JP4993294B2 - ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 - Google Patents
ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4993294B2 JP4993294B2 JP2007229792A JP2007229792A JP4993294B2 JP 4993294 B2 JP4993294 B2 JP 4993294B2 JP 2007229792 A JP2007229792 A JP 2007229792A JP 2007229792 A JP2007229792 A JP 2007229792A JP 4993294 B2 JP4993294 B2 JP 4993294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferroelectric
- ferroelectric film
- film
- substrate
- electric field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 68
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 67
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 43
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 14
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 7
- -1 lanthanoid cations Chemical class 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/145—Arrangement thereof
- B41J2/155—Arrangement thereof for line printing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明はまた、上記製造方法により、Aサイトに5モル%以上のドナイオンが添加され、強誘電性能に優れたPZT系のペロブスカイト型酸化物を提供することを目的とするものである。
本発明はまた、Aサイト欠損がなく、Aサイトに5モル%以上のドナイオンが添加され、強誘電性能に優れたPZT系のペロブスカイト型酸化物を提供することを目的とするものである。
本発明はまた、Aサイトに5モル%以上のドナイオンが添加され、強誘電性能に優れたPZT系のペロブスカイト型酸化物を含み、3.0μm以上の膜厚を有する強誘電体膜を提供することを目的とするものである。
(Pb1−x+δMx)(ZryTi1−y)Oz・・・(P)
(式中、MはBi及びランタニド元素(=元素番号57〜71の元素(La〜Lu))からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0.05≦x≦0.4。
0<y≦0.7。
δ=0及びz=3が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。)
本発明では、Si,Ge,及びVを実質的に含まないペロブスカイト型酸化物を提供することができる。「Si,Ge,及びVを実質的に含まない」とは、ペロブスカイト型酸化物の表面(例えば、ペロブスカイト型酸化物膜である場合は膜表面)からの蛍光X線測定により検出される各元素の濃度が、Siの場合は0.1wt%未満,Ge及びVの場合は0.01%未満であることと定義する。
本発明では、バイポーラ分極−電界曲線において、正電界側の抗電界をEc1とし、負電界側の抗電界をEc2としたとき、(Ec1+Ec2)/(Ec1−Ec2)×100(%)の値が25%以下である強誘電体膜を提供することができる。
本発明では、多数の柱状結晶からなる膜構造を有する強誘電体膜を提供することができる。
本発明では、3.0μm以上の膜厚を有する強誘電体膜を提供することができる。
本明細書において、「成膜温度Ts(℃)」は、成膜を行う基板の中心温度を意味するものとする。
本明細書において、「プラズマ電位Vs及びフローティング電位Vf」は、ラングミュアプローブを用い、シングルプローブ法により測定するものとする。フローティング電位Vfの測定は、プローブに成膜中の膜等が付着して誤差を含まないように、プローブの先端を基板近傍(基板から約10mm)に配し、できる限り短時間で行うものとする。◎
プラズマ電位Vsとフローティング電位Vfとの電位差Vs−Vf(V)はそのまま電子温度(eV)に変換することができる。電子温度1eV=11600K(Kは絶対温度)に相当する。
本発明の液体吐出装置は、上記の本発明の強誘電体素子からなる圧電素子と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とするものである。
本発明者は、スパッタ法等の非熱平衡プロセスにより成膜を行うことにより、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、ジルコンチタン酸鉛(PZT)のAサイトに5モル%以上のドナイオンを添加できることを見出した。本発明者は具体的には、PZTのAサイトに5〜40モル%のドナイオンを添加できることを見出した。
(Pb1−x+δMx)(ZryTi1−y)Oz・・・(P)
(式中、MはBi及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0.05≦x≦0.4。
0<y≦0.7。
δ=0及びz=3が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。)
本発明では、上記の本発明のペロブスカイト型酸化物を主成分とする強誘電体膜を提供することができる。本明細書において、「主成分」は80質量%以上の成分と定義する。
PE曲線の非対称ヒステリシスのレベルは、(Ec1+Ec2)/(Ec1−Ec2)×100(%)の値により評価でき、この数値が大きい程、PEヒステリシスの非対称性が大きいことを示す。本発明では、(Ec1+Ec2)/(Ec1−Ec2)×100(%)の値が25%以下である強誘電体膜を提供することができる(後記実施例1、図9を参照)。
(1)自発分極軸のベクトル成分と電界印加方向とが一致したときに、電界印加強度の増減によって電界印加方向に伸縮する通常の電界誘起圧電歪、
(2)電界印加強度の増減によって分極軸が可逆的に非180°回転することで生じる圧電歪、
(3)電界印加強度の増減によって結晶を相転移させ、相転移による体積変化を利用する圧電歪、
(4)電界印加により相転移する特性を有する材料を用い、自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有する強誘電体相を含む結晶配向構造とすることで、より大きな歪が得られるエンジニアードドメイン効果を利用する圧電歪(エンジニアードドメイン効果を利用する場合には、相転移が起こる条件で駆動してもよいし、相転移が起こらない範囲で駆動してもよい)などが挙げられる。
強誘電体膜をなす多数の柱状結晶の平均柱径は特に制限なく、30nm以上1μm以下が好ましい。柱状結晶の平均柱径が過小では、強誘電体として充分な結晶成長が起こらない、所望の強誘電性能(圧電性能)が得られないなどの恐れがある。柱状結晶の平均柱径が過大では、パターニング後の形状精度が低下するなどの恐れがある。
AサイトにドナイオンMが5〜40モル%添加された上記式(P)で表される本発明のペロブスカイト型酸化物を含む本発明の強誘電体膜は、非熱平衡プロセスにより成膜することができる。本発明の強誘電体膜の好適な成膜方法としては、スパッタ法、プラズマCVD法、焼成急冷クエンチ法、アニールクエンチ法、及び溶射急冷法等が挙げられる。本発明の成膜方法としては、スパッタ法が特に好ましい。
以下に、図1及び図2を参照して、スパッタリング装置の構成例と成膜の様子について説明する。ここでは、RF電源を用いるRFスパッタリング装置を例として説明するが、DC電源を用いるDCスパッタリング装置を用いることもできる。図1は本実施形態の成膜装置の概略断面図であり、図1Bは成膜中の様子を模式的に示す図である。図2は、図1中のシールド及びその近傍の拡大図である。
E=1/2mv2=3/2kT
(式中、mは質量、vは速度、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。)
Vs−Vfは、温度と同様の効果以外にも、表面マイグレーションの促進効果、弱結合部分のエッチング効果などの効果を持つと考えられる。
すなわち、Ts(℃)≧400の条件では、成膜温度Tsが相対的に低い条件のときには、ペロブスカイト結晶を良好に成長させるためにVs−Vfを相対的に高くする必要があり、成膜温度Tsが相対的に高い条件のときには、Pb抜けを抑制するためにVs−Vfを相対的に低くする必要がある。
図4を参照して、本発明に係る実施形態の圧電素子(強誘電体素子)、及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図4はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
上部電極50の主成分としては特に制限なく、下部電極30で例示した材料、Al,Ta,Cr,及びCu等の一般的に半導体プロセスで用いられている電極材料、及びこれらの組合せが挙げられる。
本実施形態の圧電素子2及びインクジェット式記録ヘッド3は、以上のように構成されている。
図5及び図6を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図5は装置全体図であり、図6は部分上面図である。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
(実施例1)
市販のスパッタリング装置を用意し、120mmφのターゲットTの側方に、内径130mmφ、外径180mmφ、厚さ1mmのステンレス鋼(SUS)製のリング250aを5枚接地電位にして設置して、図1Aに示される成膜装置を得た。各リング250aは、直径10mmφ、厚さ5mmの柱状の導電性のスペーサ250bを介して積層した。スペーサ250bは、リング250aのサイズに比して十分小さいので、真空容器210内に導入されたガスGが、スペーサ250bに影響されずに、リング250aの間隙204を通過してターゲットTに容易に到達することができる。
上記強誘電体膜上にPt上部電極をスパッタリング法にて100nm厚で形成し、本発明の強誘電体素子を得た。
ターゲット組成を変える以外は上記と同様にして、Nb添加量の異なる複数種のNbドープPZT強誘電体膜の成膜を実施し、それぞれについて強誘電体素子を得た。以降、NbドープPZTは「Nb−PZT」と略記する。
ターゲット組成を変える以外は上記と同様にして、Bi添加量及びNb添加量の異なる複数種のBi,Nb共ドープPZT強誘電体膜の成膜を実施し、それぞれについて強誘電体素子を得た。以降、Bi,Nb共ドープPZTは「Bi,Nb−PZT」と略記する。
ターゲット組成を変える以外は上記と同様にして、W添加量の異なる複数種のWドープPZT強誘電体膜の成膜を実施し、それぞれについて強誘電体素子を得た。以降、WドープPZTは「W−PZT」と略記する。
いずれのターゲットも、Zr:Tiモル比=52:48とした。
Bi添加量の異なる複数種のBi−PZT強誘電体膜について各々、EDXによる組成分析を実施した。
いずれの膜も(Pb1−x+δBix)(Zr0.52Ti0.48)Ozで表される組成を有していた。x=0.06,0.10,0.11,0.14,0.16,0.21,0.30の膜が得られた。いずれの膜も1+δ=1.02〜1.10であり、Aサイト元素がリッチな組成であった。いずれの膜も、酸素のK線強度が弱いため、2<z≦3程度であることは分かったが、酸素量zの特定はできなかった。
他の強誘電体膜についても、同様にEDXによる組成分析を実施した。
Bi添加量の異なる複数種のBi−PZT強誘電体膜について各々、SEM断面観察を実施したところ、いずれも基板面に対して略垂直方向に成長した多数の柱状結晶(平均柱径約150nm)からなる柱状結晶構造膜であった。
Bi添加量の異なる複数種のBi−PZT強誘電体膜について各々、XRD測定を実施した。
Bi添加量6〜30モル%のBi−PZT膜はいずれも(100)配向のペロブスカイト単相構造の膜であった。
Bi添加量の異なる複数種のBi−PZT強誘電体膜(0.06≦x≦0.21)について各々、分極−電界ヒステリシス測定(PEヒステリシス測定)を行い、最大分極値Pmax(μC/cm2)を求めた。分極値がほぼ飽和してくるE=100kV/cmにおける分極値をPmaxとして求めた。
3、3K,3C,3M,3Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
11 基板ホルダ
12 プラズマ電極(ターゲットホルダ)(プラズマ生成部)
13 高周波電源(プラズマ生成部)
20 基板
30、50 電極
40 強誘電体膜(圧電体膜)
71 インク室(液体貯留室)
72 インク吐出口(液体吐出口)
200、300 成膜装置
204 間隙
210、310 真空容器
250 シールド
250a リング(シールド層)
330 制御電源
B 成膜用基板
G 成膜ガス
L 厚み
P プラズマ空間
T ターゲット
Vf フローティング電位
Vs プラズマ電位
S 距離
Claims (11)
- 基板上に下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を含む強誘電体膜をスパッタ法により成膜する方法であって、
前記スパッタ法が、前記強誘電体膜組成に応じた組成のターゲットと基板とを離隔配置させ、前記ターゲットの前記基板側の外周を取囲むシールド層を上下方向に間隔をおいて複数重なるように前記ターゲットと非接触状態で配置し、前記シールドの高さが前記スパッタ法による成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)とフローティング電位Vf(V)との差Vs−Vf(V)が35eV以下となる条件、且つ前記基板の温度が400℃以上となる条件で、前記基板上に成膜するものであることを特徴とする強誘電体膜の成膜方法。
(Pb1−x+δMx)(ZryTi1−y)Oz・・・(P)、
(式中、MはBi及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0.05≦x≦0.4。
0<y≦0.7。
δ=0及びz=3が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。) - 前記一般式(P)において、MがBiであることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 前記一般式(P)において、0.05≦x≦0.25であることを特徴とする請求項1又は2に記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 前記一般式(P)において、0<δ≦0.2であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 前記一般式(P)において、Si,Ge,及びVを実質的に含まないことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の強誘電体膜の成膜方法によって成膜されたことを特徴とする強誘電体膜。
- バイポーラ分極−電界曲線において、正電界側の抗電界をEc1とし、負電界側の抗電界をEc2としたとき、(Ec1+Ec2)/(Ec1−Ec2)×100(%)の値が25%以下であることを特徴とする請求項6に記載の強誘電体膜。
- 多数の柱状結晶からなる膜構造を有することを特徴とする請求項6又は7のいずれかに記載の強誘電体膜。
- 3.0μm以上の膜厚を有することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の強誘電体膜。
- 請求項6〜9に記載の強誘電体膜と、該強誘電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする強誘電体素子。
- 請求項10に記載の強誘電体素子からなる圧電素子と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とする液体吐出装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007229792A JP4993294B2 (ja) | 2007-09-05 | 2007-09-05 | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
CN2008102133892A CN101665907B (zh) | 2007-09-05 | 2008-09-02 | 通过溅射技术在基板上形成铁电体膜的方法 |
EP20080015564 EP2034041B1 (en) | 2007-09-05 | 2008-09-03 | Process for forming a ferroelectric film |
US12/203,596 US7923906B2 (en) | 2007-09-05 | 2008-09-03 | Process for forming a ferroelectric film, ferroelectric film, ferroelectric device, and liquid discharge apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007229792A JP4993294B2 (ja) | 2007-09-05 | 2007-09-05 | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009062208A JP2009062208A (ja) | 2009-03-26 |
JP2009062208A5 JP2009062208A5 (ja) | 2010-04-15 |
JP4993294B2 true JP4993294B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=40130510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007229792A Expired - Fee Related JP4993294B2 (ja) | 2007-09-05 | 2007-09-05 | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7923906B2 (ja) |
EP (1) | EP2034041B1 (ja) |
JP (1) | JP4993294B2 (ja) |
CN (1) | CN101665907B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1994555A4 (en) | 2006-03-10 | 2009-12-16 | Advanced Tech Materials | PRECURSOR COMPOSITIONS FOR STORING ATOMIC LAYERS AND CHEMICAL PREVENTION OF TITANIUM, LANTHANATE AND DIELECTRIC TANTALATE FILMS |
JP2008266771A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
WO2012177642A2 (en) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | High-k perovskite material and methods of making and using the same |
WO2014124056A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films |
CN109688686B (zh) * | 2018-12-10 | 2021-02-02 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种等离子体环境中朗缪尔探针伏安特性模拟装置 |
CN112689376B (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-18 | 四川大学 | 一种采用压电材料的微波等离子体射流激发装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3864239A (en) * | 1974-04-22 | 1975-02-04 | Nasa | Multitarget sequential sputtering apparatus |
JP2532381B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 |
KR100277849B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2001-01-15 | 김영환 | 챔버를 갖는 스퍼터 장치를 이용한 박막형성방법 |
JP3126698B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2001-01-22 | 富士通株式会社 | スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3482883B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2004-01-06 | 株式会社村田製作所 | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法 |
US6964873B2 (en) | 1999-10-29 | 2005-11-15 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof |
JP4266474B2 (ja) | 2000-01-21 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 圧電体磁器組成物の製造方法及び圧電体素子の製造方法 |
JP4266480B2 (ja) | 2000-03-08 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 圧電体磁器組成物およびその製造方法、圧電体素子およびその製造方法、ならびに、それを用いたインクジェット式プリンタヘッドおよび超音波モータ |
JP2005244174A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体素子及びその製造方法、並びに該圧電体素子を用いたインクジェットヘッド及びインクジェット式記録装置 |
JP4324796B2 (ja) | 2004-08-30 | 2009-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ |
JP2006188414A (ja) | 2004-12-07 | 2006-07-20 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品 |
JP4489621B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-06-23 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷用湿し水組成物 |
JP5030252B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2012-09-19 | 富士フイルム株式会社 | 圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータの製造方法及び液体吐出ヘッド |
CN100546064C (zh) * | 2005-07-08 | 2009-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 致动器装置、液体喷射头以及液体喷射装置 |
US20070046153A1 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substrate, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus |
JP4237208B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 |
US20070084717A1 (en) * | 2005-10-16 | 2007-04-19 | Makoto Nagashima | Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage |
JP4142706B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2008-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
EP1973177B8 (en) * | 2007-03-22 | 2015-01-21 | FUJIFILM Corporation | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device |
JP5095315B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-12-12 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 |
JP5052455B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2012-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置、成膜方法、圧電膜、および、液体吐出装置 |
-
2007
- 2007-09-05 JP JP2007229792A patent/JP4993294B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-02 CN CN2008102133892A patent/CN101665907B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-03 US US12/203,596 patent/US7923906B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-03 EP EP20080015564 patent/EP2034041B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101665907A (zh) | 2010-03-10 |
EP2034041A3 (en) | 2009-11-25 |
EP2034041B1 (en) | 2012-07-25 |
EP2034041A2 (en) | 2009-03-11 |
JP2009062208A (ja) | 2009-03-26 |
US20090058953A1 (en) | 2009-03-05 |
CN101665907B (zh) | 2011-11-09 |
US7923906B2 (en) | 2011-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4808689B2 (ja) | 強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP4505492B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP4142706B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 | |
US8100513B2 (en) | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device | |
JP4142705B2 (ja) | 成膜方法、圧電膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5095315B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP2009062564A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5943870B2 (ja) | 圧電体膜 | |
US10103316B2 (en) | Piezoelectric film, piezoelectric element including the same, and liquid discharge apparatus | |
JP2009064859A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP4993294B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜とその製造方法、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
US8210658B2 (en) | Piezoelectric material, method for producing piezoelectric material, piezoelectric device and liquid discharge device | |
JP2010080813A (ja) | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP2008081802A (ja) | 圧電膜とその成膜方法、及び圧電素子 | |
JP5290610B2 (ja) | 圧電膜の成膜方法 | |
JP2009293130A (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5592192B2 (ja) | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置 | |
JP2010219493A (ja) | 圧電体膜とその成膜方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4142726B2 (ja) | 成膜方法、圧電膜、及び圧電素子 | |
JP4226647B2 (ja) | 圧電膜とその成膜方法、及び圧電素子 | |
JP2008179894A (ja) | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120424 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120426 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4993294 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |