを好適化した成膜条件であり、成膜温度Ts(℃)と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)とが、下記式(8)及び(9)を充足する成膜条件又は、(10)及び(11)を充足する成膜条件で成膜する。
400≦Ts(℃)≦475・・・・(8)、
20≦Vs(V)≦50・・・・・・(9)、
475≦Ts(℃)≦600・・・(10)、
Vs(V)≦40・・・・・・・・(11)
(式(P−1)中、XはNb,W,Ni,Biからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素である。a>0、b1>0、b2>0、b3≧0。a=1.0であり、かつb1+b2+b3=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
(PbaXa1)(Zrb1Tib2)O3・・・(P−2)
(式(P−2)中、XはLa、Bi、Wからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素である。a>0、a1≧0、b1>0、b2>0、a+a1=1.0であり、かつb1+b2=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
なお、Vs−Vfは、Vs−Vfは、基板とターゲットとの間にアースを設置するなどして、変えることができる。なお、本発明者が先に出願している特願2006-263981号(本件出願時において未公開)に記載の成膜装置を用いることにより、簡易な方法でプラズマ空間電位を調整することができる。この成膜装置は、ターゲットを保持するターゲットホルダの成膜基板側の外周を取囲むシールドを備え、シールドの存在によって、プラズマ空間の電位状態を調整することができるよう構成されている。
分極工程は、成膜装置1の真空容器10内において行う。成膜工程の後、プラズマ発生部の高周波電源13をオフとする。一方、圧電体膜53が成膜された基板Bは基板ホルダ11に保持させ、かつ該基板Bの温度がキュリー点Tc以下に下がる前に分極工程を開始する。
次に図4を参照して、第2の実施形態の成膜方法およびそれを実施するための成膜装置の構成例について説明する。図4は装置全体の概略断面図であり、図1に示した第1の実施形態の成膜装置と同等の要素には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
次に図5を参照して、第3の実施形態の成膜方法およびそれを実施するための成膜装置の構成例について説明する。図5は装置全体の概略断面図であり、既述の成膜装置と同等の要素には同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
図6を参照して、本発明の圧電体膜を利用した、圧電素子5及び該圧電素子5を備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)について説明する。図6は、インクジェット式記録ヘッドの要部断面図である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
また、圧電体膜53としては、本発明の圧電体膜の製造方法(例えば、第1の実施形態の圧電体膜の製造方法)により製造された圧電体膜を用いる。ここでは、特に、室温における圧電定数が200pm/V以上のものを用いる。
まず、基板51にエッチングにより加圧液室71を形成すると共に、基板51の加圧液室71の一壁を構成する面を振動板75に加工し、この基板51を吐出孔72を有する薄板76と張り合わせる。その後、基板51上に下部電極層52を成膜する。必要に応じて、下部電極層52を成膜する前に、バッファ層や密着層を成膜してもよい。これを基板Bとして、上述の例えば、第1の実施形態の圧電膜の製造方法により、下部電極層52上に圧電体膜53を成膜し、分極処理を施す。その後、上部電極層54を成膜し、駆動ドライバ及び必要な配線を形成する。
(実施例1)
実施例1として、第1の実施形態の圧電体膜の製造方法および成膜装置で製造した圧電体膜を備えた圧電素子を作製した。
比較例1として、上記実施例1と同様の成膜工程でNb−PZT膜を成膜し、但し、分極処理を施してない圧電体膜59を得た。この圧電体膜59は図7に示すように、基板側から膜表面側に向かう自発分極dpを有するものである。
比較例2として、上記実施例1と同様の成膜工程でNb−PZT膜を成膜し、分極処理を行う前に一旦室温まで低下させた圧電体膜について、100℃に加熱し、100kV/cmの電界を10分印加して逆分極処理を施した素子を得た。
まず、実施例1、比較例2は、上部電極層54をプラス電位、下部電極層52をマイナス電位(接地)とする正電圧駆動を行う構成とし、比較例1は、上部電極層54にマイナス電位、下部電極層52を接地させて駆動する、負電圧駆動を行う構成とした。
実施例2として、上記第2の実施形態の製造方法により圧電体膜を製造した。
素子構成および成膜条件は実施例1と同一とした。成膜後に基板温度を475℃に保ったまま下部電極にマイナス50Vを印加し、Nb−PZTのターゲット側に高周波電圧を印加してスパッタプラズマを生成させた。このとき膜が形成されると困るので、ターゲット上にはシャッターを26設置し、基板Bへの膜の付着を防止した。しかしながら、シャッター横からのプラズマにて、プラズマ空間中は約10Vの電位となった。
5 圧電体素子
10 真空容器
11 基板ホルダ
12 ターゲットホルダ
13、22 高周波電源
21 ヒーター
23 マッチングボックス
52 下部電極層
53、59 圧電体膜
54 上部電極層
71 加圧液室
72 液体吐出孔(液体吐出口)
74 ノズル(液体貯留吐出部材)
75 振動板
Claims (11)
- 基板上に、キュリー点以上の成膜温度でスパッタ法により圧電体膜を成膜し、
該成膜後、前記圧電体膜の温度が前記キュリー点以下に低下する前に、該圧電体膜に対して該圧電体膜の表面側から前記基板側に向かう電界を生じさせ、分極処理を開始し、前記電界を生じさせた状態で、前記圧電体膜の温度を前記キュリー点以下に下げることを特徴とする圧電体膜の製造方法。 - 前記電界を、前記基板に高周波電圧を印加した際に生じる負のセルフバイアス電圧により生じさせることを特徴とする請求項1記載の圧電体膜の製造方法。
- 前記電界を、前記基板をマイナス電位とし、前記基板の表面側のプラズマ空間を前記マイナス電位よりも高い電位とすることにより生じさせることを特徴とする請求項1記載の圧電体膜の製造方法。
- 前記電界を、前記基板を接地もしくはマイナス電位とし、前記圧電体膜の表面をプラス電位とすることにより生じさせることを特徴とする請求項1記載の圧電体膜の製造方法。
- 前記圧電体膜の表面に対してプラスイオンを照射することにより前記圧電体膜の表面をプラス電位とすることを特徴とする請求項4記載の圧電体膜の製造方法。
- 成膜ガスの導入と排気が可能な真空容器と、該真空容器内に配置される、ターゲットを保持するターゲットホルダと、該ターゲットホルダに対向して配置され、膜が成膜される基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットホルダと基板側との間にプラズマ空間を生成するプラズマ生成部とを備えた成膜装置において、
前記基板の温度を制御する温度制御部と、
前記基板に成膜される膜の表面側から前記基板側に向かう電界を生じさせる電界生成部とを備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記電界生成部が、前記基板に高周波電圧を印加する高周波電源を備えたことを特徴とする請求項6記載の成膜装置。
- 前記電界生成部が、前記基板をマイナス電位とするマイナス電位設定手段を備えたことを特徴とする請求項6記載の成膜装置。
- 前記電界生成部が、前記基板を接地もしくはマイナス電位とする電位設定手段と、前記基板ホルダに対向する側から、該基板ホルダ側に向けてプラスイオンを照射するプラスイオン照射手段とを備えたことを特徴とする請求項6記載の成膜方法。
- 請求項1から5いずれか1項記載の圧電体膜の製造により基板上に成膜して製造された圧電体膜であって、
表面から前記基板側に向かう向きの自発分極を有し、圧電定数が200pm/V以上であることを特徴とする圧電体膜。 - 前記圧電体膜が、チタン酸ジルコン酸鉛、または、チタン酸ジルコン酸鉛にNb,W,Ni,Biからなる群から選ばれた少なくとも1つを加えたペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい。)ものであることを特徴とする請求項10記載の圧電体膜。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011179120A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | 多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法 |
JP4868475B1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-02-01 | ムネカタ株式会社 | 圧電・焦電性膜の形成方法及び形成装置 |
JPWO2011077667A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-05-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電素子及びその製造方法 |
JP2015053484A (ja) * | 2014-09-08 | 2015-03-19 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、プラズマポーリング装置、圧電体及びその製造方法、成膜装置及びエッチング装置、ランプアニール装置 |
US9181619B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-10 | Fujifilm Corporation | Physical vapor deposition with heat diffuser |
JP2016021574A (ja) * | 2015-07-31 | 2016-02-04 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、磁場ポーリング装置及び圧電体膜 |
JP2017059751A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社ユーテック | 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5318203B2 (ja) | 2009-06-15 | 2013-10-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電体シート、ならびに圧電体シートの製造方法および製造装置 |
DE102010062112A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Heißpolarisieren eines piezokeramischen Bauelements |
JP5540870B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波センサー、及び電子機器 |
JP5857344B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2016-02-10 | 株式会社ユーテック | プラズマポーリング装置及び圧電体の製造方法 |
US8733272B2 (en) * | 2010-12-29 | 2014-05-27 | Fujifilm Corporation | Electrode configurations for piezoelectric actuators |
US20140191618A1 (en) * | 2011-06-07 | 2014-07-10 | Youtec Co., Ltd. | Poling treatment method, plasma poling device, piezoelectric body and manufacturing method thereof, film forming device and etching device, and lamp annealing device |
JP5838417B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2016-01-06 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、磁場ポーリング装置及び圧電体膜 |
US9666467B2 (en) * | 2014-11-21 | 2017-05-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Detachable high-temperature electrostatic chuck assembly |
JP2017079276A (ja) | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 株式会社リコー | 分極装置、分極方法 |
US10777733B2 (en) * | 2018-11-28 | 2020-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
EP4160707A1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-04-05 | Terra Quantum AG | Thermal and electromagnetic generation and switching of chirality in ferroelectrics |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03219077A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-09-26 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH049465A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Ube Ind Ltd | 薄膜処理装置の直流電位制御方法および装置 |
JP2008081801A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 成膜方法、圧電膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP2008081803A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
JP2008081802A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその成膜方法、及び圧電素子 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206533A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-13 | Toyota Motor Corp | 圧電素子の使用方法 |
JPH0685345A (ja) | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Toyota Motor Corp | Pzt系圧電素子の分極方法 |
DE10338486B3 (de) * | 2003-08-21 | 2005-04-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung eines piezoelektrischen Aktors und Polarisierung des piezoelektrischen Aktors |
JP2005262108A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 成膜装置及び圧電材料の製造方法 |
JP2007043054A (ja) * | 2005-03-04 | 2007-02-15 | Sony Corp | 圧電素子及びその製造方法 |
JP2009062564A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Fujifilm Corp | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP4361102B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-11-11 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
JP2009214313A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Fujifilm Corp | 液体吐出装置 |
JP5382905B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5290610B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 圧電膜の成膜方法 |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008073032A patent/JP5410686B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-23 US US12/409,185 patent/US7772747B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03219077A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-09-26 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH049465A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Ube Ind Ltd | 薄膜処理装置の直流電位制御方法および装置 |
JP2008081801A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 成膜方法、圧電膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP2008081803A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
JP2008081802A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 圧電膜とその成膜方法、及び圧電素子 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2011077667A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-05-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電素子及びその製造方法 |
JP2011179120A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Fujifilm Corp | 多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法 |
US9181619B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-10 | Fujifilm Corporation | Physical vapor deposition with heat diffuser |
JP4868475B1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-02-01 | ムネカタ株式会社 | 圧電・焦電性膜の形成方法及び形成装置 |
US8465810B2 (en) | 2011-06-20 | 2013-06-18 | Munekata Co., Ltd. | Method and device for forming piezoelectric/pyroelectric film |
JP2015053484A (ja) * | 2014-09-08 | 2015-03-19 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、プラズマポーリング装置、圧電体及びその製造方法、成膜装置及びエッチング装置、ランプアニール装置 |
JP2016021574A (ja) * | 2015-07-31 | 2016-02-04 | 株式会社ユーテック | ポーリング処理方法、磁場ポーリング装置及び圧電体膜 |
JP2017059751A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社ユーテック | 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP5410686B2 (ja) | 2014-02-05 |
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